JPH07260700A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH07260700A JPH07260700A JP4936094A JP4936094A JPH07260700A JP H07260700 A JPH07260700 A JP H07260700A JP 4936094 A JP4936094 A JP 4936094A JP 4936094 A JP4936094 A JP 4936094A JP H07260700 A JPH07260700 A JP H07260700A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 対象物への異物の検査をより微細な異物につ
いて、より高い精度で行なう検査方法を提供する。 【構成】 表面の微小欠陥を少なくしたモニタ物を用
い、検査の対象となる工程の処理を加える前に、処理前
の異物の状態を測定し、その後、モニタ物に検査の対象
となる工程の処理を加え、その処理後に異物の状態を、
前記測定と同様の手順で測定し、処理前の異物の状態と
処理後の異物の状態とを比較することによって、その処
理工程によってモニタ物に付着した異物を測定する。 【効果】 本発明によれば、表面欠陥の少ないモニタ物
を用いて検査を行なうので、検査精度が高くなる。表面
欠陥の少ないモニタ物を用いて検査を行なうので、より
微細な異物の検査が可能になる。
いて、より高い精度で行なう検査方法を提供する。 【構成】 表面の微小欠陥を少なくしたモニタ物を用
い、検査の対象となる工程の処理を加える前に、処理前
の異物の状態を測定し、その後、モニタ物に検査の対象
となる工程の処理を加え、その処理後に異物の状態を、
前記測定と同様の手順で測定し、処理前の異物の状態と
処理後の異物の状態とを比較することによって、その処
理工程によってモニタ物に付着した異物を測定する。 【効果】 本発明によれば、表面欠陥の少ないモニタ物
を用いて検査を行なうので、検査精度が高くなる。表面
欠陥の少ないモニタ物を用いて検査を行なうので、より
微細な異物の検査が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、異物検査方法に関し、
特に、半導体ウェハに付着する微小な異物の検査に適用
して有効な技術に関するものである。
特に、半導体ウェハに付着する微小な異物の検査に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造は種々の工程を経て行なわれ
るが、各工程での処理の際に発生する異物がウェハに付
着することがある。このような異物が付着した場合に
は、異物が重金属の場合にはデバイス性能を損うことと
なる。また、他の異物が付着した場合でも、該異物によ
ってパターン形成に重大な欠陥が生じることもある。
るが、各工程での処理の際に発生する異物がウェハに付
着することがある。このような異物が付着した場合に
は、異物が重金属の場合にはデバイス性能を損うことと
なる。また、他の異物が付着した場合でも、該異物によ
ってパターン形成に重大な欠陥が生じることもある。
【０００３】そのため、ウェハへの異物の付着状態を把
握しておく必要がある。
握しておく必要がある。
【０００４】このような異物の付着状況を調べる方法と
して、モニタウェハを用いる方法がある。処理を行なう
ウェハと略同等なモニタウェハにウェハと同様の処理を
加え、モニタウェハに付着した処理後の異物の状態と処
理前の異物の状態とを比較して、その処理によるモニタ
ウェハへの異物付着を知ることによって、その処理がウ
ェハに及ぼす異物付着状況を調べる異物検査方法が行な
われている。
して、モニタウェハを用いる方法がある。処理を行なう
ウェハと略同等なモニタウェハにウェハと同様の処理を
加え、モニタウェハに付着した処理後の異物の状態と処
理前の異物の状態とを比較して、その処理によるモニタ
ウェハへの異物付着を知ることによって、その処理がウ
ェハに及ぼす異物付着状況を調べる異物検査方法が行な
われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
表面には０．２μｍ程度の微小な欠陥が存在し、この欠
陥と異物との識別ができないために前記の検査方法で
は、０．３μｍ程度の異物の検査が限界となってしま
う。しかしながら半導体装置の集積度が高まりパターン
がより微細化するにつれて、より精度の高い検査方法が
必要とされている。
表面には０．２μｍ程度の微小な欠陥が存在し、この欠
陥と異物との識別ができないために前記の検査方法で
は、０．３μｍ程度の異物の検査が限界となってしま
う。しかしながら半導体装置の集積度が高まりパターン
がより微細化するにつれて、より精度の高い検査方法が
必要とされている。
【０００６】本発明の目的は、０．２μｍ以下の異物の
検査を精度良く行なうことが可能な技術を提供すること
にある。
検査を精度良く行なうことが可能な技術を提供すること
にある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００９】本発明では、表面の微小欠陥を少なくした
モニタ物を用い、検査の対象となる工程の処理を加える
前に、処理前の異物の状態を測定し、その後、モニタ物
に検査の対象となる工程の処理を加え、その処理後に異
物の状態を、前記測定と同様の手順で測定し、処理前の
異物の状態と処理後の異物の状態とを比較することによ
って、その処理工程によってモニタ物に付着した異物を
測定する。
モニタ物を用い、検査の対象となる工程の処理を加える
前に、処理前の異物の状態を測定し、その後、モニタ物
に検査の対象となる工程の処理を加え、その処理後に異
物の状態を、前記測定と同様の手順で測定し、処理前の
異物の状態と処理後の異物の状態とを比較することによ
って、その処理工程によってモニタ物に付着した異物を
測定する。
【００１０】
【作用】上述した手段によれば、表面欠陥の少ないモニ
タ物を用いて検査を行なうので、検査精度が高くなる。
また、表面欠陥の少ないモニタ物を用いて検査を行なう
ので、より微細な異物の検査が可能になる。
タ物を用いて検査を行なうので、検査精度が高くなる。
また、表面欠陥の少ないモニタ物を用いて検査を行なう
ので、より微細な異物の検査が可能になる。
【００１１】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。
もに説明する。
【００１２】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１３】
【実施例】本実施例では半導体製造工程にて種々の処理
を受けるウェハを対象物とし、モニタ物としてモニタウ
ェハを用い検査する。モニタウェハは処理を行なうウェ
ハと略同等であるが、処理を受ける他のウェハとは異な
り、それ以前の処理を受けていない。このモニタウェハ
は、他のウェハと同様に検査の対象となる工程の処理を
加えられ、モニタウェハに付着した処理後の異物の状態
と予め測定しておいた処理前の異物の状態とを比較す
る。この比較によって、対象となった処理によるモニタ
ウェハの異物付着状況を知ることができ、これによっ
て、その処理が他のウェハに及ぼす異物付着状況を調べ
ることができる。
を受けるウェハを対象物とし、モニタ物としてモニタウ
ェハを用い検査する。モニタウェハは処理を行なうウェ
ハと略同等であるが、処理を受ける他のウェハとは異な
り、それ以前の処理を受けていない。このモニタウェハ
は、他のウェハと同様に検査の対象となる工程の処理を
加えられ、モニタウェハに付着した処理後の異物の状態
と予め測定しておいた処理前の異物の状態とを比較す
る。この比較によって、対象となった処理によるモニタ
ウェハの異物付着状況を知ることができ、これによっ
て、その処理が他のウェハに及ぼす異物付着状況を調べ
ることができる。
【００１４】図１に示すのは、本実施例による検査方法
のウェハ表面状態を部分的に示す図である。図中、
（ａ）が本実施例による検査方法の処理前のウェハ表面
状態であり、（ｂ）が本実施例による検査方法の処理後
のウェハ表面状態である。１は本実施例のモニタウェ
ハ、２は処理前にモニタウェハ１の表面に付着している
異物（便宜上、図中では四角形で表示する）であり、３
は処理によってモニタウェハ１の表面に付着した異物
（便宜上、図中では円形で表示する）であり、４はウェ
ハ表面の微小欠陥（便宜上、図中では三角形で表示す
る）である。
のウェハ表面状態を部分的に示す図である。図中、
（ａ）が本実施例による検査方法の処理前のウェハ表面
状態であり、（ｂ）が本実施例による検査方法の処理後
のウェハ表面状態である。１は本実施例のモニタウェ
ハ、２は処理前にモニタウェハ１の表面に付着している
異物（便宜上、図中では四角形で表示する）であり、３
は処理によってモニタウェハ１の表面に付着した異物
（便宜上、図中では円形で表示する）であり、４はウェ
ハ表面の微小欠陥（便宜上、図中では三角形で表示す
る）である。
【００１５】本実施例では、通常のシリコンウェハを水
素雰囲気中の高温アニールによって、その表面の微小欠
陥数を１０個以下とした５インチのシリコンウェハをモ
ニタウェハ１とし、モニタウェハ１は、検査の対象とな
る工程の処理を加える前に、処理前の異物２の状態を測
定する。
素雰囲気中の高温アニールによって、その表面の微小欠
陥数を１０個以下とした５インチのシリコンウェハをモ
ニタウェハ１とし、モニタウェハ１は、検査の対象とな
る工程の処理を加える前に、処理前の異物２の状態を測
定する。
【００１６】測定は、レーザ表面検査装置を用い、モニ
タウェハ１表面の付着異物２・欠陥４を光学的に検出す
る。測定するモニタウェハ１を吸着固定し、回転させな
がら半径方向に微動させ、モニタウェハ１面上にレンズ
系を通してレーザ光を照射し、ウェハ表面からの散乱光
及び反射光を各々受光系を通して検出する。検出した信
号は回転位置信号・半径位置信号とともに信号処理・デ
ータ処理され、検出した異物２，欠陥４の径別の数量及
びその分布が、測定結果として出力される。
タウェハ１表面の付着異物２・欠陥４を光学的に検出す
る。測定するモニタウェハ１を吸着固定し、回転させな
がら半径方向に微動させ、モニタウェハ１面上にレンズ
系を通してレーザ光を照射し、ウェハ表面からの散乱光
及び反射光を各々受光系を通して検出する。検出した信
号は回転位置信号・半径位置信号とともに信号処理・デ
ータ処理され、検出した異物２，欠陥４の径別の数量及
びその分布が、測定結果として出力される。
【００１７】その後、モニタウェハ１に検査の対象とな
る工程の処理を加え、その処理後に異物の状態を、前記
測定と同様の手順で測定する。
る工程の処理を加え、その処理後に異物の状態を、前記
測定と同様の手順で測定する。
【００１８】そして、このようにして得た処理前の異物
２の状態と処理後の異物２，３の状態とを比較すること
によって、その処理工程によってモニタウェハ１に付着
した異物３を知ることができる。
２の状態と処理後の異物２，３の状態とを比較すること
によって、その処理工程によってモニタウェハ１に付着
した異物３を知ることができる。
【００１９】図１では、処理の前後に関わらず（ａ），
（ｂ）の両方に存在する異物２は対象となる処理工程と
は無関係であり、処理後の状態である（ｂ）のみ存在す
る異物３が対象となる処理工程によって付着した異物で
あることが判る。
（ｂ）の両方に存在する異物２は対象となる処理工程と
は無関係であり、処理後の状態である（ｂ）のみ存在す
る異物３が対象となる処理工程によって付着した異物で
あることが判る。
【００２０】図２に示すのは、従来の検査方法のウェハ
表面状態を示す図である。図中、（ａ）が処理前のウェ
ハ表面状態であり、（ｂ）が処理後のウェハ表面状態で
ある。５は通常のモニタウェハ、２は処理前にモニタウ
ェハ１の表面に付着している異物（便宜上、図中では四
角形で表示する）であり、３は処理によってモニタウェ
ハ１の表面に付着した異物（便宜上、図中では円形で表
示する）であり、４はウェハ表面の微小欠陥（便宜上、
図中では三角形で表示する）である。
表面状態を示す図である。図中、（ａ）が処理前のウェ
ハ表面状態であり、（ｂ）が処理後のウェハ表面状態で
ある。５は通常のモニタウェハ、２は処理前にモニタウ
ェハ１の表面に付着している異物（便宜上、図中では四
角形で表示する）であり、３は処理によってモニタウェ
ハ１の表面に付着した異物（便宜上、図中では円形で表
示する）であり、４はウェハ表面の微小欠陥（便宜上、
図中では三角形で表示する）である。
【００２１】図２に示す従来の検査方法では、処理前か
ら存在するウェハ表面の０．２μｍ以下の微小欠陥４が
多いため、それらと紛れてしまう０．２μｍ程度の異物
２，３の測定が困難となる或いは精度が低下してしま
う。これに対して図１に示す本実施例の測定方法では、
０．２μｍ程度の異物２，３でも精度良く測定すること
が可能である。
ら存在するウェハ表面の０．２μｍ以下の微小欠陥４が
多いため、それらと紛れてしまう０．２μｍ程度の異物
２，３の測定が困難となる或いは精度が低下してしま
う。これに対して図１に示す本実施例の測定方法では、
０．２μｍ程度の異物２，３でも精度良く測定すること
が可能である。
【００２２】本実施例では、前述のように水素雰囲気中
の高温アニールによって微小欠陥の少ないシリコンウェ
ハを得たが、通常のＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法
の引き上げ速度を低速にして行なう、或いはエピタキシ
ャル成長によってウェハ表面にシリコンを堆積させる等
の方法によって表面欠陥の少ないシリコンウェハを得る
ことが可能であり、これら方法によるシリコンウェハを
用いて本発明を実施することも可能である。
の高温アニールによって微小欠陥の少ないシリコンウェ
ハを得たが、通常のＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法
の引き上げ速度を低速にして行なう、或いはエピタキシ
ャル成長によってウェハ表面にシリコンを堆積させる等
の方法によって表面欠陥の少ないシリコンウェハを得る
ことが可能であり、これら方法によるシリコンウェハを
用いて本発明を実施することも可能である。
【００２３】図３に示すのは、本実施例による検査方法
に用いた水素雰囲気中の高温アニールによって、微小欠
陥数を１０個以下としたシリコンウェハと他の方法によ
って微小欠陥の少ないウェハ或いは従来のウェハとの表
面微小欠陥数を比較した図である。図から明らかなよう
に、従来のウェハ（図中、右端）との比較では、何れの
ウェハも微小欠陥が少なくなっているが、中でも水素雰
囲気中の高温アニール（図中、水素アニールと表示す
る）によるものが、引き上げ速度を低速にしたＣＺ法に
よるもの（図中、低速引き上げと表示する）或いはエピ
タキシャル成長によってウェハ表面にシリコンを堆積さ
せたもの（図中、エピタキシャルと表示する）よりも表
面微小欠陥が少なく、本願発明の目的に最も適している
ことが理解できる。
に用いた水素雰囲気中の高温アニールによって、微小欠
陥数を１０個以下としたシリコンウェハと他の方法によ
って微小欠陥の少ないウェハ或いは従来のウェハとの表
面微小欠陥数を比較した図である。図から明らかなよう
に、従来のウェハ（図中、右端）との比較では、何れの
ウェハも微小欠陥が少なくなっているが、中でも水素雰
囲気中の高温アニール（図中、水素アニールと表示す
る）によるものが、引き上げ速度を低速にしたＣＺ法に
よるもの（図中、低速引き上げと表示する）或いはエピ
タキシャル成長によってウェハ表面にシリコンを堆積さ
せたもの（図中、エピタキシャルと表示する）よりも表
面微小欠陥が少なく、本願発明の目的に最も適している
ことが理解できる。
【００２４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００２５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２６】（１）本発明によれば、表面欠陥の少ない
ウェハをモニタウェハに用いて検査を行なうので、検査
精度が高くなるという効果がある。
ウェハをモニタウェハに用いて検査を行なうので、検査
精度が高くなるという効果がある。
【００２７】（２）本発明によれば、表面欠陥の少ない
ウェハをモニタウェハに用いて検査を行なうので、より
微細な異物の検査が可能になるという効果がある。
ウェハをモニタウェハに用いて検査を行なうので、より
微細な異物の検査が可能になるという効果がある。
【図１】 本発明の一実施例である検査方法と従来の検
査方法とのウェハ表面状態を比較する図、
査方法とのウェハ表面状態を比較する図、
【図２】 本発明の一実施例に用いたシリコンウェハと
他のウェハとの表面欠陥数を比較して示す図。
他のウェハとの表面欠陥数を比較して示す図。
【図３】 本実施例による検査方法に用いたシリコンウ
ェハと他の方法によるウェハ或いは従来のウェハとの表
面微小欠陥数を比較した図である。
ェハと他の方法によるウェハ或いは従来のウェハとの表
面微小欠陥数を比較した図である。
１，５…モニタウェハ、２…処理前にウェハ表面に付着
した異物、３…処理によってウェハ表面に付着した異
物、４…ウェハ表面の微小欠陥。
した異物、３…処理によってウェハ表面に付着した異
物、４…ウェハ表面の微小欠陥。
Claims (3)
- 【請求項１】 対象物と略同等なモニタ物に対象物と同
様の処理を加え、モニタ物に付着した処理後の異物の状
態と処理前の異物の状態とを比較して、その処理による
対象物への異物付着状況を調べる異物検査方法であっ
て、表面欠陥の少ないモニタ物を用いることを特徴とす
る異物検査方法。 - 【請求項２】 処理ウェハと略同等なモニタウェハに処
理ウェハと同様の処理を加え、モニタウェハに付着した
処理後の異物の状態と処理前の異物の状態とを比較し
て、その処理による処理ウェハへの異物付着状況を調べ
る異物検査方法であって、表面欠陥の少ないモニタウェ
ハを用いることを特徴とする異物検査方法。 - 【請求項３】 処理ウェハと略同等なモニタウェハに処
理ウェハと同様の処理を加え、モニタウェハに付着した
処理後の異物の状態と処理前の異物の状態とを比較し
て、その処理による処理ウェハへの異物付着状況を調べ
る異物検査方法であって、前記モニタウェハが、水素雰
囲気中の高温アニールによって、５インチウェハの場合
に表面に存在する微小欠陥が１０個以下としたシリコン
ウェハであることを特徴とする異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4936094A JPH07260700A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4936094A JPH07260700A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07260700A true JPH07260700A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12828862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4936094A Pending JPH07260700A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07260700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541514B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 표면디펙트 분석방법 및 벌크디펙트 분석방법 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4936094A patent/JPH07260700A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541514B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 표면디펙트 분석방법 및 벌크디펙트 분석방법 |
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