JP2000288495A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JP2000288495A JP2000288495A JP11095491A JP9549199A JP2000288495A JP 2000288495 A JP2000288495 A JP 2000288495A JP 11095491 A JP11095491 A JP 11095491A JP 9549199 A JP9549199 A JP 9549199A JP 2000288495 A JP2000288495 A JP 2000288495A
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- cleaning liquid
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- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄効率が高く、廃液中の有害成分残存量を
低減して純水製造装置の原水として利用できる洗浄方法
を提供する。 【解決手段】 洗浄槽の内槽１０１内に純水、所望によ
りハロゲン化アルカリ金属塩などの洗浄除剤からなる洗
浄液を満たし、この洗浄液に対し、槽外部からオゾンと
過酸化水素とを供給して溶解する。このオゾンと過酸化
水素とが溶解した洗浄液に超音波を作用させる。そのと
き洗浄液のｐＨを６〜８に調整することにより、多量の
ＯＨラジカルが生成する。ＯＨラジカルはウエハＷ表面
に付着した有機物の除去を促進する作用と、洗浄液中に
遊離した有機物を分解する作用とを併せ持つので、洗浄
力の向上に加え、洗浄後の洗浄液の有機物分低減化をも
図ることができる。そのため使用後の洗浄液は純水製造
装置の原水として容易にリサイクルできる。
低減して純水製造装置の原水として利用できる洗浄方法
を提供する。 【解決手段】 洗浄槽の内槽１０１内に純水、所望によ
りハロゲン化アルカリ金属塩などの洗浄除剤からなる洗
浄液を満たし、この洗浄液に対し、槽外部からオゾンと
過酸化水素とを供給して溶解する。このオゾンと過酸化
水素とが溶解した洗浄液に超音波を作用させる。そのと
き洗浄液のｐＨを６〜８に調整することにより、多量の
ＯＨラジカルが生成する。ＯＨラジカルはウエハＷ表面
に付着した有機物の除去を促進する作用と、洗浄液中に
遊離した有機物を分解する作用とを併せ持つので、洗浄
力の向上に加え、洗浄後の洗浄液の有機物分低減化をも
図ることができる。そのため使用後の洗浄液は純水製造
装置の原水として容易にリサイクルできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
用ガラス基板（以下、液晶ディスプレイを「ＬＣＤ」と
いう。）やシリコンウエハなどの被処理基体に付着した
有機物の洗浄方法に係り、更に詳細には被処理基体に付
着したフォトレジスト等の有機物や有機溶剤を室温で洗
浄する際に、被処理基体表面を洗浄すると同時に、洗浄
液中に含まれる有機物を分解する洗浄方法に関する。
用ガラス基板（以下、液晶ディスプレイを「ＬＣＤ」と
いう。）やシリコンウエハなどの被処理基体に付着した
有機物の洗浄方法に係り、更に詳細には被処理基体に付
着したフォトレジスト等の有機物や有機溶剤を室温で洗
浄する際に、被処理基体表面を洗浄すると同時に、洗浄
液中に含まれる有機物を分解する洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体や液晶ディスプレイ製造の
ウェットプロセスにおいて、被処理基体であるシリコン
ウエハ（以下、シリコンウエハを「ウエハ」という。）
Ｗの表面からレジストを剥離するための剥離処理には、
例えば、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）やＭＥＡ
（モノエタノールアミン）などの濃度の濃い有機溶剤を
高温で処理した後、基体に付着した有機溶剤をさらに別
の有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで処理する
方法が用いられている。このような有機溶剤を用いて洗
浄したウエハは次いで超純水槽に浸漬され、ここで超純
水による洗浄処理を施した後に後続の処理工程が施され
る。
ウェットプロセスにおいて、被処理基体であるシリコン
ウエハ（以下、シリコンウエハを「ウエハ」という。）
Ｗの表面からレジストを剥離するための剥離処理には、
例えば、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）やＭＥＡ
（モノエタノールアミン）などの濃度の濃い有機溶剤を
高温で処理した後、基体に付着した有機溶剤をさらに別
の有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで処理する
方法が用いられている。このような有機溶剤を用いて洗
浄したウエハは次いで超純水槽に浸漬され、ここで超純
水による洗浄処理を施した後に後続の処理工程が施され
る。
【０００３】この洗浄処理に用いられた超純水はＴＯＣ
濃度が高く回収が困難であるという問題があった。
濃度が高く回収が困難であるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題を解決するためになされたものである。
題を解決するためになされたものである。
【０００５】即ち、本発明は洗浄液中の有機物を分解す
る能力が高く、汚れた洗浄液中の有機物を処理して純水
装置の原水として利用できる洗浄方法を提供することを
目的とする。
る能力が高く、汚れた洗浄液中の有機物を処理して純水
装置の原水として利用できる洗浄方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、オ
ゾン、及び過酸化水素を含む洗浄液を用いて、前記洗浄
液に超音波を照射しながら被処理基体の洗浄を行う方法
において、ｐＨ調整剤の添加により前記洗浄液のｐＨを
６〜８に調整することを特徴とする。
ゾン、及び過酸化水素を含む洗浄液を用いて、前記洗浄
液に超音波を照射しながら被処理基体の洗浄を行う方法
において、ｐＨ調整剤の添加により前記洗浄液のｐＨを
６〜８に調整することを特徴とする。
【０００７】上記洗浄方法において、前記洗浄は、前記
被処理基体を洗浄液中に浸漬することにより行ってもよ
く、前記被処理基体に洗浄液を供給することにより行っ
てもよい。
被処理基体を洗浄液中に浸漬することにより行ってもよ
く、前記被処理基体に洗浄液を供給することにより行っ
てもよい。
【０００８】前記超音波の照射は連続的であってもよ
く、また、断続的であってもよい。
く、また、断続的であってもよい。
【０００９】前記洗浄処理に用いられるｐＨ調整剤は、
ＮＨ4 ＯＨ，ＫＯＨ，ＮａＯＨなどが挙げられる。
ＮＨ4 ＯＨ，ＫＯＨ，ＮａＯＨなどが挙げられる。
【００１０】上記洗浄方法を実施する装置の例として、
洗浄液を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽に純水を供給す
る純水供給系と、前記洗浄槽にオゾンを供給するオゾン
供給系と、前記洗浄槽に過酸化水素を供給する過酸化水
素供給系と、前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を照射する
超音波照射装置と、を具備する洗浄装置が挙げられる。
上記洗浄装置において、純水供給系とは、例えば純水
タンクや純水化装置、配管、ポンプ、バルブなどから構
成される供給系路をいう。
洗浄液を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽に純水を供給す
る純水供給系と、前記洗浄槽にオゾンを供給するオゾン
供給系と、前記洗浄槽に過酸化水素を供給する過酸化水
素供給系と、前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を照射する
超音波照射装置と、を具備する洗浄装置が挙げられる。
上記洗浄装置において、純水供給系とは、例えば純水
タンクや純水化装置、配管、ポンプ、バルブなどから構
成される供給系路をいう。
【００１１】またオゾン供給系とは、例えばオゾン発生
装置、配管、バルブ、洗浄槽内に配設する多孔体などを
いう。
装置、配管、バルブ、洗浄槽内に配設する多孔体などを
いう。
【００１２】過酸化水素供給系とは、例えば過酸化水素
水タンク、配管、バルブ、配管内で超純水中に過酸化水
素を溶解させる過酸化水素溶解装置などをいう。
水タンク、配管、バルブ、配管内で超純水中に過酸化水
素を溶解させる過酸化水素溶解装置などをいう。
【００１３】上記洗浄方法を行う装置として、本発明の
他の洗浄装置は、被処理基体を回転可能に保持するスピ
ンチャックと、前記被処理基体に液体を吐出するノズル
と、前記ノズルに洗浄液を供給する洗浄液供給系と、前
記ノズルに供給される洗浄液にオゾンを供給するオゾン
供給系と、前記ノズルに供給される洗浄液に過酸化水素
を供給する過酸化水素供給系と、前記ノズルから吐出さ
れる洗浄液に超音波を照射する超音波照射装置と、を具
備する。
他の洗浄装置は、被処理基体を回転可能に保持するスピ
ンチャックと、前記被処理基体に液体を吐出するノズル
と、前記ノズルに洗浄液を供給する洗浄液供給系と、前
記ノズルに供給される洗浄液にオゾンを供給するオゾン
供給系と、前記ノズルに供給される洗浄液に過酸化水素
を供給する過酸化水素供給系と、前記ノズルから吐出さ
れる洗浄液に超音波を照射する超音波照射装置と、を具
備する。
【００１４】上記洗浄装置において、洗浄液を供給する
洗浄液供給系とは、例えば、過酸化水素水を収容するタ
ンクと、このタンクから前記洗浄槽に過酸化水素水を供
給するように配設された配管と、この配管の先に取り付
けられたノズルと、この配管の途中に配設されたポンプ
や、配管内の連通を開閉する弁などからなる装置が挙げ
られる。
洗浄液供給系とは、例えば、過酸化水素水を収容するタ
ンクと、このタンクから前記洗浄槽に過酸化水素水を供
給するように配設された配管と、この配管の先に取り付
けられたノズルと、この配管の途中に配設されたポンプ
や、配管内の連通を開閉する弁などからなる装置が挙げ
られる。
【００１５】また、前記過酸化水素供給系は、前記洗浄
液供給系の洗浄液に対して加圧下に前記過酸化水素を供
給する系であってもよい。例えば、前記洗浄液を供給す
る供給系としての配管に接続された配管であって、過酸
化水素水のタンクと接続され、配管内の洗浄液に過酸化
水素水を加圧しながら供給する加圧ポンプなどが挙げら
れる。
液供給系の洗浄液に対して加圧下に前記過酸化水素を供
給する系であってもよい。例えば、前記洗浄液を供給す
る供給系としての配管に接続された配管であって、過酸
化水素水のタンクと接続され、配管内の洗浄液に過酸化
水素水を加圧しながら供給する加圧ポンプなどが挙げら
れる。
【００１６】本発明の水処理方法は、オゾン、過酸化水
素を混合した洗浄液に超音波を照射して、そのとき洗浄
液のｐＨを６〜８にコントロールし、基体に付着してい
る有機物を分解すると同時に、基体から洗浄液に移動し
た有機物をも分解して使用済みの洗浄液を純水製造装置
の原水として利用することが可能である。
素を混合した洗浄液に超音波を照射して、そのとき洗浄
液のｐＨを６〜８にコントロールし、基体に付着してい
る有機物を分解すると同時に、基体から洗浄液に移動し
た有機物をも分解して使用済みの洗浄液を純水製造装置
の原水として利用することが可能である。
【００１７】その場合、使用済み洗浄液に紫外線照射
や、更にオゾン、過酸化水素を添加しても良いし、活性
炭を通した後、イオン交換処理又は生物処理を行ってＴ
ＯＣレベルを更に低減させることも可能である。
や、更にオゾン、過酸化水素を添加しても良いし、活性
炭を通した後、イオン交換処理又は生物処理を行ってＴ
ＯＣレベルを更に低減させることも可能である。
【００１８】本発明の洗浄方法では、洗浄液にオゾンと
過酸化水素とを含む溶液を使用するので、洗浄液中に含
まれる有機物の分解が促進される。また洗浄の際に超音
波を印加して、ｐＨ６〜８に調整するため、ＯＨラジカ
ルが発生しやすくなり、このＯＨラジカルが洗浄液やウ
エハ表面に付着した有機物の分解を促進する。そのた
め、洗浄処理に使用された洗浄液を純水製造装置の原水
として利用することができる。
過酸化水素とを含む溶液を使用するので、洗浄液中に含
まれる有機物の分解が促進される。また洗浄の際に超音
波を印加して、ｐＨ６〜８に調整するため、ＯＨラジカ
ルが発生しやすくなり、このＯＨラジカルが洗浄液やウ
エハ表面に付着した有機物の分解を促進する。そのた
め、洗浄処理に使用された洗浄液を純水製造装置の原水
として利用することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る洗浄方
法、及び洗浄装置について以下に説明する。図１は、本
発明の洗浄方法を実施するための、バッチ処理に用いら
れる洗浄槽の一例である。
法、及び洗浄装置について以下に説明する。図１は、本
発明の洗浄方法を実施するための、バッチ処理に用いら
れる洗浄槽の一例である。
【００２０】図１において、１０１は、超純水、ｐＨ調
整剤からなる洗浄液１０２を満たした内槽である。１０
３は、超音波振動子１０５を外壁に取り付けた外槽であ
り、内部には純水等の液体１０４が満たされている。な
お、ｐＨ調整剤は後から洗浄液に追加してもよい。
整剤からなる洗浄液１０２を満たした内槽である。１０
３は、超音波振動子１０５を外壁に取り付けた外槽であ
り、内部には純水等の液体１０４が満たされている。な
お、ｐＨ調整剤は後から洗浄液に追加してもよい。
【００２１】また、内槽１０１内には多孔体１０６が配
設されている。この多孔体１０６にはオゾン発生器１０
７が接続されており、オゾン発生器１０７で生成された
オゾンが多孔体１０６に供給されるようになっている。
多孔体１０６に供給されたオゾンは多孔体１０６の表面
から内槽１０１内の洗浄液１０２中に供給され、この洗
浄液１０２中に溶解する。更に、内槽１０１内には過酸
化水素水供給用の配管１０８が導入されている。この配
管１０８の一方は過酸化水素水を収容したタンク１０９
内に接続されており、配管の途中にはポンプ１１０が配
設されている。過酸化水素水はタンク１０９から配管１
０８とポンプ１１０を経て内槽１０１内に供給されるよ
うになっている。
設されている。この多孔体１０６にはオゾン発生器１０
７が接続されており、オゾン発生器１０７で生成された
オゾンが多孔体１０６に供給されるようになっている。
多孔体１０６に供給されたオゾンは多孔体１０６の表面
から内槽１０１内の洗浄液１０２中に供給され、この洗
浄液１０２中に溶解する。更に、内槽１０１内には過酸
化水素水供給用の配管１０８が導入されている。この配
管１０８の一方は過酸化水素水を収容したタンク１０９
内に接続されており、配管の途中にはポンプ１１０が配
設されている。過酸化水素水はタンク１０９から配管１
０８とポンプ１１０を経て内槽１０１内に供給されるよ
うになっている。
【００２２】この洗浄槽を用いて本発明の洗浄方法を実
施するには、まず、予めオゾン発生器１０７に電圧を印
加してオゾンを多孔体１０６から洗浄液１０２中に供給
しておき、洗浄液１０２に十分なオゾンを溶解させてお
く。
施するには、まず、予めオゾン発生器１０７に電圧を印
加してオゾンを多孔体１０６から洗浄液１０２中に供給
しておき、洗浄液１０２に十分なオゾンを溶解させてお
く。
【００２３】それと同時にポンプ１１０を作動してタン
ク１０９から過酸化水素水を汲み上げて内槽１０１内に
供給し十分な量の過酸化水素を供給しておく。
ク１０９から過酸化水素水を汲み上げて内槽１０１内に
供給し十分な量の過酸化水素を供給しておく。
【００２４】次いで、ウエハＷ（被処理基体）を洗浄液
１０２に浸漬する。すると上記洗浄液１０２とこの洗浄
液１０２中に溶解したオゾンと過酸化水素との効果でウ
エハＷ表面に付着した有機物が分解され易い状態にな
り、有機物の除去が開始する。洗浄液１０２にウエハＷ
を浸漬した後、ある程度の時間が経過した時点で超音波
振動子１０５に電圧を印加する。
１０２に浸漬する。すると上記洗浄液１０２とこの洗浄
液１０２中に溶解したオゾンと過酸化水素との効果でウ
エハＷ表面に付着した有機物が分解され易い状態にな
り、有機物の除去が開始する。洗浄液１０２にウエハＷ
を浸漬した後、ある程度の時間が経過した時点で超音波
振動子１０５に電圧を印加する。
【００２５】超音波振動子１０５から発振される超音波
は、外槽１０３、液体１０４、内槽１０１を介して洗浄
液１０２に照射される。
は、外槽１０３、液体１０４、内槽１０１を介して洗浄
液１０２に照射される。
【００２６】超音波、洗浄液成分、オゾン、及び過酸化
水素の相乗効果により、室温付近の温度でウエハＷ上の
有機物が極めて効果的に分解除去される。
水素の相乗効果により、室温付近の温度でウエハＷ上の
有機物が極めて効果的に分解除去される。
【００２７】高い洗浄効果が得られる理由の詳細は、現
在のところ完全には明らかではないが、次の様に考えら
れる。
在のところ完全には明らかではないが、次の様に考えら
れる。
【００２８】超音波によって洗浄液中に生成するラジカ
ル（Ｈラジカル、ＯＨラジカル、原子状酸素）によって
有機物の炭素‐炭素間の結合や、炭素‐水素間の結合を
切断して分解を促進させる。
ル（Ｈラジカル、ＯＨラジカル、原子状酸素）によって
有機物の炭素‐炭素間の結合や、炭素‐水素間の結合を
切断して分解を促進させる。
【００２９】特に本発明では、過酸化水素を用いてお
り、この過酸化水素とオゾンや超音波とが相俟ってラジ
カルの生成量を増大させる。
り、この過酸化水素とオゾンや超音波とが相俟ってラジ
カルの生成量を増大させる。
【００３０】このラジカルはウェハＷに付着した有機物
の分解除去を促進する。更にラジカル洗浄液中に遊離し
た有機物に作用してこれを分解する働きがある。この様
子を図２、及び図３に示した。
の分解除去を促進する。更にラジカル洗浄液中に遊離し
た有機物に作用してこれを分解する働きがある。この様
子を図２、及び図３に示した。
【００３１】図２は洗浄液条件とＯＨラジカル生成量と
の関係を示したグラフであり、図３は洗浄液条件と洗浄
液中の全有機物（ＴＯＣ）分解率との関係を示したグラ
フである。
の関係を示したグラフであり、図３は洗浄液条件と洗浄
液中の全有機物（ＴＯＣ）分解率との関係を示したグラ
フである。
【００３２】図３中、「ＴＯＣ分解率」とは、有機物が
分解されてＨ2 ＯとＣＯ2 とに変化した割合をいう。
分解されてＨ2 ＯとＣＯ2 とに変化した割合をいう。
【００３３】これら図２及び図３から明らかなように、
オゾンと過酸化水素とを含む洗浄液に超音波（ＭＳ）を
印加した場合とそれ以外の場合とを比較すると、ＯＨラ
ジカル量、ＴＯＣ分解率ともに、オゾンと過酸化水素と
を含む洗浄液に超音波（ＭＳ）を印加した場合に顕著な
効果があらわれる。
オゾンと過酸化水素とを含む洗浄液に超音波（ＭＳ）を
印加した場合とそれ以外の場合とを比較すると、ＯＨラ
ジカル量、ＴＯＣ分解率ともに、オゾンと過酸化水素と
を含む洗浄液に超音波（ＭＳ）を印加した場合に顕著な
効果があらわれる。
【００３４】ＯＨラジカルによるＤＭＳＯ（ジメチルス
ルホキシド）やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の分
解は下記のように行われると考えられる。
ルホキシド）やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の分
解は下記のように行われると考えられる。
【００３５】ＤＭＳＯ ＣＨ3 −ＳＯ−ＣＨ3 → ＣＨ3 −ＳＯ2 −ＯＨ
（メタンスルホン酸）→ Ｈ2 ＳＯ4 ＩＰＡ ＣＨ3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ3 → ＣＨ3 ＣＯＯＨ
→ ＣＯ2 以下に洗浄液のｐＨの値とＴＯＣ分解率との関係を示
す。
（メタンスルホン酸）→ Ｈ2 ＳＯ4 ＩＰＡ ＣＨ3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ3 → ＣＨ3 ＣＯＯＨ
→ ＣＯ2 以下に洗浄液のｐＨの値とＴＯＣ分解率との関係を示
す。
【００３６】 ＩＰＡ（ＴＯＣ１０ｐｐｍ） ｐＨ ＴＯＣ分解率（％） ３ ４９ ５ ５３ ６ ６８ ７ ７０ ８ ６９ ９ ４２ １０ ３８ 上記結果からｐＨが６〜８のところでＴＯＣの分解率が
向上することが分かる。
向上することが分かる。
【００３７】洗浄液の温度は、１５〜４０℃とするのが
好ましく、２０〜３５℃がより好ましい。４０℃を越え
ると、洗浄液１０２中に溶解できるオゾン量が低下する
ためである。
好ましく、２０〜３５℃がより好ましい。４０℃を越え
ると、洗浄液１０２中に溶解できるオゾン量が低下する
ためである。
【００３８】反対に洗浄液の温度が低すぎるとＯＨラジ
カルの生成速度が低下する。
カルの生成速度が低下する。
【００３９】なお、洗浄液温度は、オゾンの供給状態、
超音波のパワー、周波数、照射時間等の条件によってそ
の上昇する度合いが変化する。温度を所定範囲に保つた
めには、種々の方法があるが、例えば、図１の液体１０
４を恒温槽、冷却コイル等との間で循環すれば良い。ま
た、超音波を間欠的に照射して温度上昇を抑えても良
い。
超音波のパワー、周波数、照射時間等の条件によってそ
の上昇する度合いが変化する。温度を所定範囲に保つた
めには、種々の方法があるが、例えば、図１の液体１０
４を恒温槽、冷却コイル等との間で循環すれば良い。ま
た、超音波を間欠的に照射して温度上昇を抑えても良
い。
【００４０】超音波の周波数は、０．２０〜１０ＭＨｚ
の範囲が好ましい。０．２０ＭＨｚより低い周波数で
は、キャビテーションが発生しやすく半導体素子の形状
破壊が起こる場合がある。０．２０ＭＨｚ以上ではキャ
ビテーションは起こらず、また周波数が高くなると音圧
（振動加速度）が高くなり、有機物の除去効果が一層高
くなり好ましいが、１０ＭＨｚを越えると、温度上昇が
激しくなり冷却能力の大きな装置が必要となるため、上
記範囲とするのが好ましい。更に０．９５〜３ＭＨｚの
周波数の超音波が好ましい。Ｈ2 Ｏ2 ／Ｏ3 の比率は
１．０〜３．５が好ましい。
の範囲が好ましい。０．２０ＭＨｚより低い周波数で
は、キャビテーションが発生しやすく半導体素子の形状
破壊が起こる場合がある。０．２０ＭＨｚ以上ではキャ
ビテーションは起こらず、また周波数が高くなると音圧
（振動加速度）が高くなり、有機物の除去効果が一層高
くなり好ましいが、１０ＭＨｚを越えると、温度上昇が
激しくなり冷却能力の大きな装置が必要となるため、上
記範囲とするのが好ましい。更に０．９５〜３ＭＨｚの
周波数の超音波が好ましい。Ｈ2 Ｏ2 ／Ｏ3 の比率は
１．０〜３．５が好ましい。
【００４１】また、本発明の純水としては、洗浄の対象
となるウエハＷの種類によるが不純物を抑えた物が用い
られ、半導体基板の有機物除去を行う場合は、０．０５
μｍ以上の粒径のゴミが数個／ｃｃ以下、比抵抗値が１
８ＭΩ・ｃｍ以上で、ＴＯＣ（全有機炭素）やシリカの
値が１ｐｐｂ以下の超純水が好ましい。
となるウエハＷの種類によるが不純物を抑えた物が用い
られ、半導体基板の有機物除去を行う場合は、０．０５
μｍ以上の粒径のゴミが数個／ｃｃ以下、比抵抗値が１
８ＭΩ・ｃｍ以上で、ＴＯＣ（全有機炭素）やシリカの
値が１ｐｐｂ以下の超純水が好ましい。
【００４２】なお、図１において用いられる純水等の液
体１０４は、超音波を効率的に伝搬するために脱気した
ものを用いるのが好ましい。また、洗浄液も同様脱気し
たものを用いるのが好ましい。なお、周波数が２ＭＨｚ
の場合、気体成分は２．５ｐｐｍ以下が好ましく、１．
５ｐｐｍ以下がより好ましい。周波数が２ＭＨｚ以上で
は気体成分が１ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐ
ｂ以下である。
体１０４は、超音波を効率的に伝搬するために脱気した
ものを用いるのが好ましい。また、洗浄液も同様脱気し
たものを用いるのが好ましい。なお、周波数が２ＭＨｚ
の場合、気体成分は２．５ｐｐｍ以下が好ましく、１．
５ｐｐｍ以下がより好ましい。周波数が２ＭＨｚ以上で
は気体成分が１ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐ
ｂ以下である。
【００４３】本発明は、必ずしも図１の二槽構成とする
必要はなく、一槽構成としてその外壁に振動子を取り付
け、直接超音波を洗浄液に照射してもよく、その場合前
述したように、間欠照射、あるいは洗浄液を恒温槽との
間で循環させることにより温度を−定に保つことができ
る。超音波振動子も一つに限らず、槽の側壁、底面、上
面に設けてもよい。
必要はなく、一槽構成としてその外壁に振動子を取り付
け、直接超音波を洗浄液に照射してもよく、その場合前
述したように、間欠照射、あるいは洗浄液を恒温槽との
間で循環させることにより温度を−定に保つことができ
る。超音波振動子も一つに限らず、槽の側壁、底面、上
面に設けてもよい。
【００４４】本実施形態の洗浄方法では、従来、有機溶
剤を高濃度、例えば１００％で使用するレジスト剥離等
の工程後にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）でその有
機溶剤を除去し、超純水でリンスする。そこを本発明の
方法を用いると、ＩＰＡ、超純水リンスの工程を短縮す
ることが可能であり、オゾンと過酸化水素とで生成する
ＯＨラジカルの効果により、基体に付着している残存レ
ジストと有機溶剤とを除去し、洗浄後に溶けたそれらの
有機体をも分解するため、洗浄液は純水製造装置の原水
に利用することが可能である。
剤を高濃度、例えば１００％で使用するレジスト剥離等
の工程後にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）でその有
機溶剤を除去し、超純水でリンスする。そこを本発明の
方法を用いると、ＩＰＡ、超純水リンスの工程を短縮す
ることが可能であり、オゾンと過酸化水素とで生成する
ＯＨラジカルの効果により、基体に付着している残存レ
ジストと有機溶剤とを除去し、洗浄後に溶けたそれらの
有機体をも分解するため、洗浄液は純水製造装置の原水
に利用することが可能である。
【００４５】また、本実施形態の洗浄方法では、オゾン
と過酸化水素とが反応して生成するＯＨラジカルにより
有機体の炭素‐炭素結合や、炭素‐水素結合を切断して
分解し、ＫＦやＮＨ4 ＯＨ等のエッチャントによりｐＨ
がコントロールされ、有機物の分解能力が向上すると同
時に、有機性のゴミやその他のゴミの除去にも効果的で
ある。
と過酸化水素とが反応して生成するＯＨラジカルにより
有機体の炭素‐炭素結合や、炭素‐水素結合を切断して
分解し、ＫＦやＮＨ4 ＯＨ等のエッチャントによりｐＨ
がコントロールされ、有機物の分解能力が向上すると同
時に、有機性のゴミやその他のゴミの除去にも効果的で
ある。
【００４６】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、洗浄液にオゾンと過酸化水素とを含む溶液を使用
し、洗浄液のｐＨを６〜８に調整することで、洗浄液中
に含まれる有機物の分解が促進される。また洗浄処理の
際に超音波を印加するので、ウエハ上に付着した有機物
を分解除去しやすくする。更に、オゾン、過酸化水素及
び超音波の三者の効果が相俟って、ＯＨラジカルが発生
しやすくなり、このＯＨラジカルが洗浄液やウエハ表面
に付着した有機物の分解を促進する。そのため、洗浄に
使用された洗浄液を純水製造装置の原水として利用する
ことができる。
ば、洗浄液にオゾンと過酸化水素とを含む溶液を使用
し、洗浄液のｐＨを６〜８に調整することで、洗浄液中
に含まれる有機物の分解が促進される。また洗浄処理の
際に超音波を印加するので、ウエハ上に付着した有機物
を分解除去しやすくする。更に、オゾン、過酸化水素及
び超音波の三者の効果が相俟って、ＯＨラジカルが発生
しやすくなり、このＯＨラジカルが洗浄液やウエハ表面
に付着した有機物の分解を促進する。そのため、洗浄に
使用された洗浄液を純水製造装置の原水として利用する
ことができる。
【図１】本発明の洗浄方法を実施するバッチ処理用洗浄
槽の概略構成図である。
槽の概略構成図である。
【図２】洗浄条件とＯＨラジカル生成量との関係を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図３】洗浄液条件と洗浄液中の全有機物（ＴＯＣ）分
解率との関係を示したグラフである。
解率との関係を示したグラフである。
Ｗ……ウエハ（被処理基体） １０１……内槽（洗浄槽） １０５……超音波振動子（超音波発生装置） １０７……オゾン発生器 １０６……多孔体（オゾン溶解装置） １０８……過酸化水素供給配管 １０９……過酸化水素水タンク １１０……ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０２Ｆ 1/78 Ｃ０２Ｆ 1/78
Claims (2)
- 【請求項１】 オゾン、及び過酸化水素を含む洗浄液を
用いて、前記洗浄液に超音波を照射しながら被処理基体
の洗浄を行う方法において、ｐＨ調整剤の添加により前
記洗浄液のｐＨを６〜８に調整することを特徴とする洗
浄方法。 - 【請求項２】 オゾン、及び過酸化水素を含む洗浄液を
用いて、前記洗浄液に超音波を照射しながら被処理基体
の洗浄を行う方法において、前記洗浄液のｐＨを６〜８
に調整し、前記洗浄により基体から除かれて洗浄液に含
有した有機物を前記洗浄と同時に分解除去して、その使
用済み洗浄液は、純水製造装置の原水として利用できる
水準まで清浄化されていることを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095491A JP2000288495A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095491A JP2000288495A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000288495A true JP2000288495A (ja) | 2000-10-17 |
Family
ID=14139079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11095491A Withdrawn JP2000288495A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000288495A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001070950A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-21 | Kurita Water Ind Ltd | ジメチルスルホキシド含有排水の処理方法及び処理装置 |
| KR20010088986A (ko) * | 2001-08-31 | 2001-09-29 | 이강락 | 마이크로파 플라즈마에 의한 폐수처리 방법 및 그 장치 |
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| EP1310306A1 (de) * | 2001-11-08 | 2003-05-14 | Benteler Automobiltechnik GmbH & Co. KG | Verfahren zur Reinigung von metallischen Bauteilen |
| EP1385642A1 (en) * | 2001-04-06 | 2004-02-04 | Akrion Llc | Megazone system |
| CN100369228C (zh) * | 2004-12-24 | 2008-02-13 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 硅键合片界面缺陷的检测方法 |
| CN101700926B (zh) * | 2009-11-20 | 2011-08-17 | 张运林 | 咪唑啉酮类除草剂废液的处理方法 |
-
1999
- 1999-04-01 JP JP11095491A patent/JP2000288495A/ja not_active Withdrawn
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