JPH0320059A - Ｃｖｄ膜の欠陥検出方法 - Google Patents
Ｃｖｄ膜の欠陥検出方法Info
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- JPH0320059A JPH0320059A JP15539089A JP15539089A JPH0320059A JP H0320059 A JPH0320059 A JP H0320059A JP 15539089 A JP15539089 A JP 15539089A JP 15539089 A JP15539089 A JP 15539089A JP H0320059 A JPH0320059 A JP H0320059A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＣＶＤ法で堆積させたＢＰＳＧ膜表面の欠陥検
出法に関するものである。
出法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体素子の微細化．ウエハの大口径化に伴って
、絶縁膜としてのＢＰＳＧ膜が広く利用されるようにな
ってきた。
、絶縁膜としてのＢＰＳＧ膜が広く利用されるようにな
ってきた。
従来よシ、ＣＶＤ法で堆積させたＢＰＳＧ膜表面上に付
着した異物や、異常或長で発生した欠陥検出には堆積し
た直後に、レーザ光の散乱を用いたウェハ表面欠陥検出
装置で、その大きさや数を測定する方法が用いられてい
る。
着した異物や、異常或長で発生した欠陥検出には堆積し
た直後に、レーザ光の散乱を用いたウェハ表面欠陥検出
装置で、その大きさや数を測定する方法が用いられてい
る。
以下、従来のＣＶＤ膜の欠陥検出方法について説明する
。
。
第２図は従来の欠陥検出方法で測定する直前のウェハの
断面図であシ、１はシリコン基板、２はＣＶＤ法で堆積
させたＢＰＳＧ膜、３はウェハ表面に付着した異物、４
はＢＰＳＧ膜表面のグレーン（粒子）による凹凸、６は
ウェハ欠陥検出装置のレーザ入射光、６はレーザ反射光
（又は散乱光）である。
断面図であシ、１はシリコン基板、２はＣＶＤ法で堆積
させたＢＰＳＧ膜、３はウェハ表面に付着した異物、４
はＢＰＳＧ膜表面のグレーン（粒子）による凹凸、６は
ウェハ欠陥検出装置のレーザ入射光、６はレーザ反射光
（又は散乱光）である。
第３図はウェハ欠陥検出装置の測定で得られたウェハ内
の欠陥マップであシ、１１はシリコン基板、１２はグレ
ーンによる散乱光で得られた欠陥、１３は異物による散
乱光で得られた欠陥である。
の欠陥マップであシ、１１はシリコン基板、１２はグレ
ーンによる散乱光で得られた欠陥、１３は異物による散
乱光で得られた欠陥である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記従来の欠陥検出方法では、ＢＰＳＧの
膜厚が３ ０ ０ ｍ ｍ以上になると、膜表面のグレ
ーンの凹凸が大きくな９、ウェハ欠陥検出装置による散
乱光がその表面を異物として検出するという課題があっ
た。
膜厚が３ ０ ０ ｍ ｍ以上になると、膜表面のグレ
ーンの凹凸が大きくな９、ウェハ欠陥検出装置による散
乱光がその表面を異物として検出するという課題があっ
た。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、ＣＶＤ法で
堆積されたＢＰＳＧ膜表面の実際の異物を検出するＣＶ
Ｄ膜の欠陥検出方法を提供することを目的とする。
堆積されたＢＰＳＧ膜表面の実際の異物を検出するＣＶ
Ｄ膜の欠陥検出方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達戒するために本発明のＣＶＤ膜の欠陥検出
方法は、ボロン濃度１〜３ ｗｔ％，燐濃度６〜７ ｗ
ｔ％を含んだ膜厚３ ０ ０ ｎ ｍ以上のＢＰＳＧ膜
をｃＶＤ法で堆積し、続いてｅｏｏ℃，Ｎ２雰囲気中で
、１５〜３０分間熱処理した後、ウェハ表面欠陥検出装
置でＢＰＳＧ膜表面の欠陥を測定する工程から構或され
ている。
方法は、ボロン濃度１〜３ ｗｔ％，燐濃度６〜７ ｗ
ｔ％を含んだ膜厚３ ０ ０ ｎ ｍ以上のＢＰＳＧ膜
をｃＶＤ法で堆積し、続いてｅｏｏ℃，Ｎ２雰囲気中で
、１５〜３０分間熱処理した後、ウェハ表面欠陥検出装
置でＢＰＳＧ膜表面の欠陥を測定する工程から構或され
ている。
作 用
との構或によって，ＢＰＳＧ膜表面のグレーンによる凹
凸は、平坦化されるためウェハ欠陥検出装置の散乱光は
グレーンの影響を受けることなく、実際の異物のみをＢ
ＰＳＧ［の欠陥として．検出することができる。
凸は、平坦化されるためウェハ欠陥検出装置の散乱光は
グレーンの影響を受けることなく、実際の異物のみをＢ
ＰＳＧ［の欠陥として．検出することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図ａは本発明の一実施例におけるＣＶＤ法でＢＰＳ
Ｇ膜を堆積した直後のウェハの断面図を示すものでらｂ
１１はシリコン基板、２はＢ ＰＳＧ膜、３はウェハ表
面に付着した付着異物、４はグレーンによる凹凸で、従
来例の構或と同じである。
Ｇ膜を堆積した直後のウェハの断面図を示すものでらｂ
１１はシリコン基板、２はＢ ＰＳＧ膜、３はウェハ表
面に付着した付着異物、４はグレーンによる凹凸で、従
来例の構或と同じである。
以上のように構成されたウェハを９００゜Ｃ，Ｎ２雰囲
気中の炉内で熱処理を行う。ボロン濃度が１ｗｔ ％の
時は３０分， ３ ｗｔ ％の時は１５分の熱処理を行
うと、ＢＰＳＧ膜の表面は軟化温度に達し、その粘性に
よクグレーンは平坦化される。
気中の炉内で熱処理を行う。ボロン濃度が１ｗｔ ％の
時は３０分， ３ ｗｔ ％の時は１５分の熱処理を行
うと、ＢＰＳＧ膜の表面は軟化温度に達し、その粘性に
よクグレーンは平坦化される。
方ウェハ表面に付着していた異物は、熱処理の影響を受
けることなく、そのまま、平坦化されたＢＰＳＧ膜表面
上に残る。
けることなく、そのまま、平坦化されたＢＰＳＧ膜表面
上に残る。
第１図ｂは、平坦化されウェハ欠陥検出装置で測定され
る直前のウェハの断面図である。
る直前のウェハの断面図である。
そして、上記工程で構戒されたウェハを、ウェハ欠陥検
出装置で測定すると、レーザ散乱光はＢＰＳＧ膜表面に
残った異物に対してのみ作用し、その大きさ、及び数を
検出することができる。
出装置で測定すると、レーザ散乱光はＢＰＳＧ膜表面に
残った異物に対してのみ作用し、その大きさ、及び数を
検出することができる。
以上のように本実施例によれば、ＣＶＤ法で堆積させた
ＢＰＳＧ膜の実際の欠陥検出は、ＢＰＳＧ膜表面のグレ
ーンの大きさの影響を受けないで、従来のウェハ欠陥検
出装置を使って可能となる。
ＢＰＳＧ膜の実際の欠陥検出は、ＢＰＳＧ膜表面のグレ
ーンの大きさの影響を受けないで、従来のウェハ欠陥検
出装置を使って可能となる。
発明の効果
本発明の如く、ＣＶＤ法によ９堆積したＢＰＳＧ膜を熱
処理で、平坦化した後、ウェハ欠陥検出装置で測定する
ことによう、堆積直後のＢＰＳＧ膜の欠陥検出を可能と
する方法を実現できるものである。
処理で、平坦化した後、ウェハ欠陥検出装置で測定する
ことによう、堆積直後のＢＰＳＧ膜の欠陥検出を可能と
する方法を実現できるものである。
第１図ａは本発明の一実施例におけるＢＰＳＧ膜堆積直
後のウェハの断面図、第１図ｂは熱処理を行った後、ウ
ェハ欠陥検出装置で測定する直前のウェハ断面図、第２
図は従来のウェハ欠陥検出装置で測定する直前のウエハ
の断面図、第３図は従来法によりウェハ欠陥検出装置で
測定されたウェハ内の欠陥図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＢＰ８Ｇ
膜、３・・・・・・付着異物、４・・・・・・グレーン
による凹凸、６・・・・・・レーザ入射光、６・・・・
・・レーザ反射光。
後のウェハの断面図、第１図ｂは熱処理を行った後、ウ
ェハ欠陥検出装置で測定する直前のウェハ断面図、第２
図は従来のウェハ欠陥検出装置で測定する直前のウエハ
の断面図、第３図は従来法によりウェハ欠陥検出装置で
測定されたウェハ内の欠陥図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＢＰ８Ｇ
膜、３・・・・・・付着異物、４・・・・・・グレーン
による凹凸、６・・・・・・レーザ入射光、６・・・・
・・レーザ反射光。
Claims (1)
- ボロン（Ｂ）濃度１〜３ｗｔ％、燐（Ｐ）濃度６〜７ｗ
ｔ％を含んだ膜厚３００ｎｍ以上のＢＰＳＧ膜をＣＶＤ
法で堆積し、続いて９００℃、Ｎ＿２雰囲気中で、１５
〜３０分間熱処理した後、ウェハ表面欠陥検出装置でＢ
ＰＳＧ膜表面の欠陥を測定することを特徴とするＣＶＤ
膜の欠陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15539089A JPH0320059A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Ｃｖｄ膜の欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15539089A JPH0320059A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Ｃｖｄ膜の欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320059A true JPH0320059A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15604908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15539089A Pending JPH0320059A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Ｃｖｄ膜の欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320059A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6828162B1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-12-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for active control of BPSG deposition |
| KR100541514B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 표면디펙트 분석방법 및 벌크디펙트 분석방법 |
| US7480118B2 (en) | 2004-01-22 | 2009-01-20 | Nec Corporation | Picker mechanism that rotatably accesses data cartridges at different heights and library device using same |
| JP2015128168A (ja) * | 2015-02-05 | 2015-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体基板 |
| CN105280513A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-27 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 乙硼烷质量检测结构及检测方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15539089A patent/JPH0320059A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541514B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 표면디펙트 분석방법 및 벌크디펙트 분석방법 |
| US6828162B1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-12-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for active control of BPSG deposition |
| US7480118B2 (en) | 2004-01-22 | 2009-01-20 | Nec Corporation | Picker mechanism that rotatably accesses data cartridges at different heights and library device using same |
| JP2015128168A (ja) * | 2015-02-05 | 2015-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体基板 |
| CN105280513A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-27 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 乙硼烷质量检测结构及检测方法 |
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