JPS60169742A - ダイボンド接着状態の検査装置 - Google Patents
ダイボンド接着状態の検査装置Info
- Publication number
- JPS60169742A JPS60169742A JP2467584A JP2467584A JPS60169742A JP S60169742 A JPS60169742 A JP S60169742A JP 2467584 A JP2467584 A JP 2467584A JP 2467584 A JP2467584 A JP 2467584A JP S60169742 A JPS60169742 A JP S60169742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- die bonding
- chip
- substrate
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明はダイボンド接着状態の検出方法に関する。
（発明の背景）
ＩＣ，ＬＳＩなどのチップを基板にダイボンドする時、
基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布しておかな
ければならない。自動機ｌこおいては、量産無人方式で
あるので、所定の位置にペーストが塗布されない場合が
ある。
基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布しておかな
ければならない。自動機ｌこおいては、量産無人方式で
あるので、所定の位置にペーストが塗布されない場合が
ある。
従来、モノリシックＩＣの場合ζこおけるペースト塗布
の有無の検出は、ペースト供給のシリンジ側と基板間に
高電圧を加え、その導通の有無ｌこより検出する方法が
４とらｎている。しかし、ハイブリッドＩＣのように、
基板がセラミックの場合は、絶縁体であるので導通試験
を行うことができない。
の有無の検出は、ペースト供給のシリンジ側と基板間に
高電圧を加え、その導通の有無ｌこより検出する方法が
４とらｎている。しかし、ハイブリッドＩＣのように、
基板がセラミックの場合は、絶縁体であるので導通試験
を行うことができない。
才た接着剤を用いないダイボンド、例えばフリップチッ
プのバンプと基板とのＡｕ−８ｉ共晶によるダイボンド
においては、多数のバンプの接合状態を検出することは
チップの裏側を目視できないので不可能である。
プのバンプと基板とのＡｕ−８ｉ共晶によるダイボンド
においては、多数のバンプの接合状態を検出することは
チップの裏側を目視できないので不可能である。
従来、前記のように検出不可能なハイブリ゛ソドＩＣ及
びフリップチップのダイボンド接着状態の検出は、破壊
試験による方法しかなく、自動機に組込み全数検査する
ことはできない。即ち、抜き取りにより、チップ溶解、
剥しによって検査しなければならなく、作業能率が悪く
手間を要するという欠点があった。
びフリップチップのダイボンド接着状態の検出は、破壊
試験による方法しかなく、自動機に組込み全数検査する
ことはできない。即ち、抜き取りにより、チップ溶解、
剥しによって検査しなければならなく、作業能率が悪く
手間を要するという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、チップ及び基板がどのようなものであ
ってもダイボンドの接着状態を無接触非破壊で瞬時に検
出できるダイボンド接着状態の検出芳法を提供すること
にある。
ってもダイボンドの接着状態を無接触非破壊で瞬時に検
出できるダイボンド接着状態の検出芳法を提供すること
にある。
（発明の実施例）
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図に示すように、基板１はダイボンドのためにヒー
タブロック２上に載置され、熱伝導により成る一定の温
度に達して熱平衡状態になる。次（ここの熱せられた基
板１上に図示しない接着剤塗布装置により銀ペーストな
どの導電接着剤３を滴下し、溶剤が適ＭＪこ実見した状
態でチップ４を搭載し、乾燥熱硬化させて銀粒子による
合金層を形成させ、ダイボンドが終る。ダイボンド終了
後、ヒータブロック２上で赤外線受光器５を用いてチッ
プ４表面より放射される赤外線の分布を測定する。
タブロック２上に載置され、熱伝導により成る一定の温
度に達して熱平衡状態になる。次（ここの熱せられた基
板１上に図示しない接着剤塗布装置により銀ペーストな
どの導電接着剤３を滴下し、溶剤が適ＭＪこ実見した状
態でチップ４を搭載し、乾燥熱硬化させて銀粒子による
合金層を形成させ、ダイボンドが終る。ダイボンド終了
後、ヒータブロック２上で赤外線受光器５を用いてチッ
プ４表面より放射される赤外線の分布を測定する。
ところで、ヒータブロック２によって加熱さイｔた基板
１の熱が導電接着剤３で接合さイｔたチップ４に流入す
る状態は、第２図（ｂ）ｉこ示ずように最も抵抗の低い
導電接着剤３の部分を通って流入する。
１の熱が導電接着剤３で接合さイｔたチップ４に流入す
る状態は、第２図（ｂ）ｉこ示ずように最も抵抗の低い
導電接着剤３の部分を通って流入する。
勿論、導電接着剤３以外の部分からも熱は流入するが、
導電接着剤３以外の部分は空気層６を形成しており、こ
の空気層６は断熱部として作用するので、対流、輻射に
よる流入しかなく、前記導電接着剤３を通る熱の量より
極めて低く、無視できる。
導電接着剤３以外の部分は空気層６を形成しており、こ
の空気層６は断熱部として作用するので、対流、輻射に
よる流入しかなく、前記導電接着剤３を通る熱の量より
極めて低く、無視できる。
そこで、チップ４の寸法が表面積に比べて厚さが極めて
小さい時は、基板１から導電接着剤３を通ってチップ４
に流入する流入熱は、すぐにチップ４表面に達し、拡散
及びチップ４表面からの熱放散作用で成る条件の下で平
衡する。そして、第２図ｆａ）ζこ示すようｌこ、導１
ＪＬ接着剤３に対応した部分は高熱領域７となり、その
周りは低熱領域８となる温度勾配をもつ。そこで、チッ
プ４表面からの熱放射を測定し、この温度勾配のパター
ンを適当なカラーフィルターを用いて電気信号に変換し
てデータ処理し、良品の場合の温度勾配パターンと比較
すること船こより、ダイボンドの良否が自動的に判定で
きる。
小さい時は、基板１から導電接着剤３を通ってチップ４
に流入する流入熱は、すぐにチップ４表面に達し、拡散
及びチップ４表面からの熱放散作用で成る条件の下で平
衡する。そして、第２図ｆａ）ζこ示すようｌこ、導１
ＪＬ接着剤３に対応した部分は高熱領域７となり、その
周りは低熱領域８となる温度勾配をもつ。そこで、チッ
プ４表面からの熱放射を測定し、この温度勾配のパター
ンを適当なカラーフィルターを用いて電気信号に変換し
てデータ処理し、良品の場合の温度勾配パターンと比較
すること船こより、ダイボンドの良否が自動的に判定で
きる。
しかしながら、実験の結果、チップ４表面からの熱放射
が第２図（ａｌのような温度勾配をもつ場合は、チップ
４表面がどこでも均一な放射条件をもつ場合にのみ成立
し、チップ４表面の状態によりチップ４表面の放射量が
異なる場合がある。〜般ｌこ、チップ表面には回路パタ
ーンが形成されており、この回路パターンによりチップ
４表面の熱放射の条件が異なっており、第２図（ａ）に
示ず高熱領域７が実際はチップ４表面の回路パターンの
状態によって低熱領域８として検出されることがある。
が第２図（ａｌのような温度勾配をもつ場合は、チップ
４表面がどこでも均一な放射条件をもつ場合にのみ成立
し、チップ４表面の状態によりチップ４表面の放射量が
異なる場合がある。〜般ｌこ、チップ表面には回路パタ
ーンが形成されており、この回路パターンによりチップ
４表面の熱放射の条件が異なっており、第２図（ａ）に
示ず高熱領域７が実際はチップ４表面の回路パターンの
状態によって低熱領域８として検出されることがある。
そこで、本発明者は、チップ４表面の条件に左右されず
常にチップ４の正しい温度勾配を検出する方法について
種々実験を行ったところ、チップ４表面より放射される
赤外線の波長を検出すればよいことを見出した。以下、
このことを第３図によって説明する。
常にチップ４の正しい温度勾配を検出する方法について
種々実験を行ったところ、チップ４表面より放射される
赤外線の波長を検出すればよいことを見出した。以下、
このことを第３図によって説明する。
升ツブ４表面が均一な放射条件の場合、放射量ｐ、 、
ｐ、 、 ｐ３で、Ｐ＋ ＜ Ｐｚ ＜ Ｐｓの場合
、各放射量Ｐ１１Ｐ１、Ｐｌはλ１、λ１、λ、の波長
をもち、λ１〉λ２〉λ。
ｐ、 、 ｐ３で、Ｐ＋ ＜ Ｐｚ ＜ Ｐｓの場合
、各放射量Ｐ１１Ｐ１、Ｐｌはλ１、λ１、λ、の波長
をもち、λ１〉λ２〉λ。
の関係が成立する。即ち、放射量が大きいと熱エネルギ
ーも大きくなる。そこで、放射量Ｐ３をもつチップ４表
面の部分ｔこ回路パターンを形成したところ、その部分
の波長はλ３で変らなかったが、放熱量はＰ３′となり
、Ｐｌより小さくなった。このことより、放熱量Ｐ１１
Ｐ２、Ｐ、′を測定すると、Ｐ、′の部分の温度はＰ、
、Ｐ、の部分より高いにもかかわらず、放熱量は小さ
いので、誤った結果が得られる。
ーも大きくなる。そこで、放射量Ｐ３をもつチップ４表
面の部分ｔこ回路パターンを形成したところ、その部分
の波長はλ３で変らなかったが、放熱量はＰ３′となり
、Ｐｌより小さくなった。このことより、放熱量Ｐ１１
Ｐ２、Ｐ、′を測定すると、Ｐ、′の部分の温度はＰ、
、Ｐ、の部分より高いにもかかわらず、放熱量は小さ
いので、誤った結果が得られる。
そこで本発明は、第１図に示すように、赤外線受光器５
で測定した放射熱を波長分析回路１ｏで波長に分析し、
この波長を主波長検出回路１１で放射熱の中で最も強い
赤外線の波長を検出し、この主波長をデータ処理回路１
２で電気信号に変換し、デイスプンイ１３に表示、又は
良品温度パタ −３−ンを有する比較回路１４と比較し
てダイボンドの良否を判定する。このようＥこ、波長を
検出するので、チップ４表面の放射条件が異なっても、
常に正しい温度勾配が検出できる。
で測定した放射熱を波長分析回路１ｏで波長に分析し、
この波長を主波長検出回路１１で放射熱の中で最も強い
赤外線の波長を検出し、この主波長をデータ処理回路１
２で電気信号に変換し、デイスプンイ１３に表示、又は
良品温度パタ −３−ンを有する比較回路１４と比較し
てダイボンドの良否を判定する。このようＥこ、波長を
検出するので、チップ４表面の放射条件が異なっても、
常に正しい温度勾配が検出できる。
なお、上記実施例においては、導電接着剤３を介して接
合する場合について説明したが、基板ｌにチップ４を直
接接合する場合にも適用できる。
合する場合について説明したが、基板ｌにチップ４を直
接接合する場合にも適用できる。
また基板ｌが絶縁部材であるが否かにかかわらず適用で
きる。またチップ４に限らず、基板ｌにリードフレーム
などの部品を接合する場合ｌこも適用できる。また上記
実施例においては、基板１をヒータブロック２で加熱す
る場合について説明したが、赤外巌放射熱による加熱で
もよい。
きる。またチップ４に限らず、基板ｌにリードフレーム
などの部品を接合する場合ｌこも適用できる。また上記
実施例においては、基板１をヒータブロック２で加熱す
る場合について説明したが、赤外巌放射熱による加熱で
もよい。
（発明の効果）
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、基板上
擾こ部品をダイボンド後、部品表面より放射される赤外
線の波長を測定し、部品の所定位置における高熱領域の
有無を検出することによりダイボンドの良否を検出する
ので、無接触非破壊方式でダイボンドの接着状態を瞬時
に、しかも正確な検出を行うことができる。
擾こ部品をダイボンド後、部品表面より放射される赤外
線の波長を測定し、部品の所定位置における高熱領域の
有無を検出することによりダイボンドの良否を検出する
ので、無接触非破壊方式でダイボンドの接着状態を瞬時
に、しかも正確な検出を行うことができる。
第１図は本発明になる検出方法の一実施例を示す説明図
、第２図は温度勾配を示し、（ａｌは平面図、ｆｂ）は
正面図、第３図は波長と放射量との関係図である。 １・・・基板、 ２・・・ヒータブロック、４・・・チ
ップ、 ５・・・赤外線受光器、７・・・高熱領域、
８・・・低熱領域１０・・・波長分析回路、 １１・・
・主波長検出回路。 １２・・・データ処理回路。
、第２図は温度勾配を示し、（ａｌは平面図、ｆｂ）は
正面図、第３図は波長と放射量との関係図である。 １・・・基板、 ２・・・ヒータブロック、４・・・チ
ップ、 ５・・・赤外線受光器、７・・・高熱領域、
８・・・低熱領域１０・・・波長分析回路、 １１・・
・主波長検出回路。 １２・・・データ処理回路。
Claims (1)
- 基板上に部品をダイボンド後、部品表面より放射される
赤外線の波長を測定し、部品の所定位置における温度分
布の差を検出することによりダイボンドの良否を検出す
ることを特徴とするダイボンド接着状態の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2467584A JPS60169742A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | ダイボンド接着状態の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2467584A JPS60169742A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | ダイボンド接着状態の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169742A true JPS60169742A (ja) | 1985-09-03 |
| JPH0444945B2 JPH0444945B2 (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=12144709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2467584A Granted JPS60169742A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | ダイボンド接着状態の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169742A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188749A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラのチヤ−ベツド測定装置 |
| JPS63188750A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラの過熱器の測定装置 |
| JPS63188748A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラのチヤ−ベツド測定装置 |
| WO2022059629A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 非接触材料同定方法、非接触温度同定方法、及び熱処理加工進行度同定方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126090A (en) * | 1974-08-27 | 1976-03-03 | Honda Motor Co Ltd | Setsugojotai no kensasochi |
| JPS5699082A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-10 | Hitachi Ltd | Resistance welding infrared-ray temperature monitor |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP2467584A patent/JPS60169742A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126090A (en) * | 1974-08-27 | 1976-03-03 | Honda Motor Co Ltd | Setsugojotai no kensasochi |
| JPS5699082A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-10 | Hitachi Ltd | Resistance welding infrared-ray temperature monitor |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188749A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラのチヤ−ベツド測定装置 |
| JPS63188750A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラの過熱器の測定装置 |
| JPS63188748A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 | Chino Corp | 回収ボイラのチヤ−ベツド測定装置 |
| WO2022059629A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 非接触材料同定方法、非接触温度同定方法、及び熱処理加工進行度同定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444945B2 (ja) | 1992-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5246291A (en) | Bond inspection technique for a semiconductor chip | |
| AU587619B2 (en) | Flow meter | |
| TWI469236B (zh) | 發光二極體封裝界面之檢測裝置及方法 | |
| JPH04226046A (ja) | 電子チップの非破壊電気検査方法 | |
| US6395580B1 (en) | Backside failure analysis for BGA package | |
| JP2021009146A (ja) | 半導体パッケージテスト装置 | |
| Elger et al. | Transient thermal analysis for accelerated reliability testing of LEDs | |
| Elger et al. | Inline thermal transient testing of high power LED modules for solder joint quality control | |
| US6339337B1 (en) | Method for inspecting semiconductor chip bonding pads using infrared rays | |
| JPS60169742A (ja) | ダイボンド接着状態の検査装置 | |
| KR100688564B1 (ko) | 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법 | |
| US6405359B1 (en) | Method for backside failure analysis requiring simple bias conditions | |
| US6559670B1 (en) | Backside liquid crystal analysis technique for flip-chip packages | |
| CN106092904A (zh) | 一种材料光热转换效率测试平台及其测试方法 | |
| JP2000138268A (ja) | 半導体回路の検査方法及び検査装置 | |
| Hanss et al. | Failure identification in LED packages by transient thermal analysis and calibrated FE models | |
| JPS60154148A (ja) | ダイボンド接着状態の検出方法 | |
| EP0105003B1 (en) | Method of screening resin-sealed semiconductor devices | |
| JP2020159758A (ja) | 発光装置の製造方法および半田接合部検査装置 | |
| JPS5839021A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JPS60171441A (ja) | ダイボンド接着状態の検出方法 | |
| KR20120073379A (ko) | 발광 소자 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 | |
| JP3539231B2 (ja) | 接合温度測定方法及びその方法を実施するための測定装置 | |
| JPH01124737A (ja) | フロリナートバブル試験方法 | |
| Dostoomian et al. | Infrared Process Control of Semiconductor Thermocompression Bonding |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |