JP5268314B2 - 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 - Google Patents
金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5268314B2 JP5268314B2 JP2007245845A JP2007245845A JP5268314B2 JP 5268314 B2 JP5268314 B2 JP 5268314B2 JP 2007245845 A JP2007245845 A JP 2007245845A JP 2007245845 A JP2007245845 A JP 2007245845A JP 5268314 B2 JP5268314 B2 JP 5268314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- contaminated
- heat treatment
- region
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 179
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 107
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 93
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 92
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 91
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims description 60
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 49
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 48
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 45
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 43
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 29
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 16
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 67
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and in the Pv region Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
図1は、本発明の第1実施例による結晶欠陥領域の区分方法を例示したフローチャートであり、図2は、本発明の第1実施例による結晶欠陥領域の区分方法に含まれた熱サイクルのグラフである。
試料台20の水平を調節した後、サンプル10の一面にCu汚染溶液30を塗布する(ステップS23)。この時、本発明で提案するBOE溶液とCuとの混合溶液であるCu汚染溶液を使用する。BOE溶液は、HFとNH4Fとの混合溶液である。BOE溶液の濃度は、欠陥評価の可能性、処理時間及び効率性を考慮して好適に決定できる。過度に低い濃度のBOE溶液を使用する場合には、反応時間が長くなって生産性が低くなり、濃度が過度に高い場合には反応が急激で結晶欠陥を区分し難い。
BOE溶液中に銅溶液を一定量入れてCu濃度(Cu in BOE)を変化させつつ、図3と同じ方法で単結晶シリコンを汚染させれば、回帰式と同じ汚染量(Cu on wafer)を得ることができる。
図8は、本発明による結晶欠陥領域の区分方法を例示したフローチャートである。
20 試料台
30 Cu汚染溶液
40 ピペット
Claims (17)
- 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えるステップと、
前記サンプルの少なくとも一面に金属を1×1014〜5×1016atoms/cm2濃度で汚染させるステップと、
前記汚染されたサンプルを熱処理するステップと、
前記熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分するステップと、を含み、
前記熱処理ステップは、ベイカンシー型点欠陷が優勢であるが、凝集した欠陷のないPv領域では、前記金属の析出物を前記サンプル内部に主に発生させ、格子間点欠陷が優勢であるが、凝集した欠陷のないPi領域では、前記金属の析出物を前記サンプル表面にヘイズ形態で発生させることを特徴とする結晶欠陥領域の区分方法。 - 前記熱処理ステップは、ヘリウム、窒素、アルゴン、酸素、水素及びアンモニアのうち選択された少なくともいずれか一つの雰囲気下で実施することを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記熱処理ステップは、600〜950℃で0.01〜10時間行う1次熱処理ステップと、1,000〜1,150℃で0.01〜10時間行う2次熱処理ステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記熱処理ステップ後、降温速度は200℃/min以下とすることを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記サンプル中の酸素濃度が11ppma以下の場合に、前記熱処理ステップは、600〜950℃で0.01〜10時間行う1次熱処理ステップと、1,000〜1,150℃で0.01〜10時間行う2次熱処理ステップとを含み、前記サンプル中の酸素濃度が11ppma以上の場合に前記熱処理ステップは、1,000〜1,150℃で0.01〜10時間行うことを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記サンプルの一面に金属を汚染させるステップは、
前記サンプルの両面をHF洗浄するステップと、
前記サンプルを試料台に載置するステップと、
前記サンプルの一面にBOE溶液とCuとの混合溶液であるCu汚染溶液を塗布するステップと、
前記サンプルの一面がCu汚染されるように一定時間放置するステップと、
前記サンプル上のCu汚染溶液を廃棄して洗浄するステップと、
前記サンプルを乾燥させるステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥領域の区分方法。 - 前記Cu汚染溶液は、Cu濃度が1〜15ppmであることを特徴とする請求項6に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記Cu汚染溶液が前記サンプルにとどまる時間は1分〜10分であることを特徴とする請求項6に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記サンプルの両面に金属を汚染させるステップは、
前記サンプルの両面をHF洗浄するステップと、
前記サンプルをカセットに装着するステップと、
前記サンプルをBOE溶液とCuとの混合溶液であるCu汚染溶液に浸漬するステップと、
前記サンプルの両面がCu汚染されるように一定時間放置するステップと、
前記Cu汚染溶液から前記サンプルを取り出して洗浄するステップと、
前記サンプルを乾燥させるステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥領域の区分方法。 - 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えるステップと、
前記サンプルの少なくとも一面にBOE溶液とCuとの混合溶液であるCu汚染溶液を塗布して、前記サンプルの少なくとも一面にCuを汚染させた後に乾燥させるステップと、
前記乾燥されたサンプルを熱処理するステップと、
前記熱処理されたサンプルでCu汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分するステップと、を含み、
前記熱処理されたサンプルでCu汚染された面に発生したヘイズを観察して、前記熱処理されたサンプル表面でヘイズが発生した領域は、格子間点欠陥が優勢であるが、凝集した欠陥のないPi領域と解釈し、表面にヘイズが発生していない領域は、ベイカンシー型点欠陥が優勢であるが、凝集した欠陥のないPv領域と解釈することを特徴とする結晶欠陥領域の区分方法。 - 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルの一面を選択的エッチングして顕微鏡で観察することによって、結晶欠陥領域を1次的に区分するステップと、
前記サンプルの一面で選択的エッチングされた部分を除去するステップと、
前記サンプルの少なくとも一面に金属を汚染させるステップと、
前記汚染されたサンプルを熱処理するステップと、
前記熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を肉眼で観察することによって、結晶欠陥領域を2次的に区分するステップと、を含み、
前記熱処理ステップは、ベイカンシー型点欠陷が優勢であるが、凝集した欠陷のないPv領域では、前記金属の析出物を前記サンプル内部に主に発生させ、格子間点欠陷が優勢であるが、凝集した欠陷のないPi領域では、前記金属の析出物を前記サンプル表面にヘイズ形態で発生させることを特徴とする結晶欠陥領域の区分方法。 - 前記熱処理されたサンプルを発光分析法で測定して結晶欠陥領域を3次的に区分するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記サンプルは、1×1012〜1×1017atoms/cm2濃度で金属を汚染させることを特徴とする請求項11に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記サンプル中の酸素濃度が11ppma以下の場合に、前記熱処理ステップは、600〜950℃で0.01〜10時間行う1次熱処理ステップと、1,000〜1,150℃で0.01〜10時間行う2次熱処理ステップとを含み、前記サンプル中の酸素濃度が11ppma以上の場合に、前記熱処理ステップは、1,000〜1,150℃で0.01〜10時間行うことを特徴とする請求項11に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 前記発光分析法で前記サンプルのゲッターリング効率を評価するステップをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
- 単結晶シリコンインゴット中の隣接位置で採取した2個の片または2枚のシリコンウェーハで形成された第1及び第2サンプルを備えるステップと、
前記第1サンプルの一面を選択的エッチングして顕微鏡で観察するステップと、
前記第2サンプルの少なくとも一面に金属を汚染させるステップと、
前記汚染された第2サンプルを熱処理するステップと、
前記熱処理された第2サンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を肉眼で観察するステップと、を含み、
前記第1及び第2サンプルに対する観察及び測定結果をまとめて前記単結晶シリコンインゴットの結晶欠陥領域を区分し、
前記熱処理ステップは、ベイカンシー型点欠陷が優勢であるが、凝集した欠陷のないPv領域では、前記金属の析出物を前記サンプル内部に主に発生させ、格子間点欠陷が優勢であるが、凝集した欠陷のないPi領域では、前記金属の析出物を前記サンプル表面にヘイズ形態で発生させることを特徴とする結晶欠陥領域の区分方法。 - 前記熱処理された第2サンプルを発光分析法で測定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の結晶欠陥領域の区分方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0092733 | 2006-09-25 | ||
KR10-2006-0092722 | 2006-09-25 | ||
KR1020060092722A KR100763834B1 (ko) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 구리 헤이즈를 이용한 단결정 실리콘의 결정 결함 영역구분 방법 및 결정 결함 영역 평가용 구리 오염 용액 |
KR1020060092733A KR100763833B1 (ko) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 단결정 실리콘의 결정 결함 영역 구분 방법 |
KR1020060092730A KR100818670B1 (ko) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 금속 오염과 열처리를 이용한 단결정 실리콘의 결정 결함영역 구분 방법 |
KR10-2006-0092730 | 2006-09-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085333A JP2008085333A (ja) | 2008-04-10 |
JP5268314B2 true JP5268314B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=39224895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007245845A Active JP5268314B2 (ja) | 2006-09-25 | 2007-09-21 | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7901132B2 (ja) |
JP (1) | JP5268314B2 (ja) |
DE (1) | DE102007044924A1 (ja) |
SG (1) | SG141383A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100036155A (ko) * | 2008-09-29 | 2010-04-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조방법 |
US7977216B2 (en) * | 2008-09-29 | 2011-07-12 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Silicon wafer and fabrication method thereof |
DE102010011066B4 (de) * | 2010-03-11 | 2020-10-22 | Pi4_Robotics Gmbh | Photovoltaikmodul-, oder Photovoltaikzellen- oder Halbleiterbauelement-Identifikationsverfahren und Photovoltaikmodul- oder, Photovoltaikzellen- oder Halbleiterbauelement-Identifikationsvorrichtung |
JP5970931B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2016-08-17 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
JP6025070B2 (ja) * | 2014-02-19 | 2016-11-16 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の品質評価方法 |
JP6418085B2 (ja) * | 2015-07-03 | 2018-11-07 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の検査方法および製造方法 |
JP6459900B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-01-30 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの検査方法 |
KR102060085B1 (ko) | 2018-08-20 | 2019-12-27 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 결함 영역을 평가하는 방법 |
CN110389108A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-10-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置 |
JP7172955B2 (ja) * | 2019-11-05 | 2022-11-16 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の欠陥領域判定方法およびシリコン単結晶の製造方法 |
JP7251516B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2023-04-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの欠陥領域の判定方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291266A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの外因性ゲッタリング能力の評価方法 |
JP2001081000A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の結晶欠陥評価方法 |
JP4067307B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2008-03-26 | 株式会社荏原製作所 | 回転保持装置 |
KR100800531B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2008-02-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리 도금액, 도금 방법 및 도금 장치 |
WO2002047139A2 (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-13 | Ebara Corporation | Methode of forming a copper film on a substrate |
JP3915606B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2007-05-16 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法 |
JP3933010B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2007-06-20 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法 |
US7244306B2 (en) * | 2002-10-18 | 2007-07-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method for measuring point defect distribution of silicon single crystal ingot |
KR20040045986A (ko) | 2002-11-26 | 2004-06-05 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 단결정 잉곳의 결함 영역 구분방법 |
KR100512005B1 (ko) * | 2002-11-28 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 이온주입된 웨이퍼의 오염 탐지 방법 및 장치 |
KR100498953B1 (ko) | 2003-07-08 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 불충분한 주기적 프리픽스를 사용하는 직교 주파수 분할다중화 시스템을 위한 송수신 장치 및 방법 |
-
2007
- 2007-09-20 US US11/858,313 patent/US7901132B2/en active Active
- 2007-09-20 DE DE102007044924A patent/DE102007044924A1/de not_active Withdrawn
- 2007-09-21 JP JP2007245845A patent/JP5268314B2/ja active Active
- 2007-09-24 SG SG200708591-3A patent/SG141383A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080075138A1 (en) | 2008-03-27 |
JP2008085333A (ja) | 2008-04-10 |
DE102007044924A1 (de) | 2008-06-12 |
US7901132B2 (en) | 2011-03-08 |
SG141383A1 (en) | 2008-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5268314B2 (ja) | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 | |
KR100763834B1 (ko) | 구리 헤이즈를 이용한 단결정 실리콘의 결정 결함 영역구분 방법 및 결정 결함 영역 평가용 구리 오염 용액 | |
JP5682471B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5946001B2 (ja) | シリコン単結晶棒の製造方法 | |
JP2015501533A (ja) | 結晶関連欠陥の位置を示す方法 | |
JP2006208314A (ja) | シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法 | |
JP2017200878A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
KR100818670B1 (ko) | 금속 오염과 열처리를 이용한 단결정 실리콘의 결정 결함영역 구분 방법 | |
JP2001081000A (ja) | シリコン単結晶の結晶欠陥評価方法 | |
JP4537643B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
JPH04285100A (ja) | シリコンウェーハの品質検査方法 | |
JP2010275147A (ja) | シリコンウェーハの結晶欠陥評価方法 | |
CN111624460B (zh) | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 | |
KR100763833B1 (ko) | 단결정 실리콘의 결정 결함 영역 구분 방법 | |
KR100252214B1 (ko) | 반도체장치 제조용 베어 웨이퍼 분석방법 | |
JP2004119446A (ja) | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ | |
JP2000208578A (ja) | シリコンウェ―ハの評価方法及びシリコンウェ―ハ | |
KR100901823B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 결함 분석 방법 | |
JP4675542B2 (ja) | ゲッタリング能力の評価方法 | |
KR100384680B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 | |
JP4370571B2 (ja) | アニールウエーハの評価方法及び品質保証方法 | |
JP2007142063A (ja) | シリコン単結晶ウエーハ、これを用いたデバイスの製造方法、並びにそのシリコン単結晶ウエーハの製造方法及び評価方法 | |
KR101064801B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 결정결함 평가방법 | |
JP2004189584A (ja) | シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法 | |
CN116791202A (zh) | 一种无重金属参与的OiSF缺陷腐蚀液及缺陷测试方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5268314 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |