JPH04214652A - 半導体基板の検査方法 - Google Patents
半導体基板の検査方法Info
- Publication number
- JPH04214652A JPH04214652A JP40149190A JP40149190A JPH04214652A JP H04214652 A JPH04214652 A JP H04214652A JP 40149190 A JP40149190 A JP 40149190A JP 40149190 A JP40149190 A JP 40149190A JP H04214652 A JPH04214652 A JP H04214652A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- substrate
- element substrate
- adhesive sheet
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- Withdrawn
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン・オン・イン
シュレータ基板の素子基板と支持基板との間の絶縁膜と
、素子基板との間に形成された空隙の検出方法の改良に
関するものである。シリコン・オン・インシュレータ基
板（以下、ＳＯＩ基板と略称する。）の製造工程におい
ては、熱処理を行うことにより支持基板と素子基板とを
その間の絶縁膜によって接着しているが、この素子基板
と絶縁膜との間に空隙が生じると、素子基板に素子を形
成する工程における熱処理等のために素子基板が部分的
に絶縁膜から剥離することがある。
シュレータ基板の素子基板と支持基板との間の絶縁膜と
、素子基板との間に形成された空隙の検出方法の改良に
関するものである。シリコン・オン・インシュレータ基
板（以下、ＳＯＩ基板と略称する。）の製造工程におい
ては、熱処理を行うことにより支持基板と素子基板とを
その間の絶縁膜によって接着しているが、この素子基板
と絶縁膜との間に空隙が生じると、素子基板に素子を形
成する工程における熱処理等のために素子基板が部分的
に絶縁膜から剥離することがある。
【０００２】以上のような状況から、素子基板の絶縁膜
からの剥離の起因となるこの空隙の有無を検査すること
が可能な半導体基板の検査方法が要望されている。
からの剥離の起因となるこの空隙の有無を検査すること
が可能な半導体基板の検査方法が要望されている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＳＯＩ基板の検査方法は、ＳＯＩ
基板を超音波、赤外線或いはＸ線を用いる非破壊検査に
よって検査し、素子基板と絶縁膜との間に生じている空
隙の有無を検査している。しかしながら、これらの検査
方法においては基板に垂直な方向では、用いる手段の波
長よりも微小な空隙を検出することは不可能であり、ま
た、基板の表面に平行な方向では、直径１ｍｍ以下の空
隙を検出することも不可能である。
基板を超音波、赤外線或いはＸ線を用いる非破壊検査に
よって検査し、素子基板と絶縁膜との間に生じている空
隙の有無を検査している。しかしながら、これらの検査
方法においては基板に垂直な方向では、用いる手段の波
長よりも微小な空隙を検出することは不可能であり、ま
た、基板の表面に平行な方向では、直径１ｍｍ以下の空
隙を検出することも不可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体基板の検査方法においては、素子基板と絶縁膜との
間に生じた空隙を検出する種々の非破壊検査手段による
と、微小な空隙の検出が困難であるという問題点があっ
た。本発明は以上のような状況から、素子基板と絶縁膜
との間に生じた微小な空隙を検出することが可能となる
半導体基板の検査方法の提供を目的としたものである。
導体基板の検査方法においては、素子基板と絶縁膜との
間に生じた空隙を検出する種々の非破壊検査手段による
と、微小な空隙の検出が困難であるという問題点があっ
た。本発明は以上のような状況から、素子基板と絶縁膜
との間に生じた微小な空隙を検出することが可能となる
半導体基板の検査方法の提供を目的としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の検
査方法は、ＳＯＩ基板の支持基板と素子基板との間に形
成した絶縁膜と、この素子基板との間に形成された空隙
に起因する、この素子基板とこの絶縁膜との接着強度の
低下を検査する半導体基板の検査方法であって、この素
子基板の表面に粘着シートを貼付する工程と、この粘着
シートを剥離する工程とを含み、この粘着シートを貼付
した素子基板が、この絶縁膜から剥離するか否かによっ
てこのＳＯＩ基板のこの素子基板とこの絶縁膜との接着
強度を検査するよう構成する。
査方法は、ＳＯＩ基板の支持基板と素子基板との間に形
成した絶縁膜と、この素子基板との間に形成された空隙
に起因する、この素子基板とこの絶縁膜との接着強度の
低下を検査する半導体基板の検査方法であって、この素
子基板の表面に粘着シートを貼付する工程と、この粘着
シートを剥離する工程とを含み、この粘着シートを貼付
した素子基板が、この絶縁膜から剥離するか否かによっ
てこのＳＯＩ基板のこの素子基板とこの絶縁膜との接着
強度を検査するよう構成する。
【０００６】
【作用】即ち本発明においては、支持基板と素子基板と
をその間の絶縁膜により接着してＳＯＩ基板を製造した
後、この素子基板の表面に、素子基板と絶縁膜とが正常
に接着されている場合の接着強度よりも接着強度が弱い
粘着シートを貼付した後この粘着シートを剥離し、この
素子基板が絶縁膜から剥離するか否かによって素子基板
と絶縁膜との接着強度を検査することが可能となる。
をその間の絶縁膜により接着してＳＯＩ基板を製造した
後、この素子基板の表面に、素子基板と絶縁膜とが正常
に接着されている場合の接着強度よりも接着強度が弱い
粘着シートを貼付した後この粘着シートを剥離し、この
素子基板が絶縁膜から剥離するか否かによって素子基板
と絶縁膜との接着強度を検査することが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下図１〜図２により本発明による一実施例
の半導体基板の検査方法を工程順に詳細に説明する。ま
ず図１（ａ） に示すような素子基板３と支持基板１と
を絶縁膜２によって接着したＳＯＩ基板の素子基板３の
表面に、ＣＶＤ法により酸化膜を形成し、素子基板と絶
縁膜とが正常に接着されている場合の接着強度よりも接
着強度が弱い粘着シート５、例えばアルマ社製のクリー
ンマットを貼付する。
の半導体基板の検査方法を工程順に詳細に説明する。ま
ず図１（ａ） に示すような素子基板３と支持基板１と
を絶縁膜２によって接着したＳＯＩ基板の素子基板３の
表面に、ＣＶＤ法により酸化膜を形成し、素子基板と絶
縁膜とが正常に接着されている場合の接着強度よりも接
着強度が弱い粘着シート５、例えばアルマ社製のクリー
ンマットを貼付する。
【０００８】つぎにこの粘着シート５を剥離した場合、
ＳＯＩ基板の素子基板３と絶縁膜２との間に空隙４が生
じていると、図１（ｂ） に示すようにこの空隙４の上
の素子基板３が粘着シート５に接着された状態で絶縁膜
２から剥離する。素子基板３の板厚が３μｍ の場合、
５０ｋｇ／ｃｍ２ の粘着力があれば、直径１ｍｍ以下
の空隙４を検出することが可能であり、２μｍ ならば
５０ｋｇ／ｃｍ２ 以下の粘着力があれば、直径１ｍｍ
以下の空隙４を検出することが可能である。
ＳＯＩ基板の素子基板３と絶縁膜２との間に空隙４が生
じていると、図１（ｂ） に示すようにこの空隙４の上
の素子基板３が粘着シート５に接着された状態で絶縁膜
２から剥離する。素子基板３の板厚が３μｍ の場合、
５０ｋｇ／ｃｍ２ の粘着力があれば、直径１ｍｍ以下
の空隙４を検出することが可能であり、２μｍ ならば
５０ｋｇ／ｃｍ２ 以下の粘着力があれば、直径１ｍｍ
以下の空隙４を検出することが可能である。
【０００９】このように粘着シート５の剥離を行った場
合、素子基板３が絶縁膜２から剥離するか否かによって
素子基板３と絶縁膜２との接着強度を容易に検査するこ
とが可能となる。なお、図２に示すようにＳＯＩ基板を
製造する際の熱処理温度により素子基板３と絶縁膜２と
の接着強度は異なるが、本発明のこの一実施例のような
検査を行う前後における素子基板３と絶縁膜２との接着
強度には大差はなく、この検査によって素子基板３と絶
縁膜２との正常な接着部分の強度に悪影響を及ぼすこと
はない。
合、素子基板３が絶縁膜２から剥離するか否かによって
素子基板３と絶縁膜２との接着強度を容易に検査するこ
とが可能となる。なお、図２に示すようにＳＯＩ基板を
製造する際の熱処理温度により素子基板３と絶縁膜２と
の接着強度は異なるが、本発明のこの一実施例のような
検査を行う前後における素子基板３と絶縁膜２との接着
強度には大差はなく、この検査によって素子基板３と絶
縁膜２との正常な接着部分の強度に悪影響を及ぼすこと
はない。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、極めて簡単な粘着シートを貼付して剥離する方
法により、素子基板と絶縁膜との接着強度を検査するこ
とが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性
向上の効果が期待できる半導体基板の検査方法の提供が
可能となる。
よれば、極めて簡単な粘着シートを貼付して剥離する方
法により、素子基板と絶縁膜との接着強度を検査するこ
とが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性
向上の効果が期待できる半導体基板の検査方法の提供が
可能となる。
【図１】 本発明による一実施例の半導体基板の検査
方法を工程順に示す側断面図、
方法を工程順に示す側断面図、
【図２】 粘着シートによる検査前と検査後の素子基
板と絶縁膜との接着強度の熱処理温度による相違を示す
図
板と絶縁膜との接着強度の熱処理温度による相違を示す
図
１は支持基板、２は絶縁膜、３は素子基板、４は空隙、
５は粘着シート、
５は粘着シート、
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン・オン・インシュレータ基板
の支持基板（１） と素子基板（３） との間に形成し
た絶縁膜（２） と、前記素子基板（３） との間に形
成された空隙（４） に起因する、前記素子基板（３）
と前記絶縁膜（２） との接着強度の低下を検査する
半導体基板の検査方法であって、前記素子基板（３）
の表面に粘着シート（５） を貼付する工程と、該粘着
シート（５） を剥離する工程とを含み、前記粘着シー
ト（５） を貼付した素子基板（３） が、前記絶縁膜
（２） から剥離するか否かによって前記シリコン・オ
ン・インシュレータ基板の前記素子基板（３） と前記
絶縁膜（２） との接着強度を検査することを特徴とす
る半導体基板の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40149190A JPH04214652A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 半導体基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40149190A JPH04214652A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 半導体基板の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214652A true JPH04214652A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18511317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40149190A Withdrawn JPH04214652A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 半導体基板の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214652A (ja) |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP40149190A patent/JPH04214652A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |