JPH10112486A - 半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法 - Google Patents
半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法Info
- Publication number
- JPH10112486A JPH10112486A JP29920196A JP29920196A JPH10112486A JP H10112486 A JPH10112486 A JP H10112486A JP 29920196 A JP29920196 A JP 29920196A JP 29920196 A JP29920196 A JP 29920196A JP H10112486 A JPH10112486 A JP H10112486A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- oxide film
- measuring
- etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタミネーションの危険がない半導体ウェ
ハの酸化膜耐圧特性の測定方法を提供する。 【解決手段】 仕上げ研磨された半導体ウェハをＳＣ−
１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）液を使用してエッ
チングする。エッチング取代として１０ｎｍ以上除去す
る。ＧＯＩを測定しＧＯＩの良品率を算出する。良品率
は１００％を得た。
ハの酸化膜耐圧特性の測定方法を提供する。 【解決手段】 仕上げ研磨された半導体ウェハをＳＣ−
１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）液を使用してエッ
チングする。エッチング取代として１０ｎｍ以上除去す
る。ＧＯＩを測定しＧＯＩの良品率を算出する。良品率
は１００％を得た。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハの酸化膜
耐圧特性を測定する測定方法に関するものである。
耐圧特性を測定する測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】鏡面加工された半導体ウェハは、デバイ
ス工程における歩留りの低下を防止するためにその酸化
膜耐圧特性（以下ＧＯＩと称する。）が抽出測定され
る。従来、この測定は半導体ウェハの表面を犠牲酸化法
による処理をすることにより、鏡面研磨により生じた加
工歪層を除去した後に測定素子を作成して測定してい
た。この犠牲酸化法とは、熱処理を行い鏡面に酸化膜を
形成し、この酸化膜をエッチングにより除去した後に洗
浄をするものである。また、この犠牲酸化法は、それぞ
れの工程を経た半導体ウェハを抽出してＧＯＩを測定す
ることにも用いられ、この抽出測定の結果は各製造工程
における欠陥等を分析することにも利用していた。
ス工程における歩留りの低下を防止するためにその酸化
膜耐圧特性（以下ＧＯＩと称する。）が抽出測定され
る。従来、この測定は半導体ウェハの表面を犠牲酸化法
による処理をすることにより、鏡面研磨により生じた加
工歪層を除去した後に測定素子を作成して測定してい
た。この犠牲酸化法とは、熱処理を行い鏡面に酸化膜を
形成し、この酸化膜をエッチングにより除去した後に洗
浄をするものである。また、この犠牲酸化法は、それぞ
れの工程を経た半導体ウェハを抽出してＧＯＩを測定す
ることにも用いられ、この抽出測定の結果は各製造工程
における欠陥等を分析することにも利用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この酸
化膜を形成する熱処理をする際、表面に金属汚染が存在
した場合、この金属がシリコン結晶内部へ拡散すること
（以下「コンタミネーション」と称する。）となり、シ
リコン結晶そのものに欠陥を与えてしまうために、結晶
そのものの評価がなされないという問題点があった。特
に、コンタミネーションの影響を受けた半導体ウェハで
は、この熱処理以前の欠陥なのか、熱処理による欠陥な
のかを特定することは究めて困難である。本発明は、上
記問題に鑑みてなされたもので、コンタミネーションの
危険がない半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法を
提供することを目的とするものである。
化膜を形成する熱処理をする際、表面に金属汚染が存在
した場合、この金属がシリコン結晶内部へ拡散すること
（以下「コンタミネーション」と称する。）となり、シ
リコン結晶そのものに欠陥を与えてしまうために、結晶
そのものの評価がなされないという問題点があった。特
に、コンタミネーションの影響を受けた半導体ウェハで
は、この熱処理以前の欠陥なのか、熱処理による欠陥な
のかを特定することは究めて困難である。本発明は、上
記問題に鑑みてなされたもので、コンタミネーションの
危険がない半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法を
提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、研
磨された半導体ウェハの酸化膜耐圧特性を測定する測定
方法において、その測定素子作成前に、測定対象の半導
体ウェハの表面をエッチングして加工歪層を除去するよ
うにしたものである。
磨された半導体ウェハの酸化膜耐圧特性を測定する測定
方法において、その測定素子作成前に、測定対象の半導
体ウェハの表面をエッチングして加工歪層を除去するよ
うにしたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、ＧＯＩの測定におい
て、従来犠牲酸化法により除去していた半導体ウェハ表
面の加工歪層の除去を、この酸化膜除去に替わりエッチ
ングにより行い、これによりコンタミネーションを防止
するものである。さらにこの方法によると、シリコンの
結晶そのものを評価できることから、製造工程全体の
内、どの工程において欠陥が生じたのかを特定できる。
て、従来犠牲酸化法により除去していた半導体ウェハ表
面の加工歪層の除去を、この酸化膜除去に替わりエッチ
ングにより行い、これによりコンタミネーションを防止
するものである。さらにこの方法によると、シリコンの
結晶そのものを評価できることから、製造工程全体の
内、どの工程において欠陥が生じたのかを特定できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は仕上げ研磨された半導体ウェハのエッチングによ
る取代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を示
すグラフである。
明する。 実施例１ 図１は仕上げ研磨された半導体ウェハのエッチングによ
る取代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を示
すグラフである。
【０００７】本実施例１においては、仕上げ研磨された
半導体ウェハのＧＯＩを測定するものであり、エッチン
グ液としてＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）
液を使用して半導体ウェハ表面の加工歪層を除去し、そ
れぞれの半導体ウェハについてＧＯＩを測定し、良品率
を算出した。
半導体ウェハのＧＯＩを測定するものであり、エッチン
グ液としてＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）
液を使用して半導体ウェハ表面の加工歪層を除去し、そ
れぞれの半導体ウェハについてＧＯＩを測定し、良品率
を算出した。
【０００８】図１に示すように、仕上げ研磨されて得ら
れた高品質の半導体ウェハにおいては、その表面をエッ
チングして１０ｎｍ以上除去されたものについては、そ
のＧＯＩ測定による良品率が１００％を得られた。した
がって、この実施例で使用された半導体ウェハは結晶内
部の欠陥等が殆どない高品質なものであることを示して
いる。すなわち、仕上げ研磨された半導体ウェハについ
ては、その表面を１０ｎｍ以上エッチングしてＧＯＩを
測定することにより、結晶の品質の評価に利用できる。
れた高品質の半導体ウェハにおいては、その表面をエッ
チングして１０ｎｍ以上除去されたものについては、そ
のＧＯＩ測定による良品率が１００％を得られた。した
がって、この実施例で使用された半導体ウェハは結晶内
部の欠陥等が殆どない高品質なものであることを示して
いる。すなわち、仕上げ研磨された半導体ウェハについ
ては、その表面を１０ｎｍ以上エッチングしてＧＯＩを
測定することにより、結晶の品質の評価に利用できる。
【０００９】実施例２ 図２は粗研磨された半導体ウェハのエッチングによる取
代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を示すグ
ラフである。上記実施例１と同様に、粗研磨された半導
体ウェハのＧ０Ｉを測定ずるものであり、エッチング液
としてＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）液を
使用して加工歪層を除去し、それぞれの半導体ウェハに
ついてＧＯＩを測定し、良品率を算出した。
代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を示すグ
ラフである。上記実施例１と同様に、粗研磨された半導
体ウェハのＧ０Ｉを測定ずるものであり、エッチング液
としてＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）液を
使用して加工歪層を除去し、それぞれの半導体ウェハに
ついてＧＯＩを測定し、良品率を算出した。
【００１０】当然のことながら、粗研磨による半導体ウ
ェハ表面の加工歪層は、仕上げ研磨によるものより深い
ため、エッチングの取代は多くしなくてはならない。図
２に示すように、取代を１００ｎｍ以上にすることによ
りＧＯＩ良品率は９５％を越え、取代を５００ｎｍ以上
にすることによりＧＯＩ良品率は完全に１００％とな
る。
ェハ表面の加工歪層は、仕上げ研磨によるものより深い
ため、エッチングの取代は多くしなくてはならない。図
２に示すように、取代を１００ｎｍ以上にすることによ
りＧＯＩ良品率は９５％を越え、取代を５００ｎｍ以上
にすることによりＧＯＩ良品率は完全に１００％とな
る。
【００１１】従って、この粗研磨された半導体ウェハに
ついては、取代を１００ｎｍ以上にしてＧＯＩ測定をす
ることによっても十分に結晶欠陥等を特定できるが、そ
の取代を５００ｎｍ以上にするとさらに望ましい。
ついては、取代を１００ｎｍ以上にしてＧＯＩ測定をす
ることによっても十分に結晶欠陥等を特定できるが、そ
の取代を５００ｎｍ以上にするとさらに望ましい。
【００１２】尚、上記したようにエッチング取代を多く
するとＧＯＩは向上するものの、それだけ作業効率が悪
くなる上、半導体ウェハのマイクロラフネスも増加する
ため、エッチング取代としては１，０００ｎｍ以下が望
ましい。
するとＧＯＩは向上するものの、それだけ作業効率が悪
くなる上、半導体ウェハのマイクロラフネスも増加する
ため、エッチング取代としては１，０００ｎｍ以下が望
ましい。
【００１３】また、上記各実施例ではエッチング液とし
てＳＣ−１液を使用していたが、同様のエッチング特性
を有する薬液であり、ＨＦ、ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ、
ＨＦ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ、アミンまたはアンモニアのう
ち、少なくともいずれか１つを主成分としたものでも同
様の効果を得られる。
てＳＣ−１液を使用していたが、同様のエッチング特性
を有する薬液であり、ＨＦ、ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ、
ＨＦ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ、アミンまたはアンモニアのう
ち、少なくともいずれか１つを主成分としたものでも同
様の効果を得られる。
【００１４】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
犠牲酸化法で発生する危険性のあったコンタミネーショ
ンを防止することができ、この方法によりＧＯＩを測定
することにより、その結果をシリコン結晶そのものの評
価に利用できるという優れた効果がある。また、シリコ
ン結晶そのものを評価することができるため、各製造工
程における欠陥も特定でき、半導体ウェハの品質向上に
大きく寄与できるという優れた効果がある。
犠牲酸化法で発生する危険性のあったコンタミネーショ
ンを防止することができ、この方法によりＧＯＩを測定
することにより、その結果をシリコン結晶そのものの評
価に利用できるという優れた効果がある。また、シリコ
ン結晶そのものを評価することができるため、各製造工
程における欠陥も特定でき、半導体ウェハの品質向上に
大きく寄与できるという優れた効果がある。
【図１】仕上げ研磨された半導体ウェハのエッチングに
よる取代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を
示すグラフである。
よる取代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を
示すグラフである。
【図２】粗研磨された半導体ウェハのエッチングによる
取代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を示す
グラフである。
取代を変化させてＧＯＩを測定した場合の良品率を示す
グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 英一 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 研磨された半導体ウェハの酸化膜耐圧特
性を測定する測定方法において、その測定素子作成前
に、測定対象の半導体ウェハの表面をエッチングして加
工歪層を除去することを特徴とする半導体ウェハの酸化
膜耐圧特性の測定方法。 - 【請求項２】 研磨が仕上げ研磨であって、その化上げ
研磨された半導体ウェハのエッチングによる取代が１０
ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体
ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法。 - 【請求項３】 エッチングによる取代が１００ｎｍ以上
であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの
酸化膜耐圧特性の測定方法。 - 【請求項４】 エッチング液が、ＨＦ、ＨＦ／Ｈ２Ｏ２
／Ｈ２Ｏ、ＨＦ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ、アミンおよびアン
モニアからなる群の少なくとも一つの成分を主成分とす
ることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの酸化
膜耐圧特性の測定方法。 - 【請求項５】 エッチング液が、ＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨ
／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）であることを特徴とする請求項１
記載の半導体ウエハの酸化膜耐圧特性の測定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29920196A JPH10112486A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法 |
| TW086107193A TW371360B (en) | 1996-10-04 | 1997-05-27 | Method of measuring oxide film dielectric strength of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29920196A JPH10112486A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112486A true JPH10112486A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17869461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29920196A Pending JPH10112486A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 半導体ウェハの酸化膜耐圧特性の測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112486A (ja) |
| TW (1) | TW371360B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001094080A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体用薄膜ウェハの製造方法 |
| JP2008300857A (ja) * | 2008-07-11 | 2008-12-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコンウェハのエッチング方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104907654B (zh) * | 2015-07-02 | 2017-11-21 | 常州工学院 | 一种利用微孔塑料板进行表面织构的电解方法 |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP29920196A patent/JPH10112486A/ja active Pending
-
1997
- 1997-05-27 TW TW086107193A patent/TW371360B/zh active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001094080A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体用薄膜ウェハの製造方法 |
| JP2008300857A (ja) * | 2008-07-11 | 2008-12-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコンウェハのエッチング方法 |
| JP4693188B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2011-06-01 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコンウェハのエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW371360B (en) | 1999-10-01 |
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