KR100688564B1 - 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법 - Google Patents

반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100688564B1
KR100688564B1 KR1020050069661A KR20050069661A KR100688564B1 KR 100688564 B1 KR100688564 B1 KR 100688564B1 KR 1020050069661 A KR1020050069661 A KR 1020050069661A KR 20050069661 A KR20050069661 A KR 20050069661A KR 100688564 B1 KR100688564 B1 KR 100688564B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
infrared filter
jig
chip
cavity
Prior art date
Application number
KR1020050069661A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070014760A (ko
Inventor
김대종
최호정
박찬순
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050069661A priority Critical patent/KR100688564B1/ko
Priority to US11/420,205 priority patent/US7323891B2/en
Publication of KR20070014760A publication Critical patent/KR20070014760A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100688564B1 publication Critical patent/KR100688564B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements

Abstract

반도체 칩의 전면과 배면을 순차적으로 검사할 수 있는 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 검사방법을 제공한다. 그 지그 및 검사방법은 반도체 칩을 탑재하기 위한 제1 캐비티가 형성된 지지용 패키지의 제1 캐비티에 고정되며 반도체 칩의 배면에 부착되기 위한 적외선 필터를 포함한다. 적외선 필터를 노출시키는 제2 캐비티가 형성되어 있고 지지용 패키지가 탑재되는 검사용 기판을 포함한다. 일체화된 검사용 지그를 사용함으로써, 불량칩의 유형에 따라 전면과 배면을 순차적으로 용이하게 검사할 수 있다. 또한, 적외선 필터와 가열부를 더 부착하여 일체화함으로써, 불량칩에 용이하게 열을 전달할 수 있다.
불량칩, 지그, 적외선 필터, 가열부

Description

반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법{Jig for testing semiconductor chip and method of testing semiconductor chip using the same}
도 1은 종래의 반도체 칩의 단면에 존재하는 결함들을 표시한 사진이다.
도 2는 반도체 칩의 전면에 존재하는 결함(예컨대 a)을 검사하는 방법을 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 반도체 칩의 배면에 존재하는 결함(예컨대 b)을 검사하는 방법을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 의한 지지용 패키지에 적외선 필터가 고정된 모습을 나타낸 사시도들이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4a의 지지용 패키지에 검사하고자 하는 반도체 칩이 탑재된 모습을 나타낸 사시도들이다.
도 6은 본 발명에 의한 검사용 지그를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7a는 일체화된 본 발명의 지그를 반도체 칩의 전면에서 본 사시도이고, 도 7b는 상기 지그를 반도체 칩의 배면에서 본 사시도이다. 단, 도 7a 및 도 7b는 설명의 편의를 위하여, 가열부가 장착되지 않은 상태에서 본 도면들이다. 도 7c는 가열부가 장착된 상기 지그를 도 7a의 7C-7C선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 본 발명에 의한 검사용 지그를 이용한 반도체 칩의 검사방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9a는 불량칩에 형성된 패턴의 일례를 나타낸 평면도이고, 도 9b는 도 9a와 같은 패턴의 실제적인 사진이다.
도 10은 본 발명에 의한 불량칩의 전면을 검사하는 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 11a는 불량칩에 형성된 패턴의 다른 예를 나타낸 평면도이고, 도 11b는 도 11a와 같은 패턴의 실제적인 사진이다.
도 12는 본 발명에 의하여 불량칩의 배면을 검사하는 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110a, 110b; 절연패드 120; 가열부
130; 검사용 기판 134; 제2 캐비티
140; 지지용 패키지 142; 제1 캐비티
144; 적외선 필터 150; 불량칩
본 발명은 반도체소자의 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 칩의 결함을 감지하기 위한 반도체 칩 검사용 지그(jig) 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법에 관한 것이다.
최근, 메모리 카드의 고용량화가 급속하게 진행되고 있고, 휴대전화, PDA, 포터블 PC 등은 점점 작고 얇아지고 있다. 이에 따라, 종래의 하나의 패키지에 해당하는 면적에 여러 개의 패키지를 실장할 수 있는 멀티칩 패키지(multi chip package; MCP)가 본격적으로 양산되고 있다. 일부 메모리소자는 MCP에 대응하기 위하여 적어도 3층 이상의 금속배선층을 형성하고 있다.
도 1은 종래의 반도체 칩의 단면에 존재하는 결함들을 표시한 사진이다.
도 1을 참조하면, 상기 반도체 칩은 제1 금속배선층(12)과 제2 금속배선층(14)이 형성된 전면(10)과 전면(10)에 대향되는 면인 배면(20)을 가진다. 여기서, 전면(10)이란 편의상 금속배선층이 형성된 부분을 지칭한 것이다. 도면에는 금속배선층이 2층인 경우를 나타냈지만, 금속배선층은 적어도 3층 이상일 수 있다. 결함 a는 전면(10), 예를 들어 제1 금속배선층(12) 사이에 존재하고, 결함 b는 배면(20), 예를 들어 게이트라인에 존재하는 것이다. 결함들(a, b)은 반도체 칩(32)의 누설전류의 원인이 된다.
도 2는 반도체 칩의 전면(10)에 존재하는 결함(예컨대 a)을 검사하는 방법을 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 반도체 칩의 배면(20)에 존재하는 결함(예컨대 b)을 검사하는 방법을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 전기적 메모리 테스트(electrical memory test)가 완료된 웨이퍼(30) 상에 복수개의 반도체 칩(32)이 형성되어 있다. 웨이퍼(30)의 상부에는 검사용 기판(40)이 배치되고, 검사용 기판(40)의 적어도 일측에는 신호처리를 위한 접촉핀(42)이 배열되어 있다. 검사용 기판(40)의 중심부에는 웨이퍼(30)를 향하여 돌출된 프로브핀(44)이 외부의 신호를 반도체 칩(32)에 가한다. 검출기(50)는 반도 체 칩(32)의 전면(10)으로부터 방출되는 예컨대, 열전자(hot electron)를 감지한다.
도 3을 참조하면, 도 2에서 설명한 검사용 기판(40) 상부에 지지판(60)에 의해 지지된 웨이퍼(30)가 적외선 렌즈(70)에 덮여 있다. 검출기(50)는 반도체 칩(32)의 배면(20)으로부터 방출되는 열전자(hot electron)를 감지한다.
종래의 반도체 칩의 검사방법은 여러 문제점이 있다. 먼저, 종래의 검사방법은 웨이퍼 단위의 검사에 적용할 수 있으나, 칩 단위에 적용하기 곤란하다. 또한, 반도체 칩의 전면(10)의 검사에 필요한 설정작업이 용이하나, 배면(20)의 경우에는 상당한 시간이 걸린다. 이에 따라, 필요에 의해 반도체 칩의 전면(10)과 배면(20)을 순차적으로 검사하는 데 어려움이 있다. 또한, 최근에 사용되고 있는 검사장비는 반도체 칩(10)의 전면(10)과 배면(20)을 순차적으로 검사하는 장비가 없는 실정이다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 칩의 전면과 배면을 순차적으로 검사할 수 있는 반도체 칩 검사용 지그를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 검사용 지그를 이용한 반도체 칩 검사방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 본 발명에 의한 반도체 칩 검사용 지그는 반도체 칩을 탑재하기 위한 제1 캐비티가 형성된 지지용 패키지 와, 상기 제1 캐비티에 고정되며, 상기 반도체 칩의 배면에 부착되기 위한 적외선 필터 및 상기 적외선 필터를 노출시키는 제2 캐비티가 형성되어 있고, 상기 지지용 패키지가 탑재되는 검사용 기판을 포함한다.
상기 반도체 칩은 적어도 3층 이상의 금속배선층이 형성되어 있을 수 있다.
상기 적외선 필터의 노출면에 부착되는 가열부를 더 포함할 수 있다. 상기 적외선 필터와 접촉되지 않는 상기 가열부의 일면 및 상기 가열부의 타면에 부착된 절연패드를 더 포함할 수 있다. 상기 적외선 필터는 1,100-1,700nm의 적외선을 검출할 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 본 발명에 의한 반도체 칩 검사방법은 먼저, 불량칩을 선별한다. 그후, 제1 캐비티가 형성된 지지용 패키지를 준비한다. 상기 제1 캐비티에 적외선 필터를 고정시킨다. 상기 적외선 필터에 상기 불량칩의 배면을 부착한다. 상기 적외선 필터가 노출되도록 제2 캐비티가 형성된 검사용 기판에 상기 지지용 패키지를 고정시킨다. 상기 불량칩의 적어도 일면의 결함을 검사한다.
상기 불량칩의 일면은 소정의 두께로 제거될 수 있다. 상기 불량칩은 적어도 3층 이상의 금속배선층이 형성되어 있을 수 있다.
상기 지지용 패키지를 탑재하는 단계 이후에, 상기 적외선 필터의 일면에 가열부를 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 결함을 검사하는 단계는 상기 가열부에 의해 상기 불량칩에 소정의 열을 가하는 단계 및 상기 적외선 필터에 의해 상기 불량칩의 일면에서 방출하는 적 외선을 감지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 결함을 검사하는 단계는 상기 불량칩은 일면, 타면 또는 양면에서 방출되는 열전자를 감지할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다음에서 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 실시예 전체에 걸쳐서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 의한 지지용 패키지(140)에 적외선 필터(144)가 고정된 모습을 나타낸 사시도들이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 지지용 패키지(140)는 반도체 칩을 탑재하기 위한 제1 캐비티(142; cavity)를 포함하고 있다. 제1 캐비티(142) 주변의 지지용 패키지(140)에는 신호처리를 위한 금속배선(148)이 형성되어 있다. 지지용 패키지(140)는 검사용 기판(도 6의 130)에 탑재되기 위하여 복수개의 핀(146)을 부착하고 있다. 이때, 지지용 패키지(140)는 세라믹 패키지일 수 있다.
적외선 필터(144)는 제1 캐비티(142)에 밀착되어 고정될 수 있도록, 제1 캐비티(142)와 동일한 형상을 가지는 것이 바람직하다. 적외선 필터(144)는 유리와 같은 세라믹 기판에 필터 활물질을 피복하여 제작할 수 있고, 상기 기판에 활물질을 분산하여 제조할 수 있다. 적외선 필터(144)는 접착제에 의해 지지용 패키지(140)에 고정될 수 있다. 적외선 필터(144)는 1,100-1,700nm의 파장의 적외선을 검 출할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4a의 지지용 패키지(140)에 검사하고자 하는 반도체 칩이 탑재된 모습을 나타낸 사시도들이다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 지지용 패키지(140)에 고정된 적외선 필터(144) 상에 검사하고자 하는 반도체 칩(150), 예컨대 전기적 메모리 검사를 거친 불량칩을 탑재한다. 이때, 반도체 칩(150)의 배면은 적외선 필터(144)가 부착되고 전면은 노출된다. 여기서, 금속배선층이 형성된 부분을 전면이라고 하고, 전면에 대향되는 부분을 배면이라고 한다(도 1의 설명 참조).
반도체 칩(150)은 접착제를 이용하여 적외선 필터(144)에 부착될 수 있다. 이때, 반도체 칩(150)은 적어도 2층 이상의 금속배선층이 형성될 수 있고, 바람직하게는 3층 이상의 금속배선층이 형성될 수 있다. 이어서, 반도체 칩(150)은 지지용 패키지(140)에 형성된 금속배선(148)과 도전성 와이어(152)에 의해 전기적으로 연결된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 검사용 지그를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6을 참조하면, 상기 지그는 지지용 패키지(140)와 검사용 기판(130) 및 가열부(120)를 포함한다. 지지용 패키지(140)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 적외선 필터(144)가 고정되어 있다. 검사용 기판(130)은 적외선 필터(144)를 노출시키는 제2 캐비티(134)를 포함한다. 지지용 패키지(140)는 복수개의 핀(146)이 제2 캐비티(134) 주변의 검사용 기판(130)에 형성된 소켓(136)에 삽입되어 고정된다. 검사용 기판(130)의 적어도 일측에는 외부와 신호를 주고받기 위한 접촉핀(132)이 형성 되어 있다. 또한, 검사용 기판(130)의 구석부분에 배치된 레벨러(160))는 척(100)에 대한 상기 지그의 수평을 조절한다.
가열부(120)는 양측에 부착된 절연패드들(110a, 110b)에 의해 열적, 전기적으로 분리된다. 가열부(120)의 일면은 적외선 필터(144)와 접촉하도록, 제2 캐비티(134) 내로 돌출되어 있다. 적외선 필터(144)와 접촉되는 부분을 제외한 가열부(120)의 일면과, 적외선 필터(144)와 접촉하지 않는 타면은 절연패드들(110a, 110b)이 부착된다. 본 발명의 지그는 고정수단(138), 예컨대 나사 등에 의해 일체화된다.
도 7a는 일체화된 본 발명의 지그를 반도체 칩의 전면에서 본 사시도이고, 도 7b는 상기 지그를 반도체 칩의 배면에서 본 사시도이다. 단, 도 7a 및 도 7b는 설명의 편의를 위하여, 가열부(120)가 장착되지 않은 상태에서 본 도면들이다. 도 7c는 가열부(120)가 장착된 상기 지그를 도 7a의 7C-7C선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 상기 지그는 절연패드(110a), 가열부(120), 절연패드(110b), 검사용 기판(130) 및 지지용 패키지(140)가 순차적으로 부착되어 일체화된 것이다. 이때, 지지용 패키지(140)에 고정된 적외선 필터(144)는 가열부(120)와 접촉되어 있다. 본 발명의 지그는 반도체 칩(150)의 배면에서 방출하는 적외선(열전자)을 용이하게 감지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 의한 검사용 지그를 이용한 반도체 칩의 검사방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 검사방법은 먼저 반도체 칩(150)이 형성된 웨이퍼에 대하여 전기적 메모리 검사를 실시한다(S10). 그후, 검사결과, 불량이 발생한 반도체 칩(150, 이하 불량칩이라고 함)을 선별하여 개별화한다(S12). 지지용 패키지(140)의 제1 캐비티(142)에 적외선 필터(144)를 고정한다(S14). 적외선 필터(144)에 불량칩(150)의 일면(배면)을 부착한다(S16). 이때, 정확한 검사를 위해, 불량칩(150)의 배면을 소정의 두께만큼 제거하여 얇게 할 수 있다. 지지용 패키지(140)를 검사용 기판(130)에 형성된 소켓(136)에 고정시킨다(S18). 본 발명의 실시예에서는 핀을 이용하여 소켓(136)에 고정시키는 방법을 제시했으나, 반드시 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 고정시킬 수 있다. 이때, 적외선 필터(144)는 검사용 기판(130)의 제2 캐비티(134)에 의해 노출된다.
이어서, 적외선 필터(144)에 가열부(120)를 접착한다(S20). 가열부(120)를 접착시키기 전에, 절연패드들(110a, 110b)을 적외선 필터(144)와 접촉하는 부분을 제외한 가열부(120)의 양면에 부착할 수 있다. 가열부(120)를 이용하여 불량칩(150)에 열을 공급한다(S22). 이때, 가열부(120)의 온도는 70-130℃일 수 있다. 불량칩(150)에서 방출되는 열전자를 감지하는 장치에 의해, 필요에 따라 불량칩(150)의 전면 단독, 배면 단독 또는 전면과 배면의 양면을 검사한다(S24). 본 발명의 실시예서는 열전자의 감지에 의해 불량칩(150)의 누설전류를 감지한다고 하였으나, 누설전류를 감지하는 방법은 제한 없이 다양하게 본 발명의 기술사상의 범위내에서 실시할 수 있다.
도 9a는 불량칩(150)에 형성된 패턴의 일례를 나타낸 평면도이고, 도 9b는 도 9a와 같은 패턴의 실제적인 사진이다. 도 10은 본 발명의 실시예에 의하여 불량칩(150)의 전면을 검사하는 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 9a 내지 도 10을 참조하면, 반도체기판(200) 상에 제1 금속배선층(202)과 제2 금속배선층(204)이 형성되어 있다. 예를 들어, 제1 금속배선층(202) 사이에 결함(206)이 존재한다고 가정하자. 열전자에 의해 결함을 감지하는 장치, 예컨대 열전자분석기(hot electron analyzer; HEA)에 의해 불량칩(150)의 전면으로부터 발생하는 열전자(208)를 감지한다. 이에 따라, HEA는 제1 금속배선층(202) 사이의 결함(206)을 확인할 수 있다.
도 11a는 불량칩(150)에 형성된 패턴의 다른 예를 나타낸 평면도이고, 도 11b는 도 9a와 같은 패턴의 실제적인 사진이다. 도 12는 본 발명의 실시예에 의하여 불량칩(150)의 배면을 검사하는 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 11a 내지 도 12를 참조하면, 반도체기판(200) 상에 제1 금속배선층(202), 제2 금속배선층(204) 및 제3 금속배선층(210)이 형성되어 있다. 제2 금속배선층(210)은 예를 들어, 멀티칩 패키지를 위한 배선으로 제2 금속배선층(204)보다 넓은 면적을 가진 배선층일 수 있다.
예를 들어, 제1 금속배선층(202) 사이에 결함(206)이 존재한다고 가정하자. 열전자에 의해 결함을 검사하는 장치, 예컨대 HEA에 의해 불량칩(150)의 배면에서 발생하는 열전자(208)를 감지한다. 이에 따라, HEA는 제1 금속배선층(202) 사이의 결함을 확인할 수 있다.
만일, 도 10에서와 같이, 불량칩(150)의 전면에서 방출하는 열전자(208)를 감지한다면, 열전자(208)는 제3 금속배선층(210)에 의해 차단될 수 있다. 이에 따라, HEA에 열전자가 감지되지 않아서 결함(206)을 확인할 수 없다. 즉, 제3 금속배선층(210)의 영향을 제거하려면, 불량칩(150)의 배면 방향에서 검사하는 것이 바람직하다.
그런데, 열전자를 감지하기 위한 지그로써, 도 6에서 설명한 지그를 사용하면, 검사방향에 따라 불량칩(150)의 방향을 용이하게 전환할 수 있다. 즉, 배면 방향에서 검사하려면, 종래와 같은 별도의 설정작업을 하지 않고, 단지 지그의 방향을 바꾸면 된다.
본 발명은 필요에 따라 불량칩(150)의 전면 또는 배면을 단독으로 검사할 수 있고, 전면과 배면을 순차적으로 검사할 수도 있다. 전면과 배면을 순차적으로 검사하면, 단독으로 검사하는 것보다 결함이 존재하는 위치를 더욱 정확하게 파악할 수 있다. 이에 따라, 불량칩(150)의 전면과 배면을 모두 검사하는 것이 바람직하다고 할 수 있다. 특히, 본 발명의 지그는 불량칩(150)의 전면과 배면을 순차적으로 검사하는 데 유용하다.
이상, 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
상술한 본 발명에 따른 반도체 칩 검사용 지그와 이를 이용한 검사방법에 의하면, 일체화된 검사용 지그를 사용함으로써, 불량칩의 유형에 따라 전면과 배면을 순차적으로 용이하게 검사할 수 있다.
또한, 적외선 필터와 가열부를 더 부착하여 일체화함으로써, 불량칩에 용이하게 열을 전달할 수 있다.

Claims (18)

  1. 반도체 칩을 탑재하기 위한 제1 캐비티가 형성된 지지용 패키지;
    상기 제1 캐비티에 고정되며, 상기 반도체 칩의 배면에 부착되기 위한 적외선 필터;
    상기 적외선 필터를 노출시키는 제2 캐비티가 형성되어 있고, 상기 지지용 패키지가 탑재되는 검사용 기판; 및
    상기 적외선 필터의 노출면에 부착되는 가열부를 포함하는 반도체 칩 검사용 지그.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩은 적어도 3층 이상의 금속배선층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 검사용 지그.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 캐비티 주변의 상기 지지용 패키지는 신호처리를 위한 금속배선을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 검사용 지그.
  4. 제1항에 있어서, 상기 지지용 패키지는 상기 검사용 기판에 고정되기 위한 복수개의 핀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 검사용 지그.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지용 패키지는 상기 반도체 칩과 도전성 와이어에 의해 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 검사용 지그.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 적외선 필터와 접촉되지 않는 상기 가열부의 일면 및 상기 가열부의 타면에 부착된 절연패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 검사용 지그.
  8. 제1항에 있어서, 상기 적외선 필터는 1,100-1,700nm의 적외선을 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 검사용 지그.
  9. 불량칩을 선별하는 단계;
    제1 캐비티가 형성된 지지용 패키지를 준비하는 단계;
    상기 제1 캐비티에 적외선 필터를 고정시키는 단계;
    상기 적외선 필터에 상기 불량칩의 배면을 부착하는 단계;
    상기 적외선 필터가 노출되도록 제2 캐비티가 형성된 검사용 기판에 상기 지지용 패키지를 고정시키는 단계; 및
    상기 불량칩의 적어도 일면의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 하는 반도체 칩의 검사방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 불량칩은 전기적인 메모리 측정을 완료한 불량칩인 것 을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 불량칩의 일면은 소정의 두께로 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 불량칩은 적어도 3층 이상의 금속배선층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 제1 캐비티에 고정시키는 단계 이후에,
    상기 불량칩을 도전성 와이어에 의해 상기 지지용 패키지와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 지지용 패키지를 탑재하는 단계는,
    상기 지지용 패키지에 형성된 복수개의 핀을 상기 제2 캐비티 주변의 상기 검사용 기판에 형성된 소켓에 부착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 지지용 패키지를 탑재하는 단계 이후에, 상기 적외선 필터의 일면에 가열부를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 결함을 검사하는 단계는,
    상기 가열부에 의해 상기 불량칩에 소정의 열을 가하는 단계; 및
    상기 적외선 필터에 의해 상기 불량칩의 일면에서 방출하는 적외선을 감지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 가열부의 온도는 70-130℃인 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
  18. 제9항에 있어서, 상기 결함을 검사하는 단계는 상기 불량칩은 일면, 타면 또는 양면에서 방출되는 열전자를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 검사방법.
KR1020050069661A 2005-07-29 2005-07-29 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법 KR100688564B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050069661A KR100688564B1 (ko) 2005-07-29 2005-07-29 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법
US11/420,205 US7323891B2 (en) 2005-07-29 2006-05-24 Method of testing a semiconductor chip and jig used in the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050069661A KR100688564B1 (ko) 2005-07-29 2005-07-29 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070014760A KR20070014760A (ko) 2007-02-01
KR100688564B1 true KR100688564B1 (ko) 2007-03-02

Family

ID=37693273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050069661A KR100688564B1 (ko) 2005-07-29 2005-07-29 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7323891B2 (ko)
KR (1) KR100688564B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100723497B1 (ko) * 2005-08-11 2007-06-04 삼성전자주식회사 솔더볼 랜드에 두 종류 이상의 표면처리부를 갖는인쇄회로기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR101038831B1 (ko) * 2009-08-07 2011-06-03 삼성전기주식회사 무선 개인 영역 네트워크의 애드호크 네트워크의 전송경로 제공 방법
JP5943742B2 (ja) * 2012-07-04 2016-07-05 三菱電機株式会社 半導体試験治具およびそれを用いた半導体試験方法
KR20140066281A (ko) * 2012-11-22 2014-06-02 삼성전기주식회사 반도체 모듈 테스트 장치 및 이를 이용한 테스트 방법
CN108918589B (zh) * 2018-04-20 2021-09-14 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法
CN116953419B (zh) * 2023-09-20 2023-12-12 深圳市诺信博通讯有限公司 一种小尺寸片状结构滤波器测试设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000008749A (ko) * 1998-07-15 2000-02-15 윤종용 양자화 잡음 보상 장치 및 그 방법
KR20010075498A (ko) * 1998-09-30 2001-08-09 피터 엔. 데트킨 통합된 적외선 차단을 가지는 액정 컬러 필터

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073117A (en) * 1989-03-30 1991-12-17 Texas Instruments Incorporated Flip-chip test socket adaptor and method
US5134274A (en) 1991-03-18 1992-07-28 Hughes Aircraft Company Two-sided solid-state imaging device
JPH05240700A (ja) 1992-02-28 1993-09-17 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
KR100227121B1 (ko) 1997-08-12 1999-10-15 윤종용 뒷면 개방부를 갖는 반도체 소자 검사용 지지체
JPH11132857A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線検出器
KR100270888B1 (ko) * 1998-04-08 2000-12-01 윤종용 노운 굿 다이 제조장치
AU2003291417A1 (en) * 2002-11-08 2004-06-03 Protiveris, Inc. Multiplex illuminator and device reader for microcantilever array
US6885206B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Strasbaugh Device for supporting thin semiconductor wafers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000008749A (ko) * 1998-07-15 2000-02-15 윤종용 양자화 잡음 보상 장치 및 그 방법
KR20010075498A (ko) * 1998-09-30 2001-08-09 피터 엔. 데트킨 통합된 적외선 차단을 가지는 액정 컬러 필터

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020010075498 *
2020000008749 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070014760A (ko) 2007-02-01
US20070023610A1 (en) 2007-02-01
US7323891B2 (en) 2008-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI316743B (en) Test apparatus for yielding a known good die
US6900653B2 (en) Needle fixture of a probe card in semiconductor inspection equipment and needle fixing method thereof
US6590409B1 (en) Systems and methods for package defect detection
KR100688564B1 (ko) 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법
US7211997B2 (en) Planarity diagnostic system, E.G., for microelectronic component test systems
US6335629B1 (en) Test fixture having an opening for exposing the back of a semiconductor chip and testing module comprising the same
JP2009510396A (ja) 個片化されたダイを検査するデバイスおよび方法
US7932739B2 (en) BGA package holder device and method for testing of BGA packages
KR20170006127A (ko) 프로브 카드, 프로브 카드용 단열 커버 어셈블리, 및 이를 갖는 반도체 디바이스의 검사 장치
KR20220033508A (ko) 엑스선을 사용하여 결함을 감지하는 방법 및 시스템
JP3172760B2 (ja) バキュームコンタクタ
US8248089B2 (en) Apparatus for testing a semiconductor device
TW202206833A (zh) 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備
US6339337B1 (en) Method for inspecting semiconductor chip bonding pads using infrared rays
US6255124B1 (en) Test arrangement and method for thinned flip chip IC
US6559670B1 (en) Backside liquid crystal analysis technique for flip-chip packages
US6500699B1 (en) Test fixture for future integration
US20070152684A1 (en) Apparatus and method for analyzing photo-emission
TWM547673U (zh) 晶圓測試針座結構改良
JP2004063486A (ja) プローバのチャック機構
CN110931376A (zh) 检查装置和检查方法
US20230333027A1 (en) Inspection system and inspection method for semiconductor device
TWI344187B (en) Multiple functions testing device
JP2967774B2 (ja) 半導体装置の不良解析方法および不良解析装置
JP2000150598A (ja) コンタクタ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee