JP2003243403A - 半導体ウェハの再生方法 - Google Patents
半導体ウェハの再生方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯＰ等の結晶欠陥が存在する使用済みウェ
ハに対しても品質の良い半導体ウェハを再生することが
できる半導体ウェハの再生方法を得る。 【解決手段】 ステップＳ１で、使用済みシリコンウェ
ハの表面を研磨する。ステップＳ２で、使用済みシリコ
ンウェハを、少なくとも２種類以上の酸よりなる混酸中
に浸漬する。ステップＳ３で、表面加工処理を行い使用
済みシリコンウェハの表面を平滑化する。続いて、ステ
ップＳ４で、高温アニール処理を行い、最終的に再生ウ
ェハを得る。高温アニール処理として、１２００℃以上
の高温でアルゴン雰囲気中で３０〜６０分の第１のアニ
ール処理あるいは１２００℃以上の高温で水素雰囲気中
で３０〜６０分の第２のアニール処理等がある。
ハに対しても品質の良い半導体ウェハを再生することが
できる半導体ウェハの再生方法を得る。 【解決手段】 ステップＳ１で、使用済みシリコンウェ
ハの表面を研磨する。ステップＳ２で、使用済みシリコ
ンウェハを、少なくとも２種類以上の酸よりなる混酸中
に浸漬する。ステップＳ３で、表面加工処理を行い使用
済みシリコンウェハの表面を平滑化する。続いて、ステ
ップＳ４で、高温アニール処理を行い、最終的に再生ウ
ェハを得る。高温アニール処理として、１２００℃以上
の高温でアルゴン雰囲気中で３０〜６０分の第１のアニ
ール処理あるいは１２００℃以上の高温で水素雰囲気中
で３０〜６０分の第２のアニール処理等がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置を製造
の際に用いられる半導体ウェハの再生方法に関する。
の際に用いられる半導体ウェハの再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、使用済みウェハに対し、研
磨，表面加工処理等を行うことにより、再生ウェハとし
て再利用する半導体ウェハの再生方法が実施されてい
た。
磨，表面加工処理等を行うことにより、再生ウェハとし
て再利用する半導体ウェハの再生方法が実施されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
プロセスで使用するダミーウェハ及びモニタウェハ（共
に、種々のテストに使用される、実際の集積回路が形成
されていないウェハ）はＣＯＰ（Crystal Originated P
article）等の結晶欠陥は制御されず作られている。し
たがって、ダミーウェハ等を再生加工しても、再生加工
時に行う研磨等により基板内に形成されたＣＯＰ等が表
面に露出あるいは表面内に発生してしまうため、再生使
用できないという問題点があった。
プロセスで使用するダミーウェハ及びモニタウェハ（共
に、種々のテストに使用される、実際の集積回路が形成
されていないウェハ）はＣＯＰ（Crystal Originated P
article）等の結晶欠陥は制御されず作られている。し
たがって、ダミーウェハ等を再生加工しても、再生加工
時に行う研磨等により基板内に形成されたＣＯＰ等が表
面に露出あるいは表面内に発生してしまうため、再生使
用できないという問題点があった。
【０００４】図９はＣＯＰの例を模式的に示す説明図で
ある。同図に示すように、従来の半導体ウェハの再生方
法で再生した再生ウェハ１１には、その表面にＣＯＰ１
２が表面に露出している。
ある。同図に示すように、従来の半導体ウェハの再生方
法で再生した再生ウェハ１１には、その表面にＣＯＰ１
２が表面に露出している。
【０００５】図１０はＣＯＰの他の例を模式的に示す説
明図である。同図に示すように、従来の半導体ウェハの
再生方法で再生した再生ウェハ２１には、その表面内に
ＣＯＰ２２が発生している。
明図である。同図に示すように、従来の半導体ウェハの
再生方法で再生した再生ウェハ２１には、その表面内に
ＣＯＰ２２が発生している。
【０００６】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、ＣＯＰ等の結晶欠陥が存在する使用済み
ウェハに対しても品質の良い半導体ウェハを再生するこ
とができる半導体ウェハの再生方法を得ることを目的と
する。
されたもので、ＣＯＰ等の結晶欠陥が存在する使用済み
ウェハに対しても品質の良い半導体ウェハを再生するこ
とができる半導体ウェハの再生方法を得ることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
記載の半導体ウェハの生成方法は、金属膜及び絶縁膜を
有する表面被覆層を少なくとも表面に形成した使用済み
半導体ウェハを再生する方法であって、(a) 前記使用済
み半導体ウェハの表面を研磨するステップと、(b) 前記
ステップ(a) 後の前記使用済み半導体ウェハを、少なく
とも２種類以上の酸よりなる混合酸に浸漬するステップ
と、(c) 前記ステップ(b) 後の前記使用済み半導体ウェ
ハに対し表面加工処理を行うステップと、(d) 前記ステ
ップ(c)後の前記使用済み半導体ウェハである準再生ウ
ェハに対して、アニール処理を行うステップと、を備え
ている。
記載の半導体ウェハの生成方法は、金属膜及び絶縁膜を
有する表面被覆層を少なくとも表面に形成した使用済み
半導体ウェハを再生する方法であって、(a) 前記使用済
み半導体ウェハの表面を研磨するステップと、(b) 前記
ステップ(a) 後の前記使用済み半導体ウェハを、少なく
とも２種類以上の酸よりなる混合酸に浸漬するステップ
と、(c) 前記ステップ(b) 後の前記使用済み半導体ウェ
ハに対し表面加工処理を行うステップと、(d) 前記ステ
ップ(c)後の前記使用済み半導体ウェハである準再生ウ
ェハに対して、アニール処理を行うステップと、を備え
ている。
【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１記載の
半導体ウェハの再生方法であって、前記ステップ(d) の
アニール処理は、１２００℃以上の水素雰囲気中で行う
高温アニール処理を含む。
半導体ウェハの再生方法であって、前記ステップ(d) の
アニール処理は、１２００℃以上の水素雰囲気中で行う
高温アニール処理を含む。
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項１記載の
半導体ウェハの再生方法であって、前記ステップ(d) の
アニール処理は、１２００℃以上のアルゴン雰囲気中で
行う高温アニール処理を含む。
半導体ウェハの再生方法であって、前記ステップ(d) の
アニール処理は、１２００℃以上のアルゴン雰囲気中で
行う高温アニール処理を含む。
【００１０】また、請求項４の発明は、請求項１ないし
請求項３のうち、いずれか１項に記載の半導体ウェハの
再生方法であって、(e) 前記ステップ(b) の後でかつ前
記ステップ(c) の前に実行され、水酸化カリウム及び水
酸化ナトリウムのうち一方からなるアルカリ溶液に前記
使用済み半導体ウェハを浸漬するステップをさらに備え
る。
請求項３のうち、いずれか１項に記載の半導体ウェハの
再生方法であって、(e) 前記ステップ(b) の後でかつ前
記ステップ(c) の前に実行され、水酸化カリウム及び水
酸化ナトリウムのうち一方からなるアルカリ溶液に前記
使用済み半導体ウェハを浸漬するステップをさらに備え
る。
【００１１】また、請求項５の発明は、請求項１ないし
請求項４のうち、いずれか１項に記載の半導体ウェハの
再生方法であって、(g) 前記ステップ(ｄ) 後の前記準
再生ウェハからエピタキシャル成長させてエピタキシャ
ル成長層を形成するステップをさらに備え、前記準再生
ウェハと前記エピタキシャル成長層によって再生ウェハ
が得られる。
請求項４のうち、いずれか１項に記載の半導体ウェハの
再生方法であって、(g) 前記ステップ(ｄ) 後の前記準
再生ウェハからエピタキシャル成長させてエピタキシャ
ル成長層を形成するステップをさらに備え、前記準再生
ウェハと前記エピタキシャル成長層によって再生ウェハ
が得られる。
【００１２】この発明に係る請求項６記載の半導体ウェ
ハの再生方法は、金属膜及び絶縁膜を有する表面被覆層
を少なくとも表面に形成した使用済み半導体ウェハを再
生する方法であって、(a) 前記使用済み半導体ウェハの
表面を研磨するステップと、(b) 前記ステップ(a) 後の
前記使用済み半導体ウェハを、少なくとも２種類以上の
酸よりなる混合酸に浸漬するステップと、(c) 前記ステ
ップ(b) 後の前記使用済み半導体ウェハに対し表面加工
処理を行うステップと、(d) 前記ステップ(c)後の前記
使用済み半導体ウェハである準再生ウェハからエピタキ
シャル成長させてエピタキシャル成長層を形成するステ
ップとを備え、前記準再生ウェハと前記エピタキシャル
成長層によって再生ウェハが得られる。
ハの再生方法は、金属膜及び絶縁膜を有する表面被覆層
を少なくとも表面に形成した使用済み半導体ウェハを再
生する方法であって、(a) 前記使用済み半導体ウェハの
表面を研磨するステップと、(b) 前記ステップ(a) 後の
前記使用済み半導体ウェハを、少なくとも２種類以上の
酸よりなる混合酸に浸漬するステップと、(c) 前記ステ
ップ(b) 後の前記使用済み半導体ウェハに対し表面加工
処理を行うステップと、(d) 前記ステップ(c)後の前記
使用済み半導体ウェハである準再生ウェハからエピタキ
シャル成長させてエピタキシャル成長層を形成するステ
ップとを備え、前記準再生ウェハと前記エピタキシャル
成長層によって再生ウェハが得られる。
【００１３】また、請求項７の発明は、請求項６記載の
半導体ウェハの再生方法であって、(e) 前記ステップ
(b) の後でかつ前記ステップ(c) の前に実行され、水酸
化カリウム及び水酸化ナトリウムのうち一方からなるア
ルカリ溶液にシリコンウェハを浸漬するステップをさら
に備える。
半導体ウェハの再生方法であって、(e) 前記ステップ
(b) の後でかつ前記ステップ(c) の前に実行され、水酸
化カリウム及び水酸化ナトリウムのうち一方からなるア
ルカリ溶液にシリコンウェハを浸漬するステップをさら
に備える。
【００１４】また、請求項８の発明は、請求項１ないし
請求項７のうち、いずれか１項に記載の半導体ウェハの
再生方法であって、前記使用済み半導体ウェハは集積回
路がその表面に形成されないテスト用のダミー半導体ウ
ェハを含む。
請求項７のうち、いずれか１項に記載の半導体ウェハの
再生方法であって、前記使用済み半導体ウェハは集積回
路がその表面に形成されないテスト用のダミー半導体ウ
ェハを含む。
【００１５】
【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１はこの発明
の実施の形態１である半導体ウェハの再生方法の再生手
順を示すフローチャートである。
の実施の形態１である半導体ウェハの再生方法の再生手
順を示すフローチャートである。
【００１６】まず、ステップＳ１で、使用済みシリコン
ウェハの表面を研磨する。なお、ここでいう、使用済み
シリコンウェハとは、集積回路が表面に形成された実使
用のシリコンウェハに加え、シリコンを含有しない金属
材料を少なくとも１種類以上含む金属膜及び酸化膜等の
絶縁膜を含む表面被覆層を表面に形成したダミーウェ
ハ，モニタウェハ等のテスト用シリコンウェハを含むシ
リコンウェハを意味する。
ウェハの表面を研磨する。なお、ここでいう、使用済み
シリコンウェハとは、集積回路が表面に形成された実使
用のシリコンウェハに加え、シリコンを含有しない金属
材料を少なくとも１種類以上含む金属膜及び酸化膜等の
絶縁膜を含む表面被覆層を表面に形成したダミーウェ
ハ，モニタウェハ等のテスト用シリコンウェハを含むシ
リコンウェハを意味する。
【００１７】そして、ステップＳ２で、使用済みシリコ
ンウェハを、少なくとも２種類以上の酸よりなる混酸中
に浸漬し、上述した集積回路，金属膜等のウェハ表面形
成層を除去し、表面にシリコンを露出させる。
ンウェハを、少なくとも２種類以上の酸よりなる混酸中
に浸漬し、上述した集積回路，金属膜等のウェハ表面形
成層を除去し、表面にシリコンを露出させる。
【００１８】なお、混酸に用いる酸としては、硝酸、塩
酸、フッ酸、硫酸及び酢酸等があり、混酸の温度は８０
〜１００℃に設定される。なお、混酸の温度を８０〜１
００℃に設定するのは、使用済みシリコンウェハに付着
したパーティクル等の異物を取りやすくなるためであ
る。
酸、フッ酸、硫酸及び酢酸等があり、混酸の温度は８０
〜１００℃に設定される。なお、混酸の温度を８０〜１
００℃に設定するのは、使用済みシリコンウェハに付着
したパーティクル等の異物を取りやすくなるためであ
る。
【００１９】次に、ステップＳ３で、表面加工（ポリシ
ング）処理を行い使用済みシリコンウェハの表面を平滑
化する。続いて、ステップＳ４で、高温アニール処理を
行い、最終的に再生ウェハを得る。
ング）処理を行い使用済みシリコンウェハの表面を平滑
化する。続いて、ステップＳ４で、高温アニール処理を
行い、最終的に再生ウェハを得る。
【００２０】図２は高温アニール処理を模式的に示す説
明図である。同図に示すように、高温アニール処理とし
て、１２００℃以上の高温でアルゴン雰囲気中で３０〜
６０分の第１のアニール処理あるいは１２００℃以上の
高温で水素雰囲気中で３０〜６０分の第２のアニール処
理等がある。これら第１あるいは第２のアニール処理に
より最終的に再生ウェハ１を得ることができる。なお、
第１及び第２のアニール処理の温度を１２００℃以上の
高温にするのはＣＯＰ減少に効果的な温度に設定するた
めである。
明図である。同図に示すように、高温アニール処理とし
て、１２００℃以上の高温でアルゴン雰囲気中で３０〜
６０分の第１のアニール処理あるいは１２００℃以上の
高温で水素雰囲気中で３０〜６０分の第２のアニール処
理等がある。これら第１あるいは第２のアニール処理に
より最終的に再生ウェハ１を得ることができる。なお、
第１及び第２のアニール処理の温度を１２００℃以上の
高温にするのはＣＯＰ減少に効果的な温度に設定するた
めである。
【００２１】図３は実施の形態１による半導体ウェハの
再生方法による実験結果を示すグラフである。同図に示
すように、ステップＳ４の高温アニール処理前のステッ
プＳ１〜Ｓ３の処理後の１枚の準再生ウェハ当たり３０
００程度のＣＯＰも発生していたのが、ステップＳ４の
アニール処理後の再生ウェハでは１枚当たり１０ヶ程度
と激減させているのがわかる。
再生方法による実験結果を示すグラフである。同図に示
すように、ステップＳ４の高温アニール処理前のステッ
プＳ１〜Ｓ３の処理後の１枚の準再生ウェハ当たり３０
００程度のＣＯＰも発生していたのが、ステップＳ４の
アニール処理後の再生ウェハでは１枚当たり１０ヶ程度
と激減させているのがわかる。
【００２２】なお、ここでいう、ＣＯＰとは表面欠陥
０．１３μｍ以下のＣＯＰを意味する。実施の形態１の
半導体ウェハの生成方法では、種々の実験結果から、Ｃ
ＯＰを含む結晶欠陥を３０ヶ／ｗｆ（ウェハ）に抑え、
品質のよい再生ウェハを得ることができるという事実が
判明している。
０．１３μｍ以下のＣＯＰを意味する。実施の形態１の
半導体ウェハの生成方法では、種々の実験結果から、Ｃ
ＯＰを含む結晶欠陥を３０ヶ／ｗｆ（ウェハ）に抑え、
品質のよい再生ウェハを得ることができるという事実が
判明している。
【００２３】図４はアニール処理の処理内容の比較を示
すグラフである。同図に示すように、水素あるいはアル
ゴン雰囲気中でアニール処理を行う方が、酸素雰囲気中
でアニール処理を行う場合に比べ、ウェハ表面からの深
さ方向のＣＯＰの欠陥密度が大幅に抑制されていること
がわかる。このように、ステップＳ４の高温アニール処
理を水素あるいはアルゴン雰囲気中で行うことは、酸素
等の他の雰囲気中で行う場合に比べて大幅なＣＯＰ減少
効果を有することがわかる。
すグラフである。同図に示すように、水素あるいはアル
ゴン雰囲気中でアニール処理を行う方が、酸素雰囲気中
でアニール処理を行う場合に比べ、ウェハ表面からの深
さ方向のＣＯＰの欠陥密度が大幅に抑制されていること
がわかる。このように、ステップＳ４の高温アニール処
理を水素あるいはアルゴン雰囲気中で行うことは、酸素
等の他の雰囲気中で行う場合に比べて大幅なＣＯＰ減少
効果を有することがわかる。
【００２４】＜実施の形態２＞図５はこの発明の実施の
形態２である半導体ウェハの再生方法の再生手順を示す
フローチャートである。同図に示すように、図１で示し
た実施の形態１と同様に、ステップＳ１〜Ｓ３の処理を
実行する。
形態２である半導体ウェハの再生方法の再生手順を示す
フローチャートである。同図に示すように、図１で示し
た実施の形態１と同様に、ステップＳ１〜Ｓ３の処理を
実行する。
【００２５】ステップＳ３の処理の終了後、ステップＳ
５において、エピタキシャル成長処理を行う。
５において、エピタキシャル成長処理を行う。
【００２６】図６はステップＳ５のエピタキシャル成長
処理を模式的に示した説明図である。同図に示すよう
に、ステップＳ３処理後の準再生ウェハ３から１〜１０
μｍ程度エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長
層４を形成して、準再生ウェハ３及びエピタキシャル成
長層４からなる再生ウェハ２を最終的に得ている。
処理を模式的に示した説明図である。同図に示すよう
に、ステップＳ３処理後の準再生ウェハ３から１〜１０
μｍ程度エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長
層４を形成して、準再生ウェハ３及びエピタキシャル成
長層４からなる再生ウェハ２を最終的に得ている。
【００２７】図７は実施の形態２による半導体ウェハの
再生方法による実験結果を示すグラフである。同図に示
すように、ステップＳ５のエピ（タキシャル）成長前の
ステップＳ１〜Ｓ３の処理後の準再生ウェハに１枚当た
り１８０程度のＣＯＰ，スクラッチ（微小なキズ）を含
む結晶欠陥が発生していたのが、ステップＳ５のエピ成
長後の再生ウェハでは１枚当たり１０ヶ程度と激減させ
ているのがわかる。
再生方法による実験結果を示すグラフである。同図に示
すように、ステップＳ５のエピ（タキシャル）成長前の
ステップＳ１〜Ｓ３の処理後の準再生ウェハに１枚当た
り１８０程度のＣＯＰ，スクラッチ（微小なキズ）を含
む結晶欠陥が発生していたのが、ステップＳ５のエピ成
長後の再生ウェハでは１枚当たり１０ヶ程度と激減させ
ているのがわかる。
【００２８】実施の形態２の半導体ウェハの生成方法で
は、種々の実験結果から、ＣＯＰを含む結晶欠陥を１０
ヶ／ｗｆに抑え、品質の良い再生ウェハを得ることがで
きるという事実が判明している。
は、種々の実験結果から、ＣＯＰを含む結晶欠陥を１０
ヶ／ｗｆに抑え、品質の良い再生ウェハを得ることがで
きるという事実が判明している。
【００２９】なお、図７のエピ成長前の結晶欠陥個数が
図３で示すアニール処理前のＣＯＰ数に比べ少ないの
は、実験対象となる使用済みシリコンウェハが異なるこ
とに起因している。
図３で示すアニール処理前のＣＯＰ数に比べ少ないの
は、実験対象となる使用済みシリコンウェハが異なるこ
とに起因している。
【００３０】＜実施の形態３＞図８はこの発明の実施の
形態３である半導体ウェハの再生方法の再生手順を示す
フローチャートである。同図に示すように、図１で示し
た実施の形態１と同様に、ステップＳ１，Ｓ２の処理を
実行する。
形態３である半導体ウェハの再生方法の再生手順を示す
フローチャートである。同図に示すように、図１で示し
た実施の形態１と同様に、ステップＳ１，Ｓ２の処理を
実行する。
【００３１】ステップＳ２の処理後、ステップＳ１１に
おいて、水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）のうち一方からなるアルカリ溶液に、シ
リコンウェハを浸漬する。その結果、シリコンウェハに
含まれる金属不純物等の異物の低減化を図ることができ
る。
おいて、水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）のうち一方からなるアルカリ溶液に、シ
リコンウェハを浸漬する。その結果、シリコンウェハに
含まれる金属不純物等の異物の低減化を図ることができ
る。
【００３２】次に、ステップＳ３で表面加工処理を実行
する。この表面加工処理は、図１で示した実施の形態１
のステップＳ３と同内容の処理である。
する。この表面加工処理は、図１で示した実施の形態１
のステップＳ３と同内容の処理である。
【００３３】ステップＳ３の処理の終了後、ステップＳ
４で高温アニール処理を行い、最終的に再生ウェハを得
る。なお、図８のカッコ内に示すように、ステップＳ４
の高温アニール処理に置き換えて、ステップＳ５のエピ
タキシャル成長処理を実行しても良い。
４で高温アニール処理を行い、最終的に再生ウェハを得
る。なお、図８のカッコ内に示すように、ステップＳ４
の高温アニール処理に置き換えて、ステップＳ５のエピ
タキシャル成長処理を実行しても良い。
【００３４】なお、高温アニール処理は図１のステップ
Ｓ４で示す実施の形態１の高温Ａｒによるアニール処理
と同内容であり、エピタキシャル成長処理は図５のステ
ップＳ５で示す実施の形態２のエピタキシャル成長処理
と同内容である。
Ｓ４で示す実施の形態１の高温Ａｒによるアニール処理
と同内容であり、エピタキシャル成長処理は図５のステ
ップＳ５で示す実施の形態２のエピタキシャル成長処理
と同内容である。
【００３５】このように、実施の形態３の半導体ウェハ
の再生方法は、実施の形態１あるいは実施の形態２の効
果に加え、ステップＳ１１のアルカリ溶液への浸漬処理
による異物の低減化に伴い再生ウェハの品質のより一層
の向上を図ることができる。
の再生方法は、実施の形態１あるいは実施の形態２の効
果に加え、ステップＳ１１のアルカリ溶液への浸漬処理
による異物の低減化に伴い再生ウェハの品質のより一層
の向上を図ることができる。
【００３６】＜その他＞なお、実施の形態１と実施の形
態２の組合せ方法として、実施の形態１のステップＳ４
の高温アニール処理（図１，図２参照）に続いて、実施
の形態２のステップＳ５のエピタキシャル成長処理（図
５，図６参照）を実行することにより、再生ウェハのさ
らなる品質向上を図ることができる。
態２の組合せ方法として、実施の形態１のステップＳ４
の高温アニール処理（図１，図２参照）に続いて、実施
の形態２のステップＳ５のエピタキシャル成長処理（図
５，図６参照）を実行することにより、再生ウェハのさ
らなる品質向上を図ることができる。
【００３７】同様にして、実施の形態３において、ステ
ップＳ４に続いてステップＳ５を実行することにより、
再生ウェハのさらなる品質向上を図ることができる。
ップＳ４に続いてステップＳ５を実行することにより、
再生ウェハのさらなる品質向上を図ることができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項１記載の半導体ウェハの再生方法は、ステップ
(d) で準再生ウェハに対してアニール処理を行うことに
より、準再生ウェハに残存する結晶欠陥を大幅に低減さ
せることができるため、ステップ(d) 実行後に品質の良
い再生ウェハを得ることができる。
請求項１記載の半導体ウェハの再生方法は、ステップ
(d) で準再生ウェハに対してアニール処理を行うことに
より、準再生ウェハに残存する結晶欠陥を大幅に低減さ
せることができるため、ステップ(d) 実行後に品質の良
い再生ウェハを得ることができる。
【００３９】請求項２記載の半導体ウェハの再生方法
は、１２００℃以上の水素雰囲気中で行う高温アニール
処理を行うことにより、より効果的に準再生ウェハに残
存する結晶欠陥を低減させることができるため、より一
層品質の良い再生ウェハを得ることができる。
は、１２００℃以上の水素雰囲気中で行う高温アニール
処理を行うことにより、より効果的に準再生ウェハに残
存する結晶欠陥を低減させることができるため、より一
層品質の良い再生ウェハを得ることができる。
【００４０】請求項３記載の半導体ウェハの再生方法
は、１２００℃以上のアルゴン雰囲気中で行う高温アニ
ール処理を行うことにより、より効果的に準再生ウェハ
に残存する結晶欠陥を低減させることができるため、よ
り一層品質の良い再生ウェハを得ることができる。
は、１２００℃以上のアルゴン雰囲気中で行う高温アニ
ール処理を行うことにより、より効果的に準再生ウェハ
に残存する結晶欠陥を低減させることができるため、よ
り一層品質の良い再生ウェハを得ることができる。
【００４１】請求項４記載の半導体ウェハの再生方法
は、ステップ(e) で、水酸化カリウム及び水酸化ナトリ
ウムのうち一方からなるアルカリ溶液に使用済み半導体
ウェハを浸漬することにより、使用済み半導体ウェハに
付着する金属不純物等の異物の低減化を図ることができ
る。
は、ステップ(e) で、水酸化カリウム及び水酸化ナトリ
ウムのうち一方からなるアルカリ溶液に使用済み半導体
ウェハを浸漬することにより、使用済み半導体ウェハに
付着する金属不純物等の異物の低減化を図ることができ
る。
【００４２】請求項５記載の半導体ウェハの再生方法
は、ステップ(g) で、ステップ(d) 後の準再生ウェハか
らエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形
成することにより、準再生ウェハに残存する結晶欠陥を
さらに低減させることができるため、ステップ(g) の実
行後に、準再生ウェハ及びエピタキシャル成長層からな
る、より品質の良い再生ウェハを得ることができる。
は、ステップ(g) で、ステップ(d) 後の準再生ウェハか
らエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形
成することにより、準再生ウェハに残存する結晶欠陥を
さらに低減させることができるため、ステップ(g) の実
行後に、準再生ウェハ及びエピタキシャル成長層からな
る、より品質の良い再生ウェハを得ることができる。
【００４３】この発明における請求項６記載の半導体ウ
ェハの再生方法は、ステップ(d) で、準再生ウェハから
エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形成
することにより、準再生ウェハに残存する結晶欠陥を大
幅に低減させることができるため、ステップ(d) 実行後
に、準再生ウェハ及びエピタキシャル成長層からなる、
品質の良い再生ウェハを得ることができる。
ェハの再生方法は、ステップ(d) で、準再生ウェハから
エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形成
することにより、準再生ウェハに残存する結晶欠陥を大
幅に低減させることができるため、ステップ(d) 実行後
に、準再生ウェハ及びエピタキシャル成長層からなる、
品質の良い再生ウェハを得ることができる。
【００４４】請求項７記載の半導体ウェハの再生方法
は、ステップ(e) で、水酸化カリウム及び水酸化ナトリ
ウムのうち一方からなるアルカリ溶液に使用済み半導体
ウェハを浸漬することにより、使用済み半導体ウェハに
付着する金属不純物等の異物の低減化を図ることができ
る。
は、ステップ(e) で、水酸化カリウム及び水酸化ナトリ
ウムのうち一方からなるアルカリ溶液に使用済み半導体
ウェハを浸漬することにより、使用済み半導体ウェハに
付着する金属不純物等の異物の低減化を図ることができ
る。
【００４５】請求項８記載の半導体ウェハの再生方法
は、結晶欠陥の低減処理が一般的に施されていないダミ
ー半導体ウェハに対しても、準再生ウェハに残存する結
晶欠陥を大幅に低減させるステップを実行することによ
り、品質の良い再生ウェハを得ることができる。
は、結晶欠陥の低減処理が一般的に施されていないダミ
ー半導体ウェハに対しても、準再生ウェハに残存する結
晶欠陥を大幅に低減させるステップを実行することによ
り、品質の良い再生ウェハを得ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１である半導体ウェハ
の再生方法の再生手順を示すフローチャートである。
の再生方法の再生手順を示すフローチャートである。
【図２】 実施の形態１の高温アニール処理を模式的に
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】 実施の形態１の再生方法による実験結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】 アニール処理の処理内容の比較を示すグラフ
である。
である。
【図５】 この発明の実施の形態２である半導体ウェハ
の再生方法の再生手順を示すフローチャートである。
の再生方法の再生手順を示すフローチャートである。
【図６】 実施の形態２のエピタキシャル成長処理を模
式的に示した説明図である。
式的に示した説明図である。
【図７】 実施の形態２の再生方法による実験結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】 この発明の実施の形態３である半導体ウェハ
の再生方法の再生手順を示すフローチャートである。
の再生方法の再生手順を示すフローチャートである。
【図９】 ＣＯＰの例を模式的に示す説明図である。
【図１０】 ＣＯＰの他の例を模式的に示す説明図であ
る。
る。
１，２ 再生ウェハ、３ 準再生ウェハ、４ エピタキ
シャル成長層。
シャル成長層。
Claims (8)
- 【請求項１】 金属膜及び絶縁膜を有する表面被覆層を
少なくとも表面に形成した使用済み半導体ウェハを再生
する半導体ウェハの再生方法であって、 (a) 前記使用済み半導体ウェハの表面を研磨するステッ
プと、 (b) 前記ステップ(a) 後の前記使用済み半導体ウェハ
を、少なくとも２種類以上の酸よりなる混合酸に浸漬す
るステップと、 (c) 前記ステップ(b) 後の前記使用済み半導体ウェハに
対し表面加工処理を行うステップと、 (d) 前記ステップ(c) 後の前記使用済み半導体ウェハで
ある準再生ウェハに対して、アニール処理を行うステッ
プと、を備える半導体ウェハの再生方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェハの再生方法
であって、 前記ステップ(d) のアニール処理は、１２００℃以上の
水素雰囲気中で行う高温アニール処理を含む、半導体ウ
ェハの再生方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体ウェハの再生方法
であって、 前記ステップ(d) のアニール処理は、１２００℃以上の
アルゴン雰囲気中で行う高温アニール処理を含む、半導
体ウェハの再生方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のうち、いずれ
か１項に記載の半導体ウェハの再生方法であって、 (e) 前記ステップ(b) の後でかつ前記ステップ(c) の前
に実行され、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムのう
ち一方からなるアルカリ溶液に前記使用済み半導体ウェ
ハを浸漬するステップをさらに備える、半導体ウェハの
再生方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のうち、いずれ
か１項に記載の半導体ウェハの再生方法であって、 (g) 前記ステップ(ｄ) 後の前記準再生ウェハからエピ
タキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形成する
ステップをさらに備え、前記準再生ウェハと前記エピタ
キシャル成長層によって再生ウェハが得られる、半導体
ウェハの再生方法。 - 【請求項６】 金属膜及び絶縁膜を有する表面被覆層を
少なくとも表面に形成した使用済み半導体ウェハを再生
する半導体ウェハの再生方法であって、 (a) 前記使用済み半導体ウェハの表面を研磨するステッ
プと、 (b) 前記ステップ(a) 後の前記使用済み半導体ウェハ
を、少なくとも２種類以上の酸よりなる混合酸に浸漬す
るステップと、 (c) 前記ステップ(b) 後の前記使用済み半導体ウェハに
対し表面加工処理を行うステップと、 (d) 前記ステップ(c) 後の前記使用済み半導体ウェハで
ある準再生ウェハからエピタキシャル成長させてエピタ
キシャル成長層を形成するステップとを備え、前記準再
生ウェハと前記エピタキシャル成長層によって再生ウェ
ハが得られる、半導体ウェハの再生方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体ウェハの再生方法
であって、 (e) 前記ステップ(b) の後でかつ前記ステップ(c) の前
に実行され、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムのう
ち一方からなるアルカリ溶液にシリコンウェハを浸漬す
るステップをさらに備える、半導体ウェハの再生方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のうち、いずれ
か１項に記載の半導体ウェハの再生方法であって、 前記使用済み半導体ウェハは集積回路がその表面に形成
されないテスト用のダミー半導体ウェハを含む、半導体
ウェハの再生方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035083A JP2003243403A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 半導体ウェハの再生方法 |
| US10/175,784 US6706636B2 (en) | 2002-02-13 | 2002-06-21 | Method of regenerating semiconductor wafer |
| KR1020020035371A KR20030068354A (ko) | 2002-02-13 | 2002-06-24 | 반도체 웨이퍼의 재생방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035083A JP2003243403A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 半導体ウェハの再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243403A true JP2003243403A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27654958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002035083A Pending JP2003243403A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 半導体ウェハの再生方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003243403A (ja) |
| KR (1) | KR20030068354A (ja) |
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| US7261617B1 (en) | 2006-04-28 | 2007-08-28 | Youth Tech Co., Ltd. | Semiconductor wafer regenerating system and method |
| WO2008039730A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application |
| WO2012048079A2 (en) | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
| TW201310692A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-01 | Solution Chemicals Inc | Ｌｅｄ之基板重製方法 |
Family Cites Families (14)
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| US5855735A (en) * | 1995-10-03 | 1999-01-05 | Kobe Precision, Inc. | Process for recovering substrates |
| US5648742A (en) * | 1995-10-23 | 1997-07-15 | National Semiconductor Corporation | Amplifier circuit with reduced turn-on and turn-off transients |
| JP3847423B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2006-11-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 定電圧発生装置 |
| JPH11168106A (ja) | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JP3932369B2 (ja) * | 1998-04-09 | 2007-06-20 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ |
| JP3500063B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2004-02-23 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ |
| JP3668647B2 (ja) | 1998-08-28 | 2005-07-06 | コウベ プレシジョン インク | 半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液 |
| TW416104B (en) | 1998-08-28 | 2000-12-21 | Kobe Steel Ltd | Method for reclaiming wafer substrate and polishing solution composition for reclaiming wafer substrate |
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| TW448245B (en) | 1999-08-04 | 2001-08-01 | Li Shin Hua | Use of chemical mechanical polishing and/or PVA scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers |
| KR100323496B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-02-06 | 윤배원 | 반도체 웨이퍼의 재생 장치 및 방법 |
| DE10010820C1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Regenerierung von Halbleiterscheiben |
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2002
- 2002-02-13 JP JP2002035083A patent/JP2003243403A/ja active Pending
- 2002-06-21 US US10/175,784 patent/US6706636B2/en not_active Expired - Fee Related
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