JPS60171441A - ダイボンド接着状態の検出方法 - Google Patents
ダイボンド接着状態の検出方法Info
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- JPS60171441A JPS60171441A JP2768484A JP2768484A JPS60171441A JP S60171441 A JPS60171441 A JP S60171441A JP 2768484 A JP2768484 A JP 2768484A JP 2768484 A JP2768484 A JP 2768484A JP S60171441 A JPS60171441 A JP S60171441A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- infrared rays
- paste
- adhesive state
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の利用分野)
本発明はダイボンド接着状態の検出方法に関する。
(発明の背景)
IC,LSIなどのチップを基板にダイボンドする時、
基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布しておかな
ければならない。自動機においては、量産無人方式であ
るので、所定の位置tとペーストが塗布されない場合が
ある。
基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布しておかな
ければならない。自動機においては、量産無人方式であ
るので、所定の位置tとペーストが塗布されない場合が
ある。
従来、ペースト塗布の有無の検ffj?i、ペースト供
給のシ1ノンジ側と基板間fこ高電圧を加え、その導通
の有無船こより検出する方法がとられている。
給のシ1ノンジ側と基板間fこ高電圧を加え、その導通
の有無船こより検出する方法がとられている。
しかし、ハイブリッドICのように、基板が絶縁体より
なるセラミックの場合は、導通試験を行うことができな
い。
なるセラミックの場合は、導通試験を行うことができな
い。
従来、前記のように検出不可能なハイブリッドICのダ
イボンド接着状態の検出は、チップを破壊除去してペー
ストの痕跡を調べる破壊試験による方法しかなく、自動
機に組込み全数検査することはできない。即ち、抜き取
りにより、チップ溶解、剥しによって検査しなければな
らなく、作業性及び信頼性に乏しいという欠点があった
。
イボンド接着状態の検出は、チップを破壊除去してペー
ストの痕跡を調べる破壊試験による方法しかなく、自動
機に組込み全数検査することはできない。即ち、抜き取
りにより、チップ溶解、剥しによって検査しなければな
らなく、作業性及び信頼性に乏しいという欠点があった
。
(発明の目的)
本発明の目的は、チップ及び基板がどのようなものであ
ってもダイボンドの接着状態を無接触非破壊で瞬時に検
出できるダイボンド接着状態の検出方法を提供すること
にある。
ってもダイボンドの接着状態を無接触非破壊で瞬時に検
出できるダイボンド接着状態の検出方法を提供すること
にある。
(発明の実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。ダイ
ボンドにより、基板11こ予め銀などの導ツブ:(を置
き、導電ペース宵σ)熱硬化などでチップ3が接着され
る。
ボンドにより、基板11こ予め銀などの導ツブ:(を置
き、導電ペース宵σ)熱硬化などでチップ3が接着され
る。
このように半導体部品の基板1の下方ζこ赤外線放射器
10を配設(ッ、この赤外線放射器101こ対向してチ
ップ3の上方に集光レンズ111こよる光学系と、この
焦点像を検出する検出器12を配設する。
10を配設(ッ、この赤外線放射器101こ対向してチ
ップ3の上方に集光レンズ111こよる光学系と、この
焦点像を検出する検出器12を配設する。
ツブ3を透過させる。赤外線の透過率は被透過物の材質
によって異なるので、基板1のみの部分20、例えば基
板lがセラミックで、チップ3がシリコンである場合は
、波長力月〜8μmの赤外線では外線を吸収、反射して
透過率は小さい。
によって異なるので、基板1のみの部分20、例えば基
板lがセラミックで、チップ3がシリコンである場合は
、波長力月〜8μmの赤外線では外線を吸収、反射して
透過率は小さい。
この半導体部品を透過した赤外線は集光ンンズ111こ
より集光され、その焦点像を検出器12によって検出さ
れる。この検出器12の電気信号12aはデータ処理さ
れ、ディスプレイに画像として表示及びリミット信号と
して出力される。
より集光され、その焦点像を検出器12によって検出さ
れる。この検出器12の電気信号12aはデータ処理さ
れ、ディスプレイに画像として表示及びリミット信号と
して出力される。
前記の如く、22の部分は20.21の部分より赤外線
の透過量は小さいので、検出器12で捕在しても適当な
面積形状をもつか、その良否を瞬時に検出することがで
きる。また無接触非破壊で瞬時〔こ検出できるので、ダ
イボンディングのライン上に組込み全数検査することも
できる。
の透過量は小さいので、検出器12で捕在しても適当な
面積形状をもつか、その良否を瞬時に検出することがで
きる。また無接触非破壊で瞬時〔こ検出できるので、ダ
イボンディングのライン上に組込み全数検査することも
できる。
なお、上記実施例においては、赤外線放射器10を下方
に配置し、集光レンズ11、検出器12を上方に配置し
たが、逆に配置してもよい。
に配置し、集光レンズ11、検出器12を上方に配置し
たが、逆に配置してもよい。
(発明の効果)
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、ダイボ
ンダの接着状態を無接触非破壊方式で瞬時に検出できる
と共ζこ、ダイボンディングのライン上で容易に検出す
ることもできる。
ンダの接着状態を無接触非破壊方式で瞬時に検出できる
と共ζこ、ダイボンディングのライン上で容易に検出す
ることもできる。
第1図は本発明の一実施例を示す原理説明図、第2図は
第1図の方法で得られた映像を原理的fこ示した図であ
る。 1・・・基板、 2・・・導電ペースト、3・・・チッ
プ、 10・・・赤外線放射器、12・・・検出器。 5− 第1図
第1図の方法で得られた映像を原理的fこ示した図であ
る。 1・・・基板、 2・・・導電ペースト、3・・・チッ
プ、 10・・・赤外線放射器、12・・・検出器。 5− 第1図
Claims (1)
- 基板に導電性ペーストなどを介してチップがボンドされ
た半導体部品の一方側より赤外線を放射し、半導体部品
を透過した赤外線の量的な差を半導体特徴とするダイボ
ンド接着状態の検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2768484A JPS60171441A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | ダイボンド接着状態の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2768484A JPS60171441A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | ダイボンド接着状態の検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60171441A true JPS60171441A (ja) | 1985-09-04 |
JPH0350975B2 JPH0350975B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=12227790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2768484A Granted JPS60171441A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | ダイボンド接着状態の検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60171441A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0210256A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Ishikawajima Kensa Keisoku Kk | セラミックス基板の探傷方法 |
US5228776A (en) * | 1992-05-06 | 1993-07-20 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for evaluating thermal and electrical characteristics in a sample |
EP3184999A1 (de) * | 2015-12-23 | 2017-06-28 | Bundesdruckerei GmbH | Inspektionsvorrichtung und verfahren zum verifizieren einer klebstoffverbindung |
WO2022264773A1 (ja) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | 株式会社デンソー | 接着状態の検査方法及び光計測装置 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2768484A patent/JPS60171441A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0210256A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Ishikawajima Kensa Keisoku Kk | セラミックス基板の探傷方法 |
US5228776A (en) * | 1992-05-06 | 1993-07-20 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for evaluating thermal and electrical characteristics in a sample |
EP3184999A1 (de) * | 2015-12-23 | 2017-06-28 | Bundesdruckerei GmbH | Inspektionsvorrichtung und verfahren zum verifizieren einer klebstoffverbindung |
WO2022264773A1 (ja) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | 株式会社デンソー | 接着状態の検査方法及び光計測装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0350975B2 (ja) | 1991-08-05 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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