JPH0257967A - 超音波検査装置 - Google Patents
超音波検査装置Info
- Publication number
- JPH0257967A JPH0257967A JP63208211A JP20821188A JPH0257967A JP H0257967 A JPH0257967 A JP H0257967A JP 63208211 A JP63208211 A JP 63208211A JP 20821188 A JP20821188 A JP 20821188A JP H0257967 A JPH0257967 A JP H0257967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- difference
- peeling
- frequency
- reflected wave
- frequency components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002592 echocardiography Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/11—Analysing solids by measuring attenuation of acoustic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/12—Analysing solids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/04—Wave modes and trajectories
- G01N2291/044—Internal reflections (echoes), e.g. on walls or defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被検体内部の接合面の接着状態を超音波を用
いて非破壊検査する超音波検査装置に関する。
いて非破壊検査する超音波検査装置に関する。
超音波を被検体に放射し、被検体からの反射エコーの信
号に基づいて被検体内部の状態（欠陥の有無等）を検査
する超音波検査手段は良く知られている。このような検
査の一例として、被検体が半導体装置である場合につい
て説明する。
号に基づいて被検体内部の状態（欠陥の有無等）を検査
する超音波検査手段は良く知られている。このような検
査の一例として、被検体が半導体装置である場合につい
て説明する。
第３図は半導体装置の断面図である。図で、１は半導体
回路を構成するシリコンチップ、２はシリコンチップ１
を固定するフレーム、３はシリコンチップ１と外部回路
との接続を行なうリードフレーム、４はこれらをモール
ドするモールド樹脂体である。モールド樹脂体４は合成
樹脂により構成されている。なお、リードフレーム３は
紙面と垂直方向に多数配列され、これらリードフレーム
３とシリコンチップ１とは図示されていない極細のリー
ド線により接続されている。５は半導体装置を示す。
回路を構成するシリコンチップ、２はシリコンチップ１
を固定するフレーム、３はシリコンチップ１と外部回路
との接続を行なうリードフレーム、４はこれらをモール
ドするモールド樹脂体である。モールド樹脂体４は合成
樹脂により構成されている。なお、リードフレーム３は
紙面と垂直方向に多数配列され、これらリードフレーム
３とシリコンチップ１とは図示されていない極細のリー
ド線により接続されている。５は半導体装置を示す。
このような半導体装置５では、その製造過程において、
シリコンチップ１とモールド樹脂体４、およびリードフ
レーム３とモールド樹脂体４との間が完全に接着されず
剥離が生じる場合がある。
シリコンチップ１とモールド樹脂体４、およびリードフ
レーム３とモールド樹脂体４との間が完全に接着されず
剥離が生じる場合がある。
このような剥離が生じている半導体装Ｗ、５は、剥離部
分に酒気が混入し、この温気によりシリコンチップ１の
機能に支障を生じ、使用不能となることが多い。又、剥
離を生じるとこの部分からモールド樹脂体に亀裂を生じ
易く、この亀裂により温気の侵入はより一層助長される
。したがって、上記剥離の有無を検査することは、半導
体装置５の使用においては不可欠のことである。この検
査に使用される超音波検査装置を第４図により説明する
。
分に酒気が混入し、この温気によりシリコンチップ１の
機能に支障を生じ、使用不能となることが多い。又、剥
離を生じるとこの部分からモールド樹脂体に亀裂を生じ
易く、この亀裂により温気の侵入はより一層助長される
。したがって、上記剥離の有無を検査することは、半導
体装置５の使用においては不可欠のことである。この検
査に使用される超音波検査装置を第４図により説明する
。
第４図は従来の超音波検査装置のブロック図である０図
で、５は第３図に示す半導体装置である。
で、５は第３図に示す半導体装置である。
６は音響レンズにより超音波ビーム７を集束して放射す
る探触子である。探触子６は超音波ビーム７を放射する
とともにその半導体装置５からの反射波をこれに比例し
た電気信号に変換する。８は探触子６に電気的パルスを
印加するパルサであり、このパルサ８からのパルスの印
加により探触子６は超音波ビーム７を放射する。９は探
触子６からの超音波反射波の電気信号を受信して増幅す
るレシーバ、１０はレシーバ９の出力信号波形を表示す
るオシロスコープである。
る探触子である。探触子６は超音波ビーム７を放射する
とともにその半導体装置５からの反射波をこれに比例し
た電気信号に変換する。８は探触子６に電気的パルスを
印加するパルサであり、このパルサ８からのパルスの印
加により探触子６は超音波ビーム７を放射する。９は探
触子６からの超音波反射波の電気信号を受信して増幅す
るレシーバ、１０はレシーバ９の出力信号波形を表示す
るオシロスコープである。
１１はレシーバ９の出力信号のうち、ある特定時間内の
信号のうちのピーク値を検出するピークデテクタである
。このピークデテクタ１１における上記特定時間は、半
導体装Ｗ、５における検査対象部分近辺からの反射波が
探触子６に到達する時間に選定されている。１２はピー
クデテクタ１１で検出されたピーク値を処理して検査対
象部分における＠離の有無を判断する信号処理装置、１
３は信号処理装置１２で得られた結果を表示するモニタ
ＴＶである。
信号のうちのピーク値を検出するピークデテクタである
。このピークデテクタ１１における上記特定時間は、半
導体装Ｗ、５における検査対象部分近辺からの反射波が
探触子６に到達する時間に選定されている。１２はピー
クデテクタ１１で検出されたピーク値を処理して検査対
象部分における＠離の有無を判断する信号処理装置、１
３は信号処理装置１２で得られた結果を表示するモニタ
ＴＶである。
次に、第４図に示す超音波検査装置の動作の概略を第５
図（ａ）、 （ｂ）に示す反射波信号の波形図を参照
しながら説明する。探触子６からの反射波信号はレシー
バ９で増幅され、オシロスコープ１０に表示される。と
ころで、シリコンチップ１とモールド樹脂体４との接着
、又はリードフレーム３とモールド樹脂体４との接着が
正常である場合、当該接着部分における反射波信号の波
形は第５図（ａ）に示すような波形となる。これに対し
て、当該接着部分に剥離が生じて空気層が形成されてい
る場合、その反射波信号の波形は第５図（ｂ）に示すよ
うに、第５図（ａ）に示す波形よりもその波高値が大き
く、かつ、その位相が反転することが知られている。し
たがって、オシロスコープ１０に表示された波形を観察
することにより、接着部分の剥離の有無を判断すること
ができる。
図（ａ）、 （ｂ）に示す反射波信号の波形図を参照
しながら説明する。探触子６からの反射波信号はレシー
バ９で増幅され、オシロスコープ１０に表示される。と
ころで、シリコンチップ１とモールド樹脂体４との接着
、又はリードフレーム３とモールド樹脂体４との接着が
正常である場合、当該接着部分における反射波信号の波
形は第５図（ａ）に示すような波形となる。これに対し
て、当該接着部分に剥離が生じて空気層が形成されてい
る場合、その反射波信号の波形は第５図（ｂ）に示すよ
うに、第５図（ａ）に示す波形よりもその波高値が大き
く、かつ、その位相が反転することが知られている。し
たがって、オシロスコープ１０に表示された波形を観察
することにより、接着部分の剥離の有無を判断すること
ができる。
しかしながら、オシロスコープ１０に表示されるのは、
接着部分からの反射波信号の波形だけでなく、半導体装
置５を構成する各要素の面からの波形も表示され、接着
部分からの反射波信号の波形の観察は容易ではなく、又
、剥離が生じていてもその信号波形はそれ程大きくなら
ない場合や、位相の反転が明確に現れない場合がある。
接着部分からの反射波信号の波形だけでなく、半導体装
置５を構成する各要素の面からの波形も表示され、接着
部分からの反射波信号の波形の観察は容易ではなく、又
、剥離が生じていてもその信号波形はそれ程大きくなら
ない場合や、位相の反転が明確に現れない場合がある。
したがって、オシロスコープ１０による剥離の有無の判
定は極めて困難である。このため、ピークデテクタ１１
および信号処理装置１２による剥離の有無の判定手段が
提案されている。この判定手段による判定は次のように
してなされる。
定は極めて困難である。このため、ピークデテクタ１１
および信号処理装置１２による剥離の有無の判定手段が
提案されている。この判定手段による判定は次のように
してなされる。
ピークデテクタ１１は、レシーバ９からの信号を入力し
、特定時間内の波形（接着部分の波形）のうち正のピー
ク値と負のピーク値を検出する。
、特定時間内の波形（接着部分の波形）のうち正のピー
ク値と負のピーク値を検出する。
接着部分に剥離がない場合のこれらピーク値が第５図（
ａ）にＰ＋、Ｐｔで示され、剥離が生じている場合のピ
ーク値が第５図（ｂ）にＰ Ｉ ’ ＋ Ｐ ｔで示さ
れている。信号処理装置１２は２つのピーク値の絶対値
を入力して正側のピーク値から負側のピーク値を減算す
る演算を行なう。ところで、接着部分に剥離がない場合
、ピーク値ｐ、、ｐｚの絶対値はｐ ｒ ＞ Ｐ ｚの
関係にあり、剥離がある場合、ピーク値ｐ、Ｊ、ｐｔ’
の絶対値はｐ＋’＞ｐｇの関係にあるので、剥離がない
場合の差（ｐ＋−ｐｇ）は正、剥離がある場合の差（ｐ
＋ −ｐｇ’）は負となり、上記減算値の正負を判断
することにより後者の位相の反転を知ることができ、そ
の剥離も検出することができる。なお、接着部分に剥離
が生じている場合であっても上記の差が正となることが
ある。その場合、当該差の値は小さな値となるので、上
記減算は、差が正の場合にある闇値を設定し、この閾値
を組み込んで実施される。具体的には、当該差の値から
さらに当該闇値が減算され、得られた値の正負が判断さ
れることになる。
ａ）にＰ＋、Ｐｔで示され、剥離が生じている場合のピ
ーク値が第５図（ｂ）にＰ Ｉ ’ ＋ Ｐ ｔで示さ
れている。信号処理装置１２は２つのピーク値の絶対値
を入力して正側のピーク値から負側のピーク値を減算す
る演算を行なう。ところで、接着部分に剥離がない場合
、ピーク値ｐ、、ｐｚの絶対値はｐ ｒ ＞ Ｐ ｚの
関係にあり、剥離がある場合、ピーク値ｐ、Ｊ、ｐｔ’
の絶対値はｐ＋’＞ｐｇの関係にあるので、剥離がない
場合の差（ｐ＋−ｐｇ）は正、剥離がある場合の差（ｐ
＋ −ｐｇ’）は負となり、上記減算値の正負を判断
することにより後者の位相の反転を知ることができ、そ
の剥離も検出することができる。なお、接着部分に剥離
が生じている場合であっても上記の差が正となることが
ある。その場合、当該差の値は小さな値となるので、上
記減算は、差が正の場合にある闇値を設定し、この閾値
を組み込んで実施される。具体的には、当該差の値から
さらに当該闇値が減算され、得られた値の正負が判断さ
れることになる。
信号処理袋Ｗ、１２は、上記のような減算の結果の正負
の判断に応じて、例えば差が正の場合には高レベル信号
、負の場合には低レベル信号を出力する。そして、モニ
タＴＶ１３はこの出力信号により、それが高レベルの場
合には例えば白、低レベルの場合には黒を表示する。こ
のようにして、半導体装置５の平面を超音波で走査する
ことにより、走査ライン上の各点における剥離の有無が
モニタＴＶ１３の画面に白、黒画像として表示され、検
査を行なうことができる。
の判断に応じて、例えば差が正の場合には高レベル信号
、負の場合には低レベル信号を出力する。そして、モニ
タＴＶ１３はこの出力信号により、それが高レベルの場
合には例えば白、低レベルの場合には黒を表示する。こ
のようにして、半導体装置５の平面を超音波で走査する
ことにより、走査ライン上の各点における剥離の有無が
モニタＴＶ１３の画面に白、黒画像として表示され、検
査を行なうことができる。
上記超音波検査装置による半導体装置５の検査の時期は
必ずしもその製造直後に行なわれるものとは限らず、製
造か′ら相当時間経過した時点、例えば当該半導体装Ｒ
５を種々の機械、装置等に組込む直前等で行なわれるこ
とが多い。ところで、半導体装置５の接着部に剥離が存
在する場合、時間の経過とともに剥離部分に温気が侵入
し、遂にはこの部分に水が溜った状態となる。これは、
前述のように剥離部分からの亀裂が生じている場合に著
るしい。そして、このように剥離部分に水の層が形成さ
れると、超音波が放射されたとき、その反射波の大きさ
は水が溜ってない状態（空気の層が形成されている状ａ
）の反射波に比較して小さ（なり、正常に接着されてい
る場合の反射波より僅かに低い程度に減少する。したが
って、正常な接着状態と剥離部分に水が溜っている状態
との区別が不可能となり、剥離が存在するにもかかわら
ずそこに水が溜っている場合には正常な接着と判断され
、この半導体装置５を組込んだ装置２機械等の故障原因
となることが多かった。このような問題は半導体装置に
限らず、他の被検体にも生じる問題である。
必ずしもその製造直後に行なわれるものとは限らず、製
造か′ら相当時間経過した時点、例えば当該半導体装Ｒ
５を種々の機械、装置等に組込む直前等で行なわれるこ
とが多い。ところで、半導体装置５の接着部に剥離が存
在する場合、時間の経過とともに剥離部分に温気が侵入
し、遂にはこの部分に水が溜った状態となる。これは、
前述のように剥離部分からの亀裂が生じている場合に著
るしい。そして、このように剥離部分に水の層が形成さ
れると、超音波が放射されたとき、その反射波の大きさ
は水が溜ってない状態（空気の層が形成されている状ａ
）の反射波に比較して小さ（なり、正常に接着されてい
る場合の反射波より僅かに低い程度に減少する。したが
って、正常な接着状態と剥離部分に水が溜っている状態
との区別が不可能となり、剥離が存在するにもかかわら
ずそこに水が溜っている場合には正常な接着と判断され
、この半導体装置５を組込んだ装置２機械等の故障原因
となることが多かった。このような問題は半導体装置に
限らず、他の被検体にも生じる問題である。
本発明の目的は、上記従来技術における課題を解決し、
被検体の接合面の剥離を確実に検出することができる超
音波検査装置を提供するにある。
被検体の接合面の剥離を確実に検出することができる超
音波検査装置を提供するにある。
上記の目的を達成するため、本発明は、被検体に超音波
を放射し、その反射波信号に基づいて前記被検体の内部
の接合面を検査する超音波検査装置において、前記反射
波信号に含まれる周波数成分のうち２つの特定の周波数
成分の信号レベルをとり出す周波数分析器と、この周波
数分析器でとり出された２つの信号レベルの差を演算す
る減算器と、この減算器の演算値に基づいて前記接合面
の剥離の有無を判断する判定手段とを設けたことを特徴
とする。
を放射し、その反射波信号に基づいて前記被検体の内部
の接合面を検査する超音波検査装置において、前記反射
波信号に含まれる周波数成分のうち２つの特定の周波数
成分の信号レベルをとり出す周波数分析器と、この周波
数分析器でとり出された２つの信号レベルの差を演算す
る減算器と、この減算器の演算値に基づいて前記接合面
の剥離の有無を判断する判定手段とを設けたことを特徴
とする。
受信された超音波反射波信号は周波数分析器により、そ
の周波数成分のうち特定の２つの周波数成分のみとり出
され、これら２つの周波数成分の信号レベルが出力され
る。減算器は、これら２つの信号レベルの差を演算し、
判定手段は、当該差の値に基づいて被検体の接合面に剥
離が生じているか否かを判断する。
の周波数成分のうち特定の２つの周波数成分のみとり出
され、これら２つの周波数成分の信号レベルが出力され
る。減算器は、これら２つの信号レベルの差を演算し、
判定手段は、当該差の値に基づいて被検体の接合面に剥
離が生じているか否かを判断する。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明の実施例に係る超音波検査装置のブロッ
ク図である。図で、第４図に示す部分と同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。
ク図である。図で、第４図に示す部分と同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。
１５は周波数分析器であり、レシーバ９から出力された
超音波反射波信号を入力し、その反射波信号に含まれる
周波数成分のうちの２つの周波数成分の信号をとり出し
、その信号レベルを出力する。
超音波反射波信号を入力し、その反射波信号に含まれる
周波数成分のうちの２つの周波数成分の信号をとり出し
、その信号レベルを出力する。
このような周波数分析器１５は、例えばＦＦＴアナライ
ザやバンドパスフィルタ等を用いて構成される。１６は
周波数分析器１５から出力された２つの信号の信号レベ
ルの差を演算する減算器、１７は減算器１６から出力さ
れた差の値に基づいて接合面の剥離の有無を判断する判
定器である。
ザやバンドパスフィルタ等を用いて構成される。１６は
周波数分析器１５から出力された２つの信号の信号レベ
ルの差を演算する減算器、１７は減算器１６から出力さ
れた差の値に基づいて接合面の剥離の有無を判断する判
定器である。
次に、本実施例の動作を第２図に示す反射波信号の周波
数特性図を参照しながら説明する。第２回で、横軸には
周波数が、縦軸には反射波信号の電圧レベルがとっであ
る。レシーバ９から出力された反射波１８号は第２図に
示すように種々の周波数成分を含む信号である。ここで
、接着部分が正常な接着状態にある場合、その反射波信
号の周波数特性は第２図に曲線Ａで示されている０図か
ら明らかなように、この場合の反射波信号の周波数は、
探触子６の固有の周波数ｆｃ （例えば２５Ｍ Ｈｚ
）を中心に分布されている。今、これら周波数）のうち
、任意の周波数ｆ、、ｆ、が選択され、これら周波数ｆ
、、ｆ、が周波数分析器１５に設定されていると、レシ
ーバ９から出力された反射波信号のうち、周波数ｆＣ，
ｆ３の成分の信号のみが周波数分析器１５によりとり出
され、周波数分析器１５からはそれら各周波数成分の電
圧レベルＶ、、Ｖｔが出力される。減算器１６はこれら
電圧レベルの差δ１ （δｔ ＝Ｖ＋ −Ｖｚ ）を演
算し、これを判定器１７に出力する。判定器１７には、
予め接着部分が正常である場合の周波数ｆｅｎｆ３の電
圧レベルの差、即ち上記の差δ、が記憶手段により記憶
されており、減算器１６から出力された値と当該記憶さ
れている値δ１との差が判定器１７に備えられている減
算手段により演算される。そして、両者の差が０を中心
とした所定の小さな許容範囲内のとき、接着部分が正常
であると判断し、出力電圧をＯとする。したがって、オ
シロスコープ１０には０レベルの横軸の線が表示されて
いるのみである。
数特性図を参照しながら説明する。第２回で、横軸には
周波数が、縦軸には反射波信号の電圧レベルがとっであ
る。レシーバ９から出力された反射波１８号は第２図に
示すように種々の周波数成分を含む信号である。ここで
、接着部分が正常な接着状態にある場合、その反射波信
号の周波数特性は第２図に曲線Ａで示されている０図か
ら明らかなように、この場合の反射波信号の周波数は、
探触子６の固有の周波数ｆｃ （例えば２５Ｍ Ｈｚ
）を中心に分布されている。今、これら周波数）のうち
、任意の周波数ｆ、、ｆ、が選択され、これら周波数ｆ
、、ｆ、が周波数分析器１５に設定されていると、レシ
ーバ９から出力された反射波信号のうち、周波数ｆＣ，
ｆ３の成分の信号のみが周波数分析器１５によりとり出
され、周波数分析器１５からはそれら各周波数成分の電
圧レベルＶ、、Ｖｔが出力される。減算器１６はこれら
電圧レベルの差δ１ （δｔ ＝Ｖ＋ −Ｖｚ ）を演
算し、これを判定器１７に出力する。判定器１７には、
予め接着部分が正常である場合の周波数ｆｅｎｆ３の電
圧レベルの差、即ち上記の差δ、が記憶手段により記憶
されており、減算器１６から出力された値と当該記憶さ
れている値δ１との差が判定器１７に備えられている減
算手段により演算される。そして、両者の差が０を中心
とした所定の小さな許容範囲内のとき、接着部分が正常
であると判断し、出力電圧をＯとする。したがって、オ
シロスコープ１０には０レベルの横軸の線が表示されて
いるのみである。
次に、接着部分に剥離が存在し、この剥離部分に水が溜
っている場合について説明する。この場合、反射波信号
の周波数特性は第２図に示す曲線Ｂのようになる。即ち
、周波数の低い超音波成分は水中を通過するとき干渉に
よる減衰が少ないが、周波数が高くなるほど超音波成分
は水中を通過するとき干渉により太き（減衰し、このた
め、その反射波信号の周波数特性は曲線Ｂのようになる
。
っている場合について説明する。この場合、反射波信号
の周波数特性は第２図に示す曲線Ｂのようになる。即ち
、周波数の低い超音波成分は水中を通過するとき干渉に
よる減衰が少ないが、周波数が高くなるほど超音波成分
は水中を通過するとき干渉により太き（減衰し、このた
め、その反射波信号の周波数特性は曲線Ｂのようになる
。
さきに述べたように、周波数分析器１５には選択された
周波数ｆｃ、ｆ、が設定されているので、曲線Ｂの特性
をもつ反射波信号が周波数分析器１５に入力されると、
周波数分析器１５からは周波数ｆ、の電圧レベルｖＩ′
と周波数ｆ、の電圧レベル■２′とが出力される。これ
ら電圧レベルは減算器１６に入力され、その差δ２ （
δ２−■。
周波数ｆｃ、ｆ、が設定されているので、曲線Ｂの特性
をもつ反射波信号が周波数分析器１５に入力されると、
周波数分析器１５からは周波数ｆ、の電圧レベルｖＩ′
と周波数ｆ、の電圧レベル■２′とが出力される。これ
ら電圧レベルは減算器１６に入力され、その差δ２ （
δ２−■。
−ｖ、’）が演算される。この差の値δ２は周波数が高
い超音波成分はど減衰が大きいことから、必然的に前記
の差δ１より大きくなる。そして、この差の値 δ２は
判定器１７に入力され、記憶されている正常接着の場合
の値δ１と比較される。
い超音波成分はど減衰が大きいことから、必然的に前記
の差δ１より大きくなる。そして、この差の値 δ２は
判定器１７に入力され、記憶されている正常接着の場合
の値δ１と比較される。
この場合、両者の差の値（δ２−δ、）は判定器１７に
設定された前記許容範囲より大きな値となるので、判定
器１７は接着部分に剥離が存在すると判断し、所定のレ
ベルの電圧を出力する。これにより、オシロスコープ１
０には当該電圧に応じたレベルの直線が現れ、剥離の存
在を表示する。
設定された前記許容範囲より大きな値となるので、判定
器１７は接着部分に剥離が存在すると判断し、所定のレ
ベルの電圧を出力する。これにより、オシロスコープ１
０には当該電圧に応じたレベルの直線が現れ、剥離の存
在を表示する。
このように、本実施例では、高周波成分の超音波の水中
通過時の減衰が大きくなる現象に基づき、反射波信号の
特定の２つの周波数成分の電圧レベルの差により剥離の
有無を判断するようにしたので、剥離部分に水が溜って
いても確実に剥離を検出することができる。
通過時の減衰が大きくなる現象に基づき、反射波信号の
特定の２つの周波数成分の電圧レベルの差により剥離の
有無を判断するようにしたので、剥離部分に水が溜って
いても確実に剥離を検出することができる。
なお、上記実施例の説明では、選択する２つの周波数の
１つを中心周波数ｆｃとする例について述べたが、これ
に限ることはなく、ある程度の電圧レベルの範囲内で、
できるだけ値δ１．δ２の差が大きくなるような周波数
を選定すればよい。
１つを中心周波数ｆｃとする例について述べたが、これ
に限ることはなく、ある程度の電圧レベルの範囲内で、
できるだけ値δ１．δ２の差が大きくなるような周波数
を選定すればよい。
例えば、第２図に示すように、中心周波数ｆｃの電圧レ
ベルから約３０ｄＢ低い電圧レベル内の周波数帯域ｆ、
内で、かつ、高周波部分で周波数選択を行なうことがで
きる。又、表示はオシロスコープに限ることはなく、既
設のモニタＴＶを利用して輝度の大小により表示しても
よく、さらに、表示灯やブザー等を用いることもできる
。
ベルから約３０ｄＢ低い電圧レベル内の周波数帯域ｆ、
内で、かつ、高周波部分で周波数選択を行なうことがで
きる。又、表示はオシロスコープに限ることはなく、既
設のモニタＴＶを利用して輝度の大小により表示しても
よく、さらに、表示灯やブザー等を用いることもできる
。
以上述べたように、本発明は、反射波信号の周波数成分
のうち２つの周波数成分を選択し、それらの信号レベル
の差に基づいて剥離の有無を判断するようにしたので、
当該剥離部分に水が存在していても、剥離を確実に検出
することができる。
のうち２つの周波数成分を選択し、それらの信号レベル
の差に基づいて剥離の有無を判断するようにしたので、
当該剥離部分に水が存在していても、剥離を確実に検出
することができる。
第１図は本発明の実施例に係る超音波検査装置のブロッ
ク図、第２図は反射波信号の周波数特性図、第３図は被
検体である半導体装置の断面図、第４図は従来の超音波
検査装置のブロック図、第５図（ａ）、 （ｂ）は反
射波信号の波形図である。 ６・・・・・・・・・探触子、９・・・・・・・・・レ
シーバ、１５・・・・・・・・・周波数分析器、１６・
・・・・・・・・減算器、１７・・・・・・・・・判定
器 咄鷲匡Δ？北 ６課ｊ虫弄
ク図、第２図は反射波信号の周波数特性図、第３図は被
検体である半導体装置の断面図、第４図は従来の超音波
検査装置のブロック図、第５図（ａ）、 （ｂ）は反
射波信号の波形図である。 ６・・・・・・・・・探触子、９・・・・・・・・・レ
シーバ、１５・・・・・・・・・周波数分析器、１６・
・・・・・・・・減算器、１７・・・・・・・・・判定
器 咄鷲匡Δ？北 ６課ｊ虫弄
Claims (2)
- （１）被検体に超音波を放射し、その反射波信号に基づ
いて前記被検体の内部の接合面を検査する超音波検査装
置において、前記反射波信号に含まれる周波数成分のう
ち２つの特定の周波数成分の信号レベルをとり出す周波
数分析器と、この周波数分析器でとり出された２つの信
号レベルの差を演算する減算器と、この減算器の演算値
に基づいて前記接合面の剥離の有無を判断する判定手段
とを設けたことを特徴とする超音波検査装置。 - （２）請求項（１）において、前記判定手段は、前記接
合面が接着状態にあるときの前記減算器の演算値を記憶
する記憶手段と、この記憶手段に記憶された値と前記減
算器の演算値との差を演算する他の減算器とで構成され
ていることを特徴とする超音波検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208211A JPH0257967A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 超音波検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208211A JPH0257967A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 超音波検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0257967A true JPH0257967A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16552513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208211A Pending JPH0257967A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 超音波検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0257967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458148A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波探傷装置 |
| US5351544A (en) * | 1990-11-21 | 1994-10-04 | Olympus Optical Co., Ltd | Measuring apparatus using an ultrasonic wave to provide flaking state detection for a specimen on the basis of freqency analysis of a wave reflected by the specimen |
| JP2015038462A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 株式会社Ihi | 複合構造体の界面検査方法及び装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134491A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Ultrasonic defect scanning method |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208211A patent/JPH0257967A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134491A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Ultrasonic defect scanning method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458148A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波探傷装置 |
| US5351544A (en) * | 1990-11-21 | 1994-10-04 | Olympus Optical Co., Ltd | Measuring apparatus using an ultrasonic wave to provide flaking state detection for a specimen on the basis of freqency analysis of a wave reflected by the specimen |
| JP2015038462A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 株式会社Ihi | 複合構造体の界面検査方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6089095A (en) | Method and apparatus for nondestructive inspection and defect detection in packaged integrated circuits | |
| JPH0257967A (ja) | 超音波検査装置 | |
| JPH06294779A (ja) | 超音波映像検査装置および超音波映像検査方法 | |
| JPS5892859A (ja) | 超音波を使つて鋼等金属材料の欠陥を検出する方法及び該方法を実施する超音波探傷器 | |
| US5493775A (en) | Pressure contact open-circuit detector | |
| JPH0257968A (ja) | 超音波検査装置 | |
| JP4160601B2 (ja) | ケーブル接続部の欠陥検出方法 | |
| Qiu et al. | Study on the pin delamination of plastic encapsulated microcircuits using scanning acoustic microscope | |
| JP2001194351A (ja) | 欠陥状態表示装置およびその方法 | |
| JPH0658917A (ja) | 超音波検査方法および装置 | |
| JPH03102258A (ja) | 超音波検査方法及び装置 | |
| JPH06242086A (ja) | 超音波検査装置 | |
| JPH06138105A (ja) | 超音波探傷装置 | |
| KR20180027274A (ko) | 유효탐지거리 계측 기능을 갖는 비파괴 검사 장치 | |
| JPS61151458A (ja) | Ｃスキヤン超音波探傷方法及び装置 | |
| JP3332635B2 (ja) | 溶着部検査装置およびその検査方法 | |
| JPH0424551A (ja) | 超音波探傷装置 | |
| JPS6126856A (ja) | 金属材料検査装置 | |
| JPH03252553A (ja) | 超音波探傷装置 | |
| RU2613567C1 (ru) | Способ ультразвукового неразрушающего контроля | |
| JP3008381B2 (ja) | 超音波測定装置 | |
| JP2739972B2 (ja) | 超音波探傷装置 | |
| JPS62207957A (ja) | 超音波探傷方法 | |
| JPH0560732A (ja) | 接着・剥離判定用超音波装置 | |
| JPH07218411A (ja) | 試験装置 |