CN100369228C - 硅键合片界面缺陷的检测方法 - Google Patents
硅键合片界面缺陷的检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100369228C CN100369228C CNB2004100924627A CN200410092462A CN100369228C CN 100369228 C CN100369228 C CN 100369228C CN B2004100924627 A CNB2004100924627 A CN B2004100924627A CN 200410092462 A CN200410092462 A CN 200410092462A CN 100369228 C CN100369228 C CN 100369228C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bonding wafer
- silicon bonding
- deionized water
- million
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法，它包括(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ·cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。该方法用于微电子机械制造中对硅/硅键合片界面的缺陷进行检测，能方便准确地判断其缺陷及其缺陷种类。
Description
(一)技术领域
本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法，用于微电子机械制造中对硅/硅键合片界面的缺陷进行检测。
(二)背景技术
目前对硅键合片界面缺陷的检测主要是利用红外光投射硅键合片的界面，通过摄像的方法显示到屏幕上，再从屏幕上观察，界面是否存在有阴影的地方，如果有，说明界面存在有缺陷，那么此硅键合片不合格。但是此方法有一个很大的缺点，如果硅键合片界面是一个很小的缺陷，在屏幕上是很难看出来，易出现误判断，并且也分辨不出是空洞、气泡、颗粒还是沾污形成的缺陷。从而影响后续工序的进行，造成芯片或集成电路出现问题。
(三)发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种硅键合片界面缺陷的检测方法，以便更准确地对硅键合片界面缺陷存在与否和缺陷种类进行检测。
本发明解决上述技术问题的技术方案是：
(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；
(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；
(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。
所述的兆声波的频率范围为2-5MHz。
所述的去离子水电阻值的范围为16-18M Ω.cm。
所述的兆声去离子水波扫射硅键合片是使兆声去离子水波沿硅键含片径向运动对旋转的硅键合片的表面进行喷射，扫射10-20秒钟，硅键合片的旋转速度为200-300转/分。
所述兆声去离子水波喷射口与所述硅键合片表面间的距离为8-15mm。
有益效果。由于本发明方法采用上述技术方案，用兆声波激活去离子水，产生兆声去离子水波，再用该兆声去离子水波对硅键合片表面进行扫射，有缺陷的地方硅膜会被振荡破裂，这些破裂的地方在聚光灯下和显微镜下很容易被观察出来，该方法简单，能方便准确地判断出硅键合片界面是否存在有缺陷和缺陷种类是颗粒、气泡(未键合区域)或沾污等，可为改进引起其缺陷的工艺提供依据，同时也对硅键合片进行了清洗。
(四)附图说明
图1是本发明方法用兆声去离子水波扫射硅键合片表面的示意图；
图2是本发明方法激活去离子水产生兆声去离子水波的示意图；
图3是本发明方法所述硅键合片界面缺陷种类的示意图，其中3(a)是沾污引起的缺陷的示意图，3(b)是颗粒引起的缺陷的示意图。
(五)具体实施方式
本发明的具体实施方式不仅限于以下的描述，下面结合附图对本发明方法加以进一步描述。
本发明方法有如下步聚：
(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波。如图2所示，即利用一兆声振荡器(功率为50-100瓦)，如德国卡尔休斯公司CL200预键合设备的振荡器，产生1MHz及其以上的兆声波，用该兆声波，较佳频率范围为2-5MHz兆声波，通过兆声振荡器头5在激活容器9内对从去离子水进水口6进入的14M Ω.cm以上的去离子水激活，形成兆声去离子水波7，这里去离子水作为传递能量的介质，其较佳电阻值为16-18MΩ.cm。
(2)用兆声去离子水波扫射硅键合片表面。如图1所示，即将待测硅键合片8(经减薄的实际使用的硅键合片)置于如德国卡尔休斯公司CL200预键合设备的上下真空吸盘1、2上，使从其上下兆声去离子水波喷射口3、4上喷射出的兆声去离子水波7沿硅键合片8径向运动，对旋转的硅键合片8的表面进行扫射，扫射10-20秒钟，硅键合片8旋转速度200-300转/分，较佳为270转/分，以保证对整个硅键合片8表面进行全面扫射。上下兆声去离子水波喷射口3、4与所述硅键合片8表面间的距离为8-15mm，较佳为12mm，该距离的确定是以保证所述兆声去离子水波7能扫射到硅键合片8表面上。
(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。即用普通的聚光灯和显微镜，如日本OLYMPLS公司的MX40型显微镜(5倍以上)，对经兆声去离子水波7扫射过的硅键合片8抛干后进行观察。若硅键合片8的键合界面无缺陷，在兆声去离子水波7的振荡下硅键合片8的硅膜不会出现破裂，则硅键合片8表面对照射光的反射是一致的。若硅键合片8界面存在缺陷，在兆声去离子水波7的振荡下硅键合片8的硅膜会破裂，若硅键合片8的键合界面存在有凸起缺陷，则硅键合片8表面对照射光呈漫反射，表明键合片8的键合界面上该处有气泡或未键合上，在显微镜下观察，如果是颗粒造成的缺陷，那么缺陷就为四周破裂，类似一个圆周，如图3(b)所示，如果是沾污造成的缺陷，那么缺陷就是不规则的破裂，如图3(a)所示。通过显微镜或者刻度尺还可以对未键合区域的大小测量，一般缺陷测试结果为儿十微米～几十个毫米范围。
Claims (5)
1.一种硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：该方法为
(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；
(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；
(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。
2.根据权利要求1所述的硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：所述的兆声波的频率范围为2-5MHz。
3.根据权利要求1所述的硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：所述的去离子水电阻值的范围为16-18MΩ.cm。
4.根据权利要求1所述的硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：所述的兆声去离子水波扫射硅键合片是使兆声去离子水波沿硅键合片径向运动对旋转的硅键合片的表面进行喷射，扫射10-20秒钟，硅键合片旋转速度200-300转/分。
5.根据权利要求4所述的硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：所述兆声去离子水波喷射口与所述硅键合片表面间的距离为8-15mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100924627A CN100369228C (zh) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 硅键合片界面缺陷的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100924627A CN100369228C (zh) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 硅键合片界面缺陷的检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1632936A CN1632936A (zh) | 2005-06-29 |
| CN100369228C true CN100369228C (zh) | 2008-02-13 |
Family
ID=34847691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100924627A Expired - Fee Related CN100369228C (zh) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 硅键合片界面缺陷的检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100369228C (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8327861B2 (en) * | 2006-12-19 | 2012-12-11 | Lam Research Corporation | Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts |
| CN103077906B (zh) * | 2013-02-01 | 2017-02-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 硅片共晶键合检测方法 |
| CN103928364B (zh) * | 2014-04-14 | 2016-09-28 | 江苏艾特曼电子科技有限公司 | 一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233203A (en) * | 1991-02-08 | 1993-08-03 | Nec Corporation | Apparatus for detecting surface defects on a semiconductor wafer |
| JP2000288495A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 洗浄方法 |
| JP2003188363A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| JP2003194732A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| CN1455708A (zh) * | 2001-04-13 | 2003-11-12 | 住友精密工业株式会社 | 基板洗净方法及洗净装置 |
-
2004
- 2004-12-24 CN CNB2004100924627A patent/CN100369228C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233203A (en) * | 1991-02-08 | 1993-08-03 | Nec Corporation | Apparatus for detecting surface defects on a semiconductor wafer |
| JP2000288495A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 洗浄方法 |
| CN1455708A (zh) * | 2001-04-13 | 2003-11-12 | 住友精密工业株式会社 | 基板洗净方法及洗净装置 |
| JP2003188363A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| JP2003194732A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1632936A (zh) | 2005-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104008956A (zh) | 用于倒装芯片器件的开封方法 | |
| KR20130139251A (ko) | 웨이퍼 스택에 있는 결함 및 층 두께를 측정하기 위한 측정 장치 및 측정 방법 | |
| CN100369228C (zh) | 硅键合片界面缺陷的检测方法 | |
| US20080022774A1 (en) | Imaging thin film structures by scanning acoustic microscopy | |
| TW201509592A (zh) | 裂痕厚度檢測裝置 | |
| CN103377960B (zh) | 晶圆缺陷检测方法 | |
| Barbeau et al. | Electro optical terahertz pulse reflectometry—A fast and highly accurate non-destructive fault isolation technique for 3D flip chip packages | |
| CN105206506B (zh) | 晶圆的处理方法 | |
| CN115201231A (zh) | 新型集成电路失效分析检测方法 | |
| CN109290940A (zh) | 研磨装置及研磨方法 | |
| JP6718626B2 (ja) | 半導体検査装置 | |
| CN110690137B (zh) | 一种晶圆检测设备及晶圆检测方法 | |
| CN105067168B (zh) | 一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法 | |
| KR100723002B1 (ko) | 세정장치 내장형 프로브 스테이션 | |
| KR100806324B1 (ko) | 반도체 불량분석을 위한 웨이퍼 에칭 시스템 및 방법 | |
| JPH10163284A (ja) | 半導体ウエハの表面検査方法および半導体装置の製造装置 | |
| TW202236405A (zh) | 晶圓之製造方法以及層積元件晶片之製造方法 | |
| TWM614272U (zh) | 用於探針卡之在線檢測與清針裝置 | |
| JPS61114117A (ja) | 微小穴の深さ計測装置 | |
| Reddy et al. | Assessment of 2nd level interconnect quality in Flip Chip Ball Grid Array (FCBGA) package using laser ultrasonic inspection technique | |
| CN105675730A (zh) | 一种灭弧喷口专用超声波检测设备及灭弧喷口检测方法 | |
| CN101728747A (zh) | 探针与芯片插座的清洁方法 | |
| KR101675010B1 (ko) | 유리 기판 연마 장치 및 방법 | |
| KR20100111129A (ko) | 스테이지부를 구비하는 포토마스크의 검사 장비 | |
| JPS62122142A (ja) | 半導体基板の検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |