TWI767046B - 矽晶圓的評價方法以及矽晶圓的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種矽晶圓的評價方法，包含對矽晶圓預先進行表面缺陷測定的前表面缺陷測定步驟，對該矽晶圓交互地重複藉由臭氧水以進行的氧化處理及在不完全除去形成於該矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行的氧化膜除去處理的洗淨步驟，以及對該洗淨步驟後的該矽晶圓進行表面缺陷測定以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定的增加缺陷測定步驟，其中，交互地重複該洗淨步驟及該增加缺陷測定步驟複數次，基於各次洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果以評價該矽晶圓。

Description

矽晶圓的評價方法以及矽晶圓的製造方法
本發明係關於一種矽晶圓的評價方法及矽晶圓的製造方法。
研磨後的晶圓品質日益改善，在確認研磨洗淨後的晶圓品質的同時，將所確認的異常區分為源自研磨、源自洗淨或源自結晶則正變得困難。
目前，為了評估研磨狀態的品質，僅有研磨大量的晶圓而追蹤品質的傾向，而由於品質的差異將隨各樣的外在要素改變因而難以評價。又過往僅單次測定研磨後的晶圓，在製造數量龐大的晶圓的過程中即使如過往進行抽樣檢查，亦十分難以檢測出研磨品質的異常。又到了能夠顯著判別異常值的階段時通常已經為時已晚。
雖作作為表面品質評價的方法過往有SC1-RT法，但此係用以進行源自矽結晶的缺陷或金屬汙染的評價的方法，並非用以評價源自研磨等加工的缺陷(加工缺陷)的方法(專利文獻1)。
又，由於SC1-RT為使用鹼性水溶液，在原理上將會在Si、SiO2 進行蝕刻，因此晶圓表面粗糙的惡化十分顯著。
又，過往的藉由臭氧水及HF處理的晶圓的品質評價方法，包含將自然氧化膜全部除去(剝離)的步驟(專利文獻2)，若是如此進行氧化膜的完全除去，則會引起源自結晶的缺陷的顯現存在化，而無法評價研磨等的加工缺陷。
〔先前技術文獻〕 ［專利文獻］ 專利文獻1：日本特開2002-353281號公報 專利文獻2：日本特開2013-004760號公報
〔發明欲解決的問題〕 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供一種矽晶圓的評價方法，能夠將源自結晶的缺陷及因洗淨等而產生的顆粒等予以除外，僅將源自研磨等的加工的缺陷予以評價。 〔解決問題的技術手段〕
為了解決上述問題，本發明提供一種矽晶圓的評價方法，包含：一前表面缺陷測定步驟，對一矽晶圓預先進行表面缺陷測定；一洗淨步驟，對該矽晶圓交互地重複氧化處理及氧化膜除去處理，該氧化處理係藉由臭氧水以進行，該氧化膜除去處理係在不完全除去形成於該矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行；以及一增加缺陷測定步驟，對該洗淨步驟後的該矽晶圓進行表面缺陷測定，以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定，其中，交互地重複該洗淨步驟及該增加缺陷測定步驟複數次，基於各次洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果以評價該矽晶圓。
依據如此的矽晶圓的評價方法，能夠不使於洗淨步驟中源自結晶的缺陷顯著化而僅使加工缺陷顯著化，藉由於各次洗淨步驟後觀察所測定的增加缺陷的增加傾向，而將就源自結晶的缺陷或洗淨等所產生的顆粒等予以除外的加工缺陷予以評價一事變得可能，而能夠評價研磨等的加工品質。
又於此狀況中，以在不完全除去該氧化膜的條件下以氫氟酸進行的該氧化膜除去處理，係以氫氟酸的濃度為0.1至1.0%，處理時間為2秒至20秒以進行為佳。
依據如此的藉由氫氟酸的氧化膜除去處理，由於能夠控制自然氧化膜厚度，能夠更加確實地不完全除去氧化膜而除去氧化膜。
又於此狀況中，以該洗淨步驟係交互地重複以臭氧水進行的該氧化處理及以氫氟酸進行的該氧化膜除去處理5次以上以進行為佳。
如此，藉由交互地重複以臭氧水進行的氧化處理及以氫氟酸進行的氧化膜除去處理5次以上，能夠確實地使加工缺陷顯著化，因此能夠更加正確地評價加工品質。
又於此狀況中，以作為該矽晶圓，使用經鏡面研磨後之物為佳。
本發明的矽晶圓的評價方法中，藉由使用鏡面研磨後的矽晶圓，而能夠進行研磨品質的評價。
又於本發明的矽晶圓的評價方法中，能夠根據各次該洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果，評價該矽晶圓的起因於加工的缺陷。
本發明的矽晶圓的評價方法中，能夠使僅於洗淨步驟中研磨等的加工缺陷顯著化，又藉由觀察各次洗淨步驟後所測定的增加缺陷的增加傾向，而能夠僅將源自加工的缺陷予以評價，故使加工品質的評價變為可能。
又本發明提供一種矽晶圓的製造方法，係對鏡面研磨前的矽晶圓進行鏡面研磨以製造一成為製品的矽晶圓，該矽晶圓的製造方法包含：一準備步驟，係準備鏡面研磨前的一實驗用矽晶圓；一鏡面研磨步驟，係對鏡面研磨前的該實驗用矽晶圓，以預定的鏡面研磨條件進行鏡面研磨；一前表面缺陷測定步驟，對該實驗用矽晶圓預先進行表面缺陷測定；一洗淨步驟，對該實驗用矽晶圓交互地重複氧化處理及氧化膜除去處理，該氧化處理係藉由臭氧水以進行，該氧化膜除去處理係在不完全除去形成於該實驗用矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行；以及一增加缺陷測定步驟，對該洗淨步驟後的該實驗用矽晶圓進行表面缺陷測定，以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定，其中，交互地重複該洗淨步驟及該增加缺陷測定步驟複數次，基於個洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果以評價該矽晶圓，根據該實驗用矽晶圓的評價，將對於鏡面研磨前的該矽晶圓進行鏡面研磨後的研磨品質成為所期望的研磨品質的鏡面研磨條件予以篩選，並以該篩選出的鏡面研磨條件，製造對鏡面研磨前的該矽晶圓進行鏡面研磨而製造該成為製品的矽晶圓。
依據如此的矽晶圓的製造方法，能夠對實驗用矽晶圓在不使於洗淨步驟中源自結晶的缺陷顯著化而僅使加工缺陷顯著化，而藉由於各次洗淨步驟後觀察所測定的增加缺陷的增加傾向，能夠僅就源自結晶的缺陷或洗淨所產生的顆粒等予以除外的加工缺陷予以評價。藉由此實驗，對於鏡面研磨前的矽晶圓，能夠篩選出應以何種鏡面研磨條件進行鏡面研磨以能得到期望的研磨品質。藉由以如此所篩選的鏡面研磨條件製造矽晶圓，能夠製造具有期望的研磨品質的鏡面研磨矽晶圓。 〔對照先前技術之功效〕
本發明的矽晶圓的評價方法， 能夠不使於洗淨步驟中源自結晶的缺陷顯著化而僅使加工缺陷顯著化，又藉由於各次洗淨步驟後觀察所測定的增加缺陷的增加傾向，能夠僅就源自結晶的缺陷或洗淨所產生的顆粒等予以除外的加工缺陷予以評價。又本發明能夠不使晶圓的表面粗糙惡化而進行洗淨，而使以微小粒徑的測定成為可能。又本發明的矽晶圓的製造方法中，藉由基於僅評價加工缺陷的實驗用矽晶圓的評價而篩選鏡面研磨條件，能夠製造具有期望的研磨品質的鏡面研磨矽晶圓。
如同上述，習知的矽晶圓的評價方法，具有源自結晶的缺陷的顯著化會發生，而無法評價研磨等的加工缺陷的問題。
而本案發明人們為了解決上述問題反覆精心研討的結果，發現將交互地重複進行藉由臭氧水的氧化處理及在不完全除去形成於矽晶圓表面的氧化膜的條件下藉由氫氟酸進行的氧化膜除去處理的洗淨步驟，以及對該洗淨步驟後的該矽晶圓進行表面缺陷測定，並將相對於該表面缺陷測定步驟所測定的缺陷的增加缺陷予以測定的增加缺陷測定步驟予以交互地重複進行，而基於各次洗淨步驟後的增加缺陷的測定結果以評價矽晶圓，則能夠不使洗淨步驟中源自結晶的缺陷顯著化而僅使源自加工的缺陷顯著化，能夠僅評價源自研磨等的加工的缺陷，而達成本發明。
即本發明係提供一種矽晶圓的評價方法，包含：一前表面缺陷測定步驟，對一矽晶圓預先進行表面缺陷測定；一洗淨步驟，對該矽晶圓交互地重複氧化處理及氧化膜除去處理，該氧化處理係藉由臭氧水以進行，該氧化膜除去處理係在不完全除去形成於該矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行；以及一增加缺陷測定步驟，對該洗淨步驟後的該矽晶圓進行表面缺陷測定，以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定，其中，交互地重複該洗淨步驟及該增加缺陷測定步驟複數次，基於各次洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果以評價該矽晶圓。
以下說明本發明的矽晶圓的評價方法。圖1係顯示本發明的矽晶圓的評價方法的一實施樣貌的步驟流程圖。
作為評價對象的矽晶圓，雖無特別限定，但以鏡面研磨後的矽晶圓為佳。若使用鏡面研磨後的矽晶圓，則能夠評價PID(Polishing Induced Defect)等的源自研磨的缺陷，而能夠進行研磨品質的評價。
首先，對於欲評價的矽晶圓預先進行測定表面缺陷的前表面缺陷測定步驟(圖1的(a))。能夠使用例如KLA-Tencor公司製的Surfscan SP5以進行。由於加工缺陷幾乎沒有大於40nm的粒徑，測定粒徑以40nm以下便足夠。
接著，進行將藉由臭氧水的氧化處理及在不完全除去形成於該矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行的氧化膜除去處理予以交互地重複的洗淨步驟(圖1的(b))。此洗淨步驟，以單片式洗淨裝置以進行為佳。
洗淨步驟(b)係使研磨等的加工缺陷顯著化的步驟。藉由進行不完全除去氧化膜的藉由氫氟酸的氧化膜除去，以及藉由臭氧水進行的晶圓表面的再度氧化，藉此能夠不使源自結晶的缺陷顯著化，而僅使研磨等的加工缺陷顯著化。
藉由習知的SC1-RT法(例如日本特開2000-208578號公報)或習知的臭氧水及HF處理的晶圓的品質評價方法中，雖無法評價研磨等的加工缺陷，但本發明中不完全除去氧化膜，藉由反覆進行使用臭氧水及氫氟酸的洗淨，不使源自結晶的缺陷顯著化，而僅使源自加工的缺陷顯著化的評價成為可能。又能夠不使晶圓的表面粗糙惡化而進行洗淨，使以微小粒徑的測定成為可能。
如此僅使研磨等加工缺陷顯著化，而使僅評價加工缺陷成為可能。
另外，本發明中以洗淨步驟(b)不使源自結晶的缺陷顯著化，而僅使研磨等的加工缺陷顯著化的理由如以下所述。加工缺陷，係為研磨等的加工時於晶圓產生歪曲而成為變質層。雖然晶圓的氧化膜藉由氫氟酸而被除去，但加工變質層的部分的氧化膜會成為與周圍的氧化膜相異的蝕刻率，藉由反覆交互進行以臭氧水進行的處理及以氫氟梭進行的處理而逐漸顯著化。這是由於藉由以氫氟酸進行殘留氧化膜的蝕刻處理，使加工變質層與周圍部分的氧化膜厚度產生差異(加工變質層的部分的氧化膜較厚)，藉由反覆進行以臭氧水使氧化膜再次形成(將氧化膜厚度回復至均一)，更加使差異逐漸顯著。完全除去氧化膜時，由於加工變質層的氧化膜部分亦被除去，故即使反覆進行臭氧水處理及氫氟酸處理，亦由於沒有氧化膜而氧化膜厚度不會產生差異而不會發生顯著化，源自加工的缺陷評價則變得不可能。
又如同本發明不完全使氧化膜除去，反覆進行臭氧水及氫氟酸處理，以隨時殘留有蝕刻量少的氧化膜，而不使氧沉澱物等結晶缺陷或金屬汙染所致的坑洞等的缺陷顯著化。
另一方面，習知的SC1-RT法，藉由大量進行蝕刻所致的顯著化，而不僅使加工缺陷亦使氧沉澱物等的結晶缺陷顯著化。
又習知的以臭氧水及氫氟酸處理的晶圓的品質評價方法包含將自然氧化膜全部除去(剝離)的步驟，雖然能夠使用臭氧水及氫氟酸將氧化膜完全除去而不使表面粗糙惡化而評價，但以此方法，藉由氫氟酸除去自然氧化膜時結晶缺陷亦會顯著化。
本發明中臭氧水的臭氧濃度雖無特別限定，以5ppm至30ppm為佳。為了產生自然氧化膜以5ppm以上為佳，自實際上的實施濃度的觀點來看，以30ppm以下為佳。又一次的臭氧水的處理時間，為了形成自然氧化膜以10秒以上為佳。
氫氟酸的濃度雖無特別限定，但以0.1%至1.0%為佳。若為0.1%以上，由於能夠正確地控制濃度而佳。又為了控制自然氧化膜的膜厚度，以1.0%以下為佳。又一次的氫氟酸處理時間以約2秒至20秒為佳。若為2秒以上，供給至晶圓的氫氟酸能夠遍佈，若為20秒以下，則能夠確實地殘留氧化膜而進行氧化膜除去處理而佳。
以臭氧水的氧化處理及以氫氟酸的氧化膜除去處理的重複次數，以約5次至50次為佳。若重複次數為5次以上，則能夠確實地使加工缺陷顯著化。又若為50次以下，則能夠壓低洗淨步驟時間，生產量提升而佳。進一步，若為50次以下，則由於能夠不使矽晶圓的表面粗糙惡化並評價而佳。又即使不重複超過50次，亦由於能夠把握晶圓的加工品質傾向而充分。
接著，對洗淨步驟(b)後的矽晶圓進行表面缺陷測定，對以前表面缺陷測定步驟(a)所測定的缺陷，進行將已增加的缺陷予以測定的增加缺陷測定步驟(c)。
此增加缺陷測定步驟(c)中，僅將相對於經前表面缺陷測定步驟(a)中測定的缺陷所增加的缺陷予以測定。測定能夠使用例如與前表面缺陷測定步驟相同的KLA-Tencor公司製的Surfscan SP5，進行同點座標測定，而僅測定增加的缺陷的增加數。
之後，進行再洗淨步驟(b)及增加缺陷測定步驟(c)。進行這些步驟複數次，基於各次洗淨步驟後的增加缺陷的測定結果，例如增加缺陷的增加傾向(趨勢)，或增加缺陷的增加量，而評價矽晶圓。
如此，交互地進行洗淨步驟(b)及增加缺陷測定步驟(c)複數次，基於增加缺陷的測定結果(增加缺陷的趨勢或增加缺陷數)而評價矽晶圓，以能夠將源自結晶的缺陷及洗淨等所產生的顆粒予以除外，僅評價研磨等的加工缺陷。
在研磨等的加工條件良好之物中，由於不產生源自加工的缺陷(較少)，因此即使重複洗淨步驟(b)及增加缺陷測定步驟(c)，增加缺陷的增加趨勢小，而增加缺陷數少。另一方面，若研磨加工品質不良，則由於產生源自加工的缺陷，因此若是重複洗淨及表面缺陷測定則增加缺陷的增加趨勢變大而增加缺陷數變多。藉由基於此趨勢或增加缺陷數以評價研磨加工品質，而能夠確認於此時間點的加工狀態。
亦即，在增加缺陷的線圖形狀相近時，越是趨勢為大者，或是增加缺陷數為大者，即為含有潛在的加工缺陷，加工品質會不良。
如同前述，本發明中，藉由使用臭氧水及氫氟酸而不完全除去氧化膜地重複進行洗淨一事，不僅能夠抑制晶圓的表面粗糙惡化及顆粒等的附著，亦能夠不使源自結晶的缺陷顯著化而僅使研磨等的加工缺陷顯著化。又，藉由觀察各次洗淨步驟後所測定的增加缺陷的增加傾向，能夠僅就源自結晶的缺陷及洗淨等所產生的顆粒等予以除外的源自研磨等加工的缺陷予以評價。又使至今未有的微小區域下的缺陷評價變得可能。
又上述的矽晶圓的評價方法，能夠應用於對鏡面研磨前的矽晶圓進行鏡面研磨而成為製品的製造矽晶圓的方法。此矽晶圓的製造方法中，在製造成為製品的矽晶圓之前，對實驗用矽晶圓進行依照上述矽晶圓的評價方法的實驗，預先篩選鏡面研磨的鏡面研磨條件，以經篩選的鏡面研磨條件進行鏡面研磨而進行成為製品的矽晶圓的製造。具體而言，如同下述而進行矽晶圓的製造。
首先，準備鏡面研磨前的實驗用矽晶圓。接著對此鏡面研磨前的實驗用矽晶圓，以指定的鏡面研磨條件進行鏡面研磨。對於進行有如此的鏡面研磨的實驗用矽晶圓，與上述的矽晶圓的評價方法相同，進行前表面缺陷測定步驟、洗淨步驟及增加缺陷測定步驟(參照圖1的(a)至圖1的(c))。具體而言，進行如同以下的各步驟。首先，對於進行了鏡面研磨的實驗用矽晶圓，預先進行測定表面缺陷的前表面缺陷測定步驟。接著，對實驗用矽晶圓，進行洗淨步驟，交互地重複氧化處理及氧化膜除去處理，該氧化處理係藉由臭氧水以進行，該氧化膜除去處理係在不完全除去形成於該矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行。接著，進行增加缺陷測定步驟，對該洗淨步驟後的該矽晶圓進行表面缺陷測定，以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定。
交互地重複上述洗淨步驟及增加缺陷測定步驟複數次，基於各次洗淨步驟後的增加缺陷的測定結果以評價實驗用矽晶圓。進一步，基於此實驗用矽晶圓的評價，將對鏡面研磨前的矽晶圓進行鏡面研磨後的研磨品質成為期望的研磨品質的鏡面研磨的鏡面研磨條件予以篩選。以此處所篩選的鏡面研磨條件，對鏡面研磨前的矽晶圓進行鏡面研磨而製造成為製品的矽晶圓。
經以不產生(較少)鏡面研磨後的加工缺陷的研磨條件所研磨的鏡面研磨矽晶圓，即使重複洗淨步驟(b)及增加缺陷測定步驟(c)，增加缺陷的增加的趨勢亦小，增加缺陷數亦少。另一方面，若研磨加工品質不良，則將產生源自加工的缺陷，因此若重複洗淨及表面缺陷測定，增加缺陷的增加的趨勢變大而增加缺陷數變多。基於此趨勢或增加缺陷數評價實驗用矽晶圓的研磨加工品質，藉此能夠篩選出對於鏡面研磨前的矽晶圓應以何種的鏡面研磨條件進行鏡面研磨以能夠得到期望的研磨品質。
更具體而言，能夠在增加缺陷的線圖形狀相近時，選擇沒有斜率或是斜率變小的鏡面研磨條件。例如，能夠設定鏡面研磨條件而使圖1所示的流程圖中重複氫氟酸→臭氧水的次數約為十次的增加缺陷數平均為十個以下、五個以下或一個以下。 〔實施例〕
以下，雖表示實施例及比較例而更具體地說明本發明，但本發明並非限定於這些實施例。
(實施例) 使用以相異的研磨條件(研磨條件1至4)被最終研磨且結束洗淨後的矽晶圓，進行前表面缺陷測定(圖1的(a))。對於進行了前表面缺陷測定的晶圓，藉由交互重複進行以臭氧水的氧化處理及以氫氟酸的氧化膜除去處理以進行洗淨(圖1的(b))。
洗淨條件，為臭氧水濃度為10ppm，每次的臭氧水處理時間為20秒，氫氟酸濃度為0.3%，每次的氫氟酸處理時間為5秒，以顯示於圖1的流程使氫氟酸→臭氧水的重複次數為五次而進行洗淨，之後將其乾燥。另外每一次氫氟酸處理皆進行了於晶圓表面殘留氧化膜的氧化膜除去。
接著，對洗淨步驟後的矽晶圓進行表面缺陷測定，將相對於以前表面缺陷測定步驟(a)測定的缺陷所增加的增加缺陷予以測定(圖1的(c))。另外，前表面缺陷測定及增加缺陷測定，係使用KLA-Tencor公司製的Surfscan SP5，以粒徑19nm以上進行測定，藉由進行同點座標測定，而僅測定增加的增加缺陷。
洗淨步驟及增加缺陷測定步驟，重複進行了以臭氧水的處理→以氫氟酸的處理至合計重複次數為50次(即洗淨步驟及增加缺陷測定步驟的重複次數為10次)。
各次洗淨步驟後，僅將相對於前表面缺陷測定的結果所增加的缺陷的個數作為增加缺陷數，將以臭氧水的處理→以氫氟酸的處理的合計重複次數及增加缺陷數統整而顯示於表1。又將以臭氧水的處理→以氫氟酸的處理的合計重複次數與增加缺陷數的關係製圖而顯示於圖2。基於表1及圖2，評價增加缺陷的增加的趨勢或缺陷的增加量。
又當以SEM觀察洗淨後的晶圓表面，得知於晶圓表面結晶缺陷沒有顯著化，而僅有如圖3的(A)所示的加工缺陷顯著化，而得知能夠評價加工品質。
如圖2所示，得知：研磨條件1至4，各研磨條件的增加缺陷的增加趨勢相異，由於研磨條件1幾乎沒有增加趨勢，因此不產生源自加工的缺陷，即為研磨品質良好。又得知：研磨條件2至4，增加的趨勢愈大，也就是依研磨條件4、研磨條件3及研磨條件2的順序，研磨品質為不良。
【表1】
Figure 107129866-A0304-0001
(比較例) 以日本特開2000-208578號所記載的藉由SC1-RT法的評價方法，進行矽晶圓的評價。具體而言，使用由氨、雙氧水及水所構成的處理液，於矽晶圓表面施加蝕刻處理而檢測出缺陷。但是，該處理所檢測出的，主要如圖3的(B)所示的顆粒及結晶缺陷。又，即使使用KLA-Tencor公司製的Surfscan SP5，由於粒徑19nm以上係表面粗糙惡化，而無法測定。
另外，本發明並不為前述實施例所限制。前述實施例為例示，具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想為實質相同的構成，且達成同樣作用效果者，皆包含於本發明的技術範圍。
圖1係顯示本發明的矽晶圓的評價方法的一實施樣貌的步驟流程圖。 圖2係顯示實施例中的藉由臭氧水的處理→藉由氫氟酸的處理的合計重複次數與增加缺陷數的關係的量表圖。 圖3的(A)係觀察實施例中洗淨後的晶圓表面的SEM圖，(B)係比較例所檢測出的缺陷的SEM圖。

Claims (8)

  1. 一種矽晶圓的評價方法，包含： 一前表面缺陷測定步驟，對一矽晶圓預先進行表面缺陷測定； 一洗淨步驟，對該矽晶圓交互地重複氧化處理及氧化膜除去處理，該氧化處理係藉由臭氧水以進行，該氧化膜除去處理係在不完全除去形成於該矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行；以及 一增加缺陷測定步驟，對該洗淨步驟後的該矽晶圓進行表面缺陷測定，以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定， 其中，交互地重複該洗淨步驟及該增加缺陷測定步驟複數次，基於各次洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果以評價該矽晶圓。
  2. 如請求項1所述的矽晶圓的評價方法，其中在不完全除去該氧化膜的條件下以氫氟酸進行的該氧化膜除去處理，係以氫氟酸的濃度為0.1至1.0%，處理時間為2秒至20秒以進行。
  3. 如請求項1所述的矽晶圓的評價方法，其中該洗淨步驟係交互地重複以臭氧水進行的該氧化處理及以氫氟酸進行的該氧化膜除去處理5次以上以進行。
  4. 如請求項2所述的矽晶圓的評價方法，其中該洗淨步驟係交互地重複以臭氧水進行的該氧化處理及以氫氟酸進行的該氧化膜除去處理5次以上以進行。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的矽晶圓的評價方法，其中作為該矽晶圓，使用經鏡面研磨後之物。
  6. 如請求項1至4中任一項所述的矽晶圓的評價方法，其中根據各次該洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果，評價該矽晶圓的起因於加工的缺陷。
  7. 如請求項5所述的矽晶圓的評價方法，其中根據各次該洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果，評價該矽晶圓的起因於加工的缺陷。
  8. 一種矽晶圓的製造方法，係對鏡面研磨前的矽晶圓進行鏡面研磨以製造一成為製品的矽晶圓，該矽晶圓的製造方法包含： 一準備步驟，係準備鏡面研磨前的一實驗用矽晶圓； 一鏡面研磨步驟，係對鏡面研磨前的該實驗用矽晶圓，以預定的鏡面研磨條件進行鏡面研磨； 一前表面缺陷測定步驟，對該實驗用矽晶圓預先進行表面缺陷測定； 一洗淨步驟，對該實驗用矽晶圓交互地重複氧化處理及氧化膜除去處理，該氧化處理係藉由臭氧水以進行，該氧化膜除去處理係在不完全除去形成於該實驗用矽晶圓表面的氧化膜的條件下以氫氟酸進行；以及 一增加缺陷測定步驟，對該洗淨步驟後的該實驗用矽晶圓進行表面缺陷測定，以將相對於該前表面缺陷測定步驟所測定的缺陷而增加的增加缺陷予以測定， 其中，交互地重複該洗淨步驟及該增加缺陷測定步驟複數次，基於個洗淨步驟後的該增加缺陷的測定結果以評價該矽晶圓， 根據該實驗用矽晶圓的評價，將對於鏡面研磨前的該矽晶圓進行鏡面研磨後的研磨品質成為所期望的研磨品質的鏡面研磨條件予以篩選， 並以該篩選出的鏡面研磨條件，製造對鏡面研磨前的該矽晶圓進行鏡面研磨而製造該成為製品的矽晶圓。
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