JPH03229149A - Icパッケージの検査装置 - Google Patents
Icパッケージの検査装置Info
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- JPH03229149A JPH03229149A JP2024976A JP2497690A JPH03229149A JP H03229149 A JPH03229149 A JP H03229149A JP 2024976 A JP2024976 A JP 2024976A JP 2497690 A JP2497690 A JP 2497690A JP H03229149 A JPH03229149 A JP H03229149A
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ICパッケージのクラックの発生を検査す
るICパッケージの検査装置に関するものである。
るICパッケージの検査装置に関するものである。
一般的なICパッケージは、第7図に示すように、リー
ドフレーム3の上にICCチップ2配!されている。そ
して、このリードフレーム3および[Cチップ2の側方
には複数のり一ド5が配室されボンディングワイヤ4で
接続配線された状態で樹脂等の封止材料lで封止し、パ
ッケージ化されてICパッケージ6を構成している。
ドフレーム3の上にICCチップ2配!されている。そ
して、このリードフレーム3および[Cチップ2の側方
には複数のり一ド5が配室されボンディングワイヤ4で
接続配線された状態で樹脂等の封止材料lで封止し、パ
ッケージ化されてICパッケージ6を構成している。
そして、このICパッケージ6は、プリント基板への実
装時を想定した信顛性試験が抜き取りで行われ検査され
ている。そn−よ ICパッケージ6を半田槽へ浸漬し
たり赤外線を照射して熱衝撃を与えて後、超音波探傷法
でICチ、プ2およびリードフレーム3と封止材料lと
の界面付近に発生する界面剥離X(第8図)を検査した
り、封止材料1に発生するクラックY(第8図)を目視
で観察して検査している。
装時を想定した信顛性試験が抜き取りで行われ検査され
ている。そn−よ ICパッケージ6を半田槽へ浸漬し
たり赤外線を照射して熱衝撃を与えて後、超音波探傷法
でICチ、プ2およびリードフレーム3と封止材料lと
の界面付近に発生する界面剥離X(第8図)を検査した
り、封止材料1に発生するクラックY(第8図)を目視
で観察して検査している。
〔発明が解決しようとする課題]
しかしながら上記のような方法では、熱衝撃を与える試
験後の検査であり、異常があった場合、その異常が試験
前のICパッケージ6にすでに界面剥離Xが存在してい
た不良品なのか、または、試験、途中で界面剥離Xやク
ランクYが発生した検査不合格品なのかが判らないとい
う問題が有った。
験後の検査であり、異常があった場合、その異常が試験
前のICパッケージ6にすでに界面剥離Xが存在してい
た不良品なのか、または、試験、途中で界面剥離Xやク
ランクYが発生した検査不合格品なのかが判らないとい
う問題が有った。
この発明の目的は、ICパッケージに異常が有る場合、
その異常が試験前から存在していた不良品なのか、また
は試験途中に発生した検査不合格品なのかがリアルタイ
ムに検査することのできるICパッケージの検査装置を
提供することである。
その異常が試験前から存在していた不良品なのか、また
は試験途中に発生した検査不合格品なのかがリアルタイ
ムに検査することのできるICパッケージの検査装置を
提供することである。
(課題を解決するための手段]
この発明のICパッケージの検査装置は、ICパッケー
ジを保持する保持具にアコースティノクエミノノヨン(
AE)センサを取付け、このAEセンサからの信号を増
幅解析して表示する信号処理装置を設けたものである。
ジを保持する保持具にアコースティノクエミノノヨン(
AE)センサを取付け、このAEセンサからの信号を増
幅解析して表示する信号処理装置を設けたものである。
この発明の構成によると、Icパッケージを保持した保
持具に取付けたアコースティソクエミノシコン(AE)
センサからの信号を信号処理装置で増幅解析して表示す
ることにより、界面剥離やクラックの発生時にICパッ
ケージの内部に発生する弾性波を電気信号に変換して経
過時間とともに表示することができる。
持具に取付けたアコースティソクエミノシコン(AE)
センサからの信号を信号処理装置で増幅解析して表示す
ることにより、界面剥離やクラックの発生時にICパッ
ケージの内部に発生する弾性波を電気信号に変換して経
過時間とともに表示することができる。
(実施例〕
この発明のICパッケージの検査装置の第1の実施例を
第1図ないし第3図に基づいて説明する。
第1図ないし第3図に基づいて説明する。
第1図および第2図(a)に示すように、ICパッケー
ジ6が、その側面から保持具7で保持されている。この
保持具7の一部にはアコースティノクエミンションセン
サ(以下、AEセンサと略す)8が取付けられている。
ジ6が、その側面から保持具7で保持されている。この
保持具7の一部にはアコースティノクエミンションセン
サ(以下、AEセンサと略す)8が取付けられている。
このAEセンサ8は、ICパッケージ6の内部に界面剥
MXやクラックY(第8図参照)が生じたときに発生す
る弾性波を検出して電気信号に変換すること1ができる
。そして、この電気信号は、信号処理装置9で増幅解析
して表示される。なお、この信号処理装置9は、AEセ
ンサ8からの電気信号を増幅する増幅部10と増幅され
た電気信号を画像解析する信号解析部11および解析内
容を表示する表示部12とから構成されている。
MXやクラックY(第8図参照)が生じたときに発生す
る弾性波を検出して電気信号に変換すること1ができる
。そして、この電気信号は、信号処理装置9で増幅解析
して表示される。なお、この信号処理装置9は、AEセ
ンサ8からの電気信号を増幅する増幅部10と増幅され
た電気信号を画像解析する信号解析部11および解析内
容を表示する表示部12とから構成されている。
このような構成において、保持具7で保持されたICパ
ッケージ6を第2図(b)に示すように半田槽13に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、IC千ンブ2を封止
している封止材料lの内部の温度分布により熱応力が生
しる。また、ICす、プ2、リードフレーム3および封
止材料lは、それぞれ線膨張係数が異なりこの影響によ
る熱応力も生しる。さらに、Icチンフ゛2やリードフ
レーム3等を封止材料lで封止する前に吸湿していると
、熱が加わることにより水分が膨張して応力が生しる。
ッケージ6を第2図(b)に示すように半田槽13に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、IC千ンブ2を封止
している封止材料lの内部の温度分布により熱応力が生
しる。また、ICす、プ2、リードフレーム3および封
止材料lは、それぞれ線膨張係数が異なりこの影響によ
る熱応力も生しる。さらに、Icチンフ゛2やリードフ
レーム3等を封止材料lで封止する前に吸湿していると
、熱が加わることにより水分が膨張して応力が生しる。
そして、これらの応力により、試験途中で前述の界面剥
離Xやクラ、りYか発生する。
離Xやクラ、りYか発生する。
つぎに、界面剥MXやクラックYが発生したときに表示
部12に表示されるタイムチャートを第3図に基づいて
説明する。
部12に表示されるタイムチャートを第3図に基づいて
説明する。
保持具7に保持したICパッケージ6の電気信号をAE
センサ8で検知し、信号処理装置9の表示部12に記録
した状態でICパッケージ6を半田槽上3に浸漬する。
センサ8で検知し、信号処理装置9の表示部12に記録
した状態でICパッケージ6を半田槽上3に浸漬する。
このとき同時に検査開始のトリガパルスを記録する。そ
して、ICパッケージ6の内部に異常があり界面剥HX
が発生するとそれに伴い弾性波が発生してAEセンサ8
で検出される電気信号が検知レヘルより大きな界面剥離
電気信号Aとして信号処理装置9の表示部12に表示さ
れる。また、このときの検査開始からの時間も時間ta
として表示される。さらに半田槽13へのICパッケー
ジ6の浸漬を継続し、ICパッケージ6の内部にクラン
クYが発生するとそれと伴い再び弾性波が発生してAE
センサ8で検出される電気信号が界面剥離信号Aより大
きなりラック電気信号Bとして信号処理装置9の表示部
12に表示される。そして、このときの検査開始からの
時間が時間tb、界面剥離電気信号Aの検知からの時間
が時間Lcとして表示される。
して、ICパッケージ6の内部に異常があり界面剥HX
が発生するとそれに伴い弾性波が発生してAEセンサ8
で検出される電気信号が検知レヘルより大きな界面剥離
電気信号Aとして信号処理装置9の表示部12に表示さ
れる。また、このときの検査開始からの時間も時間ta
として表示される。さらに半田槽13へのICパッケー
ジ6の浸漬を継続し、ICパッケージ6の内部にクラン
クYが発生するとそれと伴い再び弾性波が発生してAE
センサ8で検出される電気信号が界面剥離信号Aより大
きなりラック電気信号Bとして信号処理装置9の表示部
12に表示される。そして、このときの検査開始からの
時間が時間tb、界面剥離電気信号Aの検知からの時間
が時間Lcとして表示される。
このように、ICパッケージ6を保持した保持具7に取
付けたAEセンサ8からの信号を信号処理装置9で増幅
解析して表示することにより、界面剥離XやクラックY
の発生時にICパッケージ6の内部に発生する弾性波を
電気信号に変換して経過時間とともに表示することがで
きるので、ICパッケージ6の内部の界面剥離Xが試験
前に発生していた不良品なのか、または試験途中に界面
剥離XまたはクラックYが発生した不合格品なのかがリ
アルタイムに検査することができる。
付けたAEセンサ8からの信号を信号処理装置9で増幅
解析して表示することにより、界面剥離XやクラックY
の発生時にICパッケージ6の内部に発生する弾性波を
電気信号に変換して経過時間とともに表示することがで
きるので、ICパッケージ6の内部の界面剥離Xが試験
前に発生していた不良品なのか、または試験途中に界面
剥離XまたはクラックYが発生した不合格品なのかがリ
アルタイムに検査することができる。
つぎに、第2の実施例を第4図ないし第6図に基づいて
説明する。
説明する。
第4図および第5図(a)に示すように、前述の第■の
実施例と同じ構成の検査装置にICパッケージ6が保持
されている。このICパッケージ6の一部には、温度セ
ンサ14が取付けられている。
実施例と同じ構成の検査装置にICパッケージ6が保持
されている。このICパッケージ6の一部には、温度セ
ンサ14が取付けられている。
この温度センサ14はICパッケージ6の温度を電気信
号に変換することができる。そして、この電気信号は、
AEセンサ8で検知される弾性波の電気信号と伴に信号
処理装置9に表示される。なお、温度センサ14からの
電気信号は、信号処理装置9の増幅部15で増幅された
後、信号解析部11で画像解析され解析内容が表示部1
2で表示される。
号に変換することができる。そして、この電気信号は、
AEセンサ8で検知される弾性波の電気信号と伴に信号
処理装置9に表示される。なお、温度センサ14からの
電気信号は、信号処理装置9の増幅部15で増幅された
後、信号解析部11で画像解析され解析内容が表示部1
2で表示される。
このような構成において、保持具7で保持されたIcパ
ッケージ6を第5図(b)に示すように半田槽13に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、ICパッケージ6に
異常がある場合、界面剥離XやクラックYが発生する。
ッケージ6を第5図(b)に示すように半田槽13に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、ICパッケージ6に
異常がある場合、界面剥離XやクラックYが発生する。
つぎに、界面剥離XやクラックYが発生したとキニ表示
部12に表示されるタイムチャートラ第6図に基づいて
説明する。
部12に表示されるタイムチャートラ第6図に基づいて
説明する。
保持具7に保持したICパッケージ6の電気信号をAE
センサ8と温度センサ14とで検知し、表示部12に記
録した状態で第1の実施例と同様にして試験を開始する
。そして、Icパッケージ6の内部に異常かあり界面剥
MXが発生するとAEセンサ8で検知レヘルより大きな
界面剥離電気信号Aが検知され表示部12に表示される
。また、このときの検査開始からの時間ta、>=度T
aが表示される。さらにICパッケージ6の浸漬を継続
し、ICパッケージ6の内部にクラックYが発生すると
AEセンサ8で界面剥離信号Aより大きなりランク電気
信号Bが検知され表示部12に表示される。そして、こ
のときの検査開始からの時間tb、温度Tbまた界面剥
離電気信号Aの検知からの時間が時間tcとして表示さ
れる。なお、検査開始から終了までのICパッケージ6
の温度は弾性波の電気信号や時間とともに連続的に表示
される。
センサ8と温度センサ14とで検知し、表示部12に記
録した状態で第1の実施例と同様にして試験を開始する
。そして、Icパッケージ6の内部に異常かあり界面剥
MXが発生するとAEセンサ8で検知レヘルより大きな
界面剥離電気信号Aが検知され表示部12に表示される
。また、このときの検査開始からの時間ta、>=度T
aが表示される。さらにICパッケージ6の浸漬を継続
し、ICパッケージ6の内部にクラックYが発生すると
AEセンサ8で界面剥離信号Aより大きなりランク電気
信号Bが検知され表示部12に表示される。そして、こ
のときの検査開始からの時間tb、温度Tbまた界面剥
離電気信号Aの検知からの時間が時間tcとして表示さ
れる。なお、検査開始から終了までのICパッケージ6
の温度は弾性波の電気信号や時間とともに連続的に表示
される。
このように、保持具7に取付けたAEセンサ8からの信
号とICパッケージ6に取付けた温度センサ14からの
信号とを信号処理装置9で増幅解析して表示することに
より、界面剥離XやクラックYの発生時にIcパッケー
ジ6の内部に発生する弾性波とそのときのICパッケー
ジ6の温度とを電気信号番こ変換して経過時間とともに
表示することができるので、ICパッケージ6の内部の
界面剥離Xが試験前に発生していた不良品なのか、また
は試験途中に界面剥離XまたはクラックYが発生した検
査不合格品なのかが温度条件とともにリアルタイムに検
査することのできる。
号とICパッケージ6に取付けた温度センサ14からの
信号とを信号処理装置9で増幅解析して表示することに
より、界面剥離XやクラックYの発生時にIcパッケー
ジ6の内部に発生する弾性波とそのときのICパッケー
ジ6の温度とを電気信号番こ変換して経過時間とともに
表示することができるので、ICパッケージ6の内部の
界面剥離Xが試験前に発生していた不良品なのか、また
は試験途中に界面剥離XまたはクラックYが発生した検
査不合格品なのかが温度条件とともにリアルタイムに検
査することのできる。
なお、各実施例では熱衝撃を与える試験方法として半田
槽13に浸漬して検査を行う例を説明したが、連続的に
赤外線を照射して熱衝撃を与えるようにしてもよい、ま
た、界面剥離XおよびクランクYが試験途中に発生し、
それに伴う弾性波の電気信号と時間とがタイムチャート
に表示された例を説明したが、界面剥離Xが検査前に発
生していた場合や、クランクYが発生しない場合につい
て、各時間ta、tb、tcの値とともに次表に示す。
槽13に浸漬して検査を行う例を説明したが、連続的に
赤外線を照射して熱衝撃を与えるようにしてもよい、ま
た、界面剥離XおよびクランクYが試験途中に発生し、
それに伴う弾性波の電気信号と時間とがタイムチャート
に表示された例を説明したが、界面剥離Xが検査前に発
生していた場合や、クランクYが発生しない場合につい
て、各時間ta、tb、tcの値とともに次表に示す。
なお、試験終了時間をinとする。
(以下余白)
表中において、■は、第1および第2の実施例で説明し
たもので、界面剥MXが発生したときの界面剥離電気信
号Aの時間taとクランクYが発生したときのクラック
電気信号Bの時間tbとの時間差が有り(tc*0)、
試験途中で界面剥離XとクラックYとが発生したことを
示す。
たもので、界面剥MXが発生したときの界面剥離電気信
号Aの時間taとクランクYが発生したときのクラック
電気信号Bの時間tbとの時間差が有り(tc*0)、
試験途中で界面剥離XとクラックYとが発生したことを
示す。
■は、界面剥離Xが発生したときの界面剥離電気信号A
の時間taとクラックYが発生したときのクラック電気
信号Bの時間tbとの時間差がなく (tc=0)、界
面剥離Xが試験前がら発生していた不良品であり、試験
途中にクランクYが発生したことを示す。
の時間taとクラックYが発生したときのクラック電気
信号Bの時間tbとの時間差がなく (tc=0)、界
面剥離Xが試験前がら発生していた不良品であり、試験
途中にクランクYが発生したことを示す。
■は、クラックYが発生するときのクラック電気信号B
が検知されず、試験途中で界面剥MXのみが発生したこ
とを示す。
が検知されず、試験途中で界面剥MXのみが発生したこ
とを示す。
■は、界面剥離X、クラックYが発生するときの界面剥
離電気信号A、クラ、り電気信号Bともに検知されず、
界面剥離Xについては発生していないかまたは試験前か
ら発生している不良品であり、クラックYは発生してい
ないことを示す。
離電気信号A、クラ、り電気信号Bともに検知されず、
界面剥離Xについては発生していないかまたは試験前か
ら発生している不良品であり、クラックYは発生してい
ないことを示す。
〔発明の効果]
この発明のICパッケージの検査装置は、ICパッケー
ジを保持した保持具に取付けたAEセンサからの信号を
信号処理装置で増幅解析して表示することにより、界面
剥離やクラックの発生を時間経過とともに表示すること
ができるので、ICパッケージの内部の異常が試験前ま
たは試験途中のどの時点で発生したのかがリアルタイム
に検査することのできる。
ジを保持した保持具に取付けたAEセンサからの信号を
信号処理装置で増幅解析して表示することにより、界面
剥離やクラックの発生を時間経過とともに表示すること
ができるので、ICパッケージの内部の異常が試験前ま
たは試験途中のどの時点で発生したのかがリアルタイム
に検査することのできる。
第11EIはこの発明のICパッケージの検査装置の第
1の実施例の構成説明図、第2図(a)、 (b)はそ
の検査方法説明図、第3図はその信号のタイムチャート
、第4図は第2の実施例の構成説明図、第5図(a)、
(b)はその検査方法説明図、第6図はその信号のタ
イムチャート、第7図はICパッケージの縦断面図、第
8図はその界面剥離およびクラックが発生した例の縦断
面図である。
1の実施例の構成説明図、第2図(a)、 (b)はそ
の検査方法説明図、第3図はその信号のタイムチャート
、第4図は第2の実施例の構成説明図、第5図(a)、
(b)はその検査方法説明図、第6図はその信号のタ
イムチャート、第7図はICパッケージの縦断面図、第
8図はその界面剥離およびクラックが発生した例の縦断
面図である。
Claims (1)
- ICパッケージを保持する保持具にアコースティックエ
ミツション(AE)センサを取付け、このAEセンサか
らの信号を増幅解析して表示する信号処理装置を設けた
ICパッケージの検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024976A JPH03229149A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Icパッケージの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024976A JPH03229149A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Icパッケージの検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03229149A true JPH03229149A (ja) | 1991-10-11 |
Family
ID=12153008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024976A Pending JPH03229149A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Icパッケージの検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03229149A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103985661A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-08-13 | 株式会社东芝 | 半导体制造装置 |
JP2019049418A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 熱サイクル試験装置、熱サイクル試験方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP2019144131A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2024976A patent/JPH03229149A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103985661A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-08-13 | 株式会社东芝 | 半导体制造装置 |
JP2014154826A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JP2019049418A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 熱サイクル試験装置、熱サイクル試験方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP2019144131A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
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