CN102205329B - 一种硅片料的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种硅片料的清洗方法，该方法将硅片料依次经过下列清洗工序：A：采用氢氟酸浸泡一定时间，之后用水冲洗干净；B：采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间；C：采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗，之后用水冲洗干净；D：采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间；E：采用盐酸和离子水混合液进行中和。采用本发明，根据实验结果表明，硅片料的得率在97％以上，与原清洗方法得率在90～92％相比，提高得率至少在5％以上，同时，也能防止坩埚腐蚀穿透现象，加强了安全生产。

Description

一种硅片料的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种硅片料的清洗方法。
背景技术
目前，一般直接采用片碱对硅片料进行清洗，这种清洗方法当碱处理不彻底在直拉单晶环节中，易对石英坩埚造成析晶，从而加大成晶难度，甚至会对坩埚造成腐蚀穿透，严重影响直拉单晶的安全性和成品率，且片碱冼片料对硅料的损耗较大。
发明内容
本发明的目的是提供能提高直拉单晶的成品率的一种硅片料的清洗方法。
本发明采取的技术方案是：一种硅片料的清洗方法，其特征在于将硅片料依次经过下列清洗工序：
A：采用氢氟酸浸泡一定时间，之后用水冲洗干净；
B：采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间；
C：采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗，之后用水冲洗干净；
D：采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间；
E：采用盐酸和离子水混合液进行中和。
所述的采用氢氟酸浸泡一定时间中，氢氟酸的质量百分比浓度在55％以上，在常温下浸泡20小时以上；
所述的采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间，硝酸的质量百分比浓度在58％以上，盐酸的质量百分比浓度在36％以上，按体积比1∶2～4的比例制成王水，在常温下浸泡8小时以上；
所述的氢氟酸与硝酸的混合液，采用的氢氟酸与硝酸均在试剂级以上，按体积比1∶15～25的比例进行混合；
所述的采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间，氢氧化钠溶液的质量百分比浓度在98％以上，在常温下漂洗1～2分钟；
所述的盐酸和离子水的混合液，其中的盐酸的质量百分比浓度在36％以上，离子水的电阻在15兆欧姆以上，按体积比1∶0.8～1.2的比例进行混合；
采用本发明，根据实验结果表明，硅片料的得率在97％以上，与原清洗方法得率在90～92％相比，提高得率至少在5％以上，同时，也能防止坩埚腐蚀穿透现象，加强了安全生产。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。
本实施例按以下步骤进行：
一、采用质量百分比浓度在55％以上的工业用氢氟酸，在常温下将硅片料完全覆盖浸泡20小时以上，之后用水冲洗干净。
二、采用质量百分比浓度在58％以上的硝酸，与质量百分比浓度在36％以上盐酸，按体积比1∶2～4的比例混合制成王水，将经过步骤一后的硅片料放入王水中，在常温下浸泡浸泡8小时以上；当然，在加热下浸泡，时间可以减少。
三、采用均在试剂级以上的氢氟酸与硝酸，按体积比1∶15～25的比例进行混合后，清洗经过步骤二后的硅片料，之后用水冲洗干净；
四、采用质量百分比浓度在98％以上的氢氧化钠溶液，在常温下漂洗经过步骤三后的硅片料1～2分钟；
五、采用质量百分比浓度在36％以上盐酸和电阻在15兆欧姆以上的离子水混合液，按体积比1∶0.8～1.2的比例进行混合，将经过步骤四的硅片料进行中和即可。

Claims (5)

1.一种硅片料的清洗方法，其特征在于将硅片料依次经过下列清洗工序：
A：采用氢氟酸浸泡一定时间，之后用水冲洗干净；
B：采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间；
C：采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗，之后用水冲洗干净；
D：采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间；
E：采用盐酸和离子水混合液进行中和。
2.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤A中采用氢氟酸的质量百分比浓度在55%以上，在常温下浸泡20小时以上。
3.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤C采用的氢氟酸与硝酸均在试剂级以上，按体积比1:15～25的比例进行混合。
4.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤D采用的氢氧化钠溶液的质量百分比浓度在98%以上，在常温下漂洗1～2分钟。
5.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤E采用的盐酸的质量百分比浓度在36%以上，离子水的电阻在15兆欧姆以上，按体积比1:0.8～1.2的比例进行混合。 
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