CN103406344B - 一种线切碎硅片杂质的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种线切碎硅片杂质的处理方法,包括:用马弗炉对碎硅片烘烤1~2小时,烘烤温度550~800度;烘烤完成后,快速将高温碎硅片取出并用自来水反复冲洗;用浓度10~30%氢氧化铵溶液清洗碎硅片,不断搅拌,时间10~30分钟;清洗完成后,用纯水反复冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH<9为止;将碎硅片放入酸液中浸泡24小时,酸液配比为:HCL:HF:H2O=1:1:1~2;浸泡完成后,用纯水冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH>6为止;将碎硅片放入超声波清洗器中,时间保持20分钟,从超声波清洗器取出碎硅片,用烘箱烘烤20~40小时,烘箱温度设定为100~120度。本发明易于操作,实现了废硅料的再利用,大大减少了硅材料的浪费,有效降低原材料成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种碎硅片处理技术领域,具体涉及一种线切碎硅片杂质的处理方法。
背景技术
在方棒的切片过程中,会产生一些碎片,这些碎片粘有大量的砂浆和AB胶,且表面被金属杂质污染,并混有生产过程中的一些异物,通常这些碎片都当垃圾进行处理,造成浪费。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种线切碎硅片杂质的处理方法。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种线切碎硅片杂质的处理方法,包括以下步骤:
S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1~2小时,设定烘烤温度为550~800度;
S2、烘烤完成后,快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗;
S3、冲洗完成后,用浓度10~30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片,清洗过程中不断搅拌,时间控制在10~30分钟;清洗完成后,用纯水反复冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH<9为止;
S4、将碱液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小时,酸液配比为:HCL:HF:H2O=1:1:(1~2);浸泡完成后,用纯水冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH>6为止;
S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗,时间保持20分钟;从超声波清洗器中取出碎硅片,用烘箱烘烤20~40小时,烘箱温度设定为100~120度。
其中,所述步骤S1中,用马弗炉对碎硅片烘烤前,对碎硅片进行人工分检。
其中,所述步骤S1中,设定烘烤温度为650度。
其中,所述步骤S5中,用烘箱烘烤碎硅片32小时。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
本发明用于线切碎硅片杂质的处理,通过人工分拣、马弗炉高温烘烤,然后再进行碱液清洗和酸液浸泡等一系列处理方法,最终将碎硅片表面粘连的异物、砂浆、AB胶及其它金属杂质等彻底去除,砂浆碎硅片处理成能够正常使用的原材料。本发明易于操作,实现了废硅料的再利用,大大减少了硅材料的浪费,有效降低原材料成本。
附图说明
图1是本发明的处理流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示,本发明线切碎硅片杂质的处理方法包括以下步骤:
S1、对碎硅片进行人工进行分检,以去除碎硅片中混杂的可见异物杂质。
S2、分检后,用马弗炉对碎硅片烘烤1~2小时,以去除胶及硅料表面可燃杂质,设定烘烤温度为550~800度,优选为650度。
S3、烘烤完成后,快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗,将附着在碎硅片表面上的杂质进行冲洗,然后将碎硅片在水中浸泡。
S4、取出浸泡在水中的碎硅片,放入碱液中进行清洗,以去除碎硅片表皮杂质;采用的碱液为浓度10~30%的氢氧化钠溶液,时间控制在10~30分钟;清洗过程中不断搅拌;碱液清洗完成后,用纯水反复冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH<9为止。
S5、碱液清洗完成后,将碎硅片放入事先配好的酸液中,浸泡并搅拌,以去除碎硅片表皮的金属杂质;酸液配比为:HCL:HF:H2O=1:1:(1~2),浸泡24小时;酸液浸泡完成后,用纯水冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH>6为止。
S6、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗,进一步去除碎硅片表面残留的杂质,时间保持20分钟。
S7、从超声波清洗器取出碎硅片,装盘并放入烘箱,烘箱温度设定为100~120度,烘烤20~40小时后取出,优选32小时,以恰好烘干碎硅片表面残留水分为宜。
Claims (4)
1.一种线切碎硅片杂质的处理方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1~2小时,设定烘烤温度为550~800度;
S2、烘烤完成后,快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗;
S3、冲洗完成后,用浓度10~30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片,清洗过程中不断搅拌,时间控制在10~30分钟;清洗完成后,用纯水反复冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH<9为止;
S4、将碱液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小时,酸液配比为:HCL:HF:H2O=1:1:1~2;浸泡完成后,用纯水冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH>6为止;
S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗,时间保持20分钟;从超声波清洗器中取出碎硅片,用烘箱烘烤20~40小时,烘箱温度设定为100~120度。
2.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法,其特征在于:所述步骤S1中,用马弗炉对碎硅片烘烤前,对碎硅片进行人工分检。
3.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法,其特征在于:所述步骤S1中,设定烘烤温度为650度。
4.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法,其特征在于:所述步骤S5中,用烘箱烘烤碎硅片32小时。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310381931.6A CN103406344B (zh) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 一种线切碎硅片杂质的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310381931.6A CN103406344B (zh) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 一种线切碎硅片杂质的处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103406344A CN103406344A (zh) | 2013-11-27 |
CN103406344B true CN103406344B (zh) | 2015-04-08 |
Family
ID=49599411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310381931.6A Active CN103406344B (zh) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 一种线切碎硅片杂质的处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103406344B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107716431B (zh) * | 2017-10-30 | 2020-02-14 | 镇江环太硅科技有限公司 | 一种多晶片料清洗方法 |
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-
2013
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103406344A (zh) | 2013-11-27 |
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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