JP3521393B2 - ウエット処理方法および処理装置 - Google Patents
ウエット処理方法および処理装置Info
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- JP3521393B2 JP3521393B2 JP18489395A JP18489395A JP3521393B2 JP 3521393 B2 JP3521393 B2 JP 3521393B2 JP 18489395 A JP18489395 A JP 18489395A JP 18489395 A JP18489395 A JP 18489395A JP 3521393 B2 JP3521393 B2 JP 3521393B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体基板ある
いは液晶表示装置用ガラス基板のような極めて清浄な表
面を得ることが求められ、特に室温で完全なハイドロカ
ーボンフリー表面を得る事が求められる電子部品等の被
処理物のウェット処理方法及びウエット処理装置に関す
る。
いは液晶表示装置用ガラス基板のような極めて清浄な表
面を得ることが求められ、特に室温で完全なハイドロカ
ーボンフリー表面を得る事が求められる電子部品等の被
処理物のウェット処理方法及びウエット処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記被ウエット処理物の洗浄方法
としては、ＲＣＡ洗浄方法、超音波を照射しながら
行うＲＣＡ洗浄方法が知られている。しかし、上記及
びの洗浄方法には、次ぎのような問題がある。薬品及
び超純水の使用量が多い。
としては、ＲＣＡ洗浄方法、超音波を照射しながら
行うＲＣＡ洗浄方法が知られている。しかし、上記及
びの洗浄方法には、次ぎのような問題がある。薬品及
び超純水の使用量が多い。
【０００３】高温プロセスになってしまう。廃液処理が
困難である。ハイドロカーボン除去が困難である。一
方、ハイドロカーボンの除去にはＡＰＭやＳＰＭが使用
されてきていたが、完全なハイドロカーボン除去は不可
能であった。従来技術では、高温の熱酸化を行っていた
ため、多少残っていたハイドロカーボンも高温の熱酸化
工程でＣＯ2に分解されて問題は表面化しなかったが、
低温プロセスがどんどん導入されるにつれてハイドロカ
ーボン汚染がますますクローズアップされてきている。
困難である。ハイドロカーボン除去が困難である。一
方、ハイドロカーボンの除去にはＡＰＭやＳＰＭが使用
されてきていたが、完全なハイドロカーボン除去は不可
能であった。従来技術では、高温の熱酸化を行っていた
ため、多少残っていたハイドロカーボンも高温の熱酸化
工程でＣＯ2に分解されて問題は表面化しなかったが、
低温プロセスがどんどん導入されるにつれてハイドロカ
ーボン汚染がますますクローズアップされてきている。
【０００４】又、従来からメガソニックに代表される超
音波が、パーティクル除去の目的で多用されてきていた
が、超音波パワーを上げるとパーティクルの除去効果は
向上するが、超音波の持つ物理的力（キャビテーシヨン
発生に伴う衝撃波や加速度）により、デバイスパターン
ヘの損傷があったので、実際にはパワーを下げて使用し
ている。パワーを下げるとハイドロカーボン除去率は悪
くなる。
音波が、パーティクル除去の目的で多用されてきていた
が、超音波パワーを上げるとパーティクルの除去効果は
向上するが、超音波の持つ物理的力（キャビテーシヨン
発生に伴う衝撃波や加速度）により、デバイスパターン
ヘの損傷があったので、実際にはパワーを下げて使用し
ている。パワーを下げるとハイドロカーボン除去率は悪
くなる。
【０００５】一方、水素ターミネート技術としては、例
えば次の技術が知られている。 ＨＦ洗浄→温超純水洗浄 ＨＦ洗浄→水洗→乾燥、 １０００℃での水素アニール しかし、の技術には、高温プロセスであるという欠点
がある。の技術には、水素ターミネートが不十分であ
るという欠点がある。の技術には、（イ）超高温プロ
セスである、（ロ）雰囲気制御が困難である、（ハ）取
扱いが難かしい、（ニ）処理量が少なくならざるをえな
い、という欠点がある。
えば次の技術が知られている。 ＨＦ洗浄→温超純水洗浄 ＨＦ洗浄→水洗→乾燥、 １０００℃での水素アニール しかし、の技術には、高温プロセスであるという欠点
がある。の技術には、水素ターミネートが不十分であ
るという欠点がある。の技術には、（イ）超高温プロ
セスである、（ロ）雰囲気制御が困難である、（ハ）取
扱いが難かしい、（ニ）処理量が少なくならざるをえな
い、という欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、薬品及び超
純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、
廃液処理が容易であり、しかもハイドロカーボン除去率
が極めて高く、かつ、充分な水素ターミネートを容易に
行うことが可能なウエット処理方法及びウエット処理装
置を提供することを目的とする。
純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、
廃液処理が容易であり、しかもハイドロカーボン除去率
が極めて高く、かつ、充分な水素ターミネートを容易に
行うことが可能なウエット処理方法及びウエット処理装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のウェット処理方
法は、半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれら
の製造装置部品等の被処理物を、水中に水素を含有する
超純水（以下「溶存水素水」という）又は水素と微量の
希ガスとを含有する超純水（以下「溶存希ガス水」とい
う）に２０ｋＨｚ以上の超音波を照射しながら被処理物
をウェット処理するウェット処理方法であって、前記溶
存水素水又は溶存希ガス水の原水が、希ガス以外の溶存
ガスを少なくとも１０ｐｐｍ以下とするように脱ガスさ
れた水であることを特微とする。
法は、半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれら
の製造装置部品等の被処理物を、水中に水素を含有する
超純水（以下「溶存水素水」という）又は水素と微量の
希ガスとを含有する超純水（以下「溶存希ガス水」とい
う）に２０ｋＨｚ以上の超音波を照射しながら被処理物
をウェット処理するウェット処理方法であって、前記溶
存水素水又は溶存希ガス水の原水が、希ガス以外の溶存
ガスを少なくとも１０ｐｐｍ以下とするように脱ガスさ
れた水であることを特微とする。
【０００８】本発明の他のウェット処理方法は、半導体
基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部
品等の被処理物を、溶存希ガス水に２０ｋＨｚ以上の超
音波を照射しながら被処理物をウェット処理するウェッ
ト処理方法であって、前記溶存希ガス水の原水は、少な
くとも１種類の希ガスが少なくとも０．０５ｐｐｍ以上
溶解していることを特徴とする。本発明のウェット処理
装置は、超純水の希ガス以外の溶存ガスを少なくとも１
０ｐｐｍ以下とするように脱ガスする手段と、前記超純
水中に水素又は水素と希ガスを溶解する手段と、該溶存
水素水又は該溶存希ガス水に２０ｋＨｚ以上の超音波を
照射する手段とを有することを特徴とする。本発明にお
いては、超純水中に水素を溶解する手段は、該溶存水素
水の原水（超純水）を電気分解することによって水素を
生成せしめ、同時に該原水中に水素を溶存せしめる手段
を採用できる。また、超純水中に水素又は水素と希ガス
を溶解するには、水素ガス又は水素と希ガスを系外から
ガス透過膜を介して注入して水素又は水素と希ガスを溶
存せしめる手段であってもよい。さらに、超純水中に水
素又は水素と希ガスを溶解するには、水素ガス又は水素
と希ガスを系外から該原水中にバブリングすることで溶
存せしめる手段であってもよい。溶存水素又は水素と希
ガス水の原水（超純水）中の、希ガス以外の溶存ガスを
少なくとも１０ｐｐｍ以下とするように脱ガスしてお
く。脱ガスする方法は、ガス透過膜を介して真空脱ガス
する方法が採用できる。超純水中の希ガス以外の溶存ガ
スとして酸素や窒素が挙げられる。水素と共に溶解させ
る希ガスの少なくとも一種類としては、Ｘｅ、Ｋｒ、Ａ
ｒ、Ｎｅ、またはＨｅが使用できる。上述のようにして
得た溶存水素又は水素と希ガス水を用い、半導体基板、
ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の
被ウエット処理物をウエット処理する。本発明における
ウエット処理方法は、溶存水素又は水素と希ガス水を貯
留または流通させる容器内に被ウエット処理物を浸漬し
た状態で行うウエット処理方法であって、超音波照射手
段が、該容器内に被ウエット処理物を浸漬した状態で該
溶存水素又は水素と希ガス水に照射することによって行
うことができる。または、溶存水素又は水素と希ガス水
を所定のノズルから被ウエット処理物に向けて連統的に
噴射あるいは滴下して行うウエット処理方法であって、
超音波照射手段が、前記所定のノズルの少なくとも上流
部の配管系の一部において該溶存水素又は水素と希ガス
水に照射することによって行うこともできる。
基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部
品等の被処理物を、溶存希ガス水に２０ｋＨｚ以上の超
音波を照射しながら被処理物をウェット処理するウェッ
ト処理方法であって、前記溶存希ガス水の原水は、少な
くとも１種類の希ガスが少なくとも０．０５ｐｐｍ以上
溶解していることを特徴とする。本発明のウェット処理
装置は、超純水の希ガス以外の溶存ガスを少なくとも１
０ｐｐｍ以下とするように脱ガスする手段と、前記超純
水中に水素又は水素と希ガスを溶解する手段と、該溶存
水素水又は該溶存希ガス水に２０ｋＨｚ以上の超音波を
照射する手段とを有することを特徴とする。本発明にお
いては、超純水中に水素を溶解する手段は、該溶存水素
水の原水（超純水）を電気分解することによって水素を
生成せしめ、同時に該原水中に水素を溶存せしめる手段
を採用できる。また、超純水中に水素又は水素と希ガス
を溶解するには、水素ガス又は水素と希ガスを系外から
ガス透過膜を介して注入して水素又は水素と希ガスを溶
存せしめる手段であってもよい。さらに、超純水中に水
素又は水素と希ガスを溶解するには、水素ガス又は水素
と希ガスを系外から該原水中にバブリングすることで溶
存せしめる手段であってもよい。溶存水素又は水素と希
ガス水の原水（超純水）中の、希ガス以外の溶存ガスを
少なくとも１０ｐｐｍ以下とするように脱ガスしてお
く。脱ガスする方法は、ガス透過膜を介して真空脱ガス
する方法が採用できる。超純水中の希ガス以外の溶存ガ
スとして酸素や窒素が挙げられる。水素と共に溶解させ
る希ガスの少なくとも一種類としては、Ｘｅ、Ｋｒ、Ａ
ｒ、Ｎｅ、またはＨｅが使用できる。上述のようにして
得た溶存水素又は水素と希ガス水を用い、半導体基板、
ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の
被ウエット処理物をウエット処理する。本発明における
ウエット処理方法は、溶存水素又は水素と希ガス水を貯
留または流通させる容器内に被ウエット処理物を浸漬し
た状態で行うウエット処理方法であって、超音波照射手
段が、該容器内に被ウエット処理物を浸漬した状態で該
溶存水素又は水素と希ガス水に照射することによって行
うことができる。または、溶存水素又は水素と希ガス水
を所定のノズルから被ウエット処理物に向けて連統的に
噴射あるいは滴下して行うウエット処理方法であって、
超音波照射手段が、前記所定のノズルの少なくとも上流
部の配管系の一部において該溶存水素又は水素と希ガス
水に照射することによって行うこともできる。
【０００９】
【作用】水素超純水にメガソニックを照射すると、ＦＴ
−ｌＲでの検出限界までのカーボン除去が可能である。
更に水素超純水中にＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの希
ガスを微量混入すると水素ラジカルの発生に伴い、大幅
なハイドロカーボン除去効果が得られる。
−ｌＲでの検出限界までのカーボン除去が可能である。
更に水素超純水中にＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの希
ガスを微量混入すると水素ラジカルの発生に伴い、大幅
なハイドロカーボン除去効果が得られる。
【００１０】従って、パーティクルが除去できてデバイ
スに損傷を与えない最低限度まで超音波パワーを下げて
使用しても、室温、省薬品、省超純水で完全なハイドロ
カーボン除去が可能である。希ガス添加による、超音波
エネルギー利用の効率が向上する。更に大幅な水素ラジ
カルの発生、及び単なる振動効果に加え水自身のクラス
ターが細かく切れるため、水の粘度も小さくなり、チッ
プの微細構造箇所にまでの効果向上、メタルに関しても
水素自身の除去効果があることが分かっているが、更に
メガソニックに代表される超音波を併用することによ
り、除去効果の向上がある。
スに損傷を与えない最低限度まで超音波パワーを下げて
使用しても、室温、省薬品、省超純水で完全なハイドロ
カーボン除去が可能である。希ガス添加による、超音波
エネルギー利用の効率が向上する。更に大幅な水素ラジ
カルの発生、及び単なる振動効果に加え水自身のクラス
ターが細かく切れるため、水の粘度も小さくなり、チッ
プの微細構造箇所にまでの効果向上、メタルに関しても
水素自身の除去効果があることが分かっているが、更に
メガソニックに代表される超音波を併用することによ
り、除去効果の向上がある。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば以下の諸々の効果を達成
することができる。 室温、省薬品で完全な水素ターミネートが可能であ
る。 希ガス添加による、超音波エネルギー利用の効率向上
する（大幅な水素ラジカルの発生、及び単なる振動効果
に加え水自身のクラスターが細かく切れるため、水の粘
度も小さくなり、チップの微細構造箇所にまでの効果向
上）。
することができる。 室温、省薬品で完全な水素ターミネートが可能であ
る。 希ガス添加による、超音波エネルギー利用の効率向上
する（大幅な水素ラジカルの発生、及び単なる振動効果
に加え水自身のクラスターが細かく切れるため、水の粘
度も小さくなり、チップの微細構造箇所にまでの効果向
上）。
【００１２】水中に水素又は水素と希ガスを含有する
溶存水素又は水素と希ガス水のｐＨは、中性から弱酸性
であるため、エッチングレートを押さえ、あれ防止が可
能である。 事前の脱ガスで水素ラジカル発生抑制作用のある酸
素、窒素、炭酸ガスが除去され、更に適正な水素又は水
素と希ガスの濃度制御により、超音波のガス性キャビテ
ーションの発生を極小にするため超音波のエネルギーロ
ス防止が可能である。
溶存水素又は水素と希ガス水のｐＨは、中性から弱酸性
であるため、エッチングレートを押さえ、あれ防止が可
能である。 事前の脱ガスで水素ラジカル発生抑制作用のある酸
素、窒素、炭酸ガスが除去され、更に適正な水素又は水
素と希ガスの濃度制御により、超音波のガス性キャビテ
ーションの発生を極小にするため超音波のエネルギーロ
ス防止が可能である。
【００１３】従来から周知されているパーティクル除
去効果もある。
去効果もある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大見 忠弘
宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の
301
(56)参考文献 特開 昭61−73333（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−91922（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−309348（ＪＰ，Ａ)
実開 平２−45745（ＪＰ，Ｕ)
実開 平４−55133（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B08B 3/12
H01L 21/304 643
Claims (19)
- 【請求項１】 半導体基板、ガラス基板、電子部品およ
びこれらの製造装置部品等の被処理物を、水中に水素を
含有する超純水（以下「溶存水素水」という）又は水素
と微量の希ガスとを含有する超純水（以下「溶存希ガス
水」という）に２０ｋＨｚ以上の超音波を照射しながら
被処理物をウェット処理するウェット処理方法であっ
て、前記溶存水素水又は溶存希ガス水の原水が、希ガス以外
の溶存ガスを少なくとも１０ｐｐｍ以下とするように脱
ガスされた水である ことを特微とするウェット処理方
法。 - 【請求項２】 半導体基板、ガラス基板、電子部品およ
びこれらの製造装置部品等の被処理物を、溶存希ガス水
に２０ｋＨｚ以上の超音波を照射しながら被処理物をウ
ェット処理するウェット処理方法であって、 前記溶存希ガス水の原水は、少なくとも１種類の希ガス
が少なくとも０．０５ｐｐｍ以上溶解していることを特
徴とするウェット処理方法。 - 【請求項３】前記溶存水素水の溶存水素濃度が０．０５
ｐｐｍ以上であることを特徴とする請求項（１）記載の
ウェット処理方法。 - 【請求項４】 前記溶存希ガス水の原水が、少なくとも
１種類の希ガスを少なくとも０．０５ｐｐｍ以上溶解し
たことを特徴とする請求項（１）、（３）記載のウェッ
ト処理方法。 - 【請求項５】 超純水中に水素を溶解する手段が、該溶
存水素水の原水を電気分解することによって該原水中の
水素イオンを還元して水素を生成せしめ、同時に該原水
中に水素を溶存せしめる手段によるものであることを特
徴とする請求項（１）、（３）〜（４）記載のウェット
処理方法。 - 【請求項６】 超純水中に水素又は水素と希ガスを溶解
する手段が、水素ガス又は水素と希ガスを系外からガス
透過膜を介して注入して水素又は水素と希ガスを溶存せ
しめる手段によるものであることを特微とする請求項
（１）〜（４）記載のウェット処理方法。 - 【請求項７】 超純水中に水素又は水素と希ガスを溶解
する手段が、水素ガス又は水素と希ガスを系外から該原
水中にバブリングすることで溶存せしめる手段によるも
のであることを特徴とする請求項（１）〜（４）記載の
ウェット処理方法。 - 【請求項８】 超純水の希ガス以外の溶存ガスを少なく
とも１０ｐｐｍ以下とするように脱ガスする手段と、前
記超純水中に水素又は水素と希ガスを溶解する手段と、
該溶存水素水又は該溶存希ガス水に２０ｋＨｚ以上の超
音波を照射する手段とを有することを特徴とするウェッ
ト処理装置。 - 【請求項９】 前記溶存水素水又は溶存希ガス水の原水
中の、希ガス以外の溶存ガスを脱ガスする方法が、ガス
透過膜を介して真空脱ガスする方法であることを特微と
する請求項（１）〜（４）記載のウェット処理方法。 - 【請求項１０】 前記希ガス以外の溶存ガスが酸素であ
ることを特徴とする請求項（１）〜（７）、（９）記載
のウエット処理方法。 - 【請求項１１】 前記希ガス以外の溶存ガスが窒素であ
ることを特徴とする請求項（１）〜（７）、（９）記載
のウェット処理方法。 - 【請求項１２】 前記希ガスのうちの少なくとも１種類
が、Ｘｅであることを特徴とする請求項（１）〜
（７）、（９）〜（１１）記載のウェット処理方法。 - 【請求項１３】 前記希ガスのうちの少なくとも１種類
が、Ｋｒであることを特徴とする請求項（１）〜
（７）、（９）〜（１１）記載のウェット処理方法。 - 【請求項１４】 前記希ガスのうちの少なくとも１種類
が、Ａｒであることを特徴とする請求項（１）〜
（７）、（９）〜（１１）記載のウェット処理方法。 - 【請求項１５】 前記希ガスのうちの少なくとも１種類
が、Ｎｅであることを特徴とする請求項（１）〜
（７）、（９）〜（１１）記載のウェット処理方法。 - 【請求項１６】 前記希ガスのうちの少なくとも１種類
が、Ｈｅであることを特徴とする請求項（１）〜
（７）、（９）〜（１１）記載のウェット処理方法。 - 【請求項１７】 前記ウェット処理方法が、該溶存水素
水又は溶存希ガス水を貯留または流通させる容器内に被
ウェット処理物を浸漬した状態で行うウェット処理方法
であって、前記超音波照射手段が、該容器内に該被ウェ
ット処理物を浸漬した状態で該溶存水素水又は溶存希ガ
ス水に照射し、更に大気中からの酸素、窒素、炭酸等の
ガス成分等の混入を防ぐためのシールを行うことを特徴
とする、請求項（１）〜（７）、（９）〜（１６）記載
のウェット処理方法。 - 【請求項１８】 前記溶存水素水又は溶存希ガス水を被
ウェット処理物に向けて連続的に噴射あるいは滴下する
ノズルを備え、前記超音波照射手段が前記ノズルの少な
くとも上流部の配管系の一部において該溶存水素水又は
溶存希ガス水に超音波を照射し、更に大気中からの酸
素、窒素、炭酸等のガス成分等の混入を防ぐためのシー
ルを行うことを特徴とする、請求項（８）記載のウェッ
ト処理装置。 - 【請求項１９】 前記ウエット処理方法が、該溶存水素
水又は溶存希ガス水を所定のノズルから被ウエット処理
物に向けて連続的に噴射あるいは滴下して行うウエット
処理方法であって、前記超音波照射手段が、前記所定の
ノズルの少なくとも上流部の配管系の一部において該溶
存水素水又は溶存希ガス水に照射することを特徴とする
請求項（１）〜（７）、（９）〜（１５）記載のウエッ
ト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18489395A JP3521393B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | ウエット処理方法および処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18489395A JP3521393B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | ウエット処理方法および処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0910713A JPH0910713A (ja) | 1997-01-14 |
| JP3521393B2 true JP3521393B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=16161170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18489395A Expired - Lifetime JP3521393B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | ウエット処理方法および処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3521393B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8123833B2 (en) | 2006-03-13 | 2012-02-28 | Kurita Water Industries Ltd. | Process for producing gas-containing cleaning water, apparatus for producing the cleaning water and cleaning apparatus |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135790A (ja) * | 1996-07-05 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | 洗浄方法および電子部品の洗浄方法 |
| JP3296405B2 (ja) * | 1996-08-20 | 2002-07-02 | オルガノ株式会社 | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP3394143B2 (ja) * | 1996-12-16 | 2003-04-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法及びその装置 |
| US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
| JP4135780B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2008-08-20 | ユーシーティー株式会社 | 薬液定量注入装置および方法 |
| JP2000228387A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Tadahiro Omi | ウエット洗浄装置 |
| JP3878452B2 (ja) | 2001-10-31 | 2007-02-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2004356114A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-16 | Tadahiro Omi | Ｐチャネルパワーｍｉｓ電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP18489395A patent/JP3521393B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8123833B2 (en) | 2006-03-13 | 2012-02-28 | Kurita Water Industries Ltd. | Process for producing gas-containing cleaning water, apparatus for producing the cleaning water and cleaning apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0910713A (ja) | 1997-01-14 |
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