CN115854939A - 一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统 - Google Patents

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CN115854939A CN202211510343.3A CN202211510343A CN115854939A CN 115854939 A CN115854939 A CN 115854939A CN 202211510343 A CN202211510343 A CN 202211510343A CN 115854939 A CN115854939 A CN 115854939A
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王国雄
陈雨浩
孙鹏越
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709th Research Institute of CSSC
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709th Research Institute of CSSC
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Abstract

本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统，属于微电子可靠性试验与失效技术领域，方法包括：获取待测集成电路电子元器件的厚度；采用X射线对器件进行侧面扫描，获取封装材料的厚度；根据器件的厚度选择换能器；获取封装材料与测试介质中超声波的传播速度；根据超声扫描成像原理，计算探头距器件上表面的高度；计算探头与测试介质底部之间的距离；根据超声波在封装材料中的传播速度和封装材料厚度，计算超声波在封装材料中的渡越时间；且根据超声波在测试介质中的传播速度和探头距器件上表面的高度，计算超声波在测试介质中的渡越时间。本发明提高了集成电路电子元器件DPA试验中超声扫描试验效率。

Description

一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统
技术领域
本发明属于微电子可靠性试验与失效技术领域，更具体地，涉及一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统。
背景技术
超声扫描显微镜扫描成像是对塑封集成电路电子元器件进行破坏性物理分析(DPA)的重要手段，其原理是利用材料内部组织因密度不同而对超声波声阻抗、超声波吸收与反射程度产生差异的特点，由特定的声学组件发射和接收高重复率的短超声脉冲，声波与被测样品发生相互作用后，反射波被接收并转换为视频信号。要形成一幅声学图像，扫描机构需在样品上方来回做扫描运动，样品每一点反射波的强度及相位均被按顺序同步记录，并转换为一定灰度值的像素点，显示在高分辨率显示屏上。
超声扫描可以对半导体器件内部的夹杂物、裂纹、空气分层和空洞等缺陷进行无损检测，实现对材料内部缺陷的定性与定量分析，是电子元器件破坏性物理分析(DPA)试验中重要的一环。
常规的半导体器件超声扫描需要调试声波探头的垂直位置以得到器件的反射波，再通过反射波波段选择和对焦，实现对特定层界面的超声波清晰成像。由于不同元器件的外部封装尺寸、厚度和材料的不同，反射波出现的位置也差异很大，另外元器件内部结构不同，芯片层、粘接层、基板及引脚层与封装上表面距离都会有差异，对这些特定界面进行超声扫描时，需要大量反复的选波段和对焦调试才能得到对应层面的清晰成像。根据元器件的不同以及操作员经验能力的不同，整个调试过程耗时在数个小时至一天不等，时间成本很大，特别是对于需要对不同种类的元器件进行声扫试验时，时间成本巨大。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统，旨在解决现有的半导体器件超声扫描效率较低的问题。
为实现上述目的，一方面，本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法，包括以下步骤：
对待测集成电路电子元器件进行目检，获取待测集成电路电子元器件的厚度；
采用X射线对待测集成电路电子元器件进行侧面扫描，对芯片或基板层进行定位，获取封装材料的厚度；其中，芯片或基板层与待测集成电路电子元器件的上表面之间采用封装材料封装；
根据待测集成电路电子元器件的厚度选择换能器；
根据封装材料和超声波扫描测试介质，获取封装材料与测试介质中超声波的传播速度；其中，待测集成电路电子元器件在进行超声扫描成像时置于测试介质中；
利用封装材料的厚度、换能器的焦距、超声波在封装材料与测试介质中的传播速度，根据超声扫描成像原理，计算超声波在芯片层或基板层成像时换能器探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；
根据探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度和待测集成电路电子元器件的厚度，计算探头与测试介质底部之间的距离；
根据超声波在封装材料中的传播速度和封装材料厚度，计算超声波在封装材料中的渡越时间；
且根据超声波在测试介质中的传播速度和探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度，计算超声波在测试介质中的渡越时间。
进一步优选地，探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP为：
WP＝F-D(Ctm/Cw)
其中，F为换能器的焦距；D为封装材料的厚度；测试介质为纯净水；Ctm和Cw分别为超声波在封装材料和纯净水中的传播速度。
进一步优选地，探头与水槽底部之间的距离为：
L＝WP+T
其中，WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；T为待测集成电路电子元器件的厚度。
进一步优选地，超声波在封装材料中的渡越时间TOF1为：
Ctm*TOF1＝D*2
其中，Ctm为超声波在封装材料中的速度；D为封装材料厚度；
超声波在纯净水中的渡越时间TOF2为：
Cw*TOF2＝WP*2
其中，Cw为超声波在水中的传播速度；WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度。
另一方面，本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像系统，包括：
显微镜，用于对待测集成电路电子元器件进行目检，获取待测集成电路电子元器件的厚度；
X射线检测仪，用于采用X射线对所述待测集成电路电子元器件进行侧面扫描，对芯片或基板层进行定位，获取封装材料的厚度；其中，芯片或基板层与待测集成电路电子元器件的上表面之间采用封装材料封装；
换能器，用于根据待测集成电路电子元器件的厚度选择，用于对待测集成电路电子元器件进行超声扫描成像；
物质声阻抗表存储模块，用于存储有物质声阻抗表，根据封装材料和超声波扫描测试介质，获取封装材料与测试介质中超声波的传播速度；其中，所述待测集成电路电子元器件在进行超声扫描成像时置于测试介质中；
测试介质槽，用于存储有测试介质，提供超声波测试介质环境；内置待测集成电路电子元件器；
数据处理模块，用于利用封装材料的厚度、换能器的焦距、超声波在封装材料与测试介质中的传播速度，根据超声扫描成像原理，计算超声波在芯片层或基板层成像时换能器探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；且根据探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度和待测集成电路电子元器件的厚度，计算探头与测试介质底部之间的距离；且根据超声波在封装材料中的传播速度和封装材料厚度，计算超声波在封装材料中的渡越时间；且根据超声波在测试介质中的传播速度和探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度，计算超声波在测试介质中的渡越时间。
进一步优选地，探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP为：
WP＝F-D(Ctm/Cw)
其中，F为换能器的焦距；D为封装材料的厚度；测试介质为纯净水；Ctm和Cw分别为超声波在封装材料和纯净水中的传播速度。
进一步优选地，探头与水槽底部之间的距离为：
L＝WP+T
其中，WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；T为待测集成电路电子元器件的厚度。
进一步优选地，超声波在封装材料中的渡越时间TOF1为：
Ctm*TOF1＝D*2
其中，Ctm为超声波在封装材料中的速度；D为封装材料厚度；
超声波在纯净水中的渡越时间TOF2为：
Cw*TOF2＝WP*2
其中，Cw为超声波在水中的传播速度；WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下
有益效果：
本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统，通过对收集电子元器件破坏性物理分析(DFA)试验中外部尺寸与X射线透射量测中的厚度尺寸及间距等参数指标，结合声波探头(即换能器)的焦距，计算出目标层清晰成像时声波探头的垂直位置；再结合超声波扫描原理，计算表面波及芯片层反射波出现的大概位置，计算所得参数，对反射波波段进行选择，从而实现超声扫描显微镜迅速定位芯片内部特定层面的扫描成像，节省待测集成电路电子元器件进行DPA试验中超声扫描所需要的时间，提高了集成电路电子元器件DPA试验中超声扫描试验效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的电子元器件超声扫描工作原理的示意图；
图2是本发明实施例提供的超声扫描波形产生示意图；
图3是本发明实施例提供的超声扫描波形产生原理示意图；
图4是本发明实施例提供的X射线测量样品相关距离参数；
图5是本发明实施例提供的超声扫描图像及反射波形图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法，其中，超声扫描成像的工作示意图如图1所示，包括以下步骤：
S1：对待测集成电路电子元器件进行DPA常规试验项目外部目检，测量并记录待测集成电路电子元器件的厚度，厚度为T，该数据也可参考其他表征手段或器件资料获得；
S2：在DPA常规试验项目中采用X射线对待测集成电路电子元器件进行侧面扫描，进而对芯片或基板等层面进行定位，测量并记录层面到芯片上表面的距离D(封装材料的厚度)；其中，芯片或基板等层面与待测集成电路电子元器件的上表面之间采用封装材料封装；待测集成电路电子元器件在进行超声扫描成像时置于水槽底；
S3：根据待测集成电路电子元器件的厚度判断使用合适频率的换能器，找出换能器的焦距F，探头频率与焦距关系为已知，可通过设备厂家提供，如表1所示；
表1
频率(MHz) 焦距(mm)
25 20.0
30 12.7
80 9.0
100 8.0
S4：根据待测集成电路电子元器件的封装材料和超声波扫描测试介质(通常为纯净水)，通过物质声阻抗表，参考表2，查找出被测封装材料与水中超声波的传播速度Ctm、Cw；
S5：利用上述待测集成电路电子元器件的层面到芯片上表面的距离、换能器的焦距、超声波在被测封装材料与水中的传播速度，根据超声扫面成像原理，基于公式(1)可以计算出利用超声波在芯片层或其他界面成像时探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP；
WP＝F-D(Ctm/Cw) (1)
结合样品厚度，利用公式(2)得出设备探头与水槽底部距离L；
L＝WP+T (2)
S6：根据超声波在封装材料中的速度Ctm和封装材料厚度D，根据公式(3)，计算出超声波在封装材料中的渡越时间TOF1，即反射波波段出现的位置TOF1：
Ctm*TOF1＝D*2 (3)
根据超声波在水中的传播速度和探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP，根据公式(4)，计算出超声波在水中的渡越时间TOF2，即反射波波段出现的位置TOF2；
Cw*TOF2＝WP*2 (4)
反射波波段出现的位置整体公式为：
C*TOF＝Th*2 (5)
其中，C代入Cw和Ctm、Th代入WP和D可以分别计算出超声波在材料中的渡越时间TOF1，TOF2，也即表面波与界面波反射波波段出现的位置；如图2和图3所示，在声扫的反射波形图中，扫描信号代表的是纵坐标实时超声信号强度，能量单位为V，横坐标代表样品的渡越时间信息，单位为ns；
算出相应的测试条件，即设备探头与水槽底部距离L、表面波与界面波反射波波段出现的位置TOF1，TOF2，即可以根据设定上述参数以进行待测集成电路电子元器件的超声扫描，省去大部分调试时间；即在水槽中放置待测集成电路电子元器件，使用对应的换能器，垂直调节换能器高度，使之与水槽底部距离L；在波形图中选择反射波波段，在TOF1处定义表面波，TOF2处定义被测界面层(如芯片层、基板层等)波段，对待测集成电路电子元器件进行扫描成像，根据图像效果决定是否进行最后的微调，得到完整而清晰的界面声扫图像，从而判断其是否存在分层空洞等缺陷。
另一方面，本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像系统，包括：
显微镜，用于对待测集成电路电子元器件进行目检，获取待测集成电路电子元器件的厚度；
X射线检测仪，用于采用X射线对所述待测集成电路电子元器件进行侧面扫描，对芯片或基板层进行定位，获取封装材料的厚度；其中，芯片或基板层与待测集成电路电子元器件的上表面之间采用封装材料封装；
换能器，用于根据待测集成电路电子元器件的厚度选择，用于对待测集成电路电子元器件进行超声扫描成像；
物质声阻抗表存储模块，用于存储有物质声阻抗表，根据封装材料和超声波扫描测试介质，获取封装材料与测试介质中超声波的传播速度；其中，所述待测集成电路电子元器件在进行超声扫描成像时置于测试介质中；
测试介质槽，用于存储有测试介质，提供超声波测试介质环境；内置待测集成电路电子元件器；
数据处理模块，用于利用封装材料的厚度、换能器的焦距、超声波在封装材料与测试介质中的传播速度，根据超声扫描成像原理，计算超声波在芯片层或基板层成像时换能器探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；且根据探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度和待测集成电路电子元器件的厚度，计算探头与测试介质底部之间的距离；且根据超声波在封装材料中的传播速度和封装材料厚度，计算超声波在封装材料中的渡越时间；且根据超声波在测试介质中的传播速度和探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度，计算超声波在测试介质中的渡越时间。
进一步优选地，探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP为：
WP＝F-D(Ctm/Cw)
其中，F为换能器的焦距；D为封装材料的厚度；测试介质为纯净水；Ctm和Cw分别为超声波在封装材料和纯净水中的传播速度。
进一步优选地，探头与水槽底部之间的距离为：
L＝WP+T；
其中，WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；T为待测集成电路电子元器件的厚度。
进一步优选地，超声波在封装材料中的渡越时间TOF1为：
Ctm*TOF1＝D*2
其中，Ctm为超声波在封装材料中的速度；D为封装材料厚度；
超声波在纯净水中的渡越时间TOF2为：
Cw*TOF2＝WP*2
其中，Cw为超声波在水中的传播速度；WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度。
实施例
以某BGA封装的数字电路芯片为实例进行超声扫描；
如图4所示，通过外观尺寸测量出该芯片厚度为T＝1.279mm；通过X射线检查中侧面扫描，得出芯片层到待测集成电路电子元器件表面的距离为D＝0.371mm；
根据待测集成电路电子元器件选择某品牌超声扫描设备80MHz换能参照表1换能器频率及焦距规格，找出换能器的焦距F＝9.0mm；
待测集成电路电子元器件的封装材料为环氧树脂，其超声波传播速度Ctm＝2830m/s，纯水中超声波传播速度Cw＝1500m/s；
代入公式(1)可以得出超声波在芯片层成像时探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP＝8.30mm，公式(2)得出设备探头与水槽底部距离L＝9.579mm；
将声波在封装材料中的速度Ctm，纯水中超声波传播速度Cw分别代入公式(3)中C，探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP、以及芯片层面到芯片上表面的距离D对应分别代入公式(3)中的Th，可计算出声波在水中的渡越时间TOF1＝11067ns，在样品芯片上部塑封料中渡越时间TOF2＝262.19ns；
放置待测集成电路电子元器件在声扫水槽中，调整探头垂直位置，使设备探头与水槽底部距离L＝9.579mm，并选择芯片层波段为表面波出现时间(即TOF1)后262ns(即TOF2)左右位置，扫描芯片区域得到图像，再经过微调焦距和芯片层波段可得到清晰完整的芯片层图像如图5所示，此时可以看到实际TOF1值为10993ns，TOF2(即图5中GatePosition)为251ns，与计算值误差分别为0.7％和4％，接近计算值。由此证明本发明作为元器件快速进行超声扫描方法的有效性。
综上所述，本发明与现有技术相比，存在以下优势：
本发明提供了一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法及系统，通过对收集电子元器件破坏性物理分析(DFA)试验中外部尺寸与X射线透射量测中的厚度尺寸及间距等参数指标，结合声波探头(即换能器)的焦距，计算出目标层清晰成像时声波探头的垂直位置；再结合超声波扫描原理，计算表面波及芯片层反射波出现的大概位置，计算所得参数，对反射波波段进行选择，从而实现超声扫描显微镜迅速定位芯片内部特定层面的扫描成像，节省待测集成电路电子元器件进行DPA试验中超声扫描所需要的时间，提高了集成电路电子元器件DPA试验中超声扫描试验效率。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像方法，其特征在于，包括以下步骤：
对待测集成电路电子元器件进行目检，获取待测集成电路电子元器件的厚度；
采用X射线对所述待测集成电路电子元器件进行侧面扫描，对芯片或基板层进行定位，获取封装材料的厚度；其中，芯片或基板层与待测集成电路电子元器件的上表面之间采用封装材料封装；
根据待测集成电路电子元器件的厚度选择换能器；
根据封装材料和超声波扫描测试介质，获取封装材料与测试介质中超声波的传播速度；其中，所述待测集成电路电子元器件在进行超声扫描成像时置于测试介质中；
利用封装材料的厚度、换能器的焦距、超声波在封装材料与测试介质中的传播速度，根据超声扫描成像原理，计算超声波在芯片层或基板层成像时换能器探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；
根据探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度和待测集成电路电子元器件的厚度，计算探头与测试介质底部之间的距离；
根据超声波在封装材料中的传播速度和封装材料厚度，计算超声波在封装材料中的渡越时间；
且根据超声波在测试介质中的传播速度和探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度，计算超声波在测试介质中的渡越时间。
2.根据权利要求1所述的超声扫描成像方法，其特征在于，探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP为：
WP＝F-D(Ctm/Cw)
其中，F为换能器的焦距；D为封装材料的厚度；测试介质为纯净水；Ctm和Cw分别为超声波在封装材料和纯净水中的传播速度。
3.根据权利要求2所述的超声扫描成像方法，其特征在于，探头与水槽底部之间的距离为：
L＝WP+T
其中，WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；T为待测集成电路电子元器件的厚度。
4.根据权利要求2或3所述的超声扫描成像方法，其特征在于，超声波在封装材料中的渡越时间TOF1为：
Ctm*TOF1＝D*2
其中，Ctm为超声波在封装材料中的速度；D为封装材料厚度；
超声波在纯净水中的渡越时间TOF2为：
Cw*TOF2＝WP*2
其中，Cw为超声波在水中的传播速度；WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度。
5.一种精准定位芯片内部界面的超声扫描成像系统，其特征在于，包括：
显微镜，用于对待测集成电路电子元器件进行目检，获取待测集成电路电子元器件的厚度；
X射线检测仪，用于采用X射线对所述待测集成电路电子元器件进行侧面扫描，对芯片或基板层进行定位，获取封装材料的厚度；其中，芯片或基板层与待测集成电路电子元器件的上表面之间采用封装材料封装；
换能器，用于根据待测集成电路电子元器件的厚度选择，用于对待测集成电路电子元器件进行超声扫描成像；
物质声阻抗表存储模块，用于存储有物质声阻抗表，根据封装材料和超声波扫描测试介质，获取封装材料与测试介质中超声波的传播速度；其中，所述待测集成电路电子元器件在进行超声扫描成像时置于测试介质中；
测试介质槽，用于存储有测试介质，提供超声波测试介质环境；内置待测集成电路电子元件器；
数据处理模块，用于利用封装材料的厚度、换能器的焦距、超声波在封装材料与测试介质中的传播速度，根据超声扫描成像原理，计算超声波在芯片层或基板层成像时换能器探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；且根据探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度和待测集成电路电子元器件的厚度，计算探头与测试介质底部之间的距离；且根据超声波在封装材料中的传播速度和封装材料厚度，计算超声波在封装材料中的渡越时间；且根据超声波在测试介质中的传播速度和探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度，计算超声波在测试介质中的渡越时间。
6.根据权利要求5所述的超声扫描成像系统，其特征在于，探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度WP为：
WP＝F-D(Ctm/Cw)
其中，F为换能器的焦距；D为封装材料的厚度；测试介质为纯净水；Ctm和Cw分别为超声波在封装材料和纯净水中的传播速度。
7.根据权利要求6所述的超声扫描成像系统，其特征在于，探头与水槽底部之间的距离为：
L＝WP+T
其中，WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度；T为待测集成电路电子元器件的厚度。
8.根据权利要求6或7所述的超声扫描成像方法，其特征在于，超声波在封装材料中的渡越时间TOF1为：
Ctm*TOF1＝D*2
其中，Ctm为超声波在封装材料中的速度；D为封装材料厚度；
超声波在纯净水中的渡越时间TOF2为：
Cw*TOF2＝WP*2
其中，Cw为超声波在水中的传播速度；WP为探头距待测集成电路电子元器件上表面的高度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114674257A (zh) * 2022-03-31 2022-06-28 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所 一种基于超声横波探测的高精度测厚方法及装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114674257A (zh) * 2022-03-31 2022-06-28 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所 一种基于超声横波探测的高精度测厚方法及装置

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