JP2003332292A - シリコン製品の浄化方法 - Google Patents
シリコン製品の浄化方法Info
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- JP2003332292A JP2003332292A JP2002218038A JP2002218038A JP2003332292A JP 2003332292 A JP2003332292 A JP 2003332292A JP 2002218038 A JP2002218038 A JP 2002218038A JP 2002218038 A JP2002218038 A JP 2002218038A JP 2003332292 A JP2003332292 A JP 2003332292A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属汚染物質をほぼ完全に除去し得るシリコ
ン製品の浄化方法を提供する。 【解決手段】 シリコン製品をフッ化水素酸に浸漬して
酸化膜を除去し、フッ化水素酸及び硝酸の混合液に浸漬
して汚染表層を溶解除去した後、フッ化水素酸、硝酸及
び塩酸の混合液に浸漬して表面の吸着金属汚染物質を遊
離させ、しかる後に、純水によりリンスし、自然乾燥す
る。
ン製品の浄化方法を提供する。 【解決手段】 シリコン製品をフッ化水素酸に浸漬して
酸化膜を除去し、フッ化水素酸及び硝酸の混合液に浸漬
して汚染表層を溶解除去した後、フッ化水素酸、硝酸及
び塩酸の混合液に浸漬して表面の吸着金属汚染物質を遊
離させ、しかる後に、純水によりリンスし、自然乾燥す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体分野で使用
されるシリコン製のウエーハボートやフォーク、ダミー
ウェーハ、ウエーハ等のシリコン製品の金属不純物を除
去して清浄にするシリコン製品の浄化方法に関する。
されるシリコン製のウエーハボートやフォーク、ダミー
ウェーハ、ウエーハ等のシリコン製品の金属不純物を除
去して清浄にするシリコン製品の浄化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、シリコン（Ｓｉ）製品としてのシ
リコン製のウエーハボートやフォーク、ダミーウェー
ハ、ウェーハ等の表面あるいは表層数十μｍには、加工
による又は熱処理炉内での使用若しくは処理に伴う金属
汚染が存在する。この金属汚染物質が鉄（Ｆｅ）の場
合、最表面で１０12〜１０16atoms ／ｃｍ 3 程度と非常
に高くなっているが、表面からの深さが増すにつれて徐
々に減少し、深さ約３０μｍ以上では加工汚染を受けに
くくなり、バルク（結晶）純度を示す。かかるシリコン
製品としてのウェーハボートやフォーク、ダミーウェー
ハを用いてシリコンウエーハを熱処理すると、ウェーハ
ボートやフォークと接触した若しくはダミーウェーハの
近傍のシリコンウエーハが金属汚染されることとなるの
で、金属汚染物質を除去して清浄にするためのウェーハ
ボートやフォークの浄化若しくはダミーウェーハの廃棄
が行われ、又、シリコンウェーハを用いて半導体デバイ
スを製造すると、その歩留まりが低下するので、シリコ
ンウェーハの浄化が行われている。
リコン製のウエーハボートやフォーク、ダミーウェー
ハ、ウェーハ等の表面あるいは表層数十μｍには、加工
による又は熱処理炉内での使用若しくは処理に伴う金属
汚染が存在する。この金属汚染物質が鉄（Ｆｅ）の場
合、最表面で１０12〜１０16atoms ／ｃｍ 3 程度と非常
に高くなっているが、表面からの深さが増すにつれて徐
々に減少し、深さ約３０μｍ以上では加工汚染を受けに
くくなり、バルク（結晶）純度を示す。かかるシリコン
製品としてのウェーハボートやフォーク、ダミーウェー
ハを用いてシリコンウエーハを熱処理すると、ウェーハ
ボートやフォークと接触した若しくはダミーウェーハの
近傍のシリコンウエーハが金属汚染されることとなるの
で、金属汚染物質を除去して清浄にするためのウェーハ
ボートやフォークの浄化若しくはダミーウェーハの廃棄
が行われ、又、シリコンウェーハを用いて半導体デバイ
スを製造すると、その歩留まりが低下するので、シリコ
ンウェーハの浄化が行われている。
【０００３】従来、シリコン製品の浄化方法としては、
シリコン製品をフッ化水素（ＨＦ）酸により洗浄して表
面汚染を除去した後、フッ化水素酸及び過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ 2 ）水の混合液により洗浄する通常の方法、あるい
はシリコン製品をフッ化水素酸に浸漬して酸化膜を除去
した後、フッ化水素酸及び硝酸（ＨＮＯ3 ）の混合液に
浸漬して汚染表層を溶解除去（エッチング）する方法
（特開平５−１７５１８２号公報参照）が知られてい
る。
シリコン製品をフッ化水素（ＨＦ）酸により洗浄して表
面汚染を除去した後、フッ化水素酸及び過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ 2 ）水の混合液により洗浄する通常の方法、あるい
はシリコン製品をフッ化水素酸に浸漬して酸化膜を除去
した後、フッ化水素酸及び硝酸（ＨＮＯ3 ）の混合液に
浸漬して汚染表層を溶解除去（エッチング）する方法
（特開平５−１７５１８２号公報参照）が知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のシリコ
ン製品の浄化方法における前者の方法では、表面の汚染
は除去されるものの、依然として表層の金属汚染物質を
除去することができない。一方、後者の方法では、汚染
表層を除去できるものの、表面の活性が高くなり、フッ
化水素酸及び硝酸の混合液に溶解した金属が表面に吸着
されることにより、完全な汚染除去が困難となる不具合
がある。
ン製品の浄化方法における前者の方法では、表面の汚染
は除去されるものの、依然として表層の金属汚染物質を
除去することができない。一方、後者の方法では、汚染
表層を除去できるものの、表面の活性が高くなり、フッ
化水素酸及び硝酸の混合液に溶解した金属が表面に吸着
されることにより、完全な汚染除去が困難となる不具合
がある。
【０００５】そこで、本発明は、金属汚染物質をほぼ完
全に除去し得るシリコン製品の浄化方法を提供すること
を目的とする。
全に除去し得るシリコン製品の浄化方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１のシリコン製品の浄化方法は、シリコ
ン製品をフッ化水素酸に浸漬して酸化膜を除去し、フッ
化水素酸及び硝酸の混合液に浸漬して汚染表層を溶解除
去した後、フッ化水素酸、硝酸及び塩酸の混合液に浸漬
して表面の吸着金属汚染物質を遊離させ、しかる後に、
純水によりリンスし、自然乾燥することを特徴とする。
め、本発明の第１のシリコン製品の浄化方法は、シリコ
ン製品をフッ化水素酸に浸漬して酸化膜を除去し、フッ
化水素酸及び硝酸の混合液に浸漬して汚染表層を溶解除
去した後、フッ化水素酸、硝酸及び塩酸の混合液に浸漬
して表面の吸着金属汚染物質を遊離させ、しかる後に、
純水によりリンスし、自然乾燥することを特徴とする。
【０００７】第２のシリコン製品の浄化方法は、シリコ
ン製品に塩化水素、酸素の混合ガスによる高温ドライ純
化処理を施してから、シリコン製品をフッ化水素酸に浸
漬して酸化膜を除去し、フッ化水素酸及び硝酸の混合液
に浸漬して汚染表層を溶解除去した後、フッ化水素酸、
硝酸及び塩酸の混合液に浸漬して表面の吸着金属汚染物
質を遊離させ、しかる後に、純水によりリンスし、自然
乾燥することを特徴とする。
ン製品に塩化水素、酸素の混合ガスによる高温ドライ純
化処理を施してから、シリコン製品をフッ化水素酸に浸
漬して酸化膜を除去し、フッ化水素酸及び硝酸の混合液
に浸漬して汚染表層を溶解除去した後、フッ化水素酸、
硝酸及び塩酸の混合液に浸漬して表面の吸着金属汚染物
質を遊離させ、しかる後に、純水によりリンスし、自然
乾燥することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の第１のシリコン製品の浄化方法におい
ては、酸化膜及び汚染表層が順次除去された後、表面に
吸着した金属汚染物質が遊離させられてからすすぎ出さ
れ、しかる後に、自然酸化膜が形成される。
ては、酸化膜及び汚染表層が順次除去された後、表面に
吸着した金属汚染物質が遊離させられてからすすぎ出さ
れ、しかる後に、自然酸化膜が形成される。
【０００９】又、第２のシリコン製品の浄化方法におい
ては、バルク中の金属汚染物質が表面・表層に移動され
てから、酸化膜及び汚染表層が順次除去された後、表面
に吸着した金属汚染物質が遊離させられてからすすぎ出
され、しかる後に、自然酸化膜が形成される。
ては、バルク中の金属汚染物質が表面・表層に移動され
てから、酸化膜及び汚染表層が順次除去された後、表面
に吸着した金属汚染物質が遊離させられてからすすぎ出
され、しかる後に、自然酸化膜が形成される。
【００１０】酸化膜を除去するフッ化水素酸としては、
濃度５％以上６０％以下（以下、５〜６０％と表す。）
のものが用いられる。
濃度５％以上６０％以下（以下、５〜６０％と表す。）
のものが用いられる。
【００１１】フッ化水素酸及び硝酸の混合液としては、
濃度４０〜６０％のフッ化水素酸と濃度５０〜９０％の
硝酸とをおよそ１：３〜５の割合で混合したものが用い
られる。
濃度４０〜６０％のフッ化水素酸と濃度５０〜９０％の
硝酸とをおよそ１：３〜５の割合で混合したものが用い
られる。
【００１２】フッ化水素酸、硝酸及び塩酸の混合液とし
ては、濃度４０〜６０％のフッ化水素酸、濃度５０〜９
０％の硝酸及び濃度２５〜５０％の塩酸を１：１：１〜
７の割合で混合したものが用いられる。
ては、濃度４０〜６０％のフッ化水素酸、濃度５０〜９
０％の硝酸及び濃度２５〜５０％の塩酸を１：１：１〜
７の割合で混合したものが用いられる。
【００１３】高温ドライ純化処理は、塩化水素ガスを１
０〜３０％含む酸素ガス雰囲気においてシリコン製品を
１０００〜１３００℃の温度で１〜６０時間熱処理する
ことにより行う。
０〜３０％含む酸素ガス雰囲気においてシリコン製品を
１０００〜１３００℃の温度で１〜６０時間熱処理する
ことにより行う。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的な実施例、比較例を参照して説明する。 実施例１ 先ず、実用されているシリコン製のウエーハボートから
直方体状のテストピース（約１９×１７×２０ｍｍ）を
切り出し、このテストピースを、塩化水素ガスを２０％
含む酸素ガス雰囲気において１２００℃の温度で６０時
間熱処理することにより、高温ドライ純化処理した。次
に、テストピースを、濃度１０％のフッ化水素酸に浸漬
して酸化膜（表面に付着した金属汚染物質を含む）を除
去した後、濃度５０％のフッ化水素酸及び濃度６０％の
硝酸を１：５の割合で混合した混合液に５分間浸漬して
汚染表層（１５μｍ）を溶解除去した。次いで、テスト
ピースを、濃度５０％のフッ化水素酸、濃度６０％の硝
酸、濃度４０％の塩酸及び純水を約１：１：１：７の割
合で混合した混合液に５分間浸漬し、上記フッ化水素酸
及び硝酸の混合液による溶解除去に伴って表面に吸着し
た金属汚染物質を遊離させた後、純水によりリンスして
金属汚染物質をすすぎ出し、しかる後に、自然乾燥して
自然酸化膜を形成した。
て具体的な実施例、比較例を参照して説明する。 実施例１ 先ず、実用されているシリコン製のウエーハボートから
直方体状のテストピース（約１９×１７×２０ｍｍ）を
切り出し、このテストピースを、塩化水素ガスを２０％
含む酸素ガス雰囲気において１２００℃の温度で６０時
間熱処理することにより、高温ドライ純化処理した。次
に、テストピースを、濃度１０％のフッ化水素酸に浸漬
して酸化膜（表面に付着した金属汚染物質を含む）を除
去した後、濃度５０％のフッ化水素酸及び濃度６０％の
硝酸を１：５の割合で混合した混合液に５分間浸漬して
汚染表層（１５μｍ）を溶解除去した。次いで、テスト
ピースを、濃度５０％のフッ化水素酸、濃度６０％の硝
酸、濃度４０％の塩酸及び純水を約１：１：１：７の割
合で混合した混合液に５分間浸漬し、上記フッ化水素酸
及び硝酸の混合液による溶解除去に伴って表面に吸着し
た金属汚染物質を遊離させた後、純水によりリンスして
金属汚染物質をすすぎ出し、しかる後に、自然乾燥して
自然酸化膜を形成した。
【００１５】比較例１
先ず、実施例１と同様に、実用されているシリコン製の
ウエーハボートから実施例１と同様のテストピースを切
り出し、このテストピースに、実施例１と同様に塩化水
素、酸素の混合ガスによる高温ドライ純化処理を施し
た。次に、テストピースを、濃度１０％のフッ化水素酸
に浸漬して酸化膜（表面に付着した金属汚染物質を含
む）を除去した後、濃度０．５％のフッ化水素酸及び濃
度３．５％の過酸化水素水を１：６の割合で混合した混
合液に３０分間浸漬して洗浄した。
ウエーハボートから実施例１と同様のテストピースを切
り出し、このテストピースに、実施例１と同様に塩化水
素、酸素の混合ガスによる高温ドライ純化処理を施し
た。次に、テストピースを、濃度１０％のフッ化水素酸
に浸漬して酸化膜（表面に付着した金属汚染物質を含
む）を除去した後、濃度０．５％のフッ化水素酸及び濃
度３．５％の過酸化水素水を１：６の割合で混合した混
合液に３０分間浸漬して洗浄した。
【００１６】実施例１及び比較例１のテストピースの浄
化効果を評価するため、各テストピースを同ロットの異
なるＣＺシリコンウエーハ（直径１５０ｍｍ）の表面中
央部に置き、水素ガス（Ｈ2 ）雰囲気において１２００
℃の温度で１時間熱処理する転写を行った後、テストピ
ースが置かれたそれぞれのＣＺシリコンウエーハの表面
中央部を９区画に区画し、表面光電圧法（ＳＰＶ）によ
り鉄濃度を測定したところ、鉄濃度１０12atoms ／ｃｍ
3 と高い区画が、実施例１のテストピースは１個しかな
かったのに対し、比較例１のテストピースは６個もあっ
た。したがって、実施例１の浄化方法は、シリコン製品
の高純度化にとって非常に有効であることが分かる。
化効果を評価するため、各テストピースを同ロットの異
なるＣＺシリコンウエーハ（直径１５０ｍｍ）の表面中
央部に置き、水素ガス（Ｈ2 ）雰囲気において１２００
℃の温度で１時間熱処理する転写を行った後、テストピ
ースが置かれたそれぞれのＣＺシリコンウエーハの表面
中央部を９区画に区画し、表面光電圧法（ＳＰＶ）によ
り鉄濃度を測定したところ、鉄濃度１０12atoms ／ｃｍ
3 と高い区画が、実施例１のテストピースは１個しかな
かったのに対し、比較例１のテストピースは６個もあっ
た。したがって、実施例１の浄化方法は、シリコン製品
の高純度化にとって非常に有効であることが分かる。
【００１７】実施例２
先ず、シリコンウェーハの熱処理プロセスにおいて、製
品ウェーハの金属汚染を防ぐため、縦型熱処理炉の炉芯
管内に装入したシリコン製の縦型のウェーハボートの上
部と下部に、複数の製品ウェーハを挟むように載置され
たシリコン製のダミーウェーハの数回の使用後の鉄濃度
を表面光電圧法により測定したところ、その全面におい
て鉄濃度１０12atoms/ｃｍ3 以上であった。次に、金属
汚染された上記ダミーウェーハを、塩化水素ガスを２０
％含む酸素ガス雰囲気において１２００℃の温度で数時
間処理することにより、高温ドライ鈍化処理した。次い
で、上記ダミーウェーハを、濃度１０％のフッ化水素酸
に浸漬して酸化膜（表面に付着した金属汚染物質を含
む）を除去した後、濃度５０％のフッ化水素酸及び濃度
７０％の硝酸を１：３の割合で混合した混合液に１分間
浸漬して汚染度層（５０μｍ）を溶解除去した。次に、
上記ダミーウェーハを、濃度１０％のフッ化水素酸、濃
度７０％の硝酸、濃度３６％の塩酸及び純水を約１：
１：１：７の割合で混合した混合液に約５分間浸漬し、
上記フッ化水素酸及び硝酸の混合液による溶解除去に伴
って表面に付着した金属汚染物質を遊離させた後、純水
によりリンスして金属汚染物質をすすぎ出し、しかる
後、自然乾燥して自然酸化膜を形成した。上述したよう
に処理したダミーウェーハの鉄濃度を表面光電圧法によ
り測定したところ、その全面において鉄濃度１０9 〜１
０10atoms/ｃｍ3 になり、新品のシリコンウェーハ並み
の高清浄度を示した。
品ウェーハの金属汚染を防ぐため、縦型熱処理炉の炉芯
管内に装入したシリコン製の縦型のウェーハボートの上
部と下部に、複数の製品ウェーハを挟むように載置され
たシリコン製のダミーウェーハの数回の使用後の鉄濃度
を表面光電圧法により測定したところ、その全面におい
て鉄濃度１０12atoms/ｃｍ3 以上であった。次に、金属
汚染された上記ダミーウェーハを、塩化水素ガスを２０
％含む酸素ガス雰囲気において１２００℃の温度で数時
間処理することにより、高温ドライ鈍化処理した。次い
で、上記ダミーウェーハを、濃度１０％のフッ化水素酸
に浸漬して酸化膜（表面に付着した金属汚染物質を含
む）を除去した後、濃度５０％のフッ化水素酸及び濃度
７０％の硝酸を１：３の割合で混合した混合液に１分間
浸漬して汚染度層（５０μｍ）を溶解除去した。次に、
上記ダミーウェーハを、濃度１０％のフッ化水素酸、濃
度７０％の硝酸、濃度３６％の塩酸及び純水を約１：
１：１：７の割合で混合した混合液に約５分間浸漬し、
上記フッ化水素酸及び硝酸の混合液による溶解除去に伴
って表面に付着した金属汚染物質を遊離させた後、純水
によりリンスして金属汚染物質をすすぎ出し、しかる
後、自然乾燥して自然酸化膜を形成した。上述したよう
に処理したダミーウェーハの鉄濃度を表面光電圧法によ
り測定したところ、その全面において鉄濃度１０9 〜１
０10atoms/ｃｍ3 になり、新品のシリコンウェーハ並み
の高清浄度を示した。
【００１８】そして、前述したように処理して再生させ
た１０枚のダミーウェーハを、縦型熱処理炉の炉芯管内
に装入したシリコン製の縦型のウェーハボートの上部と
下部に、ＣＺ法による複数のシリコンウェーハ（製品ウ
ェーハ）を挟むようにそれぞれ５枚ずつ載置し、水素ガ
ス雰囲気において１２００℃の濃度で１時間熱処理する
一方、新品の１０枚のダミーウェーハを、同様のウェー
ハボートの上部と下部に、同様に載置して同様に熱処理
し、それぞれの製品ウェーハの鉄濃度を表面光電圧法に
より測定したところ、いずれも全面において鉄濃度１０
11atoms/ｃｍ3以下となり、両者に差が認められなかっ
た。又、再生させたダミーウェーハ、新品のダミーウェ
ーハを用いて上述したように処理したそれぞれの製品ウ
ェーハ上の厚さ２０ｎｍの酸化膜の耐圧試験を行ったと
ころ、新品ダミーウェーハを用いて処理した製品ウェー
ハより、再生ダミーウェーハを用いて処理した製品ウェ
ーハの方が、耐圧破壊に強く、かつ、鉄を含むすべての
重金属汚染度が少ないことが分った。したがって、使用
後のダミーウェーハに対して前述した浄化処理を施すこ
とにより、従来のように廃棄することなく、再生利用し
得ることが分る。
た１０枚のダミーウェーハを、縦型熱処理炉の炉芯管内
に装入したシリコン製の縦型のウェーハボートの上部と
下部に、ＣＺ法による複数のシリコンウェーハ（製品ウ
ェーハ）を挟むようにそれぞれ５枚ずつ載置し、水素ガ
ス雰囲気において１２００℃の濃度で１時間熱処理する
一方、新品の１０枚のダミーウェーハを、同様のウェー
ハボートの上部と下部に、同様に載置して同様に熱処理
し、それぞれの製品ウェーハの鉄濃度を表面光電圧法に
より測定したところ、いずれも全面において鉄濃度１０
11atoms/ｃｍ3以下となり、両者に差が認められなかっ
た。又、再生させたダミーウェーハ、新品のダミーウェ
ーハを用いて上述したように処理したそれぞれの製品ウ
ェーハ上の厚さ２０ｎｍの酸化膜の耐圧試験を行ったと
ころ、新品ダミーウェーハを用いて処理した製品ウェー
ハより、再生ダミーウェーハを用いて処理した製品ウェ
ーハの方が、耐圧破壊に強く、かつ、鉄を含むすべての
重金属汚染度が少ないことが分った。したがって、使用
後のダミーウェーハに対して前述した浄化処理を施すこ
とにより、従来のように廃棄することなく、再生利用し
得ることが分る。
【００１９】なお、上述した実施の形態においては、シ
リコン製品に塩化水素、酸素ガスの混合ガスによる高温
ドライ純化処理を施した後、酸化膜及び汚染表層の除
去、表面に吸着した金属汚染物質の遊離させられてから
のすすぎ出し及び自然酸化膜の形成を順次行う場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、シリ
コン製品に塩化水素、酸素ガスの混合ガスによる高温ド
ライ純化処理を施すことなく、酸化膜及び汚染表層の除
去、表面に吸着した金属汚染物質の遊離させられてから
のすすぎ出し及び自然酸化膜の形成を順次行うようにし
てもよい。事前に塩化水素、酸素ガスの混合ガスによる
高温ドライ純化処理を施す場合に比べ、汚染表層の除去
厚さを大きくしなければならない場合がある点を除け
ば、ほぼ同様の作用効果が得られる。又、シリコン製品
としては、ウエーハボートやダミーウェーハに限らず、
シリコン製のフォーク等の治具あるいはシリコンウエー
ハ、その他であってもよい。
リコン製品に塩化水素、酸素ガスの混合ガスによる高温
ドライ純化処理を施した後、酸化膜及び汚染表層の除
去、表面に吸着した金属汚染物質の遊離させられてから
のすすぎ出し及び自然酸化膜の形成を順次行う場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、シリ
コン製品に塩化水素、酸素ガスの混合ガスによる高温ド
ライ純化処理を施すことなく、酸化膜及び汚染表層の除
去、表面に吸着した金属汚染物質の遊離させられてから
のすすぎ出し及び自然酸化膜の形成を順次行うようにし
てもよい。事前に塩化水素、酸素ガスの混合ガスによる
高温ドライ純化処理を施す場合に比べ、汚染表層の除去
厚さを大きくしなければならない場合がある点を除け
ば、ほぼ同様の作用効果が得られる。又、シリコン製品
としては、ウエーハボートやダミーウェーハに限らず、
シリコン製のフォーク等の治具あるいはシリコンウエー
ハ、その他であってもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１のシ
リコン製品の浄化方法によれば、酸化膜及び汚染表層が
順次除去された後、表面に吸着した金属汚染物質が遊離
させられてからすすぎ出され、しかる後に、自然酸化膜
が形成されるので、従来に比べてシリコン製品中の金属
汚染物質をほぼ完全に除去することができる。
リコン製品の浄化方法によれば、酸化膜及び汚染表層が
順次除去された後、表面に吸着した金属汚染物質が遊離
させられてからすすぎ出され、しかる後に、自然酸化膜
が形成されるので、従来に比べてシリコン製品中の金属
汚染物質をほぼ完全に除去することができる。
【００２１】又、第２のシリコン製品の浄化方法によれ
ば、バルク中の金属汚染物質が表面・表層に移動されて
から、酸化膜及び汚染表層が順次除去された後、表面に
吸着した金属汚染物質が遊離させられてからすすぎ出さ
れ、しかる後に、自然酸化膜が形成されるので、従来に
比べてシリコン製品中の金属汚染物質を表層の除去厚さ
の増大を招くことなくほぼ完全に除去することができ
る。
ば、バルク中の金属汚染物質が表面・表層に移動されて
から、酸化膜及び汚染表層が順次除去された後、表面に
吸着した金属汚染物質が遊離させられてからすすぎ出さ
れ、しかる後に、自然酸化膜が形成されるので、従来に
比べてシリコン製品中の金属汚染物質を表層の除去厚さ
の増大を招くことなくほぼ完全に除去することができ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3B201 BB05 BB93 BB96 CC01
4D056 EA01
4K057 WA01 WB06 WE02 WE07 WE08
WN01
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン製品をフッ化水素酸に浸漬して
酸化膜を除去し、フッ化水素酸及び硝酸の混合液に浸漬
して汚染表層を溶解除去した後、フッ化水素酸、硝酸及
び塩酸の混合液に浸漬して表面の吸着金属汚染物質を遊
離させ、しかる後に、純水によりリンスし、自然乾燥す
ることを特徴とするシリコン製品の浄化方法。 - 【請求項２】 シリコン製品に塩化水素、酸素の混合ガ
スによる高温ドライ純化処理を施してから、シリコン製
品をフッ化水素酸に浸漬して酸化膜を除去し、フッ化水
素酸及び硝酸の混合液に浸漬して汚染表層を溶解除去し
た後、フッ化水素酸、硝酸及び塩酸の混合液に浸漬して
表面の吸着金属汚染物質を遊離させ、しかる後に、純水
によりリンスし、自然乾燥することを特徴とするシリコ
ン製品の浄化方法。
Priority Applications (1)
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