CN103406344B - 一种线切碎硅片杂质的处理方法 - Google Patents

一种线切碎硅片杂质的处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种线切碎硅片杂质的处理方法，包括：用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，烘烤温度550～800度；烘烤完成后，快速将高温碎硅片取出并用自来水反复冲洗；用浓度10～30%氢氧化铵溶液清洗碎硅片，不断搅拌，时间10～30分钟；清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH<9为止；将碎硅片放入酸液中浸泡24小时，酸液配比为：HCL：HF：H2O=1：1：1～2；浸泡完成后，用纯水冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH>6为止；将碎硅片放入超声波清洗器中，时间保持20分钟，从超声波清洗器取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小时，烘箱温度设定为100～120度。本发明易于操作，实现了废硅料的再利用，大大减少了硅材料的浪费，有效降低原材料成本。

Description

一种线切碎硅片杂质的处理方法
技术领域
本发明涉及一种碎硅片处理技术领域，具体涉及一种线切碎硅片杂质的处理方法。
背景技术
在方棒的切片过程中，会产生一些碎片，这些碎片粘有大量的砂浆和AB胶，且表面被金属杂质污染，并混有生产过程中的一些异物，通常这些碎片都当垃圾进行处理，造成浪费。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种线切碎硅片杂质的处理方法。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种线切碎硅片杂质的处理方法，包括以下步骤：
S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，设定烘烤温度为550～800度；
S2、烘烤完成后，快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗；
S3、冲洗完成后，用浓度10～30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片，清洗过程中不断搅拌，时间控制在10～30分钟；清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH<9为止；
S4、将碱液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小时，酸液配比为：HCL：HF：H2O=1：1：（1～2）；浸泡完成后，用纯水冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH>6为止；
S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗，时间保持20分钟；从超声波清洗器中取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小时，烘箱温度设定为100～120度。
其中，所述步骤S1中，用马弗炉对碎硅片烘烤前，对碎硅片进行人工分检。
其中，所述步骤S1中，设定烘烤温度为650度。
其中，所述步骤S5中，用烘箱烘烤碎硅片32小时。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
本发明用于线切碎硅片杂质的处理，通过人工分拣、马弗炉高温烘烤，然后再进行碱液清洗和酸液浸泡等一系列处理方法，最终将碎硅片表面粘连的异物、砂浆、AB胶及其它金属杂质等彻底去除，砂浆碎硅片处理成能够正常使用的原材料。本发明易于操作，实现了废硅料的再利用，大大减少了硅材料的浪费，有效降低原材料成本。
附图说明
图1是本发明的处理流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，本发明线切碎硅片杂质的处理方法包括以下步骤：
S1、对碎硅片进行人工进行分检，以去除碎硅片中混杂的可见异物杂质。
S2、分检后，用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，以去除胶及硅料表面可燃杂质，设定烘烤温度为550～800度，优选为650度。
S3、烘烤完成后，快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗，将附着在碎硅片表面上的杂质进行冲洗，然后将碎硅片在水中浸泡。
S4、取出浸泡在水中的碎硅片，放入碱液中进行清洗，以去除碎硅片表皮杂质；采用的碱液为浓度10～30%的氢氧化钠溶液，时间控制在10～30分钟；清洗过程中不断搅拌；碱液清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH<9为止。
S5、碱液清洗完成后，将碎硅片放入事先配好的酸液中，浸泡并搅拌，以去除碎硅片表皮的金属杂质；酸液配比为：HCL：HF：H2O=1:1:（1～2），浸泡24小时；酸液浸泡完成后，用纯水冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH>6为止。
S6、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗，进一步去除碎硅片表面残留的杂质，时间保持20分钟。
S7、从超声波清洗器取出碎硅片，装盘并放入烘箱，烘箱温度设定为100～120度，烘烤20～40小时后取出，优选32小时，以恰好烘干碎硅片表面残留水分为宜。

Claims (4)

1.一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，设定烘烤温度为550～800度；
S2、烘烤完成后，快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗；
S3、冲洗完成后，用浓度10～30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片，清洗过程中不断搅拌，时间控制在10～30分钟；清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH<9为止；
S4、将碱液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小时，酸液配比为：HCL：HF：H2O=1：1：1～2；浸泡完成后，用纯水冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH>6为止；
S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗，时间保持20分钟；从超声波清洗器中取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小时，烘箱温度设定为100～120度。
2.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述步骤S1中，用马弗炉对碎硅片烘烤前，对碎硅片进行人工分检。
3.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述步骤S1中，设定烘烤温度为650度。
4.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述步骤S5中，用烘箱烘烤碎硅片32小时。
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