CN115201231A - 新型集成电路失效分析检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及集成电路检测技术领域，且公开了新型集成电路失效分析检测方法，包括以下步骤：S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；S2：开封显微镜检查；S3：对集成电路进行电性分析；S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子‑‑空穴再结全而产生强烈的光子辐射；通过针对印刷电路板的不同分层处检测出分层原因，以方便后续贴装过程的改善复合板负压装置。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路检测技术领域，具体为新型集成电路失效分析检测 方法。
背景技术
在对集成电路组件进行失效分析的试验中，首先需要对集成电路组件进 行封膜处理。传统的封膜过程会使用定位夹或双面胶固定集成电路组件，然 后将胶体倒入含有经固定的集成电路组件的模具/容器中，静置一定的时间以 对胶体进行固化，最后对经固化后的包含集成电路组件的胶柱实施研磨，以 对集成电路组件的具体部位进行测试。由于使用定位夹容易导致固定部位线 弧受损，且集成电路组件与双面胶的结合面较小，粘合不牢，倾倒溶剂过程 中容易因流体冲击而引起集成电路组件倾倒的问题。
因此，现有的集成电路失效分析检测方法需进一步改进。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了新型集成电路失效分析检测方法。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：新型集成电路失效分析检 测方法，包括以下步骤：
S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；
S2：开封显微镜检查；
S3：对集成电路进行电性分析；
S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它 使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部 位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；
S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术， 对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试 金属布线内部的那些可靠性隐患；
S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部 位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；
S4：在检测时，制备第一层薄膜；
S5：将集成电路组件放置于所述第一层薄膜上，在集成电路组件及第一 层薄膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；
S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。
优选的，所述S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑 脂封装是否开裂，芯片引脚是否接触良好。
优选的，所述S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样 品进行X射线照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现 异常，X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和 结构选择合适的波长，这样能得到合适的分辨率。
优选的，所述S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内 部缺陷，依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主 集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。
优选的，所述第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成。
优选的，所述树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，所述树脂与所述固化剂 的重量配比为1：1至5：1。
优选的，所述固化剂是胺类固化剂。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了新型集成电路失效分析检测方法，具备 以下有益效果：
1、该新型集成电路失效分析检测方法，通过针对印刷电路板的不同分层 处检测出分层原因，以方便后续贴装过程的改善复合板负压装置。
2、该新型集成电路失效分析检测方法，通过芯片失效分析，可以帮助集 成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不 当等问题。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全 部的实施例。
所述实施例中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的 元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考的实施例是示例性的，旨 在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长 度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水 平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周 向”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不 是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和 操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连 接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆 卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相 互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述 术语在本发明中的具体含义。
实施例1
新型集成电路失效分析检测方法，包括以下步骤：
S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；
S2：开封显微镜检查；
S3：对集成电路进行电性分析；
S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它 使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部 位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；
S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术， 对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试 金属布线内部的那些可靠性隐患；
S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部 位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；
S4：在检测时，制备第一层薄膜；
S5：将集成电路组件放置于第一层薄膜上，在集成电路组件及第一层薄 膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；
S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。
S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开 裂，芯片引脚是否接触良好。
S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线 照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常，X射线主 要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和结构选择合适 的波长，这样能得到合适的分辨率。
S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内部缺陷，依据 超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封 时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。
第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成，固化剂是胺类固化剂， 树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，树脂与固化剂的重量配比为1：1。
实施例2
新型集成电路失效分析检测方法，包括以下步骤：
S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；
S2：开封显微镜检查；
S3：对集成电路进行电性分析；
S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它 使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部 位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；
S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术， 对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试 金属布线内部的那些可靠性隐患；
S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部 位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；
S4：在检测时，制备第一层薄膜；
S5：将集成电路组件放置于第一层薄膜上，在集成电路组件及第一层薄 膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；
S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。
S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开 裂，芯片引脚是否接触良好。
S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线 照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常，X射线主 要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和结构选择合适 的波长，这样能得到合适的分辨率。
S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内部缺陷，依据 超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封 时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。
第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成，固化剂是胺类固化剂， 树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，树脂与固化剂的重量配比为2：1。
实施例3
新型集成电路失效分析检测方法，包括以下步骤：
S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；
S2：开封显微镜检查；
S3：对集成电路进行电性分析；
S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它 使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部 位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；
S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术， 对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试 金属布线内部的那些可靠性隐患；
S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部 位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；
S4：在检测时，制备第一层薄膜；
S5：将集成电路组件放置于第一层薄膜上，在集成电路组件及第一层薄 膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；
S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。
S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开 裂，芯片引脚是否接触良好。
S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线 照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常，X射线主 要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和结构选择合适 的波长，这样能得到合适的分辨率。
S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内部缺陷，依据 超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封 时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。
第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成，固化剂是胺类固化剂， 树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，树脂与固化剂的重量配比为5：1。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来 将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示 这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包 括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包 括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括 没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备 所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个引用结构”限 定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在 另外的相同要素。
Claims (7)
1.新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；
S2：开封显微镜检查；
S3：对集成电路进行电性分析；
S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；
S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术，对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患；
S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；
S4：在检测时，制备第一层薄膜；
S5：将集成电路组件放置于所述第一层薄膜上，在集成电路组件及第一层薄膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；
S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。
2.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片引脚是否接触良好。
3.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常，X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和结构选择合适的波长，这样能得到合适的分辨率。
4.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内部缺陷，依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。
5.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成。
6.根据权利要求5所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，所述树脂与所述固化剂的重量配比为1：1至5：1。
7.根据权利要求6所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述固化剂是胺类固化剂。
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|---|---|---|---|
| CN202210831174.7A CN115201231A (zh) | 2022-07-15 | 2022-07-15 | 新型集成电路失效分析检测方法 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN115656331A (zh) * | 2022-11-22 | 2023-01-31 | 胜科纳米(苏州)股份有限公司 | 一种芯片开裂的失效根因溯源的开封及分析方法及设备 |
| CN116572087A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-08-11 | 日月新检测科技(苏州)有限公司 | 一种研磨半导体封装产品的方法 |
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2022
- 2022-07-15 CN CN202210831174.7A patent/CN115201231A/zh active Pending
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| CN116572087A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-08-11 | 日月新检测科技(苏州)有限公司 | 一种研磨半导体封装产品的方法 |
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Legal Events
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