KR20020031905A - 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 - Google Patents
반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020031905A KR20020031905A KR1020000062687A KR20000062687A KR20020031905A KR 20020031905 A KR20020031905 A KR 20020031905A KR 1020000062687 A KR1020000062687 A KR 1020000062687A KR 20000062687 A KR20000062687 A KR 20000062687A KR 20020031905 A KR20020031905 A KR 20020031905A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- defect
- heat treatment
- defects
- oxygen
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- 실리콘 웨이퍼가 가지고 있는 미세한 결함 요인을 검출하기위한 방법에 있어서,분위기 가스 내에서 실리콘 웨이퍼를 500 - 1300 ℃까지 온도범위 내에서 미소 결함 요소를 측정 가능한 크기로 성장시키기 위하여 실시하는 열처리단계,웨이퍼 표면을 경면 폴리싱하는 단계,폴리싱된 웨이퍼를 세정하는 단계, 및성장된 결함을 파티클 카운터로 검사하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1에 있어서, 상기 열처리단계에서웨이퍼에 포함된 산소가 핵 형성을 할 수 있게 하기 위하여 650 - 800 ℃ 사이 온도대에서 2시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 2에 있어서, 상기 열처리단계에서웨이퍼에 포함된 산소가 핵 형성을 할 수 있게 하기 위하여 바람직하게는 약 750 ℃ 에서 6시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 2에 있어서, 상기 열처리단계에서웨이퍼에 포함된 산소가 핵 형성을 한 후, 산소 적층 결함으로 발전할 수 있게 하기 위하여 900 - 1200 ℃ 사이 온도대에서 10시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 4에 있어서, 상기 열처리단계에서웨이퍼에 포함된 산소가 핵 형성을 한 후, 산소 적층 결함으로 발전할 수 있게 하기 위하여 바람직하게는 약 1050 ℃ 에서 16시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1에 있어서, 상기 열처리단계에서분위기 가스는 N2를 사용하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1에 있어서, 상기 열처리단계에서분위기 가스는 N2+ O2가스를 사용하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 7에 있어서, 상기 폴리싱단계에서분위기 가스 N2+ O2가스를 사용하여 열처리한 다음에는, 산화막 에칭 공정을 추가로 실시한 후 폴리싱 단계를 실행하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1에 있어서, 상기 폴리싱단계에서는웨이퍼의 표면을 깊이 1 - 20 ㎛ 만큼 폴리싱하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 9에 있어서, 상기 폴리싱단계에서는웨이퍼의 표면을 SiO2가 포함된 슬러리를 사용하여 폴리싱하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1에 있어서, 상기 열처리단계에서산소 분위기 하에서 약 900 ℃ 정도 온도로 산화막을 형성하고,약 1150 ℃ 에서 열처리하여 웨이퍼 내의 산소를 발산시켜서 표면으로부터 소정의 깊이까지 무결함영역을 형성하고,잔류하는 산소가 핵 형성을 할 수 있게 하기 위하여 바람직하게는 약 720 - 750 ℃ 에서 6시간 이상 열처리하고,핵 형성을 한 후, 산소 적층 결함으로 발전할 수 있게 하기 위하여 1000 - 1100 ℃ 사이 온도대에서 16시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검사 단계에서는 파티클 카운트로 검사하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 12 항에 있어서, 상기 검사 단계에서는 파티클 카운트로 검사하여 얻은 파티클의 위치를 좌표화 하여 AFM을 사용하여 결함의 형태를 분석하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검사 단계에서는 0.20 ㎛ 이하의 파티클 크기까지 찾아내는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검사 단계에서는 0.12 ㎛ 이하의 파티클 크기까지 찾아내는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검사 단계에서는 0.10 ㎛ 이하의 파티클 크기까지 찾아내는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,
- 청구항 1 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검사 단계에서는 0.08 ㎛ 이하의 파티클 크기까지 찾아내는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0062687A KR100384680B1 (ko) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0062687A KR100384680B1 (ko) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020031905A true KR20020031905A (ko) | 2002-05-03 |
KR100384680B1 KR100384680B1 (ko) | 2003-05-22 |
Family
ID=19695187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2000-0062687A KR100384680B1 (ko) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100384680B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100790728B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR100862312B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-10-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 웨이퍼 결함 측정방법 |
KR102221447B1 (ko) | 2019-09-24 | 2021-03-02 | 주식회사 커미조아 | 판재결함 검출방법 및 장치 |
CN116337875A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-06-27 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2571972B2 (ja) * | 1990-02-08 | 1997-01-16 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンウエーハの製造方法 |
JPH04330760A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-11-18 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | エピタキシャル成長層の膜厚測定方法 |
KR100288044B1 (ko) * | 1998-01-21 | 2001-05-02 | 이창세 | 에칭방법에 의한 실리콘 단결정봉의 베이컨시 형태의 결함 영역 측정방법 |
KR20000013121A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 배어 웨이퍼의 씨오피 분석방법 |
KR20000027700A (ko) * | 1998-10-29 | 2000-05-15 | 이창세 | 웨이퍼의 전기적 특성에 영향을 미치는 결정 결함 측정 방법 |
-
2000
- 2000-10-24 KR KR10-2000-0062687A patent/KR100384680B1/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100862312B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-10-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 웨이퍼 결함 측정방법 |
KR100790728B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR102221447B1 (ko) | 2019-09-24 | 2021-03-02 | 주식회사 커미조아 | 판재결함 검출방법 및 장치 |
CN116337875A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-06-27 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100384680B1 (ko) | 2003-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5032168B2 (ja) | バルク基板中の結晶欠陥を顕在化する方法 | |
JP5268314B2 (ja) | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 | |
JP5998225B2 (ja) | 結晶関連欠陥の位置を示す方法 | |
US4238275A (en) | Pyrocatechol-amine-water solution for the determination of defects | |
CN109887854B (zh) | 识别晶片中缺陷区域的方法 | |
JPH04212433A (ja) | 半導体基板、半導体基板と半導体装置の製造方法、並びに半導体基板の検査・評価方法 | |
US6753955B2 (en) | Inspection device for crystal defect of silicon wafer and method for detecting crystal defect of the same | |
CN112585734A (zh) | 用于评估晶片的有缺陷区域的方法 | |
KR100818670B1 (ko) | 금속 오염과 열처리를 이용한 단결정 실리콘의 결정 결함영역 구분 방법 | |
KR100384680B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 | |
KR102661941B1 (ko) | 웨이퍼의 결함 영역의 평가 방법 | |
CN111624460A (zh) | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 | |
JP3717691B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
JP2006108151A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JPH11145088A (ja) | シリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法 | |
KR100252214B1 (ko) | 반도체장치 제조용 베어 웨이퍼 분석방법 | |
JP2004119446A (ja) | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ | |
JP2011249479A (ja) | 単結晶シリコンウェーハの評価方法 | |
JP3874255B2 (ja) | シリコンウェーハ中のbmdサイズの評価方法 | |
JP3994523B2 (ja) | シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 | |
JPH1154579A (ja) | 半導体基板の評価方法 | |
JPH1174493A (ja) | Soiウエーハの欠陥検査方法 | |
JP2003142544A (ja) | シリコンウエハの微小欠陥の評価方法 | |
JP2011119528A (ja) | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | |
JP2005019600A (ja) | ウエーハの評価方法及びウエーハ製造工程の管理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130426 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140423 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160422 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170425 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180425 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190422 Year of fee payment: 17 |