JP2739943B2 - 接合型半導体基板の検査方法および装置 - Google Patents
接合型半導体基板の検査方法および装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体基板の検査方法および装置に係り、特
に２枚の半導体基板を密着して一体として得られる接合
型半導体基板に適用するものである。 （従来の技術） 半導体素子の製造に当っては単結晶半導体基板に気相
成長法により特定の導電型を持つ半導体層を形成後ここ
に機能素子を設置する手法で広く使用されており、この
気相成長法では下地となる半導体基板から外方拡散する
不純物層の混入を避けるために種々の工夫が加えられ多
くの特許出願が行われているのが実状である。 このように不純物濃度の異なる半導体層を気相成長方
によって形成する際には表面不純物濃度を正確に制御す
るのが難しく、更に堆積法を利用するのでその厚さを大
きくすることも難しい。 一方最近の市場要求は耐圧の大きい素子も要求されて
おり、この観点からすると前記気相成長法は必ずしも満
足できる技術とは言えない。ところで複数の半導体基板
を密着して接合する技術はすでに公知事項であり、具体
的には鏡面研磨したシリコン基板を清浄な雰囲気内に相
対向して配置した上で前述のように両者を密着した結果
機械的強度も十分にあって単一のシリコン基板として利
用でき、その上この基板に導入した不純物により形成す
るPN−接合を適用する機能素子は電気的にも十分実用可
能であることも確認されている。 その工程としては、半導体基板表面を研磨して形成す
る鏡面を水洗後脱水処理を施して過剰な水分を除去して
から前述のように清浄な雰囲気内に相対向して配置した
上で両者を密着接合して接合型半導体基板を形成する。 この接合技術ではその境界面にボイド（Void）の発生
を避けるために気泡の抱込みを無くす他に、ゴミが積も
らないような清浄雰囲気が必要となり、更にこのような
接合工程を終えた接合型半導体基板はその接合面におけ
る欠陥の有無を検査してその信頼性を向上しており、そ
の方法および装置を第５図により説明する。 赤外照明装置を構成するハロゲンランプ50から発生す
る赤外線51は全反射ミラー52により反射して接合型半導
体基板53に到達し、保有する特定の波長領域を透過の上
透過赤外線54として光電変換装置55に達し、接合型半導
体基板53の境界に存在する欠陥の有無を検査する方法を
採用している。 （発明が解決しようとする問題点） このような検査方法では下記の問題点がある。 （１）接合する２枚の半導体基板材料としてSiを使用す
る場合はこのSi製半導体基板表面に形成する鏡面に存在
する欠陥部の濃度が大きくかつ欠陥部寸法が大きいと前
述の検査方法でもこの欠陥部の検出が可能であるが、し
かし前記欠陥部の濃度が小さくかつ欠陥部寸法が小さい
と前記光電変換装置55に設置するTVモニターに写出され
る画像ではこの欠陥部が目視できない。 （２）前記接合用半導体基板の一方もしくは双方表面に
酸化膜を形成した場合にはこの接合界面となる酸化膜鏡
面は前記Si製半導体基板表面に形成する鏡面に存在する
欠陥部の濃度より小さいことが判明した。従って第５図
に示すハロゲンランプ50の光量を増したり、前記光電変
換装置55の感度を高くしたが前記欠陥部を明瞭に表示す
るのには依然として困難であった。このように欠陥部の
濃度が小さい場合は自動的な検査ができず、極端な場合
は不良品を良品として次工程に供給する事態を招来して
いる。 本発明は上記難点を除去する新規な接合型半導体基板
の検査方法および装置に関し、特にその接合境界面に発
生する欠陥部濃度が小さくても検出可能な検査方法およ
び装置を提供することを目的とする。 〔発明の構成〕 この問題点を解決するために本発明は、少なくも一方
の表面に酸化膜が形成されかつ表面が鏡面研磨された２
枚の半導体基板を、清浄な雰囲気内においてそれらの鏡
面が相対向するように配置し、両鏡面を密着して両者間
に接合部を形成して一体とした接合型半導体基板を準備
する工程と、この接合型半導体基板の一面から前記整合
部を透過するように赤外線を照射する工程と、この工程
により照射される前記赤外線のうち、前記半導体基板の
保有する禁制帯幅に相当する波長を選択的に透過するフ
ィルター工程と、前記接合型半導体基板の他の面から前
記接合部を透過した前記禁制帯幅に相当する波長を有す
る赤外線を受光し、これにより前記基板接合部における
欠陥の有無を検査する工程とより成ることを特徴とする
接合型半導体基板の検査方法を採用するものである。 また、本発明は、少なくも一方の表面に酸化膜が形成
されかつ表面が鏡面研磨された２枚の半導体基板を、清
浄な雰囲気内においてそれらの鏡面が相対向するように
配置し、両鏡面を密着して両者間に接合部を形成して一
体とした接合型半導体基板と、この接合型半導体基板の
一面側に配置され、前記接合部を透過するように赤外線
を照射する光源と、前記接合型半導体基板の他面側に配
置され、前記接合部を透過した前記赤外線を受光する光
電変換部と、この光電変換部と前記半導体基板の間に配
置され、前記半導体基板の保有する禁制体幅に相当する
波長を選択的に透過する特性を持つフィルターとを備
え、前記フィルターの透過赤外線により前記基板接合部
における欠陥の有無を検査することを特徴とする接合型
半導体基板の検査装置により、上記の問題を解決するも
のである。 （作 用） このように本発明は接合型半導体基板に不可欠な鏡面
を酸化物で構成するとその鏡面に包含される欠陥部濃度
がSi製半導体基板表面に形成する鏡面に存在する欠陥部
濃度より小さいとの事実を基板に完成したものである。
しかも接合用半導体基板の保有する禁制帯幅に相当する
波長領域近傍のフィルターを接合型半導体基板と光電変
換装置間に配置して、特定の波長成分を通過させるの
で、半導体基板に必要な照射光量の増加ならびに光電変
換装置の検出感度の上昇を図らなくても前記欠陥部の検
出限界を大幅に向上した。 （実施例） 第１図乃至第４図により本発明を詳述するが、従来の
技術と重複する記載が都合により出てくるが新しい番号
を付けて説明する。 この接合型半導体基板の検査方法および装置の説明に
入る前に実施される接合工程を予め記載して本願の理解
を得やすくする。実際の接合工程以前の前処理としては
鏡面研磨、水洗ならびに洗浄工程を経るが以下順に説明
する。 ２枚のシリコン半導体基板を用意し、その被接合面を
鏡面研磨して表面粗さ500Å以上に形成する。この時前
記シリコン半導体基板の表面状態によってはH2O2＋H2SO
4→HF→稀HF処理に続いて脱脂処理及び前記シリコン半
導体基板の表面付近に被着するステインフィルムを除去
する。次に、前記シリコン半導体基板鏡面を清浄な水−
純水で数分程度洗浄後室温下でスピンナー処理のような
脱水処理を行う。 この処理工程は前記シリコン半導体基板鏡面に吸着し
ていると想定される水分をそのまま残して過剰な水分を
除去するもので、この吸着水分が殆ど揮散する100℃以
上の加熱乾燥は避ける。このような工程を終えた前記シ
リコン半導体基板はその表面に形成した鏡面を相対向し
て密着して前述のように２枚のシリコン半導体基板を接
合してあたかも単独のシリコン半導体基板として機能可
能な機械的強度を保有する。 しかもこの接合境界面には元（Bulk）の結晶組織と多
少違うそれが層状に形成されるが、これは気相成長法に
より半導体基板との境界に形成する結晶組織と同様に以
後の工程で加える熱負荷によりその位置が多少変ること
も発生する。更にこの結晶組織はこの半導体基板に形成
するpn接合や電気的処理に何等の影響も与えないことも
確認されている。 ところで本発明では光電変換装置（赤外線TVカメラ）
１と接合型半導体基板２の間にフィルタ（バンドパスフ
ィルタ:BPF）３を設置して後述する検査方法を接合型半
導体基板２に施す。 第１図に示すように、Si半導体基板（今後の記載では
前述の接合工程を終えたものを意味する）２には赤外照
明装置ハロゲンランプ４から光を放射後全反射ミラー５
により全反射して入射赤外線６が照射され、このSi半導
体基板２の特徴に応じてこの入射赤外線６は吸収、反射
ならびに透過して透過赤外線７となる。 前記フィルタ３はこの透過赤外線７の中から特定波長
領域帯だけを通過する機能を持っているので検出赤外線
８が得られる。第２図では赤外線を照射した前記半導体
基板２における欠陥部の状態を表わしており、入射赤外
線６を照射した前記半導体基板２に前記欠陥部A1、A2、
A3、A4が存在するとここで反射して透過しないことにな
り反射赤外線９として放射されこの状態を第２図ａに示
す。この結果として第２図ｂに示すように前記欠陥部
A1、A2、A3、A4は正常に接合した部分に比較して暗くな
り目視によっても判別可能になる。 第３図にはSi製半導体基板の吸収特性を表わし、横軸
に光エネルギーを縦軸に吸収の割合いを示した。 ところで半導体基板に光が入射すると吸収が起りその
程度は光の波長とその性質により定まる。ここで半導体
基板としてSiを想定するとこの半導体基板を照射する光
の波長により吸収率が影響されることになり、この光が
長波長でかつ光エネルギーが禁制帯幅Egより小さいと前
記半導体基板に入射する光の大部分はこれを透過して殆
どは吸収されない。 これに対して光エネルギー禁制帯幅Egより大きくなる
ような短波長の時は波長が短くなると共に吸収は急激に
増加する。しかしある程度以下の波長になると吸収には
変化が起きず光は半導体基板を透過しなくなる。 このような光吸収特性を示す前記半導体基板２の検査
方法として本発明では第２図に示し、しかも前に述べた
ように光電変換装置１と前記半導体基板２の中間位置に
フィルタ３を設置している。このフィルタ３の選定に当
たっては３種類のフィルタとして 1.中心波長λ＝1059（nm）領域幅＝100（nm）を透過す
るバンドパスフィルタ 2.中心波長λ＝1099（nm）領域幅＝200（nm）を透過す
るバンドパスフィルタ 3.中心波長λ＝720（nm）領域幅＝200（nm）の可視カッ
トフィルタ を使用して効果を比較し、夫々を第４図（ａ）、第４図
（ｂ）ならびに第４図（ｃ）に示した。即ち各図とも横
軸に波長を、縦軸には透過率を採りその関係を示してお
り、第４図（ｃ）の特性をもつ可視カットフィルタを利
用した場合、前記半導体基板２を透過してくる透過赤外
線７を検出した画像特性と同程度である。 一方第４図（ｂ）の特性を持つバンドパスフィルタ３
を適用すると前述の可視カットフィルタに比較して画像
特性が向上し、接合型半導体基板の接合部に存在する欠
陥部濃度が小さくても識別可能であった。 しかし第２図（ｂ）に示すように欠陥部A1〜A4が隣接
している場合にはその境界部分の画像特性が鮮明に得ら
れないが、第４図（ａ）に示すバンドパスフィルタを利
用するとこの問題も解消でき、鮮明で解像度の良い画像
特性が得られる。 このように半導体基板の禁制帯幅Egにほぼ相当する波
長領域を透過するバンドパスフィルタを利用することに
よって鮮明な欠陥部が安定して抽出可能になる。Siの禁
制帯幅Egは約1.1〔eV〕であり波長に換算すると1100（n
m）となり実験に使用したバンドパスフィルタの1009〜1
109（nm）の波長領域内に包含されている。 尚光学フィルタの設置方法としてこの実施例では光電
変換装置１と接合型半導体基板２の中間に設置する方式
について説明したが、この光電変換装置１の特性ならび
にこの検査装置を設置する環境を考慮して光電変換装置
１に形成する光学鏡筒部に直接光学フィルタを設置して
も同様な効果が得られる。 〔発明の効果〕 このように本発明に係る接合型半導体基板の検査方法
および装置によると、Si半導体基板の鏡面同志もしくは
一方にSi酸化膜を形成した半導体基板を接合して得られ
る接合型半導体基板の接合面に存在する欠陥部濃度が小
さくてもこの半導体基板の禁制帯幅Egに相当する波長領
域帯付近のバンドパスフィルタを光電変換装置とこの接
合型半導体基板間に配置すると、このバンドパスフィル
タでは特定の波長成分を通過できるので正常な検出感度
が増大し、照射光量の増加や光電変換装置の検出感度を
上げなくてもよい。 更に半導体基板を透過した赤外線のノイズ成分が除去
されてS/N比も向上し、このために半導体基板に存在す
る前記欠陥部は鮮明にかつ安定して抽出できるので自動
化にも多大な貢献を果たすものである。
に２枚の半導体基板を密着して一体として得られる接合
型半導体基板に適用するものである。 （従来の技術） 半導体素子の製造に当っては単結晶半導体基板に気相
成長法により特定の導電型を持つ半導体層を形成後ここ
に機能素子を設置する手法で広く使用されており、この
気相成長法では下地となる半導体基板から外方拡散する
不純物層の混入を避けるために種々の工夫が加えられ多
くの特許出願が行われているのが実状である。 このように不純物濃度の異なる半導体層を気相成長方
によって形成する際には表面不純物濃度を正確に制御す
るのが難しく、更に堆積法を利用するのでその厚さを大
きくすることも難しい。 一方最近の市場要求は耐圧の大きい素子も要求されて
おり、この観点からすると前記気相成長法は必ずしも満
足できる技術とは言えない。ところで複数の半導体基板
を密着して接合する技術はすでに公知事項であり、具体
的には鏡面研磨したシリコン基板を清浄な雰囲気内に相
対向して配置した上で前述のように両者を密着した結果
機械的強度も十分にあって単一のシリコン基板として利
用でき、その上この基板に導入した不純物により形成す
るPN−接合を適用する機能素子は電気的にも十分実用可
能であることも確認されている。 その工程としては、半導体基板表面を研磨して形成す
る鏡面を水洗後脱水処理を施して過剰な水分を除去して
から前述のように清浄な雰囲気内に相対向して配置した
上で両者を密着接合して接合型半導体基板を形成する。 この接合技術ではその境界面にボイド（Void）の発生
を避けるために気泡の抱込みを無くす他に、ゴミが積も
らないような清浄雰囲気が必要となり、更にこのような
接合工程を終えた接合型半導体基板はその接合面におけ
る欠陥の有無を検査してその信頼性を向上しており、そ
の方法および装置を第５図により説明する。 赤外照明装置を構成するハロゲンランプ50から発生す
る赤外線51は全反射ミラー52により反射して接合型半導
体基板53に到達し、保有する特定の波長領域を透過の上
透過赤外線54として光電変換装置55に達し、接合型半導
体基板53の境界に存在する欠陥の有無を検査する方法を
採用している。 （発明が解決しようとする問題点） このような検査方法では下記の問題点がある。 （１）接合する２枚の半導体基板材料としてSiを使用す
る場合はこのSi製半導体基板表面に形成する鏡面に存在
する欠陥部の濃度が大きくかつ欠陥部寸法が大きいと前
述の検査方法でもこの欠陥部の検出が可能であるが、し
かし前記欠陥部の濃度が小さくかつ欠陥部寸法が小さい
と前記光電変換装置55に設置するTVモニターに写出され
る画像ではこの欠陥部が目視できない。 （２）前記接合用半導体基板の一方もしくは双方表面に
酸化膜を形成した場合にはこの接合界面となる酸化膜鏡
面は前記Si製半導体基板表面に形成する鏡面に存在する
欠陥部の濃度より小さいことが判明した。従って第５図
に示すハロゲンランプ50の光量を増したり、前記光電変
換装置55の感度を高くしたが前記欠陥部を明瞭に表示す
るのには依然として困難であった。このように欠陥部の
濃度が小さい場合は自動的な検査ができず、極端な場合
は不良品を良品として次工程に供給する事態を招来して
いる。 本発明は上記難点を除去する新規な接合型半導体基板
の検査方法および装置に関し、特にその接合境界面に発
生する欠陥部濃度が小さくても検出可能な検査方法およ
び装置を提供することを目的とする。 〔発明の構成〕 この問題点を解決するために本発明は、少なくも一方
の表面に酸化膜が形成されかつ表面が鏡面研磨された２
枚の半導体基板を、清浄な雰囲気内においてそれらの鏡
面が相対向するように配置し、両鏡面を密着して両者間
に接合部を形成して一体とした接合型半導体基板を準備
する工程と、この接合型半導体基板の一面から前記整合
部を透過するように赤外線を照射する工程と、この工程
により照射される前記赤外線のうち、前記半導体基板の
保有する禁制帯幅に相当する波長を選択的に透過するフ
ィルター工程と、前記接合型半導体基板の他の面から前
記接合部を透過した前記禁制帯幅に相当する波長を有す
る赤外線を受光し、これにより前記基板接合部における
欠陥の有無を検査する工程とより成ることを特徴とする
接合型半導体基板の検査方法を採用するものである。 また、本発明は、少なくも一方の表面に酸化膜が形成
されかつ表面が鏡面研磨された２枚の半導体基板を、清
浄な雰囲気内においてそれらの鏡面が相対向するように
配置し、両鏡面を密着して両者間に接合部を形成して一
体とした接合型半導体基板と、この接合型半導体基板の
一面側に配置され、前記接合部を透過するように赤外線
を照射する光源と、前記接合型半導体基板の他面側に配
置され、前記接合部を透過した前記赤外線を受光する光
電変換部と、この光電変換部と前記半導体基板の間に配
置され、前記半導体基板の保有する禁制体幅に相当する
波長を選択的に透過する特性を持つフィルターとを備
え、前記フィルターの透過赤外線により前記基板接合部
における欠陥の有無を検査することを特徴とする接合型
半導体基板の検査装置により、上記の問題を解決するも
のである。 （作 用） このように本発明は接合型半導体基板に不可欠な鏡面
を酸化物で構成するとその鏡面に包含される欠陥部濃度
がSi製半導体基板表面に形成する鏡面に存在する欠陥部
濃度より小さいとの事実を基板に完成したものである。
しかも接合用半導体基板の保有する禁制帯幅に相当する
波長領域近傍のフィルターを接合型半導体基板と光電変
換装置間に配置して、特定の波長成分を通過させるの
で、半導体基板に必要な照射光量の増加ならびに光電変
換装置の検出感度の上昇を図らなくても前記欠陥部の検
出限界を大幅に向上した。 （実施例） 第１図乃至第４図により本発明を詳述するが、従来の
技術と重複する記載が都合により出てくるが新しい番号
を付けて説明する。 この接合型半導体基板の検査方法および装置の説明に
入る前に実施される接合工程を予め記載して本願の理解
を得やすくする。実際の接合工程以前の前処理としては
鏡面研磨、水洗ならびに洗浄工程を経るが以下順に説明
する。 ２枚のシリコン半導体基板を用意し、その被接合面を
鏡面研磨して表面粗さ500Å以上に形成する。この時前
記シリコン半導体基板の表面状態によってはH2O2＋H2SO
4→HF→稀HF処理に続いて脱脂処理及び前記シリコン半
導体基板の表面付近に被着するステインフィルムを除去
する。次に、前記シリコン半導体基板鏡面を清浄な水−
純水で数分程度洗浄後室温下でスピンナー処理のような
脱水処理を行う。 この処理工程は前記シリコン半導体基板鏡面に吸着し
ていると想定される水分をそのまま残して過剰な水分を
除去するもので、この吸着水分が殆ど揮散する100℃以
上の加熱乾燥は避ける。このような工程を終えた前記シ
リコン半導体基板はその表面に形成した鏡面を相対向し
て密着して前述のように２枚のシリコン半導体基板を接
合してあたかも単独のシリコン半導体基板として機能可
能な機械的強度を保有する。 しかもこの接合境界面には元（Bulk）の結晶組織と多
少違うそれが層状に形成されるが、これは気相成長法に
より半導体基板との境界に形成する結晶組織と同様に以
後の工程で加える熱負荷によりその位置が多少変ること
も発生する。更にこの結晶組織はこの半導体基板に形成
するpn接合や電気的処理に何等の影響も与えないことも
確認されている。 ところで本発明では光電変換装置（赤外線TVカメラ）
１と接合型半導体基板２の間にフィルタ（バンドパスフ
ィルタ:BPF）３を設置して後述する検査方法を接合型半
導体基板２に施す。 第１図に示すように、Si半導体基板（今後の記載では
前述の接合工程を終えたものを意味する）２には赤外照
明装置ハロゲンランプ４から光を放射後全反射ミラー５
により全反射して入射赤外線６が照射され、このSi半導
体基板２の特徴に応じてこの入射赤外線６は吸収、反射
ならびに透過して透過赤外線７となる。 前記フィルタ３はこの透過赤外線７の中から特定波長
領域帯だけを通過する機能を持っているので検出赤外線
８が得られる。第２図では赤外線を照射した前記半導体
基板２における欠陥部の状態を表わしており、入射赤外
線６を照射した前記半導体基板２に前記欠陥部A1、A2、
A3、A4が存在するとここで反射して透過しないことにな
り反射赤外線９として放射されこの状態を第２図ａに示
す。この結果として第２図ｂに示すように前記欠陥部
A1、A2、A3、A4は正常に接合した部分に比較して暗くな
り目視によっても判別可能になる。 第３図にはSi製半導体基板の吸収特性を表わし、横軸
に光エネルギーを縦軸に吸収の割合いを示した。 ところで半導体基板に光が入射すると吸収が起りその
程度は光の波長とその性質により定まる。ここで半導体
基板としてSiを想定するとこの半導体基板を照射する光
の波長により吸収率が影響されることになり、この光が
長波長でかつ光エネルギーが禁制帯幅Egより小さいと前
記半導体基板に入射する光の大部分はこれを透過して殆
どは吸収されない。 これに対して光エネルギー禁制帯幅Egより大きくなる
ような短波長の時は波長が短くなると共に吸収は急激に
増加する。しかしある程度以下の波長になると吸収には
変化が起きず光は半導体基板を透過しなくなる。 このような光吸収特性を示す前記半導体基板２の検査
方法として本発明では第２図に示し、しかも前に述べた
ように光電変換装置１と前記半導体基板２の中間位置に
フィルタ３を設置している。このフィルタ３の選定に当
たっては３種類のフィルタとして 1.中心波長λ＝1059（nm）領域幅＝100（nm）を透過す
るバンドパスフィルタ 2.中心波長λ＝1099（nm）領域幅＝200（nm）を透過す
るバンドパスフィルタ 3.中心波長λ＝720（nm）領域幅＝200（nm）の可視カッ
トフィルタ を使用して効果を比較し、夫々を第４図（ａ）、第４図
（ｂ）ならびに第４図（ｃ）に示した。即ち各図とも横
軸に波長を、縦軸には透過率を採りその関係を示してお
り、第４図（ｃ）の特性をもつ可視カットフィルタを利
用した場合、前記半導体基板２を透過してくる透過赤外
線７を検出した画像特性と同程度である。 一方第４図（ｂ）の特性を持つバンドパスフィルタ３
を適用すると前述の可視カットフィルタに比較して画像
特性が向上し、接合型半導体基板の接合部に存在する欠
陥部濃度が小さくても識別可能であった。 しかし第２図（ｂ）に示すように欠陥部A1〜A4が隣接
している場合にはその境界部分の画像特性が鮮明に得ら
れないが、第４図（ａ）に示すバンドパスフィルタを利
用するとこの問題も解消でき、鮮明で解像度の良い画像
特性が得られる。 このように半導体基板の禁制帯幅Egにほぼ相当する波
長領域を透過するバンドパスフィルタを利用することに
よって鮮明な欠陥部が安定して抽出可能になる。Siの禁
制帯幅Egは約1.1〔eV〕であり波長に換算すると1100（n
m）となり実験に使用したバンドパスフィルタの1009〜1
109（nm）の波長領域内に包含されている。 尚光学フィルタの設置方法としてこの実施例では光電
変換装置１と接合型半導体基板２の中間に設置する方式
について説明したが、この光電変換装置１の特性ならび
にこの検査装置を設置する環境を考慮して光電変換装置
１に形成する光学鏡筒部に直接光学フィルタを設置して
も同様な効果が得られる。 〔発明の効果〕 このように本発明に係る接合型半導体基板の検査方法
および装置によると、Si半導体基板の鏡面同志もしくは
一方にSi酸化膜を形成した半導体基板を接合して得られ
る接合型半導体基板の接合面に存在する欠陥部濃度が小
さくてもこの半導体基板の禁制帯幅Egに相当する波長領
域帯付近のバンドパスフィルタを光電変換装置とこの接
合型半導体基板間に配置すると、このバンドパスフィル
タでは特定の波長成分を通過できるので正常な検出感度
が増大し、照射光量の増加や光電変換装置の検出感度を
上げなくてもよい。 更に半導体基板を透過した赤外線のノイズ成分が除去
されてS/N比も向上し、このために半導体基板に存在す
る前記欠陥部は鮮明にかつ安定して抽出できるので自動
化にも多大な貢献を果たすものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る検査方法および装置の説明図、第
２図a,bは半導体基板の接合面に存在する欠陥部と透過
赤外線の関係を示す図、第３図はSi半導体基板の吸収特
性図、第４図ａ〜ｃは本発明に係る光学フィルタの透過
特性図、第５図は従来の検査方法および装置の説明図で
ある。
２図a,bは半導体基板の接合面に存在する欠陥部と透過
赤外線の関係を示す図、第３図はSi半導体基板の吸収特
性図、第４図ａ〜ｃは本発明に係る光学フィルタの透過
特性図、第５図は従来の検査方法および装置の説明図で
ある。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．少なくも一方の表面に酸化膜が形成されかつ表面が
鏡面研磨された２枚の半導体基板を、清浄な雰囲気内に
おいてそれらの鏡面が相対向するように配置し、両鏡面
を密着して両者間に接合部を形成して一体とした接合型
半導体基板を準備する工程と、この接合型半導体基板の
一面から前記接合部を透過するように赤外線を照射する
工程と、この工程により照射される前記赤外線のうち、
前記半導体基板の保有する禁制帯幅に相当する波長を選
択的に透過するフィルター工程と、前記接合型半導体基
板の他の面から前記接合部を透過した前記禁制帯幅に相
当する波長を有する赤外線を受光し、これにより前記基
板接合部における欠陥の有無を検査する工程とより成る
ことを特徴とする接合型半導体基板の検査方法。 ２．少なくも一方の表面に酸化膜が形成されかつ表面が
鏡面研磨された２枚の半導体基板を、清浄な雰囲気内に
おいてそれらの鏡面が相対向するように配置し、両鏡面
を密着して両者間に接合部を形成して一体とした接合型
半導体基板と、この接合型半導体基板の一面側に配置さ
れ、前記接合部を透過するように赤外線を照射する光源
と、前記接合型半導体基板の他面側に配置され、前記接
合部を透過した前記赤外線を受光する光電変換部と、こ
の光電変換部と前記半導体基板の間に配置され、前記半
導体基板の保有する禁制帯幅に相当する波長を選択的に
透過する特性を持つフィルターとを備え、前記フィルタ
ーの透過赤外線により前記基板接合部における欠陥の有
無を検査することを特徴とする接合型半導体基板の検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62279067A JP2739943B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 接合型半導体基板の検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62279067A JP2739943B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 接合型半導体基板の検査方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122133A JPH01122133A (ja) | 1989-05-15 |
| JP2739943B2 true JP2739943B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=17605951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62279067A Expired - Lifetime JP2739943B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 接合型半導体基板の検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739943B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010054377A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Ccs Inc | 赤外線検査装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52126165A (en) * | 1976-04-15 | 1977-10-22 | Fujitsu Ltd | Measurement of crystal properties |
| JPS6050935A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Agency Of Ind Science & Technol | ガリウム砒素ウェーハ検査装置 |
| JPS62122141A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Toshiba Corp | 半導体基板の検査方法 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62279067A patent/JP2739943B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01122133A (ja) | 1989-05-15 |
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Legal Events
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