JPH0444945B2 - - Google Patents
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- JPH0444945B2 JPH0444945B2 JP59024675A JP2467584A JPH0444945B2 JP H0444945 B2 JPH0444945 B2 JP H0444945B2 JP 59024675 A JP59024675 A JP 59024675A JP 2467584 A JP2467584 A JP 2467584A JP H0444945 B2 JPH0444945 B2 JP H0444945B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明はダイボンド接着状態の検査装置に関す
る。
る。
（発明の背景）
IC、LSIなどのチツプを基板にダイボンドする
時、基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布
しておけなければならない。自動機においては、
量産無人方式であるので、所定の位置にペースト
が塗布されない場合がある。
時、基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布
しておけなければならない。自動機においては、
量産無人方式であるので、所定の位置にペースト
が塗布されない場合がある。
従来、モノリシツクICの場合におけるペース
ト塗布の有無の検出は、ペースト供給シリンジ側
と基板間に高電圧を加え、その導通の有無により
検出する方法がとられている。しかし、ハイブリ
ツドICのように、基板がセラミツクの場合は、
絶縁体であるので導通試験を行うことができな
い。
ト塗布の有無の検出は、ペースト供給シリンジ側
と基板間に高電圧を加え、その導通の有無により
検出する方法がとられている。しかし、ハイブリ
ツドICのように、基板がセラミツクの場合は、
絶縁体であるので導通試験を行うことができな
い。
また、接着剤を用いないダイボンド、例えばフ
リツプチツプのバンプと基板とのAu−Si共晶に
よるダイボンドにおいては、多数のバンプの接合
状態を検出することはチツプの裏側を目視できな
いので不可能である。
リツプチツプのバンプと基板とのAu−Si共晶に
よるダイボンドにおいては、多数のバンプの接合
状態を検出することはチツプの裏側を目視できな
いので不可能である。
従来、前記のように検出不可能なハイブリツド
IC及びフリツプチツプのダイボンド接着状態の
検出は、破壊試験による方法しかなく、自動機に
組込み全数検査することはできない。即ち、抜き
取りにより、チツプ溶解、剥しによつて検査しな
ければならなく、作業能率が悪く手間を要すると
いう欠点があつた。
IC及びフリツプチツプのダイボンド接着状態の
検出は、破壊試験による方法しかなく、自動機に
組込み全数検査することはできない。即ち、抜き
取りにより、チツプ溶解、剥しによつて検査しな
ければならなく、作業能率が悪く手間を要すると
いう欠点があつた。
（発明の目的）
本発明の目的は、チツプ及び基板がどのような
ものであつてもダイボンドの接着状態を無接触非
破壊で瞬時に検出できるダイボンド接着状態の検
査装置を提供することにある。
ものであつてもダイボンドの接着状態を無接触非
破壊で瞬時に検出できるダイボンド接着状態の検
査装置を提供することにある。
（発明の実施例）
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図に示すように、基板１はダイボンドのため
にヒータブロツク２上に載置され、熱伝導により
或る一定の温度に達して熱平衡状態になる。次に
この熱せられた基板１上に図示しない接着剤塗布
装置により銀ペーストなどの導電接着剤３を滴下
し、溶剤が適当に気発した状態でチツプ４を搭載
し、乾燥熱硬化させて銀粒子による合金層を形成
させ、ダイボンドが終る。ダイボンド終了後、ヒ
ータブロツク２上で赤外線受光器５を用いてチツ
プ４表面により放射される赤外線の分布を測定す
る。
第１図に示すように、基板１はダイボンドのため
にヒータブロツク２上に載置され、熱伝導により
或る一定の温度に達して熱平衡状態になる。次に
この熱せられた基板１上に図示しない接着剤塗布
装置により銀ペーストなどの導電接着剤３を滴下
し、溶剤が適当に気発した状態でチツプ４を搭載
し、乾燥熱硬化させて銀粒子による合金層を形成
させ、ダイボンドが終る。ダイボンド終了後、ヒ
ータブロツク２上で赤外線受光器５を用いてチツ
プ４表面により放射される赤外線の分布を測定す
る。
ところで、ヒータブロツク２によつて加熱され
た基板１の熱が導電接着剤３で接合されたチツプ
４に流入する状態は、第２図ｂに示すように最も
抵抗の低い導電接着剤３の部分を通つて流入す
る。勿論、導電接着剤３以外の部分からも熱は流
入するが、導電接着剤３以外の部分は空気層６を
形成しており、この空気層６は断熱部として作用
するので、対流、輻射による流入しかなく、前記
導電接着剤３を通る熱の量より極めて低く、無視
できる。
た基板１の熱が導電接着剤３で接合されたチツプ
４に流入する状態は、第２図ｂに示すように最も
抵抗の低い導電接着剤３の部分を通つて流入す
る。勿論、導電接着剤３以外の部分からも熱は流
入するが、導電接着剤３以外の部分は空気層６を
形成しており、この空気層６は断熱部として作用
するので、対流、輻射による流入しかなく、前記
導電接着剤３を通る熱の量より極めて低く、無視
できる。
そこで、チツプ４の寸法が表面積に比べて厚さ
が極めて小さい時は、基板１から導電接着剤３を
通つてチツプ４に流入する流入熱は、すぐにチツ
プ４表面に達し、拡散及びチツプ４表面からの熱
放散作用で或る条件の下で平衡する。そして、第
２図ａに示すように、導電接着剤３に対応した部
分は高熱領域７となり、その周りは低熱領域８と
なる温度勾配をもつ。そこで、チツプ４表面から
の熱放射を測定し、この温度勾配のパターンを適
当なカラーフイルターを用いて電気信号に変換し
てデータ処理し、良品の場合温度勾配パターンと
比較することにより、ダイボンドの良否が自動的
に判定できる。
が極めて小さい時は、基板１から導電接着剤３を
通つてチツプ４に流入する流入熱は、すぐにチツ
プ４表面に達し、拡散及びチツプ４表面からの熱
放散作用で或る条件の下で平衡する。そして、第
２図ａに示すように、導電接着剤３に対応した部
分は高熱領域７となり、その周りは低熱領域８と
なる温度勾配をもつ。そこで、チツプ４表面から
の熱放射を測定し、この温度勾配のパターンを適
当なカラーフイルターを用いて電気信号に変換し
てデータ処理し、良品の場合温度勾配パターンと
比較することにより、ダイボンドの良否が自動的
に判定できる。
しかしながら、実験の結果、チツプ４表面から
の熱放射が第２図ａのような温度勾配をもつ場合
は、チツプ４表面がどこでも均一な放射条件をも
つ場合にのみ成立し、チツプ４表面の状態により
チツプ４表面の放射量が異なる場合がある。一般
に、チツプ表面には回路パターンが形成されてお
り、この回路パターンによりチツプ４表面の熱放
射の条件が異なつており、第２図ａに示す高熱領
域７が実際はチツプ４表面の回路パターンの状態
によつて低熱領域８として検出されることがあ
る。
の熱放射が第２図ａのような温度勾配をもつ場合
は、チツプ４表面がどこでも均一な放射条件をも
つ場合にのみ成立し、チツプ４表面の状態により
チツプ４表面の放射量が異なる場合がある。一般
に、チツプ表面には回路パターンが形成されてお
り、この回路パターンによりチツプ４表面の熱放
射の条件が異なつており、第２図ａに示す高熱領
域７が実際はチツプ４表面の回路パターンの状態
によつて低熱領域８として検出されることがあ
る。
そこで、本発明者は、チツプ４表面の条件に左
右されず常にチツプ４の正しい温度勾配を検出す
る方法について種々の実験を行つたところ、チツ
プ４表面より放射される赤外線の波長を検出すれ
ばよいことを見出した。以下、このことを第３図
によつて説明する。
右されず常にチツプ４の正しい温度勾配を検出す
る方法について種々の実験を行つたところ、チツ
プ４表面より放射される赤外線の波長を検出すれ
ばよいことを見出した。以下、このことを第３図
によつて説明する。
チツプ４表面が均一な放射条件の場合、放射量
P1、P2、P3で、＜P1＜P2＜P3の場合、各放射量
P1、P2、P3はλ1、λ2、λ3の波長をもち、λ1＞λ2
＞λ3の関係が成立する。即ち、放射量が大きいと
熱エネルギーも大きくなる。そこで、放射量P3
をもつチツプ４表面の部分に回路パターンを形成
したところ、その部分の波長はλ3で変らなかつた
が、放射量はP3′となりP1より小さくなつた。こ
のことにより、放射量P1、P2、P3′を測定すると、
P3′の部分の温度はP1、P2の部分より高いにもか
かわらず、放射量は小さいので、誤つた結果が得
られる。
P1、P2、P3で、＜P1＜P2＜P3の場合、各放射量
P1、P2、P3はλ1、λ2、λ3の波長をもち、λ1＞λ2
＞λ3の関係が成立する。即ち、放射量が大きいと
熱エネルギーも大きくなる。そこで、放射量P3
をもつチツプ４表面の部分に回路パターンを形成
したところ、その部分の波長はλ3で変らなかつた
が、放射量はP3′となりP1より小さくなつた。こ
のことにより、放射量P1、P2、P3′を測定すると、
P3′の部分の温度はP1、P2の部分より高いにもか
かわらず、放射量は小さいので、誤つた結果が得
られる。
そこで本発明は、第１図に示すように、赤外線
受光器５で測定した放射熱を波長分析回路１０で
波長に分析し、この波長を主波長検出回路１１で
放射熱の中でも最も強い赤外線の波長を検出し、
この主波長をデータ処理回路１２で電気信号に変
換し、デイプレイ１３に表示、又は良品温度パタ
ーンを有する比較回路１４と比較してダイボンド
の良否を判定する。このように、波長を検出する
ので、チツプ４の表面の放射条件が異なつても、
常に正しい温度勾配が検出できる。
受光器５で測定した放射熱を波長分析回路１０で
波長に分析し、この波長を主波長検出回路１１で
放射熱の中でも最も強い赤外線の波長を検出し、
この主波長をデータ処理回路１２で電気信号に変
換し、デイプレイ１３に表示、又は良品温度パタ
ーンを有する比較回路１４と比較してダイボンド
の良否を判定する。このように、波長を検出する
ので、チツプ４の表面の放射条件が異なつても、
常に正しい温度勾配が検出できる。
なお、上記実施例においては、導電接着剤３を
介して接合する場合について説明したが、基板１
にチツプ４を直接接合する場合にも適用できる。
また基板１が絶縁部材であるか否かにかかわらず
適用できる。またチツプ４に限らず、基板１にリ
ードフレームなどの部品を接合する場合にも適用
できる。また上記実施例においては、基板１をヒ
ータブロツク２で加熱する場合について説明した
が、赤外線放射熱による加熱でもよい。
介して接合する場合について説明したが、基板１
にチツプ４を直接接合する場合にも適用できる。
また基板１が絶縁部材であるか否かにかかわらず
適用できる。またチツプ４に限らず、基板１にリ
ードフレームなどの部品を接合する場合にも適用
できる。また上記実施例においては、基板１をヒ
ータブロツク２で加熱する場合について説明した
が、赤外線放射熱による加熱でもよい。
（発明の効果）
以上の説明から明らかな如く、本発明によれ
ば、基板上に部品をダイボンド後、部品表面より
放射される赤外線の波長を測定し、部品の所定位
置における高熱領域の有無を検出することにより
ダイボンドの良否を検出するので、無接触非破壊
方式でダイボンドの接着状態を瞬時に、しかも正
確な検出を行うことができる。また部品表面の放
射条件に左右されずに常に正しい温度勾配が検出
できる。
ば、基板上に部品をダイボンド後、部品表面より
放射される赤外線の波長を測定し、部品の所定位
置における高熱領域の有無を検出することにより
ダイボンドの良否を検出するので、無接触非破壊
方式でダイボンドの接着状態を瞬時に、しかも正
確な検出を行うことができる。また部品表面の放
射条件に左右されずに常に正しい温度勾配が検出
できる。
第１図は本発明になる検査装置の一実施例を示
す説明図、第２図は温度勾配を示し、ａは平面
図、ｂは正面図、第３図は波長と放射量との関係
図である。 １……基板、２……ヒータブロツク、４……チ
ツプ、５……赤外線受光器、７……高熱領域、８
……低熱領域、１０……波長分析回路、１１……
主波長検出回路、１２……データ処理回路。
す説明図、第２図は温度勾配を示し、ａは平面
図、ｂは正面図、第３図は波長と放射量との関係
図である。 １……基板、２……ヒータブロツク、４……チ
ツプ、５……赤外線受光器、７……高熱領域、８
……低熱領域、１０……波長分析回路、１１……
主波長検出回路、１２……データ処理回路。
Claims (1)
- １ 基板上にダイボンドされた部品表面より放射
される放射熱を測定する赤外線受光器と、この赤
外線受光器で測定した放射熱を波長に分析する波
長分析回路と、この波長分析回路で分析された波
長で放射熱の中で最も強い波長を検出する主波長
検出回路と、この主波長検出回路で検出された主
波長を電気信号に変換するデータ処理回路とを備
え、このデータ処理回路の電気信号によりダイボ
ンドの良否を検出するこを特徴とするダイボンド
接着状態の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2467584A JPS60169742A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | ダイボンド接着状態の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2467584A JPS60169742A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | ダイボンド接着状態の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169742A JPS60169742A (ja) | 1985-09-03 |
| JPH0444945B2 true JPH0444945B2 (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=12144709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2467584A Granted JPS60169742A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | ダイボンド接着状態の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169742A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188749A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラのチヤ−ベツド測定装置 |
| JPS63188748A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラのチヤ−ベツド測定装置 |
| JPS63188750A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラの過熱器の測定装置 |
| WO2022059629A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 非接触材料同定方法、非接触温度同定方法、及び熱処理加工進行度同定方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126090A (en) * | 1974-08-27 | 1976-03-03 | Honda Motor Co Ltd | Setsugojotai no kensasochi |
| JPS5699082A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-10 | Hitachi Ltd | Resistance welding infrared-ray temperature monitor |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP2467584A patent/JPS60169742A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126090A (en) * | 1974-08-27 | 1976-03-03 | Honda Motor Co Ltd | Setsugojotai no kensasochi |
| JPS5699082A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-10 | Hitachi Ltd | Resistance welding infrared-ray temperature monitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60169742A (ja) | 1985-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |