JP2571972B2 - シリコンウエーハの製造方法 - Google Patents
シリコンウエーハの製造方法Info
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- JP2571972B2 JP2571972B2 JP2030051A JP3005190A JP2571972B2 JP 2571972 B2 JP2571972 B2 JP 2571972B2 JP 2030051 A JP2030051 A JP 2030051A JP 3005190 A JP3005190 A JP 3005190A JP 2571972 B2 JP2571972 B2 JP 2571972B2
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- Japan
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- silicon wafer
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明はシリコンウエーハの製造方法、特にシリコン
ウエーハ中の微小欠陥核を除去することができるシリコ
ンウエーハの製造方法に関する。
ウエーハ中の微小欠陥核を除去することができるシリコ
ンウエーハの製造方法に関する。
＜従来の技術＞ 一般に、単結晶シリコンウエーハの製造方法としては
以下に示すプロセスによっている。すなわち、例えば通
常条件での引き上げ法により引き上げた単結晶シリコン
をスライサーでスライスし、そのウエーハ表面を研磨
し、さらにその表面を洗浄するものである。
以下に示すプロセスによっている。すなわち、例えば通
常条件での引き上げ法により引き上げた単結晶シリコン
をスライサーでスライスし、そのウエーハ表面を研磨
し、さらにその表面を洗浄するものである。
そして、従来はそのシリコンウエーハの洗浄後にパー
ティクルカウンタによりそのウエーハ表面に付着したゴ
ミ等測定し、そのウエーハ表面の清浄度を検査してい
た。
ティクルカウンタによりそのウエーハ表面に付着したゴ
ミ等測定し、そのウエーハ表面の清浄度を検査してい
た。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、このような従来のシリコンウエーハの
製造方法にあって、融液から引き上げられたままの単結
晶シリコンにはその内部に微小欠陥核が存在することが
推測された。
製造方法にあって、融液から引き上げられたままの単結
晶シリコンにはその内部に微小欠陥核が存在することが
推測された。
すなわち、本願出願人が案出した方法での洗浄によれ
ば、当該未熱処理のシリコンウエーハの表面に多数の微
小ピットが存在することが発見された。この微小ピット
は従来より知られていた熱処理により発生する積層欠陥
OSF等とは異なるものである。そして、引き上げプロセ
ス条件を異ならせることによりこの微小ピットの数量、
分布は異なることも確かめられた。したがって、この微
小ピットはウエーハ中の微小欠陥核の存在を示すもので
あり、この新たに知見した微小欠陥核が多い場合にはウ
エーハの電気的特性等が劣るという課題が生じていた。
ば、当該未熱処理のシリコンウエーハの表面に多数の微
小ピットが存在することが発見された。この微小ピット
は従来より知られていた熱処理により発生する積層欠陥
OSF等とは異なるものである。そして、引き上げプロセ
ス条件を異ならせることによりこの微小ピットの数量、
分布は異なることも確かめられた。したがって、この微
小ピットはウエーハ中の微小欠陥核の存在を示すもので
あり、この新たに知見した微小欠陥核が多い場合にはウ
エーハの電気的特性等が劣るという課題が生じていた。
そこで、本発明は、引き上げ法により形成されたシリ
コンウエーハにおいて微小欠陥核を除去、低減すること
のできるシリコンウエーハの製造方法を提供すること
を、その目的としている。
コンウエーハにおいて微小欠陥核を除去、低減すること
のできるシリコンウエーハの製造方法を提供すること
を、その目的としている。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、引き上げ法により作製したシリコンウェー
ハを、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中で、800℃〜1
250℃の間の温度に0.5時間〜10時間加熱したシリコンウ
ェーハの製造方法を提供するものである。
ハを、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中で、800℃〜1
250℃の間の温度に0.5時間〜10時間加熱したシリコンウ
ェーハの製造方法を提供するものである。
＜作用および効果＞ 本発明に係るシリコンウエーハの製造方法にあって
は、引き上げ条件の如何によらず引き上げられたシリコ
ンウエーハにおいて、一定の熱処理を施すことにより、
シリコンウエーハ中の微小欠陥核を大幅に低減すること
ができる。この結果、電気的特性等が向上したシリコン
ウエーハを得ることができる。
は、引き上げ条件の如何によらず引き上げられたシリコ
ンウエーハにおいて、一定の熱処理を施すことにより、
シリコンウエーハ中の微小欠陥核を大幅に低減すること
ができる。この結果、電気的特性等が向上したシリコン
ウエーハを得ることができる。
例えばポリシング工程の後において、シリコンウエー
ハを、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中において800
℃〜1250℃の間の温度に0.5時間〜10時間加熱したもの
である。好ましくは、100℃〜1200℃で0.5〜２時間の加
熱によるものとする。
ハを、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中において800
℃〜1250℃の間の温度に0.5時間〜10時間加熱したもの
である。好ましくは、100℃〜1200℃で0.5〜２時間の加
熱によるものとする。
そして、700℃、５時間の加熱では微小欠陥核はほと
んど低減されないこと、また、1100℃、18時間の加熱で
は新たな欠陥、例えばOSF等が発生することが本願出願
人により確認されている。
んど低減されないこと、また、1100℃、18時間の加熱で
は新たな欠陥、例えばOSF等が発生することが本願出願
人により確認されている。
＜実施例＞ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのもので、
熱酸化処理の有無と微小ピット（微小欠陥核）との関係
を示すグラフである。
熱酸化処理の有無と微小ピット（微小欠陥核）との関係
を示すグラフである。
このグラフにおいて、横軸はアンモニア系洗浄液、例
えばNH4OH/H2O2/H2O＝1:1:5の洗浄液による洗浄回数
を、縦軸はパーティクルカウンタにより0.2μｍ以上で
0.25μｍ以下のパーティクスとして測定される微小ピッ
トの数を、それぞれ示している。
えばNH4OH/H2O2/H2O＝1:1:5の洗浄液による洗浄回数
を、縦軸はパーティクルカウンタにより0.2μｍ以上で
0.25μｍ以下のパーティクスとして測定される微小ピッ
トの数を、それぞれ示している。
また、第１図中に示す熱酸化処理とは、1100℃で２時
間の酸化処理である。
間の酸化処理である。
このグラフによれば、熱酸化処理を施すことにより、
シリコンウエーハの表面に生じる微小ピットの数（縦軸
で0.20μｍ以上で0.25μｍ以下のパーティクルの数とし
て測定されている）は、熱酸化処理を施さない場合に比
べて大幅に減少していることがわかる。また、研磨量の
増減はこの微小ピット数の減少と無関係である。そし
て、この微小ピット数はウエーハ内の微小欠陥核の数と
対応しているものである。
シリコンウエーハの表面に生じる微小ピットの数（縦軸
で0.20μｍ以上で0.25μｍ以下のパーティクルの数とし
て測定されている）は、熱酸化処理を施さない場合に比
べて大幅に減少していることがわかる。また、研磨量の
増減はこの微小ピット数の減少と無関係である。そし
て、この微小ピット数はウエーハ内の微小欠陥核の数と
対応しているものである。
すなわち、通常の引き上げ法により形成されたシリコ
ンウエーハにおいて、研磨後所定の酸化熱処理をする。
そして、そのウエーハ表面に対して、例えばNH4OH/H2O2
洗浄を行うと、その表面に微小ピットが発生する。これ
をパーティクルカウンタによって測定する。この微小ピ
ットは結晶中の微小欠陥の分布に対応しているものと考
えられる。したがって、この酸化熱処理によりシリコン
ウエーハでの微小欠陥核の発生数が減少したことが明か
である。
ンウエーハにおいて、研磨後所定の酸化熱処理をする。
そして、そのウエーハ表面に対して、例えばNH4OH/H2O2
洗浄を行うと、その表面に微小ピットが発生する。これ
をパーティクルカウンタによって測定する。この微小ピ
ットは結晶中の微小欠陥の分布に対応しているものと考
えられる。したがって、この酸化熱処理によりシリコン
ウエーハでの微小欠陥核の発生数が減少したことが明か
である。
ここで、このNH4OH/H2O2/H2O（1:1:5）洗浄液による
１回の洗浄（80℃,20分程度）で発生するピットの大き
さは、0.2μｍ以上のパーティクルを測定できるパーテ
ィクルカウンタでは、通常観測できない程度の大きさで
ある。この場合に同一条件で繰り返し洗浄を行うと、こ
のビットは大きく成長する。そして、この成長したピッ
ト数を測定する。この洗浄、測定を繰り返すことによ
り、微小ピットの発生数が明かになるものである。
１回の洗浄（80℃,20分程度）で発生するピットの大き
さは、0.2μｍ以上のパーティクルを測定できるパーテ
ィクルカウンタでは、通常観測できない程度の大きさで
ある。この場合に同一条件で繰り返し洗浄を行うと、こ
のビットは大きく成長する。そして、この成長したピッ
ト数を測定する。この洗浄、測定を繰り返すことによ
り、微小ピットの発生数が明かになるものである。
なお、非酸化雰囲気（窒素ガス雰囲気）での加熱によ
っても同様である。
っても同様である。
第１図は本発明の一実施例に係る熱酸化処理の有無と発
生する微小ピット（パーティクル数）との関係を示すグ
ラフである。
生する微小ピット（パーティクル数）との関係を示すグ
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸本 幹男 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱金属株式会社中央研究所内 (72)発明者 島貫 康 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱金属株式会社中央研究所内 (72)発明者 田中 俊郎 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 日本シリコン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−249336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123098（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−4117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−67362（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】引き上げ法により作製したシリコンウェー
ハを、酸素ガスまたは窒素ガスの雰囲気中で、800℃〜1
250℃の間の温度に0.5時間〜10時間加熱したことを特徴
とするシリコンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030051A JP2571972B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | シリコンウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030051A JP2571972B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | シリコンウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233936A JPH03233936A (ja) | 1991-10-17 |
| JP2571972B2 true JP2571972B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=12293026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030051A Expired - Lifetime JP2571972B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | シリコンウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571972B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182975A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコンウエハの熱処理方法 |
| US5629216A (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-13 | Seh America, Inc. | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies |
| KR100384680B1 (ko) * | 2000-10-24 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367362A (en) * | 1976-11-27 | 1978-06-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS594117A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60249336A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコン基板の処理方法 |
| JPS624327A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62123098A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH01242500A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP2030051A patent/JP2571972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03233936A (ja) | 1991-10-17 |
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