JPS62122142A - 半導体基板の検査方法 - Google Patents
半導体基板の検査方法Info
- Publication number
- JPS62122142A JPS62122142A JP60259717A JP25971785A JPS62122142A JP S62122142 A JPS62122142 A JP S62122142A JP 60259717 A JP60259717 A JP 60259717A JP 25971785 A JP25971785 A JP 25971785A JP S62122142 A JPS62122142 A JP S62122142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- ultrasonic wave
- unbonded
- reflected
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は２枚の半導体ウェハを接着させて得られた半導
体基板の検査方法に関する。
体基板の検査方法に関する。
鏡面研磨したシリコンなどの半導体フエハの研磨面同士
を清浄な雰囲気中で接触させて熱処理をすると１両者は
強固にくっつき接着半導体基板が得られる。このように
して接着した基板は接着剤などの異物が介在しないため
、熱的にも化学的にも安定である。この半導体ウェハの
接着法を使用すれば、ｐｎ構造や、素子製造に使われる
ｎ”／ｎ−構造の半導体基板が簡便に得られる。
を清浄な雰囲気中で接触させて熱処理をすると１両者は
強固にくっつき接着半導体基板が得られる。このように
して接着した基板は接着剤などの異物が介在しないため
、熱的にも化学的にも安定である。この半導体ウェハの
接着法を使用すれば、ｐｎ構造や、素子製造に使われる
ｎ”／ｎ−構造の半導体基板が簡便に得られる。
しかし研磨面を接触させる時に、間にごみなどの異物が
介在したり、また研磨が良くなかった場合には、その部
分は付かず未接着部分となる。
介在したり、また研磨が良くなかった場合には、その部
分は付かず未接着部分となる。
接着した半導体基板を使用してデバイスを製作した場合
、未接着部分にあったデバイスはもちろん不良となる。
、未接着部分にあったデバイスはもちろん不良となる。
そればかりではなく、デバイス製造工程、例えば研磨や
高温熱処理の最中に、未接着部分が割れて剥離するなど
して最悪の場合には製造装置自体が壊れることもある。
高温熱処理の最中に、未接着部分が割れて剥離するなど
して最悪の場合には製造装置自体が壊れることもある。
したがって、アヱハを接着して得られた半導体基板は、
その内部に未接着部分があるか否かを、次の工程に進む
前に検査する必要がある６接着した半導体基板の検査方
法として、赤外線をシリコン基板に透過させて、その強
度の面内分布から未接着部を知る方法が考えられるが、
この方法では半導体基板に赤外線を透過させなければな
らないため、不純物濃度が高い基板の検査はできない。
その内部に未接着部分があるか否かを、次の工程に進む
前に検査する必要がある６接着した半導体基板の検査方
法として、赤外線をシリコン基板に透過させて、その強
度の面内分布から未接着部を知る方法が考えられるが、
この方法では半導体基板に赤外線を透過させなければな
らないため、不純物濃度が高い基板の検査はできない。
半導体ウェハの接着技術を工業的に応用する場合には１
例えば、高濃度のＰタイプウェハと低濃度のｎタイプウ
ェハを接着してＰ”／ｎ−構造にしたり、高濃度と低濃
度のｎタイプウェハを接着してｎ”／ｎ＝構造にするな
ど、少なくとも片側のウェハの不純物濃度が高いことが
多い。このような構造の半導体基板には、従来の赤外線
を透過させる検査法は使用できず、接着技術を工業的に
応用するために、新たな検査方法が求められていた。
例えば、高濃度のＰタイプウェハと低濃度のｎタイプウ
ェハを接着してＰ”／ｎ−構造にしたり、高濃度と低濃
度のｎタイプウェハを接着してｎ”／ｎ＝構造にするな
ど、少なくとも片側のウェハの不純物濃度が高いことが
多い。このような構造の半導体基板には、従来の赤外線
を透過させる検査法は使用できず、接着技術を工業的に
応用するために、新たな検査方法が求められていた。
本発明は、接着で得られた半導体基板において、不純物
濃度にかかわりなく未接着部分を検出できる半導体基板
の検査方法を提供することを目的とする。
濃度にかかわりなく未接着部分を検出できる半導体基板
の検査方法を提供することを目的とする。
本発明は未接着部の検出に超音波を使用することを特徴
とする。
とする。
本発明の原理を第１図に従って説明する。第１図は、２
枚の半導体ウェハ■と（２）を直接接着した被検査資料
で、その接着面（３）の一部に未接着部（イ）があり、
そこに超音波■を入射した場合を示している。超音波は
、未接着部（イ）と表面０、裏面■で反射する。これら
の反射には時間的なずれがあり、分離が可能である。一
方接首部分に超音波を入射した場合には、接着界面■か
らの反射はない。従って、被検査資料に位置を変えて超
音波を入射し、その反射を分離して接着界面からの反射
を調べれば、未接着部の有無を知ることができる。
枚の半導体ウェハ■と（２）を直接接着した被検査資料
で、その接着面（３）の一部に未接着部（イ）があり、
そこに超音波■を入射した場合を示している。超音波は
、未接着部（イ）と表面０、裏面■で反射する。これら
の反射には時間的なずれがあり、分離が可能である。一
方接首部分に超音波を入射した場合には、接着界面■か
らの反射はない。従って、被検査資料に位置を変えて超
音波を入射し、その反射を分離して接着界面からの反射
を調べれば、未接着部の有無を知ることができる。
本発明のもう一つの特徴は、使用する超音波の周波数を
３０ＭＨｚ以上にしたことである。超音波による検査で
は未接着部分からの反射波を、表面や裏面からの反射か
ら分離する必要がある。このため検査する部分と表面・
裏面との間がある一定以上であること、すなわち試料の
厚さがある一定以上でなくてはならない。本発明では高
周波の超音波を使用することで反射波の分離を容易にし
、その結果従来超音波が応用できなかった半導体基板の
ような薄い試料の検査も可能にしている。
３０ＭＨｚ以上にしたことである。超音波による検査で
は未接着部分からの反射波を、表面や裏面からの反射か
ら分離する必要がある。このため検査する部分と表面・
裏面との間がある一定以上であること、すなわち試料の
厚さがある一定以上でなくてはならない。本発明では高
周波の超音波を使用することで反射波の分離を容易にし
、その結果従来超音波が応用できなかった半導体基板の
ような薄い試料の検査も可能にしている。
本発明の半導体基板検査法は超音波を使用している。こ
のためウェハの不純物濃度にかかわりなく未接着部分の
検出ができる。また従来よりも高周波の超音波を使用す
るために、数百１ｍの厚さのウェハ同士を直接接着した
半導体基板の検査をすることができる。
のためウェハの不純物濃度にかかわりなく未接着部分の
検出ができる。また従来よりも高周波の超音波を使用す
るために、数百１ｍの厚さのウェハ同士を直接接着した
半導体基板の検査をすることができる。
これまで直接接着で得られた半導体基板を例として説明
してきたが、本発明は接着剤や低融点金属による接着や
融着によって得られた基板に対しても応用することがで
きる。
してきたが、本発明は接着剤や低融点金属による接着や
融着によって得られた基板に対しても応用することがで
きる。
以下に示す４種のシリコンウェハをそれぞれ２枚ずつ用
意した。
意した。
ｎ＋：不純物濃度 ５ＸｌＯ”ロー１ 厚さ ３８０ｊ
。
。
ｎ−：不純物濃度 ３ Ｘ １０” ｃｎ−” 厚さ
４００ｔｕｎｐ＋ ： Ｉ Ｘ
１０１９０−３ ＪＪ ３８０岬Ｐ−：
Ｉ Ｘ １０
１４ａａ−３ノ、 ３８０ｇｍ各組のうち１
枚ずつを取り、ミラー面の一部をエツチングしてから各
組のウェハ同士を直接接着した。接着して得た基板は、
あらかじめエツチングしておいた部分が未接着である。
４００ｔｕｎｐ＋ ： Ｉ Ｘ
１０１９０−３ ＪＪ ３８０岬Ｐ−：
Ｉ Ｘ １０
１４ａａ−３ノ、 ３８０ｇｍ各組のうち１
枚ずつを取り、ミラー面の一部をエツチングしてから各
組のウェハ同士を直接接着した。接着して得た基板は、
あらかじめエツチングしておいた部分が未接着である。
次に市販の超音波探傷装置を使って、これらの基板の未
接着部検出を行なった。使用した装置はキヤ／ ン１１
！Ｍ５００ＵＸで、周波数は５０ＭＨｚである。
接着部検出を行なった。使用した装置はキヤ／ ン１１
！Ｍ５００ＵＸで、周波数は５０ＭＨｚである。
試料を水中に固定し、探触子をスキャンして基板の各部
に超音波を入射した。同時に反射波を検出して分離し、
試料基板を１表面と裏面以外からの反射がある部分とな
い部分とに区別した。
に超音波を入射した。同時に反射波を検出して分離し、
試料基板を１表面と裏面以外からの反射がある部分とな
い部分とに区別した。
その結果４種の基板とも、反射があったのはあらかじめ
エツチングをしておいた部分であり、超音波で未接着部
の検出ができた。
エツチングをしておいた部分であり、超音波で未接着部
の検出ができた。
比較のために、これらの基板を赤外線を使用して検査し
た。その結果ｎ−とＰ−の基板では、未接着部分は赤外
線の透過率が接着部分よりも低く検出ができた。しかし
ｎ＋と吋では赤外線が透過せず、未接着部分の検出はで
きなかった。
た。その結果ｎ−とＰ−の基板では、未接着部分は赤外
線の透過率が接着部分よりも低く検出ができた。しかし
ｎ＋と吋では赤外線が透過せず、未接着部分の検出はで
きなかった。
第１図は本発明の一実施例を説明する図である。
１．２・・・半導体ウェハ ３・・・接着界面４・・
・未接着部分 ５・・・入射超音波６・・・試
料表面 ７・・・試料裏面代理人 弁理士
則 近 憲 佑 同 竹花喜久男 １２′ 第１図
・未接着部分 ５・・・入射超音波６・・・試
料表面 ７・・・試料裏面代理人 弁理士
則 近 憲 佑 同 竹花喜久男 １２′ 第１図
Claims (3)
- （１）２枚の半導体ウェハを接着して得た半導体基板に
超音波を照射してその反射波を検出し、接着面からの反
射波を調べることにより未接着部の有無を検知すること
を特徴とする半導体基板の検査方法。 - （２）前記半導体ウェハの接着はウェハの鏡面同士を密
着させてから２００℃以上の温度で熱処理するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
基板の検査方法。 - （３）前記超音波の周波数が３０ＭＨｚ以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基板の
検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60259717A JPS62122142A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 半導体基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60259717A JPS62122142A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 半導体基板の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122142A true JPS62122142A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17337960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60259717A Pending JPS62122142A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 半導体基板の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122142A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009264768A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 超音波映像装置および超音波映像方法 |
| JP2012253193A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超音波スキャンに基づくシリコン貫通配線（ｔｓｖ）におけるボイドの存在の推定 |
| US20170345707A1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Raytheon Company | Foundry-agnostic post-processing method for a wafer |
| CN107706125A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-02-16 | 威士达半导体科技(张家港)有限公司 | 胶丝检测装置 |
| CN107706125B (zh) * | 2017-11-28 | 2024-05-31 | 威士达半导体科技(张家港)有限公司 | 胶丝检测装置 |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP60259717A patent/JPS62122142A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009264768A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 超音波映像装置および超音波映像方法 |
| JP2012253193A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超音波スキャンに基づくシリコン貫通配線（ｔｓｖ）におけるボイドの存在の推定 |
| US20170345707A1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Raytheon Company | Foundry-agnostic post-processing method for a wafer |
| KR20190011277A (ko) * | 2016-05-27 | 2019-02-01 | 레이던 컴퍼니 | 웨이퍼용 파운드리-애그노스틱 후-처리 방법 |
| US10354910B2 (en) * | 2016-05-27 | 2019-07-16 | Raytheon Company | Foundry-agnostic post-processing method for a wafer |
| US10679888B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-06-09 | Raytheon Company | Foundry-agnostic post-processing method for a wafer |
| CN107706125A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-02-16 | 威士达半导体科技(张家港)有限公司 | 胶丝检测装置 |
| CN107706125B (zh) * | 2017-11-28 | 2024-05-31 | 威士达半导体科技(张家港)有限公司 | 胶丝检测装置 |
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