CN102151669B - 太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法 - Google Patents
太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法 Download PDFInfo
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Abstract
太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，涉及太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，依次进行以下步骤：a将镀膜片碎料放入氢氟酸液浸泡；b放入盐酸液中浸泡；c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中浸泡；d置于氢氧化钠溶液浸泡；e入超声波清洗槽内进行清洗；f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。本发明的显著效果是：本处理方法和传统处理方法相比，质量完全符合太阳能硅业的清洁要求，在品质上得到保障，从而实现废料的再利用，增加了原料的可利用率。且经过清洗后，废酸及漂洗液经处理后排放，不会对环境造成污染。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能硅业技术领域，进一步是太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法。
背景技术
太阳能硅业中，在做电池片的过程中，硅裸片未能达到标准或人为损坏的破片及边角料，形成了本发明所述的镀膜片，通常是搜集后作废料处理。
为使废料再利用，传统的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法是浸泡后用硝酸加氢氟酸混合液进行清洗。这样处理的结果是，清洗后会有残留化合物，不能达到再回炉标准。
一方面是原料的紧缺，一方面是镀膜片碎料的未充分利用。因此开发充分利用镀膜片碎料的技术是非常必要的。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，经过本方法处理后的镀膜片碎料可以与多晶硅裸片相比和使用，从而实现废料的再利用，可有效提高原料的可利用率。
本发明的目的是通过以下方案实现的：太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于依次进行以下步骤：
a将镀膜片碎料放入氢氟酸液中，浸泡10－15小时，漂洗至PH值为中性；
b放入盐酸液中，浸泡10－15小时，漂洗至PH值为中性；
c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中，浸泡10－15小时，漂洗至PH值为中性，形成裸片；
d将裸片置于腐蚀溶液中，腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为15-55%的溶液，时间为1-5分钟；漂洗到PH值为中性；
e入超声波清洗槽内进行清洗，清洗16－24分钟；
f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。
本发明还可通过以下方案进一步实现：
所述的混合液的组成是下列之一：a按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝15-25：60-80：5-15；b按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝20-30：50-70：15-25；c按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝25-35：40-60：25-35；d按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝35-45：30-50：35-45。
所述的腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为20-40%的溶液。
所述的超声波的频率是25-40KHz（千赫兹），功率是2800-4800W（瓦）。也可以选用现有常规的用于清洗的其它频率及功率的超声波。
所述的清洗时可用室温水，也可用温水，选用温水时，水温选择40-70℃（摄氏度）。
所述的优选的超声波频率是40KHz，功率是4800W；清洗用水优选的温度是50-60℃。
所述的超声波清洗选用带有加热器的超声波清洗机进行。
所述的超声波清洗机的超声波频率是30－40KHz，功率是3500－4800W；加热器功率是2000－3600W。
所述的清洗分两次进行，每次8－12分钟。
所述的烘干时间为1.8－2.2小时，温度为100－140℃。
本发明中，第一遍浸泡漂洗时，使用氢氟酸液对镀膜片碎料进行处理，目的在于去除表面的膜。第二遍浸泡漂洗时，使用盐酸液的目的是去除涂层。第三遍浸泡漂洗时，使用混合液的目的是去除残留的涂层。第三遍漂洗至PH值为中性后，确认达到浸泡目的，片料基本呈裸片状态。浸泡时液体必须全面覆盖被浸泡的原料，如有条件最好在浸泡过程中能搅拌几次，浸泡后的液一般可用2次才作废液处理。
本发明各原料均为工业级产品，其中，氢氟酸浓度为40-50%（重量百分比计，下同）、盐酸浓度为31－36%，硝酸浓度为50%-70%，氢氧化钠为含量30%工业级产品。
氢氟酸、盐酸、硝酸、氢氧化钠可选用其它浓度或含量工业级产品。
本发明的显著效果是：该方法使用方便，经过新工艺处理后的镀膜片碎料可以与多晶硅裸片相比和使用，可以缓解硅原料在紧张时期的缺料现象。本处理方法和传统处理方法相比，质量完全符合太阳能硅业的清洁要求，在品质上得到保障，从而实现废料的再利用，增加了原料的可利用率。且经过清洗后，废酸及漂洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例：取镀膜片碎料，依次进行以下步骤：
a将镀膜片碎料放入含量为40%工业级氢氟酸液中浸泡，浸泡时间为12小时，漂洗至PH值为中性；
b放入含量为36％工业级盐酸液浸泡，浸泡时间为12小时，漂洗至PH值为中性；
c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中浸泡，浸泡时间为12小时，所述的混合液的组成是：按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝20：70：10；漂洗至PH值为中性，形成裸片；
d将裸片置于腐蚀溶液中，腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为30%的溶液，时间为3分钟，碱处理完成后漂洗到PH值为中性；
e入超声波清洗槽内进行清洗，超声波的频率是40KHz，功率是4800W；清洗时进行加温，清洗时温度要达到50-60℃为最佳工作状态。可选用加热器进行加温，加热器的功率可选用3600W。清洗20分钟；清洗分两次进行，每次10分钟。
f超洗完后脱水放入烘箱内烘干，烘干时间为2小时，温度为120℃。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于依次进行以下步骤：
a将镀膜片碎料放入氢氟酸液中，浸泡10－15小时，漂洗至PH值为中性；
b放入盐酸液中，浸泡10－15小时，漂洗至PH值为中性；
c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中，浸泡10－15小时，漂洗至PH值为中性，形成裸片；
d将裸片置于腐蚀溶液中，腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为15-55%的溶液，时间为1-5分钟；漂洗到PH值为中性；
e入超声波清洗槽内进行清洗，清洗16－24分钟；
f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。
2.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于混合液的组成是下列之一：a按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝15-25：60-80：5-15；b按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝20-30：50-70：15-25；c按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝25-35：40-60：25-35；d按重量比，硝酸：盐酸：氢氟酸＝35-45：30-50：35-45；其中，氢氟酸浓度为40-50%、盐酸浓度为31－36%，硝酸浓度为50%-70%。
3.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为20-40%的溶液。
4.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：超声波的频率是25-40KHz，功率是2800-4800W。
5.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：清洗时用温水，水温选择40-70℃。
6.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：超声波清洗选用带有加热器的超声波清洗机进行。
7.根据权利要求6所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：超声波清洗机的超声波频率是30－40KHz，功率是3500－4800W；加热器功率是2000－3600W。
8.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：清洗分两次进行，每次8－12分钟。
9.根据权利要求1所述的太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法，其特征在于：烘干时间为1.8－2.2小时，温度为100－140℃。
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