JPH03229149A - Ｉｃパッケージの検査装置 - Google Patents
Ｉｃパッケージの検査装置Info
- Publication number
- JPH03229149A JPH03229149A JP2024976A JP2497690A JPH03229149A JP H03229149 A JPH03229149 A JP H03229149A JP 2024976 A JP2024976 A JP 2024976A JP 2497690 A JP2497690 A JP 2497690A JP H03229149 A JPH03229149 A JP H03229149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- signal
- test
- time
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣパッケージのクラックの発生を検査す
るＩＣパッケージの検査装置に関するものである。
るＩＣパッケージの検査装置に関するものである。
一般的なＩＣパッケージは、第７図に示すように、リー
ドフレーム３の上にＩＣＣチップ２配！されている。そ
して、このリードフレーム３および［Ｃチップ２の側方
には複数のり一ド５が配室されボンディングワイヤ４で
接続配線された状態で樹脂等の封止材料ｌで封止し、パ
ッケージ化されてＩＣパッケージ６を構成している。
ドフレーム３の上にＩＣＣチップ２配！されている。そ
して、このリードフレーム３および［Ｃチップ２の側方
には複数のり一ド５が配室されボンディングワイヤ４で
接続配線された状態で樹脂等の封止材料ｌで封止し、パ
ッケージ化されてＩＣパッケージ６を構成している。
そして、このＩＣパッケージ６は、プリント基板への実
装時を想定した信顛性試験が抜き取りで行われ検査され
ている。そｎ−よ ＩＣパッケージ６を半田槽へ浸漬し
たり赤外線を照射して熱衝撃を与えて後、超音波探傷法
でＩＣチ、プ２およびリードフレーム３と封止材料ｌと
の界面付近に発生する界面剥離Ｘ（第８図）を検査した
り、封止材料１に発生するクラックＹ（第８図）を目視
で観察して検査している。
装時を想定した信顛性試験が抜き取りで行われ検査され
ている。そｎ−よ ＩＣパッケージ６を半田槽へ浸漬し
たり赤外線を照射して熱衝撃を与えて後、超音波探傷法
でＩＣチ、プ２およびリードフレーム３と封止材料ｌと
の界面付近に発生する界面剥離Ｘ（第８図）を検査した
り、封止材料１に発生するクラックＹ（第８図）を目視
で観察して検査している。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記のような方法では、熱衝撃を与える試
験後の検査であり、異常があった場合、その異常が試験
前のＩＣパッケージ６にすでに界面剥離Ｘが存在してい
た不良品なのか、または、試験、途中で界面剥離Ｘやク
ランクＹが発生した検査不合格品なのかが判らないとい
う問題が有った。
験後の検査であり、異常があった場合、その異常が試験
前のＩＣパッケージ６にすでに界面剥離Ｘが存在してい
た不良品なのか、または、試験、途中で界面剥離Ｘやク
ランクＹが発生した検査不合格品なのかが判らないとい
う問題が有った。
この発明の目的は、ＩＣパッケージに異常が有る場合、
その異常が試験前から存在していた不良品なのか、また
は試験途中に発生した検査不合格品なのかがリアルタイ
ムに検査することのできるＩＣパッケージの検査装置を
提供することである。
その異常が試験前から存在していた不良品なのか、また
は試験途中に発生した検査不合格品なのかがリアルタイ
ムに検査することのできるＩＣパッケージの検査装置を
提供することである。
（課題を解決するための手段］
この発明のＩＣパッケージの検査装置は、ＩＣパッケー
ジを保持する保持具にアコースティノクエミノノヨン（
ＡＥ）センサを取付け、このＡＥセンサからの信号を増
幅解析して表示する信号処理装置を設けたものである。
ジを保持する保持具にアコースティノクエミノノヨン（
ＡＥ）センサを取付け、このＡＥセンサからの信号を増
幅解析して表示する信号処理装置を設けたものである。
この発明の構成によると、Ｉｃパッケージを保持した保
持具に取付けたアコースティソクエミノシコン（ＡＥ）
センサからの信号を信号処理装置で増幅解析して表示す
ることにより、界面剥離やクラックの発生時にＩＣパッ
ケージの内部に発生する弾性波を電気信号に変換して経
過時間とともに表示することができる。
持具に取付けたアコースティソクエミノシコン（ＡＥ）
センサからの信号を信号処理装置で増幅解析して表示す
ることにより、界面剥離やクラックの発生時にＩＣパッ
ケージの内部に発生する弾性波を電気信号に変換して経
過時間とともに表示することができる。
（実施例〕
この発明のＩＣパッケージの検査装置の第１の実施例を
第１図ないし第３図に基づいて説明する。
第１図ないし第３図に基づいて説明する。
第１図および第２図（ａ）に示すように、ＩＣパッケー
ジ６が、その側面から保持具７で保持されている。この
保持具７の一部にはアコースティノクエミンションセン
サ（以下、ＡＥセンサと略す）８が取付けられている。
ジ６が、その側面から保持具７で保持されている。この
保持具７の一部にはアコースティノクエミンションセン
サ（以下、ＡＥセンサと略す）８が取付けられている。
このＡＥセンサ８は、ＩＣパッケージ６の内部に界面剥
ＭＸやクラックＹ（第８図参照）が生じたときに発生す
る弾性波を検出して電気信号に変換すること１ができる
。そして、この電気信号は、信号処理装置９で増幅解析
して表示される。なお、この信号処理装置９は、ＡＥセ
ンサ８からの電気信号を増幅する増幅部１０と増幅され
た電気信号を画像解析する信号解析部１１および解析内
容を表示する表示部１２とから構成されている。
ＭＸやクラックＹ（第８図参照）が生じたときに発生す
る弾性波を検出して電気信号に変換すること１ができる
。そして、この電気信号は、信号処理装置９で増幅解析
して表示される。なお、この信号処理装置９は、ＡＥセ
ンサ８からの電気信号を増幅する増幅部１０と増幅され
た電気信号を画像解析する信号解析部１１および解析内
容を表示する表示部１２とから構成されている。
このような構成において、保持具７で保持されたＩＣパ
ッケージ６を第２図（ｂ）に示すように半田槽１３に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、ＩＣ千ンブ２を封止
している封止材料ｌの内部の温度分布により熱応力が生
しる。また、ＩＣす、プ２、リードフレーム３および封
止材料ｌは、それぞれ線膨張係数が異なりこの影響によ
る熱応力も生しる。さらに、Ｉｃチンフ゛２やリードフ
レーム３等を封止材料ｌで封止する前に吸湿していると
、熱が加わることにより水分が膨張して応力が生しる。
ッケージ６を第２図（ｂ）に示すように半田槽１３に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、ＩＣ千ンブ２を封止
している封止材料ｌの内部の温度分布により熱応力が生
しる。また、ＩＣす、プ２、リードフレーム３および封
止材料ｌは、それぞれ線膨張係数が異なりこの影響によ
る熱応力も生しる。さらに、Ｉｃチンフ゛２やリードフ
レーム３等を封止材料ｌで封止する前に吸湿していると
、熱が加わることにより水分が膨張して応力が生しる。
そして、これらの応力により、試験途中で前述の界面剥
離Ｘやクラ、りＹか発生する。
離Ｘやクラ、りＹか発生する。
つぎに、界面剥ＭＸやクラックＹが発生したときに表示
部１２に表示されるタイムチャートを第３図に基づいて
説明する。
部１２に表示されるタイムチャートを第３図に基づいて
説明する。
保持具７に保持したＩＣパッケージ６の電気信号をＡＥ
センサ８で検知し、信号処理装置９の表示部１２に記録
した状態でＩＣパッケージ６を半田槽上３に浸漬する。
センサ８で検知し、信号処理装置９の表示部１２に記録
した状態でＩＣパッケージ６を半田槽上３に浸漬する。
このとき同時に検査開始のトリガパルスを記録する。そ
して、ＩＣパッケージ６の内部に異常があり界面剥ＨＸ
が発生するとそれに伴い弾性波が発生してＡＥセンサ８
で検出される電気信号が検知レヘルより大きな界面剥離
電気信号Ａとして信号処理装置９の表示部１２に表示さ
れる。また、このときの検査開始からの時間も時間ｔａ
として表示される。さらに半田槽１３へのＩＣパッケー
ジ６の浸漬を継続し、ＩＣパッケージ６の内部にクラン
クＹが発生するとそれと伴い再び弾性波が発生してＡＥ
センサ８で検出される電気信号が界面剥離信号Ａより大
きなりラック電気信号Ｂとして信号処理装置９の表示部
１２に表示される。そして、このときの検査開始からの
時間が時間ｔｂ、界面剥離電気信号Ａの検知からの時間
が時間Ｌｃとして表示される。
して、ＩＣパッケージ６の内部に異常があり界面剥ＨＸ
が発生するとそれに伴い弾性波が発生してＡＥセンサ８
で検出される電気信号が検知レヘルより大きな界面剥離
電気信号Ａとして信号処理装置９の表示部１２に表示さ
れる。また、このときの検査開始からの時間も時間ｔａ
として表示される。さらに半田槽１３へのＩＣパッケー
ジ６の浸漬を継続し、ＩＣパッケージ６の内部にクラン
クＹが発生するとそれと伴い再び弾性波が発生してＡＥ
センサ８で検出される電気信号が界面剥離信号Ａより大
きなりラック電気信号Ｂとして信号処理装置９の表示部
１２に表示される。そして、このときの検査開始からの
時間が時間ｔｂ、界面剥離電気信号Ａの検知からの時間
が時間Ｌｃとして表示される。
このように、ＩＣパッケージ６を保持した保持具７に取
付けたＡＥセンサ８からの信号を信号処理装置９で増幅
解析して表示することにより、界面剥離ＸやクラックＹ
の発生時にＩＣパッケージ６の内部に発生する弾性波を
電気信号に変換して経過時間とともに表示することがで
きるので、ＩＣパッケージ６の内部の界面剥離Ｘが試験
前に発生していた不良品なのか、または試験途中に界面
剥離ＸまたはクラックＹが発生した不合格品なのかがリ
アルタイムに検査することができる。
付けたＡＥセンサ８からの信号を信号処理装置９で増幅
解析して表示することにより、界面剥離ＸやクラックＹ
の発生時にＩＣパッケージ６の内部に発生する弾性波を
電気信号に変換して経過時間とともに表示することがで
きるので、ＩＣパッケージ６の内部の界面剥離Ｘが試験
前に発生していた不良品なのか、または試験途中に界面
剥離ＸまたはクラックＹが発生した不合格品なのかがリ
アルタイムに検査することができる。
つぎに、第２の実施例を第４図ないし第６図に基づいて
説明する。
説明する。
第４図および第５図（ａ）に示すように、前述の第■の
実施例と同じ構成の検査装置にＩＣパッケージ６が保持
されている。このＩＣパッケージ６の一部には、温度セ
ンサ１４が取付けられている。
実施例と同じ構成の検査装置にＩＣパッケージ６が保持
されている。このＩＣパッケージ６の一部には、温度セ
ンサ１４が取付けられている。
この温度センサ１４はＩＣパッケージ６の温度を電気信
号に変換することができる。そして、この電気信号は、
ＡＥセンサ８で検知される弾性波の電気信号と伴に信号
処理装置９に表示される。なお、温度センサ１４からの
電気信号は、信号処理装置９の増幅部１５で増幅された
後、信号解析部１１で画像解析され解析内容が表示部１
２で表示される。
号に変換することができる。そして、この電気信号は、
ＡＥセンサ８で検知される弾性波の電気信号と伴に信号
処理装置９に表示される。なお、温度センサ１４からの
電気信号は、信号処理装置９の増幅部１５で増幅された
後、信号解析部１１で画像解析され解析内容が表示部１
２で表示される。
このような構成において、保持具７で保持されたＩｃパ
ッケージ６を第５図（ｂ）に示すように半田槽１３に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、ＩＣパッケージ６に
異常がある場合、界面剥離ＸやクラックＹが発生する。
ッケージ６を第５図（ｂ）に示すように半田槽１３に浸
漬して熱衝撃を与える。このとき、ＩＣパッケージ６に
異常がある場合、界面剥離ＸやクラックＹが発生する。
つぎに、界面剥離ＸやクラックＹが発生したとキニ表示
部１２に表示されるタイムチャートラ第６図に基づいて
説明する。
部１２に表示されるタイムチャートラ第６図に基づいて
説明する。
保持具７に保持したＩＣパッケージ６の電気信号をＡＥ
センサ８と温度センサ１４とで検知し、表示部１２に記
録した状態で第１の実施例と同様にして試験を開始する
。そして、Ｉｃパッケージ６の内部に異常かあり界面剥
ＭＸが発生するとＡＥセンサ８で検知レヘルより大きな
界面剥離電気信号Ａが検知され表示部１２に表示される
。また、このときの検査開始からの時間ｔａ、＞＝度Ｔ
ａが表示される。さらにＩＣパッケージ６の浸漬を継続
し、ＩＣパッケージ６の内部にクラックＹが発生すると
ＡＥセンサ８で界面剥離信号Ａより大きなりランク電気
信号Ｂが検知され表示部１２に表示される。そして、こ
のときの検査開始からの時間ｔｂ、温度Ｔｂまた界面剥
離電気信号Ａの検知からの時間が時間ｔｃとして表示さ
れる。なお、検査開始から終了までのＩＣパッケージ６
の温度は弾性波の電気信号や時間とともに連続的に表示
される。
センサ８と温度センサ１４とで検知し、表示部１２に記
録した状態で第１の実施例と同様にして試験を開始する
。そして、Ｉｃパッケージ６の内部に異常かあり界面剥
ＭＸが発生するとＡＥセンサ８で検知レヘルより大きな
界面剥離電気信号Ａが検知され表示部１２に表示される
。また、このときの検査開始からの時間ｔａ、＞＝度Ｔ
ａが表示される。さらにＩＣパッケージ６の浸漬を継続
し、ＩＣパッケージ６の内部にクラックＹが発生すると
ＡＥセンサ８で界面剥離信号Ａより大きなりランク電気
信号Ｂが検知され表示部１２に表示される。そして、こ
のときの検査開始からの時間ｔｂ、温度Ｔｂまた界面剥
離電気信号Ａの検知からの時間が時間ｔｃとして表示さ
れる。なお、検査開始から終了までのＩＣパッケージ６
の温度は弾性波の電気信号や時間とともに連続的に表示
される。
このように、保持具７に取付けたＡＥセンサ８からの信
号とＩＣパッケージ６に取付けた温度センサ１４からの
信号とを信号処理装置９で増幅解析して表示することに
より、界面剥離ＸやクラックＹの発生時にＩｃパッケー
ジ６の内部に発生する弾性波とそのときのＩＣパッケー
ジ６の温度とを電気信号番こ変換して経過時間とともに
表示することができるので、ＩＣパッケージ６の内部の
界面剥離Ｘが試験前に発生していた不良品なのか、また
は試験途中に界面剥離ＸまたはクラックＹが発生した検
査不合格品なのかが温度条件とともにリアルタイムに検
査することのできる。
号とＩＣパッケージ６に取付けた温度センサ１４からの
信号とを信号処理装置９で増幅解析して表示することに
より、界面剥離ＸやクラックＹの発生時にＩｃパッケー
ジ６の内部に発生する弾性波とそのときのＩＣパッケー
ジ６の温度とを電気信号番こ変換して経過時間とともに
表示することができるので、ＩＣパッケージ６の内部の
界面剥離Ｘが試験前に発生していた不良品なのか、また
は試験途中に界面剥離ＸまたはクラックＹが発生した検
査不合格品なのかが温度条件とともにリアルタイムに検
査することのできる。
なお、各実施例では熱衝撃を与える試験方法として半田
槽１３に浸漬して検査を行う例を説明したが、連続的に
赤外線を照射して熱衝撃を与えるようにしてもよい、ま
た、界面剥離ＸおよびクランクＹが試験途中に発生し、
それに伴う弾性波の電気信号と時間とがタイムチャート
に表示された例を説明したが、界面剥離Ｘが検査前に発
生していた場合や、クランクＹが発生しない場合につい
て、各時間ｔａ、ｔｂ、ｔｃの値とともに次表に示す。
槽１３に浸漬して検査を行う例を説明したが、連続的に
赤外線を照射して熱衝撃を与えるようにしてもよい、ま
た、界面剥離ＸおよびクランクＹが試験途中に発生し、
それに伴う弾性波の電気信号と時間とがタイムチャート
に表示された例を説明したが、界面剥離Ｘが検査前に発
生していた場合や、クランクＹが発生しない場合につい
て、各時間ｔａ、ｔｂ、ｔｃの値とともに次表に示す。
なお、試験終了時間をｉｎとする。
（以下余白）
表中において、■は、第１および第２の実施例で説明し
たもので、界面剥ＭＸが発生したときの界面剥離電気信
号Ａの時間ｔａとクランクＹが発生したときのクラック
電気信号Ｂの時間ｔｂとの時間差が有り（ｔｃ＊０）、
試験途中で界面剥離ＸとクラックＹとが発生したことを
示す。
たもので、界面剥ＭＸが発生したときの界面剥離電気信
号Ａの時間ｔａとクランクＹが発生したときのクラック
電気信号Ｂの時間ｔｂとの時間差が有り（ｔｃ＊０）、
試験途中で界面剥離ＸとクラックＹとが発生したことを
示す。
■は、界面剥離Ｘが発生したときの界面剥離電気信号Ａ
の時間ｔａとクラックＹが発生したときのクラック電気
信号Ｂの時間ｔｂとの時間差がなく （ｔｃ＝０）、界
面剥離Ｘが試験前がら発生していた不良品であり、試験
途中にクランクＹが発生したことを示す。
の時間ｔａとクラックＹが発生したときのクラック電気
信号Ｂの時間ｔｂとの時間差がなく （ｔｃ＝０）、界
面剥離Ｘが試験前がら発生していた不良品であり、試験
途中にクランクＹが発生したことを示す。
■は、クラックＹが発生するときのクラック電気信号Ｂ
が検知されず、試験途中で界面剥ＭＸのみが発生したこ
とを示す。
が検知されず、試験途中で界面剥ＭＸのみが発生したこ
とを示す。
■は、界面剥離Ｘ、クラックＹが発生するときの界面剥
離電気信号Ａ、クラ、り電気信号Ｂともに検知されず、
界面剥離Ｘについては発生していないかまたは試験前か
ら発生している不良品であり、クラックＹは発生してい
ないことを示す。
離電気信号Ａ、クラ、り電気信号Ｂともに検知されず、
界面剥離Ｘについては発生していないかまたは試験前か
ら発生している不良品であり、クラックＹは発生してい
ないことを示す。
〔発明の効果］
この発明のＩＣパッケージの検査装置は、ＩＣパッケー
ジを保持した保持具に取付けたＡＥセンサからの信号を
信号処理装置で増幅解析して表示することにより、界面
剥離やクラックの発生を時間経過とともに表示すること
ができるので、ＩＣパッケージの内部の異常が試験前ま
たは試験途中のどの時点で発生したのかがリアルタイム
に検査することのできる。
ジを保持した保持具に取付けたＡＥセンサからの信号を
信号処理装置で増幅解析して表示することにより、界面
剥離やクラックの発生を時間経過とともに表示すること
ができるので、ＩＣパッケージの内部の異常が試験前ま
たは試験途中のどの時点で発生したのかがリアルタイム
に検査することのできる。
第１１ＥＩはこの発明のＩＣパッケージの検査装置の第
１の実施例の構成説明図、第２図（ａ）、 （ｂ）はそ
の検査方法説明図、第３図はその信号のタイムチャート
、第４図は第２の実施例の構成説明図、第５図（ａ）、
（ｂ）はその検査方法説明図、第６図はその信号のタ
イムチャート、第７図はＩＣパッケージの縦断面図、第
８図はその界面剥離およびクラックが発生した例の縦断
面図である。
１の実施例の構成説明図、第２図（ａ）、 （ｂ）はそ
の検査方法説明図、第３図はその信号のタイムチャート
、第４図は第２の実施例の構成説明図、第５図（ａ）、
（ｂ）はその検査方法説明図、第６図はその信号のタ
イムチャート、第７図はＩＣパッケージの縦断面図、第
８図はその界面剥離およびクラックが発生した例の縦断
面図である。
Claims (1)
- ＩＣパッケージを保持する保持具にアコースティックエ
ミツション（ＡＥ）センサを取付け、このＡＥセンサか
らの信号を増幅解析して表示する信号処理装置を設けた
ＩＣパッケージの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024976A JPH03229149A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Ｉｃパッケージの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024976A JPH03229149A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Ｉｃパッケージの検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03229149A true JPH03229149A (ja) | 1991-10-11 |
Family
ID=12153008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024976A Pending JPH03229149A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | Ｉｃパッケージの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03229149A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103985661A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-08-13 | 株式会社东芝 | 半导体制造装置 |
| JP2019049418A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 熱サイクル試験装置、熱サイクル試験方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| JP2019144131A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2024976A patent/JPH03229149A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103985661A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-08-13 | 株式会社东芝 | 半导体制造装置 |
| JP2014154826A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JP2019049418A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 熱サイクル試験装置、熱サイクル試験方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| JP2019144131A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960012409A (ko) | 비지에이(bga) 반도체패키지의 와이어본딩 검사방법 | |
| Pecht et al. | In-situ measurements of surface mount IC package deformations during reflow soldering | |
| JPH03229149A (ja) | Ｉｃパッケージの検査装置 | |
| JP3012513B2 (ja) | 半導体装置の試験方法及び試験装置 | |
| Atkins et al. | Use of C-SAM acoustical microscopy in package evaluations and failure analysis | |
| JPH03205857A (ja) | 樹脂封止型電子部品 | |
| Lawton et al. | Characterisation of chip-on-board and flip chip packaging technologies by acoustic microscopy | |
| JP3661718B2 (ja) | はんだクラックの測定方法 | |
| JPS6197940A (ja) | 電子部品用検査装置 | |
| JP2001013115A (ja) | はんだボールの接合検査方法及び検査装置 | |
| CN114624238A (zh) | 用于芯片键合线的检测方法及其系统和电子设备 | |
| JP4242086B2 (ja) | ワイヤボンド検査装置及びワイヤボンド検査方法 | |
| JPH0720099A (ja) | 非破壊検査方法およびその装置 | |
| Sood et al. | Acoustic characterization of bonded wafers | |
| Reddy et al. | Non-destructive Inspection of Flip-Chip BGA Solder Ball Defects Using Two Laser Beam Probe Ultrasonic Inspection Technique | |
| JP2000235191A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5977330A (ja) | グロスリ−ク試験装置 | |
| Ranade et al. | New findings in the occurrence of false-healing in plastic encapsulated microcircuits using scanning acoustic microscopy | |
| JPH01145566A (ja) | ボンディング状態検査装置 | |
| JPH0199244A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH04262235A (ja) | 剥離試験方法 | |
| CN116380380A (zh) | Pind试验夹具及to同轴类未封盖器件的试验方法 | |
| JPS61258442A (ja) | Ｉｃの組立不良品識別方法 | |
| JPH04214652A (ja) | 半導体基板の検査方法 | |
| Duffalo et al. | Novel failure modes with overmolded printed circuit board-based surface mount packages |