JPH11132857A - 赤外線検出器 - Google Patents

赤外線検出器

Info

Publication number
JPH11132857A
JPH11132857A JP9294746A JP29474697A JPH11132857A JP H11132857 A JPH11132857 A JP H11132857A JP 9294746 A JP9294746 A JP 9294746A JP 29474697 A JP29474697 A JP 29474697A JP H11132857 A JPH11132857 A JP H11132857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared
detecting element
container
infrared detecting
stem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9294746A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshifumi Watabe
祥文 渡部
Koichi Aizawa
浩一 相澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP9294746A priority Critical patent/JPH11132857A/ja
Priority to CA002249057A priority patent/CA2249057C/en
Priority to AU87128/98A priority patent/AU712708B2/en
Priority to EP98203360A priority patent/EP0913675A1/en
Priority to US09/167,996 priority patent/US6236046B1/en
Publication of JPH11132857A publication Critical patent/JPH11132857A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/06Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
    • G01J5/061Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/04Casings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/06Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/06Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
    • G01J5/064Ambient temperature sensor; Housing temperature sensor; Constructional details thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/06Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
    • G01J2005/066Differential arrangement, i.e. sensitive/not sensitive
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/04Casings
    • G01J5/041Mountings in enclosures or in a particular environment
    • G01J5/045Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Abstract

(57)【要約】 【課題】低コストで周囲温度変化による検出精度の低下
を抑制できる赤外線検出器を提供する。 【解決手段】赤外線検出用の第1の赤外線検出素子1
と、温度補償用の第2の赤外線検出素子2とを各々プリ
ント基板131 ,132 にダイボンドして実装する。ス
テム11にピン12を貫通固定し、ピン12をプリント
基板131 ,132に形成した貫通孔(図示せず)に差
し込み、導電ペースト17によりプリント基板131
132 に接着固定する。第1の赤外線検出素子1が実装
されたプリント基板13が容器内の上側(入射窓10a
側)に配置してある。而して、プリント基板131 を第
2の赤外線検出素子2に対する入射赤外線を遮蔽する手
段に兼用することにより、低コストで周囲温度変化によ
る検出精度の低下を抑制することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線の吸収によ
る温度変化に応じて赤外線を検出する赤外線検出器に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より赤外線検出器に用いられる赤外
線検出素子は、動作原理により量子型と熱型とに大別す
ることができる。量子型の赤外線検出素子は非常に高感
度であるが、素子自体を冷却して低温で使用する必要が
あり、取り扱いが難しいとともに製造コストが高く、冷
却器を含めたシステムサイズが大きくなる等の問題があ
る。
【0003】一方、熱型の赤外線検出素子は感度の点で
量子型に及ばないものの、冷却の必要が無く構造が簡単
なため、製造コストが安くつくことやサイズが小型であ
るなどの利点から、各種の実用的な用途に広く使用され
ている。この熱型の赤外線検出素子には、焦電素子、熱
電対、サーモパイル、抵抗体(サーミスタ)、SAW
(表面波素子)を用いるものがあり、いずれも赤外線の
照射による赤外線検出部の熱的挙動すなわち温度変化を
電圧や電流に変換して赤外線を検出するものである。こ
の中で特にサーミスタや焦電素子あるいはSAWを用い
た赤外線検出素子では、入射赤外線による温度変化を正
確に捉えるために赤外線検出部の温度変化から周囲温度
の変化分を取り除くための温度補償部が必要になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、熱型の赤外
線検出素子は赤外線検出部をダイヤフラム構造やマイク
ロブリッジ構造の薄膜部上に形成することにより、入射
される赤外線による微少な入力エネルギに対する温度変
化を大きくしている。また、温度補償部は周囲温度変化
による影響を補償するために必要で、上記赤外線検出部
と同じ構造で同じ熱時定数であることが望ましい。
【0005】そこで従来は、図11に示すようにキャッ
プ20とステム21から成る容器内に赤外線検出用の第
1の赤外線検出素子1と温度補償用の第2の赤外線検出
素子2とを一緒に配設し、キャップ20に設けた入射窓
20aを塞ぐ赤外線透過フィルタ22の前面の一部に、
第2の赤外線検出素子2への赤外線入射を防止する赤外
線遮蔽板23を設置したり、、あるいは赤外線透過フィ
ルタ22を第1の赤外線検出素子1に対向する位置にの
み設置し、第2の赤外線検出素子2には赤外線が入射し
ないようにしていた。
【0006】しかしながら、何れの構成にあっても温度
補償用の第2の赤外線検出素子2と赤外線遮蔽板23等
との間に空間が存在するため、第2の赤外線検出素子2
に入射する赤外線を完全に遮蔽するには、第1の赤外線
検出素子1の視野角を設定し、その範囲内の赤外線のみ
が入射するようにアパーチャを設ける等の構成とし、か
つその範囲内における赤外線を完全に遮蔽するように第
2の赤外線検出素子2より十分大きな赤外線遮蔽部を設
ける必要がある。このことは、任意の方向から第1の赤
外線検出素子1への赤外線入射を阻害することになり、
赤外線の入射方向によって感度が大きく変化するという
問題を生じさせていた。
【0007】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、低コストで周囲温度変
化による検出精度の低下を抑制できる赤外線検出器を提
供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
目的を達成するために、赤外線が入射する入射窓を有す
る容器と、該容器内で前記入射窓と対向配置される第1
の赤外線検出素子と、第1の赤外線検出素子が実装され
る基板と、前記容器内に配置され第1の赤外線検出素子
の検出出力を温度補償するための第2の赤外線検出素子
とを備え、前記入射窓から入射する赤外線が前記基板に
より遮蔽される位置に第2の赤外線検出素子を配置して
成ることを特徴とし、第1の赤外線検出素子が実装され
る基板を温度補償用の第2の赤外線検出素子に対する赤
外線を遮蔽する手段に兼用することができ、従来のよう
に第2の赤外線検出素子への赤外線入射を遮蔽する手段
を別に設ける必要がなくなり、また第1の赤外線検出素
子の視野角の制限や視野角による感度の大きな変化を生
じることをなくすことができる。その結果、温度補償用
の第2の赤外線検出素子を第1の赤外線検出素子と同じ
容器内に配置していることとも相まって、周囲温度の補
償に支障をきたすことなく、低コストで周囲温度変化に
よる検出精度の低下を抑制できる。
【0009】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、第2の赤外線検出素子を第1の赤外線検出素子の方
に向けて配置したことを特徴とし、第1及び第2の赤外
線検出素子の向きを揃えて容器内に配設することがで
き、製造時の赤外線検出素子の破損を防止することがで
きる。請求項3の発明は、請求項2の発明において、前
記容器をステムと該ステムに被せるキャップとで構成
し、第2の赤外線検出素子を前記ステム上に配置したこ
とを特徴とし、第2の赤外線検出素子を簡単に容器内に
配設することができる。
【0010】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、第2の赤外線検出素子を前記入射窓と反対側に向け
て配置したことを特徴とし、第1の赤外線検出素子には
入射窓から入射する赤外線以外に容器からも輻射等によ
る赤外線が入射しており、このような容器からの赤外線
を第2の赤外線検出素子にも入射させることができるた
め、雰囲気温度変化などによる検出精度の低下を抑制す
ることができる。
【0011】請求項5の発明は、請求項2又は3又は4
の発明において、前記容器をステムと該ステムに被せる
キャップとで構成するとともに前記入射窓に赤外線を透
過するフィルタを設け、第1の赤外線検出素子から前記
フィルタまでのギャップと、第2の赤外線検出素子と前
記ステムまでのギャップとを略同一にしたことを特徴と
し、第1及び第2の赤外線検出素子の熱コンダクタンス
を略等しくすることができ、雰囲気温度が変化しても検
出精度の低下を抑制することができる。
【0012】請求項6の発明は、請求項4又は5の発明
において、前記基板の第1の赤外線検出素子を実装した
面と反対側の面に第2の赤外線検出素子を配設したこと
を特徴とし、第1及び第2の赤外線検出素子を実装する
基板が1枚で済むことによるコストダウンと、実装の手
間を省くことによるコストダウンとが図れる。請求項7
の発明は、請求項4又は5又は6の発明において、前記
基板の少なくとも一方の実装面に第1又は第2の赤外線
検出素子が配置される凹所を形成し、該凹所の深さを、
少なくとも配置された第1又は第2の赤外線検出素子が
前記基板の実装面よりも突出しない寸法としたことを特
徴とし、まず凹所に第1又は第2の赤外線検出素子の一
方を実装し、その後他方の面に残りの赤外線検出素子を
実装するようにすれば、最初に実装した赤外線検出素子
が後に実装する赤外線検出素子の実装時に、治具等に接
触して破損することを防止することができる。
【0013】請求項8の発明は、請求項1〜7の何れか
の発明において、前記基板の少なくとも一部を前記容器
に接触させて成ることを特徴とし、周囲温度に対する基
板の温度追従性を向上し、それによって第1及び第2の
赤外線検出素子も周囲温度に追従させることができ、感
度の温度補償による検出精度を向上させることができ
る。
【0014】請求項9の発明は、請求項8の発明におい
て、前記基板を貫通し前記容器内のガスを流通させるガ
ス流通孔を前記基板に設けたことを特徴とし、検出感度
を増大させるために容器内の空気を熱伝導の低いガスに
置換する場合や、容器内を真空にする場合などにガス流
通孔を通してガスが置換もしくは排気しやすくすること
ができる。
【0015】請求項10の発明は、請求項1〜9の何れ
かの発明において、前記容器をステムと該ステムに被せ
るキャップとで構成し、前記基板が固定されるピンを前
記ステムに設けるとともに該ピンに前記基板の位置決め
用の突起を形成したことを特徴とし、基板のステムから
の高さを容易に位置決めすることができ、特に請求項5
の発明において、第1の赤外線検出素子から前記フィル
タまでのギャップと、第2の赤外線検出素子と前記ステ
ムまでのギャップとを略同一に設定する場合に位置決め
が非常に容易になる。
【0016】請求項11の発明は、請求項1〜10の何
れかの発明において、前記容器の内壁に少なくとも該容
器よりも赤外線の反射率が低い層を形成したことを特徴
とし、基板のわずかな隙間を透過する赤外線が容器の内
壁で反射して温度補償用の第2の赤外線検出素子に入射
することを防止することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態により詳
細に説明するが、まず、後述の実施形態1〜3に共通す
る第1及び第2の赤外線検出素子の構成について、図2
〜図7を参照して説明する。図2に示すように、赤外線
検出素子1は例えばSi基板よりなる支持基板3上に誘
電体薄膜が形成されるとともに、支持基板3に凹部を設
けることによって誘電体薄膜よりなる薄膜部4が形成さ
れ、さらに薄膜部4上に赤外線吸収用の感温部5が形成
される。そして、この薄膜部4にダイヤフラムやスリッ
トを設けることによってマイクロブリッジ構造が形成さ
れる。なお、基本的に赤外線検出用の第1の赤外線検出
素子1と温度補償用の第2の赤外線検出素子2とを上記
のような同一構造とすることが望ましいが、必ずしも一
致させる必要はない。また、支持基板3はSi基板に限
定されるものではなく、アルミナ基板などを用いても良
い。
【0018】上記誘電体薄膜は、例えばSiO、Si
N、SiONなどにより構成される。また、感温部5は
赤外線の入射による温度変化を捉えるサーミスタ、熱電
対、サーモパイル、焦電体、SAWに信号取り出し用の
電極が形成された構成となっており、その上に必要に応
じてSiO、SiN、SiON等の誘電体薄膜を形成す
る。その後、図3に示すように感温部5を支持する部分
を梁状すなわちマイクロブリッジにする場合は、Si
O、SiN、SiON等の誘電体薄膜に支持梁6の部分
が残るようにRIE(反応性イオンエッチング)などに
よってエッチングしてスリットを形成する。また、ダイ
ヤフラム状に支持部を形成する場合は、裏面に形成され
ているSiNマスク等によりエッチングを行う。なお、
図4に示すように薄膜部4の表面からエッチングする場
合は、薄膜部4に形成されたスリットからSi基板をエ
ッチングすることによって、赤外線検出素子の下面に掘
り込み部を形成する。エッチャントはKOH、EDP
(エチレンジアミンピロカテコール)、ヒドラジン、T
MAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)などの種々
のものが使用できるが、感温部5の保護や薄膜部4の表
面から掘り込むか裏面から掘り込むか、あるいはエッチ
ャントと感温部5の表面との接触の有無などの諸条件に
より最適なものを選択する。
【0019】本実施形態における第1の赤外線検出素子
1並びに第2の赤外線検出素子2は同一構造のものを使
用し、感温部5にa−SiC(アモルファス−シリコン
カーバイト)サーミスタを用い、Crから成る一対の電
極(厚み=約1500Å)で挟む構造(所謂サンドイッ
チ構造)としている。また、感温部5は一辺が500μ
mの矩形とし、マイクロブリッジ構造として支持梁6の
幅寸法を50μmとしてある。
【0020】而して、図5に示すように第1及び第2の
赤外線検出素子1,2の感温部5を直列に接続して所定
の電圧Vを印加し、両者の接続点の電位Vout の変化を
測定することによって温度変化の計測が可能となる。ま
た、図6に示すように上記直列回路に外付けの固定抵抗
1 ,R2 の直列回路を並列接続したり、あるいは図7
に示すように第1の赤外線検出素子1と第2の赤外線検
出素子2とを対角位置に配したブリッジ回路を構成し、
その中点の電位差を増幅する構成とすれば、外乱ノイズ
が低減できることや、出力の増幅が容易であること、ま
た、図7のブリッジ構成であれば、図5の構成に比較し
て2倍の出力が得られるなどの多くの利点がある。
【0021】(実施形態1)次に本発明の第1の実施形
態を図1を参照しながら説明する。本実施形態における
赤外線検出用の第1の赤外線検出素子1と、温度補償用
の第2の赤外線検出素子2とは何れも図4に示した構造
を有するものである。これら第1及び第2の赤外線検出
素子1,2をワイヤボンディング用の配線を形成したプ
リント基板131 ,132 上にそれぞれダイボンドする
とともにプリント基板131 ,132 の配線にワイヤ接
続してある。
【0022】一方、容器は筒形のキャップ10とキャッ
プ10の開口部を塞ぐように溶接などにより取り付けら
れるステム11とで構成される。キャップ10の底部に
は入射窓10aが設けてあり、赤外線透過フィルタ15
にて入射窓10aが閉塞されている。ステム11には電
極となるピン12が貫通固定してある。これらのピン1
2をプリント基板131 ,132 に形成した貫通孔(図
示せず)に差し込み、導通を得るための導電ペースト1
7によりプリント基板131 ,132 に接着固定してあ
る。ここで、容器内の下側(ステム11側)に第2の赤
外線検出素子2が実装されたプリント基板132 を配置
し、2枚のプリント基板131 ,132 間で一定の距離
を保つためにセラミック製のスペーサ16をピン12に
挿着し、さらに第1の赤外線検出素子1が実装されたプ
リント基板13位置が容器内の上側(入射窓10a側)
に配置してある。また、ピン12には上記貫通孔よりも
径の大きい鍔状の突起12aが設けてあって、この突起
12aによって下側のプリント基板132 のステム11
からの高さ方向の位置決めが可能となる。
【0023】また、各プリント基板131 ,132 は赤
外線検出素子1,2の実装面がともに上側に向くように
ピン12に固定してある。このように各プリント基板1
1,132 の素子実装面を同じ向きに揃えることによ
り、プリント基板131 ,132 にピン12を固定する
際に第1及び第2の赤外線検出素子1,2の破損を防止
することができる。
【0024】而して本実施形態では、赤外線検出用の第
1の赤外線検出素子1が実装されたプリント基板131
を温度補償用の第2の赤外線検出素子2の上側に配置す
ることにより、入射窓10aから赤外線透過フィルタ1
5を通して外部から入射する赤外線(以下、「入射赤外
線」と呼ぶ。)が第1の赤外線検出素子1には入射する
が、第2の赤外線検出素子2に対してはプリント基板1
1 によって遮蔽されて妨げられるから、温度補償用の
第2の赤外線検出素子2が入射赤外線の影響を受けるこ
とを防止できる。また、第1の赤外線検出素子1が実装
されたプリント基板131 を第2の赤外線検出素子2に
対する赤外線を遮蔽する手段に兼用することができ、従
来例の赤外線遮蔽板23のような手段を別に設ける必要
がなくなり、さらに第1の赤外線検出素子1の視野角の
制限や視野角による感度の大きな変化を生じることをな
くすことができる。その結果、温度補償用の第2の赤外
線検出素子2を第1の赤外線検出素子1と同じ容器内に
配置していることとも相まって、周囲温度の補償に支障
をきたすことなく、低コストで周囲温度変化による検出
精度の低下を抑制できるものである。
【0025】なお、図8に示すように温度補償用の第2
の赤外線検出素子2をプリント基板132 に実装するの
ではなく、容器を構成するステム11に直にダイボンド
してもよく、この場合にはプリント基板132 やスペー
サ16等が不要となることもあって製造コストを更に低
減することができる。 (実施形態2)図9は本発明の第2の実施形態を示す側
面断面図である。但し、本実施形態の基本的な構成は実
施形態1と共通であるので、共通する部分については同
一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴とな
る部分についてのみ説明する。
【0026】本実施形態では、温度補償用の第2の赤外
線検出素子2が実装されたプリント基板132 を実装面
が下側(ステム11側)に向けてピン12に固定すると
ともに、第1の赤外線検出素子1と赤外線透過フィルタ
15とのギャップL1 と、第2の赤外線検出素子2とス
テム11とのギャップL2 とを略等しくし(L1
2 )、さらに入射赤外線が反射によって第2の赤外線
検出素子2に入射することを防ぐために、キャップ10
及びステム11の内壁に黒色の塗料を塗布する等してキ
ャップ10やステム11よりも反射率が低くなる層を設
けた点に特徴がある。
【0027】第1の赤外線検出素子1には入射窓10a
からの入射赤外線以外に容器(キャップ10及びステム
11)からも輻射等による赤外線が入射しており、第2
の赤外線検出素子2にも同等の強度の赤外線、すなわち
容器からの輻射等による赤外線が入射するように第2の
赤外線検出素子2を容器の内壁に臨む向きに配設するこ
とにより、入射窓10aからの入射赤外線以外に第1及
び第2の赤外線検出素子1,2に入射する赤外線強度を
略等しくすることができる。これにより、容器の内壁か
ら受ける赤外線による影響を第2の赤外線検出素子2を
用いて補償し、雰囲気温度の変化などによる検出精度の
低下を抑制することができる。
【0028】また、本実施形態では、赤外線検出素子
1,2の感温部5をサーミスタで形成しているために自
己発熱による温度変化が生じるが、感温部5を定電圧又
は定電流駆動をする場合に上記自己発熱量が周囲温度の
変化によるサーミスタの抵抗値変化によって変化する。
この自己発熱量は赤外線検出素子1,2の断熱構造に依
存した熱コンダクタンスによって左右されるが、この熱
コンダクタンスは感温部5の支持部すなわちダイヤフラ
ムやマイクロブリッジの熱コンダクタンスと周囲のガス
による熱コンダクタンスの和によって決まる。ここで周
囲のガスによる熱コンダクタンスは、第1の赤外線検出
素子1と赤外線透過フィルタ15とのギャップL1 と、
第2の赤外線検出素子2とステム11とのギャップL2
とに大きく左右され、両者の値が異なると熱コンダクタ
ンスが異なることになり、自己発熱量に差が生じ、感温
部5に温度差が生じることになる。
【0029】そこで、本実施形態では上記ギャップ
1 ,L2 を略等しくすることにより、第1及び第2の
赤外線検出素子1,2の感温部5の熱コンダクタンスを
略等しくし、感温部5の自己発熱に起因した温度上昇を
一致させることにより、雰囲気温度が変化しても検知精
度の低下を抑制することができるようにしてある。ま
た、これらのことから実施形態1に比べて更に検出精度
の高い赤外線検出器が実現できる。
【0030】一方、キャップ10やステム11の内壁に
黒色処理を施すことによってキャップ10やステム11
よりも反射率が低くなる層を設けたため、広角の視野角
においても容器の内壁による赤外線反射を防止し、温度
補償用の第2の赤外線検出素子2に不要な赤外線が入射
することを防止でき、その結果、視野角の広い赤外線検
出器が実現できるという利点がある。
【0031】(実施形態3)図10は本発明の第3の実
施形態を示す側面断面図である。但し、本実施形態の基
本的な構成は実施形態1及び2と共通であるので、共通
する部分については同一の符号を付して説明を省略し、
本実施形態の特徴となる部分についてのみ説明する。
【0032】本実施形態では、1枚のプリント基板18
の表裏各面に第1の赤外線検出素子1と第2の赤外線検
出素子2をそれぞれ実装するとともに、第2の赤外線検
出素子2をプリント基板18に形成した凹所18aの底
部にダイボンドして実装し、さらにプリント基板18を
少なくとも端部にてキャップ10の内壁に接触させてあ
る。
【0033】このように1枚のプリント基板18の表面
と裏面とに第1及び第2の赤外線検出素子1,2をそれ
ぞれ実装することにより、第1及び第2の赤外線検出素
子1,2を実装する基板18が1枚で済むことによるコ
ストダウンと、実装の手間を省くことによるコストダウ
ンとが図れる。またプリント基板18に設けた凹所18
aの深さを、少なくとも凹所18a内に実装された第2
の赤外線検出素子2及びワイヤ14がプリント基板18
の実装面よりも突出しない寸法としてある。これによ
り、まず凹所18aに第2の赤外線検出素子2を実装
し、その後他方の面に第1の赤外線検出素子1を実装す
るようにすれば、最初に実装した第2の赤外線検出素子
2が後に実装する第1の赤外線検出素子1の実装時に治
具等に接触して破損することを防止することができると
いう利点がある。
【0034】さらにプリント基板18の端部を容器(キ
ャップ10)に接触させているため、周囲温度に対する
プリント基板18の温度追従性を向上し、それによって
第1及び第2の赤外線検出素子1,2も周囲温度に追従
させることができ、雰囲気の温度をモニタして温度補償
することにより検出精度を向上させることができるとい
う利点がある。
【0035】また本実施形態では、プリント基板18を
貫通しガスを流通させるガス流通孔18bが設けてあ
り、容器内には熱伝導の小さなXeが封入してある。而
して、感度の向上のために容器内の空気を低熱伝導のガ
スに置換して封入したり、あるいは容器内を真空に封止
する場合、プリント基板18に設けたガス流通孔18b
を通してプリント基板18で仕切られた空間(プリント
基板18の上側の空間)にあるガスが排気しやすくな
り、生産性の向上や低コスト化が図れるという利点があ
る。
【0036】
【発明の効果】請求項1の発明は、赤外線が入射する入
射窓を有する容器と、該容器内で前記入射窓と対向配置
される第1の赤外線検出素子と、第1の赤外線検出素子
が実装される基板と、前記容器内に配置され第1の赤外
線検出素子の検出出力を温度補償するための第2の赤外
線検出素子とを備え、前記入射窓から入射する赤外線が
前記基板により遮蔽される位置に第2の赤外線検出素子
を配置して成るので、第1の赤外線検出素子が実装され
る基板を温度補償用の第2の赤外線検出素子に対する赤
外線を遮蔽する手段に兼用することができ、従来のよう
に第2の赤外線検出素子への赤外線入射を遮蔽する手段
を別に設ける必要がなくなり、また第1の赤外線検出素
子の視野角の制限や視野角による感度の大きな変化を生
じることをなくすことができ、その結果、温度補償用の
第2の赤外線検出素子を第1の赤外線検出素子と同じ容
器内に配置していることとも相まって、周囲温度の補償
に支障をきたすことなく、低コストで周囲温度変化によ
る検出精度の低下を抑制できるという効果がある。
【0037】請求項2の発明は、第2の赤外線検出素子
を第1の赤外線検出素子の方に向けて配置したので、第
1及び第2の赤外線検出素子の向きを揃えて容器内に配
設することができ、製造時の赤外線検出素子の破損を防
止することができるという効果がある。請求項3の発明
は、前記容器をステムと該ステムに被せるキャップとで
構成し、第2の赤外線検出素子を前記ステム上に配置し
たので、第2の赤外線検出素子を簡単に容器内に配設す
ることができるという効果がある。
【0038】請求項4の発明は、第2の赤外線検出素子
を前記入射窓と反対側に向けて配置したので、第1の赤
外線検出素子には入射窓から入射する赤外線以外に容器
からも輻射等による赤外線が入射しており、このような
容器からの赤外線を第2の赤外線検出素子にも入射させ
ることができるため、雰囲気温度変化などによる検出精
度の低下を抑制することができるという効果がある。
【0039】請求項5の発明は、前記容器をステムと該
ステムに被せるキャップとで構成するとともに前記入射
窓に赤外線を透過するフィルタを設け、第1の赤外線検
出素子から前記フィルタまでのギャップと、第2の赤外
線検出素子と前記ステムまでのギャップとを略同一にし
たので、第1及び第2の赤外線検出素子の熱コンダクタ
ンスを略等しくすることができ、雰囲気温度が変化して
も検出精度の低下を抑制することができるという効果が
ある。
【0040】請求項6の発明は、前記基板の第1の赤外
線検出素子を実装した面と反対側の面に第2の赤外線検
出素子を配設したので、第1及び第2の赤外線検出素子
を実装する基板が1枚で済むことによるコストダウン
と、実装の手間を省くことによるコストダウンとが図れ
るという効果がある。請求項7の発明は、前記基板の少
なくとも一方の実装面に第1又は第2の赤外線検出素子
が配置される凹所を形成し、該凹所の深さを、少なくと
も配置された第1又は第2の赤外線検出素子が前記基板
の実装面よりも突出しない寸法としたので、まず凹所に
第1又は第2の赤外線検出素子の一方を実装し、その後
他方の面に残りの赤外線検出素子を実装するようにすれ
ば、最初に実装した赤外線検出素子が後に実装する赤外
線検出素子の実装時に、治具等に接触して破損すること
を防止することができるという効果がある。
【0041】請求項8の発明は、前記基板の少なくとも
一部を前記容器に接触させて成るので、周囲温度に対す
る基板の温度追従性を向上し、それによって第1及び第
2の赤外線検出素子も周囲温度に追従させることがで
き、感度の温度補償による検出精度を向上させることが
できるという効果がある。請求項9の発明は、前記基板
を貫通し前記容器内のガスを流通させるガス流通孔を前
記基板に設けたので、検出感度を増大させるために容器
内の空気を熱伝導の低いガスに置換する場合や、容器内
を真空にする場合などにガス流通孔を通してガスが置換
もしくは排気しやすくすることができるという効果があ
る。
【0042】請求項10の発明は、前記容器をステムと
該ステムに被せるキャップとで構成し、前記基板が固定
されるピンを前記ステムに設けるとともに該ピンに前記
基板の位置決め用の突起を形成したので、基板のステム
からの高さを容易に位置決めすることができ、特に請求
項5の発明において、第1の赤外線検出素子から前記フ
ィルタまでのギャップと、第2の赤外線検出素子と前記
ステムまでのギャップとを略同一に設定する場合に位置
決めが非常に容易になるという効果がある。
【0043】請求項11の発明は、前記容器の内壁に少
なくとも該容器よりも赤外線の反射率が低い層を形成し
たので、基板のわずかな隙間を透過する赤外線が容器の
内壁で反射して温度補償用の第2の赤外線検出素子に入
射することを防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1を示す側面断面図である。
【図2】同上における赤外線検出素子を示し、(a)は
平面図、(b)は同図(a)のX−X線断面図である。
【図3】同上における赤外線検出素子を示す平面図であ
る。
【図4】同上における赤外線検出素子を示す側面図であ
る。
【図5】同上における回路構成の一例を示す回路図であ
る。
【図6】同上における他の回路構成を示す回路図であ
る。
【図7】同上におけるさらに他の回路構成を示す回路図
である。
【図8】同上の他の構成を示す側面断面図である。
【図9】実施形態2を示す側面断面図である。
【図10】実施形態3を示す側面断面図である。
【図11】従来例を示す側面断面図である。
【符号の説明】
1 第1の赤外線検出素子 2 第2の赤外線検出素子 10 キャップ 10a 入射窓 11 ステム 12 ピン 131 ,132 プリント基板 15 赤外線透過フィルタ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 赤外線が入射する入射窓を有する容器
    と、該容器内で前記入射窓と対向配置される第1の赤外
    線検出素子と、第1の赤外線検出素子が実装される基板
    と、前記容器内に配置され第1の赤外線検出素子の検出
    出力を温度補償するための第2の赤外線検出素子とを備
    え、前記入射窓から入射する赤外線が前記基板により遮
    蔽される位置に第2の赤外線検出素子を配置して成るこ
    とを特徴とする赤外線検出器。
  2. 【請求項2】 第2の赤外線検出素子を第1の赤外線検
    出素子の方に向けて配置したことを特徴とする請求項1
    記載の赤外線検出器。
  3. 【請求項3】 前記容器をステムと該ステムに被せるキ
    ャップとで構成し、第2の赤外線検出素子を前記ステム
    上に配置したことを特徴とする請求項2記載の赤外線検
    出器。
  4. 【請求項4】 第2の赤外線検出素子を前記入射窓と反
    対側に向けて配置したことを特徴とする請求項1記載の
    赤外線検出器。
  5. 【請求項5】 前記容器をステムと該ステムに被せるキ
    ャップとで構成するとともに前記入射窓に赤外線を透過
    するフィルタを設け、第1の赤外線検出素子から前記フ
    ィルタまでのギャップと、第2の赤外線検出素子と前記
    ステムまでのギャップとを略同一にしたことを特徴とす
    る請求項2又は3又は4記載の赤外線検出器。
  6. 【請求項6】 前記基板の第1の赤外線検出素子を実装
    した面と反対側の面に第2の赤外線検出素子を配設した
    ことを特徴とする請求項4又は5記載の赤外線検出器。
  7. 【請求項7】 前記基板の少なくとも一方の実装面に第
    1又は第2の赤外線検出素子が配置される凹所を形成
    し、該凹所の深さを、少なくとも配置された第1又は第
    2の赤外線検出素子が前記基板の実装面よりも突出しな
    い寸法としたことを特徴とする請求項4又は5又は6記
    載の赤外線検出器。
  8. 【請求項8】 前記基板の少なくとも一部を前記容器に
    接触させて成ることを特徴とする請求項1〜7の何れか
    に記載の赤外線検出器。
  9. 【請求項9】 前記基板を貫通し前記容器内のガスを流
    通させるガス流通孔を前記基板に設けたことを特徴とす
    る請求項8記載の赤外線検出器。
  10. 【請求項10】 前記容器をステムと該ステムに被せる
    キャップとで構成し、前記基板が固定されるピンを前記
    ステムに設けるとともに該ピンに前記基板の位置決め用
    の突起を形成したことを特徴とする請求項1〜9の何れ
    かに記載の赤外線検出器。
  11. 【請求項11】 前記容器の内壁に少なくとも該容器よ
    りも赤外線の反射率が低い層を形成したことを特徴とす
    る請求項1〜10の何れかに記載の赤外線検出器。
JP9294746A 1997-10-28 1997-10-28 赤外線検出器 Pending JPH11132857A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9294746A JPH11132857A (ja) 1997-10-28 1997-10-28 赤外線検出器
CA002249057A CA2249057C (en) 1997-10-28 1998-09-29 Infrared sensor
AU87128/98A AU712708B2 (en) 1997-10-28 1998-09-29 Infrared sensor
EP98203360A EP0913675A1 (en) 1997-10-28 1998-10-06 Infrared sensor
US09/167,996 US6236046B1 (en) 1997-10-28 1998-10-07 Infrared sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9294746A JPH11132857A (ja) 1997-10-28 1997-10-28 赤外線検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11132857A true JPH11132857A (ja) 1999-05-21

Family

ID=17811779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9294746A Pending JPH11132857A (ja) 1997-10-28 1997-10-28 赤外線検出器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6236046B1 (ja)
EP (1) EP0913675A1 (ja)
JP (1) JPH11132857A (ja)
AU (1) AU712708B2 (ja)
CA (1) CA2249057C (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6988073B2 (en) 2001-05-10 2006-01-17 International Business Machines Corporation Method, system, and product for facilitating international travel with respect to immigration
WO2018168673A1 (ja) 2017-03-14 2018-09-20 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100290870B1 (ko) * 1999-03-27 2001-05-15 구자홍 저항형 볼로미터 센서
US6483030B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Snap lid image sensor package
US6483101B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package having lens holder
US20010007475A1 (en) * 2000-01-06 2001-07-12 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Image pickup device and its mounting structure for an optical low-pass filter
JP4401582B2 (ja) * 2001-02-26 2010-01-20 富士通株式会社 赤外線撮像装置
DE10144343A1 (de) * 2001-09-10 2003-03-27 Perkinelmer Optoelectronics Sensor zum berührugslosen Messen einer Temperatur
DE50103419D1 (de) * 2001-11-05 2004-09-30 Siemens Building Tech Ag Passiv-Infrarotmelder
US6770882B2 (en) * 2002-01-14 2004-08-03 Multispectral Imaging, Inc. Micromachined pyro-optical structure
JP2004045330A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Ricoh Co Ltd 非接触温度検知装置
US20040163445A1 (en) * 2002-10-17 2004-08-26 Dimeo Frank Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems
US7080545B2 (en) * 2002-10-17 2006-07-25 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems
US7296458B2 (en) * 2002-10-17 2007-11-20 Advanced Technology Materials, Inc Nickel-coated free-standing silicon carbide structure for sensing fluoro or halogen species in semiconductor processing systems, and processes of making and using same
DE10321640B4 (de) * 2003-05-13 2016-12-22 Heimann Sensor Gmbh Infrarotsensor mit verbesserter Strahlungsausbeute
DE10321639A1 (de) * 2003-05-13 2004-12-02 Heimann Sensor Gmbh Infrarotsensor mit optimierter Flächennutzung
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
JP4496751B2 (ja) * 2003-10-09 2010-07-07 日本電気株式会社 熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7795723B2 (en) * 2004-02-05 2010-09-14 Analog Devices, Inc. Capped sensor
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
JP2005241457A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Hamamatsu Photonics Kk 赤外線センサ及びその製造方法
US8092734B2 (en) * 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
JP4751386B2 (ja) * 2004-05-20 2011-08-17 メディシム リミテッド 温度測定装置
US20050275750A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) * 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7232754B2 (en) * 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060023107A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Bolken Todd O Microelectronic imagers with optics supports having threadless interfaces and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7364934B2 (en) * 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7425499B2 (en) 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7429494B2 (en) 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7276393B2 (en) * 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
KR100577430B1 (ko) 2004-09-03 2006-05-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US20060211253A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Ing-Shin Chen Method and apparatus for monitoring plasma conditions in an etching plasma processing facility
US7795134B2 (en) 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
US20060290001A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Interconnect vias and associated methods of formation
KR100688564B1 (ko) * 2005-07-29 2007-03-02 삼성전자주식회사 반도체 칩 검사용 지그 및 이를 이용한 반도체 칩 검사방법
US7262134B2 (en) 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US7897920B2 (en) * 2005-09-21 2011-03-01 Analog Devices, Inc. Radiation sensor device and method
US8476591B2 (en) * 2005-09-21 2013-07-02 Analog Devices, Inc. Radiation sensor device and method
US8766186B2 (en) * 2006-12-27 2014-07-01 Analog Devices, Inc. Control aperture for an IR sensor
GB0709224D0 (en) * 2007-05-14 2007-06-20 Melexis Nv IR Radiometer
US7905855B2 (en) * 2007-07-05 2011-03-15 Baxter International Inc. Dialysis system having non-invasive temperature sensing
DE102008031285A1 (de) * 2008-07-02 2010-01-07 Mahlo Gmbh + Co. Kg Sensoranordnung zur pyrometrischen Messung der Temperatur eines Messobjektes
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
US8753008B2 (en) * 2009-06-26 2014-06-17 Fluke Corporation Protective enclosure for a thermal imaging device of an industrial monitoring system
JP5793679B2 (ja) * 2009-12-18 2015-10-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 赤外線センサモジュール
JP5767883B2 (ja) * 2011-07-26 2015-08-26 浜松ホトニクス株式会社 分光器
JP6017694B2 (ja) * 2013-08-08 2016-11-02 シャープ株式会社 光伝送装置、導光プラグ、光ファイバープラグ、受光装置、電気ジャック及び携帯機器
DE112014003676T5 (de) * 2013-08-09 2016-05-04 Semitec Corporation Infrarottemperatursensor und den Infrarottemperatursensor verwendende Vorrichtung
GB2527348A (en) * 2014-06-19 2015-12-23 Melexis Technologies Nv Infrared sensor with sensor temperature compensation
DE102015208701A1 (de) * 2015-05-11 2016-11-17 Infratec Gmbh Vorrichtung zur gleichzeitigen Bestimmung mehrerer unterschiedlicher Stoffe und/oder Stoffkonzentrationen
JPWO2018008215A1 (ja) * 2016-07-04 2019-04-18 株式会社堀場製作所 赤外線検出器及び放射温度計

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54174384U (ja) 1978-05-30 1979-12-08
GB2133615B (en) * 1982-12-15 1986-03-19 Philips Electronic Associated Pyroelectric infra-red radiation detector
JPS6150232A (ja) 1984-08-18 1986-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体とその製造法
US4722612A (en) * 1985-09-04 1988-02-02 Wahl Instruments, Inc. Infrared thermometers for minimizing errors associated with ambient temperature transients
JPH06317475A (ja) * 1991-07-19 1994-11-15 Terumo Corp 赤外線センサおよびその製造方法
GB2282261A (en) * 1992-09-17 1995-03-29 Mitsubishi Electric Corp Infrared detector array and production method therefor
US5645349A (en) * 1994-01-10 1997-07-08 Thermoscan Inc. Noncontact active temperature sensor
GB2291499B (en) * 1994-07-20 1998-07-22 Raytek Sensorik Gmbh DC stable detector compensation system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6988073B2 (en) 2001-05-10 2006-01-17 International Business Machines Corporation Method, system, and product for facilitating international travel with respect to immigration
WO2018168673A1 (ja) 2017-03-14 2018-09-20 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ

Also Published As

Publication number Publication date
CA2249057C (en) 2000-12-26
AU8712898A (en) 1999-05-20
EP0913675A1 (en) 1999-05-06
US6236046B1 (en) 2001-05-22
AU712708B2 (en) 1999-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11132857A (ja) 赤外線検出器
US20030222218A1 (en) Infrared sensor and electronic device using the same
US8772718B2 (en) Electromagnetic radiation detecting device comprising an active bolometer and a shielded reference bolometer
JP5832007B2 (ja) 赤外線センサ及びその製造方法
TWI526677B (zh) Infrared sensor
KR20030083612A (ko) 방사선 검출기
JPS6146768B2 (ja)
JPH10318829A (ja) 赤外線センサ
US10113915B1 (en) Non-contact temperature measurement sensor
JPH09329499A (ja) 赤外線センサ及び赤外線検出器
JPH1075934A (ja) 放射体温計
JPH1164111A (ja) 赤外線検出素子
JP5206484B2 (ja) 温度センサ
US20020153490A1 (en) Concentration detection system
JP6741201B2 (ja) 赤外線センサ
US3531989A (en) Transient heat transfer gauge
JP3376634B2 (ja) 温度検出器
JPH03135739A (ja) 赤外線検出装置
JP4925258B2 (ja) 赤外線検出器
JP2001159566A (ja) 赤外線センサ及び耳式体温計
JP2000266596A (ja) 焦電型赤外線センサ
JP2607800Y2 (ja) 赤外線放射温度計
JPH06258144A (ja) 温度センサ
JP3845193B2 (ja) センサ取付構造体
JPH03209150A (ja) 赤外線式ガスセンサー

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020702