JPS6197940A - 電子部品用検査装置 - Google Patents
電子部品用検査装置Info
- Publication number
- JPS6197940A JPS6197940A JP21849284A JP21849284A JPS6197940A JP S6197940 A JPS6197940 A JP S6197940A JP 21849284 A JP21849284 A JP 21849284A JP 21849284 A JP21849284 A JP 21849284A JP S6197940 A JPS6197940 A JP S6197940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- substrate
- reflected
- inspection
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、電子部品の構造上の欠陥を検出ノろ場合に適
用して有効な検査技術に関するものである。
用して有効な検査技術に関するものである。
半導体装置に搭載されているペレットのペレット取付面
との接着の良否は、温度サイクルを受けた場合にペレ７
）割れ等を来すため大きな問題である。すなわち、ペレ
ット裏面の接着が不完全である場合、温度変化に伴う熱
膨張の程度がペレットとペレット取付部の材料とで異な
ることにより生じる応力が、ペレット裏面の接着部と非
接着部との境界に集中し、該境界部でペレットに割れを
生しさせ易いのである。
との接着の良否は、温度サイクルを受けた場合にペレ７
）割れ等を来すため大きな問題である。すなわち、ペレ
ット裏面の接着が不完全である場合、温度変化に伴う熱
膨張の程度がペレットとペレット取付部の材料とで異な
ることにより生じる応力が、ペレット裏面の接着部と非
接着部との境界に集中し、該境界部でペレットに割れを
生しさせ易いのである。
したがって、半導体装置が完成する…ｊに、ペレットの
接着状態を正確につかんでおくことが必要であり、かつ
極めて重要である。
接着状態を正確につかんでおくことが必要であり、かつ
極めて重要である。
ところで、ペレットのｔｆ若状態の検査技術としては、
次の二つをあげることができる。
次の二つをあげることができる。
これらは共に、Ｉ ５ＴＦＡ会ＬＷ、ｒ１９７７Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓＪにＢａｒｒｙ Ｇ、Ｃｏｈｅｎによ
り発表された赤外線顕微鏡を用いろ検査技術である。
ｃｅｅｄｉｎｇｓＪにＢａｒｒｙ Ｇ、Ｃｏｈｅｎによ
り発表された赤外線顕微鏡を用いろ検査技術である。
その一つは、同誌のＰ３６〜Ｐ３７に記載の「Ｏｂｓｅ
ｒｖｉｎｇ ５ｔｒａｉｎ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃ
ｅ ｉｎ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｂｙ Ｉ
ｎｆｒａｒｅｄ ＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙＪに、他の一つ
はＰ２２３−Ｐ２２６に記載のｒＮｏｎｄｅｓＬｒｕｃ
ｔｉｖｅ ＥｖａｌｕａＬｉｏｎ ｏｆ Ｄｉｅ Ａｔ
ｔａｃｈ Ｂｏｎｄｓ Ｂｙ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｊに詳細に説明されている。
ｒｖｉｎｇ ５ｔｒａｉｎ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃ
ｅ ｉｎ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｂｙ Ｉ
ｎｆｒａｒｅｄ ＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙＪに、他の一つ
はＰ２２３−Ｐ２２６に記載のｒＮｏｎｄｅｓＬｒｕｃ
ｔｉｖｅ ＥｖａｌｕａＬｉｏｎ ｏｆ Ｄｉｅ Ａｔ
ｔａｃｈ Ｂｏｎｄｓ Ｂｙ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｊに詳細に説明されている。
前者は、ペレソ）ＥＷ面における赤外線の反射を利用し
て該ペレットに生している応力を測定し、間接的にペレ
ットの接着状態を観察するものであり、後者はペレット
を透過して直接ペレットの接着状態を観察するものであ
る。
て該ペレットに生している応力を測定し、間接的にペレ
ットの接着状態を観察するものであり、後者はペレット
を透過して直接ペレットの接着状態を観察するものであ
る。
ところで、ペレット上面には通常アルミニウムで複雑な
配線が形成されている。前記検査技術はこのアルミニウ
ム配線により影響を受けるため、必ずしも十分な検査が
行えないという問題がある。
配線が形成されている。前記検査技術はこのアルミニウ
ム配線により影響を受けるため、必ずしも十分な検査が
行えないという問題がある。
前者にはその測定に１＄練を必要とする問題があり、後
者のペレットを透過して直接観察する技術の場合は、ア
ルミニウム配線の部分では赤外線が透過しないため検査
不能であり、これは高集積度のペレノ１のように配線が
多くなると月′１°：ｉｌに問題になることが本発明者
により見い出された。
者のペレットを透過して直接観察する技術の場合は、ア
ルミニウム配線の部分では赤外線が透過しないため検査
不能であり、これは高集積度のペレノ１のように配線が
多くなると月′１°：ｉｌに問題になることが本発明者
により見い出された。
また、前記の如く赤外綿を利用する検査技術では、ペレ
ットの接着性以外の検査、たとえば半導体装置の製造に
用いられるセラミックパッケージの基板またはキャップ
に生じているクラック等のきずの検査、完成された半導
体装置における該基板とキャップとのガラス封止部の接
着状態の検査等の電子部品の製造工程や完成された電子
部品の検査ができないという問題があることも本発明者
により見い出された。
ットの接着性以外の検査、たとえば半導体装置の製造に
用いられるセラミックパッケージの基板またはキャップ
に生じているクラック等のきずの検査、完成された半導
体装置における該基板とキャップとのガラス封止部の接
着状態の検査等の電子部品の製造工程や完成された電子
部品の検査ができないという問題があることも本発明者
により見い出された。
本発明の目的は、被検体を破壊することなく、製造工程
における電子部品または完成された電子部品の欠陥検出
を行うことのできる検査技術を提供することにある。
における電子部品または完成された電子部品の欠陥検出
を行うことのできる検査技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示されろ発明のうら代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、超音波測定手段とその駆動手段とこれらの制
御手段とを備えてなる電子部品用検査装置を形成するこ
とにより、被検体内部に存在する界面においても反射を
起こすという超音波の性質を利用することができること
より、外観上認識できない内部に生している亀裂やボイ
ドまたは接着面における剥がれ等の検査が被検体全体に
わたって可能であり、前記目的が達成されるものである
。
御手段とを備えてなる電子部品用検査装置を形成するこ
とにより、被検体内部に存在する界面においても反射を
起こすという超音波の性質を利用することができること
より、外観上認識できない内部に生している亀裂やボイ
ドまたは接着面における剥がれ等の検査が被検体全体に
わたって可能であり、前記目的が達成されるものである
。
第１図は、本発明による一実施例である電子部品用検査
装置（以下、星に検査装置という、）の概略を、ブロッ
ク図で示すものである。
装置（以下、星に検査装置という、）の概略を、ブロッ
ク図で示すものである。
本実施例の検査装置は、超音波測定部（以下、隼に１Ｕ
ＩＩ定部という。）１、駆動部２、制御部３、表示装置
４および記録装置５で、その基本が構成されてなるもの
である。
ＩＩ定部という。）１、駆動部２、制御部３、表示装置
４および記録装置５で、その基本が構成されてなるもの
である。
前記測定部１は制御部３によりコントロールされる駆動
部２により、ＸＹ方向に、または必要に応しＺ方向へも
自由にＩｔ−動−ＩＩＣ・わノ、ものｃ 、＋’、す、
また前記測定装置ｌは制御部３を介して表示装置４およ
び記録装置５と有機的に連結され、該制御１ｇ部３によ
り信号処理制御も行うことができるものである。
部２により、ＸＹ方向に、または必要に応しＺ方向へも
自由にＩｔ−動−ＩＩＣ・わノ、ものｃ 、＋’、す、
また前記測定装置ｌは制御部３を介して表示装置４およ
び記録装置５と有機的に連結され、該制御１ｇ部３によ
り信号処理制御も行うことができるものである。
第１図において測定部下方に示しであるのは基板６に取
り付けられているペレット７であり、本図はこのペレッ
ト７の基板への接着状態を検査している状態をも示して
いる。
り付けられているペレット７であり、本図はこのペレッ
ト７の基板への接着状態を検査している状態をも示して
いる。
この場合、測定部１より発振された超音波８がペレット
上面より基板６裏面の間に存在する種々の界面で反射さ
れる。その反射波８ａをＪす足部ｌの検出器で受け、該
反射波８ａを電気的信号に変え、前記表示装置４または
記録装置５を作動セしめるものである。その際、測定部
を駆動部２でＸＹ方向にスキャンニングすることにより
、ペレ７ト７全体または基板６全体の検査を行うことが
できる。
上面より基板６裏面の間に存在する種々の界面で反射さ
れる。その反射波８ａをＪす足部ｌの検出器で受け、該
反射波８ａを電気的信号に変え、前記表示装置４または
記録装置５を作動セしめるものである。その際、測定部
を駆動部２でＸＹ方向にスキャンニングすることにより
、ペレ７ト７全体または基板６全体の検査を行うことが
できる。
なお前記の超音波８が反射する界面としては、ベレ、ド
アの内部または基板６の内部に存在する出裂、ペレット
−１゜土面：したはノ、（仮１−ド而等が、１）ろ。
アの内部または基板６の内部に存在する出裂、ペレット
−１゜土面：したはノ、（仮１−ド而等が、１）ろ。
第２図では、本実施例の検査装置の使用態様がさらに詳
細に説明されている。
細に説明されている。
第２図（ａｔは、第１図で示したベレット７と基板６と
を拡大断面図で示すものであり、該ペレ７）７は金−シ
リコン共晶９で基板６に接着されているが、ベレットの
左側端部に金−シリコン共晶９が存在しない２．被着部
が存在するものである。
を拡大断面図で示すものであり、該ペレ７）７は金−シ
リコン共晶９で基板６に接着されているが、ベレットの
左側端部に金−シリコン共晶９が存在しない２．被着部
が存在するものである。
第２図ｔｂ＋は表示装置４の画面を示しており、該表示
装置４には前記同図ｆａｔに示されているペレ。
装置４には前記同図ｆａｔに示されているペレ。
ドアの接着状態がベレット全体にわたって表示されてい
る。すなわち、第２図（ｂｌに表示されているのは、同
図ｆａ＋に示す基板上面６ａにおける反射波８ａに基づ
いて信号処理を行って表示したものであり、図ｆｂｌの
ベレットに表されている縦の線は図（ａｌの基板上面６
ａにおける金−シリコン共晶とのぬれ界面６ｂに対応す
るものである。第２図ｆｂｌの如く表示できるのは、同
図［８１に示す基板上面６ａにおける反射波８ａが均一
な金−シリコン共晶９でぬれている６ｂより右側とぬれ
ていない左側とで、その性？【が異なるごとにあり、ペ
レノ１７ｏ〕左端より順次右側へ測定部１をスキャンニ
ングしてい（と、反射波の性質が変わるぬれ界面６ｂが
不連続部として表示されることにある。
る。すなわち、第２図（ｂｌに表示されているのは、同
図ｆａ＋に示す基板上面６ａにおける反射波８ａに基づ
いて信号処理を行って表示したものであり、図ｆｂｌの
ベレットに表されている縦の線は図（ａｌの基板上面６
ａにおける金−シリコン共晶とのぬれ界面６ｂに対応す
るものである。第２図ｆｂｌの如く表示できるのは、同
図［８１に示す基板上面６ａにおける反射波８ａが均一
な金−シリコン共晶９でぬれている６ｂより右側とぬれ
ていない左側とで、その性？【が異なるごとにあり、ペ
レノ１７ｏ〕左端より順次右側へ測定部１をスキャンニ
ングしてい（と、反射波の性質が変わるぬれ界面６ｂが
不連続部として表示されることにある。
前記現象は、前記の如く大きな非着部が存在する場合に
限らず、接着部にボイドや亀裂が生している等の僅かの
非着部が存在する場合にも適用できるものである。
限らず、接着部にボイドや亀裂が生している等の僅かの
非着部が存在する場合にも適用できるものである。
なお、前記装置は液体中で使用することにより、さらに
検査精度を向上させることもできる。
検査精度を向上させることもできる。
、 〔効果〕
（１）、超音波測定手段とその駆動手段とこれらの制御
手段とを備えてなる電子部品用検査装置を形成すること
により、被検体内部に存在する界面において反射する反
射波を検出することができるので、該被検体を破壊する
ことなく、内部欠陥の検査を容易に行うことができる。
手段とを備えてなる電子部品用検査装置を形成すること
により、被検体内部に存在する界面において反射する反
射波を検出することができるので、該被検体を破壊する
ことなく、内部欠陥の検査を容易に行うことができる。
（２）９前記ｆｉ＋により、セラミックパッケージから
なる半導体装置については、ペレット内部の亀裂、パッ
ケージ基板およびキャップの内部に存在する亀裂７ｔ、
たはボイド、ベレー／ トと１１を仮との接着状態、気
密封止部であるパフケージ吊板とキャンプとのガラス接
着面における接着状態等を、製造工程中および完成後に
おいても非、破壊検査が可能である。
なる半導体装置については、ペレット内部の亀裂、パッ
ケージ基板およびキャップの内部に存在する亀裂７ｔ、
たはボイド、ベレー／ トと１１を仮との接着状態、気
密封止部であるパフケージ吊板とキャンプとのガラス接
着面における接着状態等を、製造工程中および完成後に
おいても非、破壊検査が可能である。
（３）、前記＋１１に記載した検査装置に表示値Ｗを接
続することにより、内部欠陥を視覚で認識することが可
能となる。
続することにより、内部欠陥を視覚で認識することが可
能となる。
（４）、前記ｆｉ＋に記載された検査装置に記録装置を
接続することにより、検査結果の記録が可能となる。
接続することにより、検査結果の記録が可能となる。
（５）測定部を駆動部により、ｘｙ力方向スキャンニン
グし、その際の信号を表示装置または検査装置で表示ま
たは記録せしめることにより、被検体の全体にわたる結
果の表示または記録を行うことができる。
グし、その際の信号を表示装置または検査装置で表示ま
たは記録せしめることにより、被検体の全体にわたる結
果の表示または記録を行うことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種に変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種に変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例では本発明による一実施例で、 ある
電子部品用検査′装置をペレノＩ・の１ｇ着状ＨＨＨの
検査に使用する場合についてのみ説明したが、これに限
るものでなく、ウェハまたはペレット内部にある亀裂の
検査、パンケージ基板またはキヤ。
電子部品用検査′装置をペレノＩ・の１ｇ着状ＨＨＨの
検査に使用する場合についてのみ説明したが、これに限
るものでなく、ウェハまたはペレット内部にある亀裂の
検査、パンケージ基板またはキヤ。
ブの内部に存在する亀裂またはボイドの検査、パフケー
ジのガラス封止部の接着状態の検査等に適用できるもの
である。
ジのガラス封止部の接着状態の検査等に適用できるもの
である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、セラミックパッケ
ージからなる半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、抵抗
、コンデンサ等の他の電子部品についても適用してを効
な技術である。
をその背景となった利用分野である、セラミックパッケ
ージからなる半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、抵抗
、コンデンサ等の他の電子部品についても適用してを効
な技術である。
第１図は、本発明による一実施例である電子部品用検査
装置を示すブロック図、 第２図（ａｌは、ペレットの接着状態を示す断面図、第
２図（ｂｌは、同図ｆａ＋の検査結果を表示している表
示装置の画面を示す平面図である。 １１１１り宇部、２・・ 駆動部、３ 制御部、４
・・表示装置、５・・・記録装置、６・・基板、６ａ
・・・基板表面、６ｂ・・・ぬれ界面、７・ ・ベレッ
ト、８・・・超音波、８ａ・・・反射波、９・・・金−
ンリコン共品。 第 １ 図 第 ２ 図
装置を示すブロック図、 第２図（ａｌは、ペレットの接着状態を示す断面図、第
２図（ｂｌは、同図ｆａ＋の検査結果を表示している表
示装置の画面を示す平面図である。 １１１１り宇部、２・・ 駆動部、３ 制御部、４
・・表示装置、５・・・記録装置、６・・基板、６ａ
・・・基板表面、６ｂ・・・ぬれ界面、７・ ・ベレッ
ト、８・・・超音波、８ａ・・・反射波、９・・・金−
ンリコン共品。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超音波測定手段とその駆動手段とこれらの制御手段
とを備えてなる電子部品用検査装置。 ２、超音波測定手段が、超音波の発振機能と検出機能と
を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子部品用検査装置。 ３、制御手段が、表示装置または記録装置の少なくとも
一方に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子部品用検査装置。 ４、超音波測定手段が、液体中で用いられることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子部品用検査装置
。 ５、超音波測定手段が駆動手段によりＸＹ方向にスキャ
ンニングできるようにコンピュータ制御されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子部品用検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21849284A JPS6197940A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 電子部品用検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21849284A JPS6197940A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 電子部品用検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197940A true JPS6197940A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16720774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21849284A Pending JPS6197940A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 電子部品用検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276731A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 超音波ボンデイング検査方法及び装置 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP21849284A patent/JPS6197940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276731A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 超音波ボンデイング検査方法及び装置 |
| JPH0548624B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1993-07-22 | Toshiba Kk |
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