JPH07226428A - シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法 - Google Patents
シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法Info
- Publication number
- JPH07226428A JPH07226428A JP3770694A JP3770694A JPH07226428A JP H07226428 A JPH07226428 A JP H07226428A JP 3770694 A JP3770694 A JP 3770694A JP 3770694 A JP3770694 A JP 3770694A JP H07226428 A JPH07226428 A JP H07226428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- silicon crystal
- oxygen precipitation
- amount
- precipitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン結晶中の酸素析出量を簡便に定量的
に評価する。 【構成】 チョクラルスキー法により引き上げたシリコ
ン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レーザ
ー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が前記
シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散乱し
て得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めるととも
に欠陥１個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素析出
欠陥密度と；前記平均散乱光強度の平方根と；の積を算
出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中の酸
素析出量を評価する。
に評価する。 【構成】 チョクラルスキー法により引き上げたシリコ
ン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レーザ
ー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が前記
シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散乱し
て得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めるととも
に欠陥１個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素析出
欠陥密度と；前記平均散乱光強度の平方根と；の積を算
出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中の酸
素析出量を評価する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン結晶中の酸素
析出量の評価方法に関する。さらに詳しくは、シリコン
結晶上に形成される素子に悪影響を及ぼす重金属不純物
を結晶内部に形成された酸素析出物により捕獲させるゲ
ッタリング技術に関するものであり、そのゲッタリング
の能力を測る一つの指標である酸素析出量を評価する方
法に関する。
析出量の評価方法に関する。さらに詳しくは、シリコン
結晶上に形成される素子に悪影響を及ぼす重金属不純物
を結晶内部に形成された酸素析出物により捕獲させるゲ
ッタリング技術に関するものであり、そのゲッタリング
の能力を測る一つの指標である酸素析出量を評価する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チョクラルスキー法によって引き
上げられたシリコン結晶（ＣＺ−Ｓｉ結晶）において、
シリコン結晶上に形成される素子に悪影響を及ぼす重金
属不純物をシリコン結晶内部に形成された酸素析出物に
よって捕獲させるゲッタリング技術が開発されており、
実用化されている。
上げられたシリコン結晶（ＣＺ−Ｓｉ結晶）において、
シリコン結晶上に形成される素子に悪影響を及ぼす重金
属不純物をシリコン結晶内部に形成された酸素析出物に
よって捕獲させるゲッタリング技術が開発されており、
実用化されている。
【０００３】酸素析出物を利用したゲッタリング技術に
おいては、酸素析出量の評価が重要である。この酸素析
出量の評価には、従来よりフーリエ変換型赤外吸収（Ｆ
Ｔ−ＩＲ）法が用いられている。この方法は、シリコン
結晶中に存在する格子間酸素原子が赤外光領域のある特
定の波長の光を吸収することを利用した方法であり、赤
外光領域の吸収スペクトルを求め、そのスペクトルのピ
ークの高さから格子間酸素濃度を求める方法である。こ
の方法を用いて酸素析出量を求める場合、酸素を析出さ
せる熱処理の前と後とで格子間酸素濃度を測定し、格子
間酸素の減少分を析出した酸素量として求めることがで
きる。この方法は比較的簡便であり、広く普及してい
る。
おいては、酸素析出量の評価が重要である。この酸素析
出量の評価には、従来よりフーリエ変換型赤外吸収（Ｆ
Ｔ−ＩＲ）法が用いられている。この方法は、シリコン
結晶中に存在する格子間酸素原子が赤外光領域のある特
定の波長の光を吸収することを利用した方法であり、赤
外光領域の吸収スペクトルを求め、そのスペクトルのピ
ークの高さから格子間酸素濃度を求める方法である。こ
の方法を用いて酸素析出量を求める場合、酸素を析出さ
せる熱処理の前と後とで格子間酸素濃度を測定し、格子
間酸素の減少分を析出した酸素量として求めることがで
きる。この方法は比較的簡便であり、広く普及してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法では
析出前の初期格子間酸素濃度と熱処理後の格子間酸素濃
度との両者を知る必要があるために、既に熱処理を施し
た初期格子間酸素濃度が未知である試料における酸素析
出量を求めることはできない。
析出前の初期格子間酸素濃度と熱処理後の格子間酸素濃
度との両者を知る必要があるために、既に熱処理を施し
た初期格子間酸素濃度が未知である試料における酸素析
出量を求めることはできない。
【０００５】また、この方法はシリコン結晶中を透過し
てきた赤外光線を検出する透過法であるため、シリコン
結晶の抵抗率を制御するために結晶中に混入させるドー
パントの濃度が高い低抵抗率結晶では、赤外光線が透過
しにくくなるため試料を極端に薄くする必要があり、実
用的でない。
てきた赤外光線を検出する透過法であるため、シリコン
結晶の抵抗率を制御するために結晶中に混入させるドー
パントの濃度が高い低抵抗率結晶では、赤外光線が透過
しにくくなるため試料を極端に薄くする必要があり、実
用的でない。
【０００６】本発明は、上記の点を解決しようとするも
ので、既に酸素析出している試料の析出量を簡便に定量
的に求める手法であり、特に酸素析出量測定が非常に難
しい低抵抗率結晶においても定量的に酸素析出量を評価
できる方法を提供するものである。
ので、既に酸素析出している試料の析出量を簡便に定量
的に求める手法であり、特に酸素析出量測定が非常に難
しい低抵抗率結晶においても定量的に酸素析出量を評価
できる方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、チョクラルス
キー法により引き上げたシリコン結晶中の酸素析出量の
評価方法において、赤外レーザー光をシリコン結晶に照
射し、該赤外レーザー光が前記シリコン結晶内部に存在
する酸素析出欠陥により散乱されて得られる散乱光より
酸素析出欠陥密度を求めるとともに欠陥１個当りの平均
散乱光強度を求め、前記酸素析出欠陥密度と、前記平均
散乱光強度の平方根との積を算出し、この算出結果に基
づいて前記シリコン結晶中の酸素析出量を評価すること
を特徴とするシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法で
ある。
キー法により引き上げたシリコン結晶中の酸素析出量の
評価方法において、赤外レーザー光をシリコン結晶に照
射し、該赤外レーザー光が前記シリコン結晶内部に存在
する酸素析出欠陥により散乱されて得られる散乱光より
酸素析出欠陥密度を求めるとともに欠陥１個当りの平均
散乱光強度を求め、前記酸素析出欠陥密度と、前記平均
散乱光強度の平方根との積を算出し、この算出結果に基
づいて前記シリコン結晶中の酸素析出量を評価すること
を特徴とするシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法で
ある。
【０００８】前記シリコン結晶は、例えば鏡面研磨ウェ
ーハもしくは鏡面エッチングウェーハである。
ーハもしくは鏡面エッチングウェーハである。
【０００９】
【作用】酸素析出量とは、酸素析出欠陥を形成するのに
寄与した格子間酸素の濃度であるから、酸素析出欠陥の
密度とその体積を求めれば、それらの積が酸素析出量に
相当するはずである。
寄与した格子間酸素の濃度であるから、酸素析出欠陥の
密度とその体積を求めれば、それらの積が酸素析出量に
相当するはずである。
【００１０】一方、結晶中に透過性の赤外光を入射させ
ると欠陥部分や析出物で光が散乱される現象は良く知ら
れており、光の波長に対して十分小さな物体から光が弾
性的に散乱される場合はレイリー散乱と呼ばれる。この
原理を用いて半導体結晶中の欠陥を観察する方法が赤外
光散乱法（赤外光散乱トモグラフィー）であり、赤外レ
ーザー光を半導体結晶に照射し、そのレーザー光が結晶
内部に存在する散乱体により散乱された光を検出するも
のである。この赤外光散乱法により酸素析出欠陥の密度
を計測できることは知られている。また、散乱光の強度
Ｉは、次式のように欠陥の体積を反映することも知られ
ている（Ｋ．Ｍｏｒｉｙａ ｅｔ ａｌ．：Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，６６（１９８９）６２６７）。 Ｉ∝（１／４πλ2）2（ΔεＶ）2Ｉ0 Ｉ：散乱光強度 Ｉ0：入射光強度 Δε：欠陥とシリコンとの誘電率差 Ｖ：欠陥の体積
ると欠陥部分や析出物で光が散乱される現象は良く知ら
れており、光の波長に対して十分小さな物体から光が弾
性的に散乱される場合はレイリー散乱と呼ばれる。この
原理を用いて半導体結晶中の欠陥を観察する方法が赤外
光散乱法（赤外光散乱トモグラフィー）であり、赤外レ
ーザー光を半導体結晶に照射し、そのレーザー光が結晶
内部に存在する散乱体により散乱された光を検出するも
のである。この赤外光散乱法により酸素析出欠陥の密度
を計測できることは知られている。また、散乱光の強度
Ｉは、次式のように欠陥の体積を反映することも知られ
ている（Ｋ．Ｍｏｒｉｙａ ｅｔ ａｌ．：Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，６６（１９８９）６２６７）。 Ｉ∝（１／４πλ2）2（ΔεＶ）2Ｉ0 Ｉ：散乱光強度 Ｉ0：入射光強度 Δε：欠陥とシリコンとの誘電率差 Ｖ：欠陥の体積
【００１１】従って、理論的には散乱光強度から欠陥の
体積の絶対値を求めることができる。しかし、従来、こ
の方法により酸素析出量を評価する方法は確立されてい
なかった。それは、実際には、様々な係数が関わってい
るために、散乱光強度から欠陥体積の絶対値を求めるこ
とが容易でなかったためである。
体積の絶対値を求めることができる。しかし、従来、こ
の方法により酸素析出量を評価する方法は確立されてい
なかった。それは、実際には、様々な係数が関わってい
るために、散乱光強度から欠陥体積の絶対値を求めるこ
とが容易でなかったためである。
【００１２】そこで本発明では、平均散乱光強度の平方
根をとり、これを欠陥体積を反映する値として用いるこ
とを特徴とした。すなわち、熱処理条件として最終の熱
処理温度が同じであるという制限を与えれば、欠陥の種
類が同様で且つΔεがほぼ一定であると仮定することが
でき、平均散乱光強度の平方根が欠陥体積を相対的に与
える量として利用できることを見出したものである。
根をとり、これを欠陥体積を反映する値として用いるこ
とを特徴とした。すなわち、熱処理条件として最終の熱
処理温度が同じであるという制限を与えれば、欠陥の種
類が同様で且つΔεがほぼ一定であると仮定することが
でき、平均散乱光強度の平方根が欠陥体積を相対的に与
える量として利用できることを見出したものである。
【００１３】赤外光散乱法は、表面が鏡面状に研磨もし
くはエッチングされた結晶に対応でき、酸素析出欠陥密
度とその平均散乱光強度とを容易に求めることができ
る。従って本発明では、酸素析出欠陥密度とその平均散
乱光強度の平方根との積を用いて、酸素析出量を定量的
に評価する手法とした。
くはエッチングされた結晶に対応でき、酸素析出欠陥密
度とその平均散乱光強度とを容易に求めることができ
る。従って本発明では、酸素析出欠陥密度とその平均散
乱光強度の平方根との積を用いて、酸素析出量を定量的
に評価する手法とした。
【００１４】また、本発明は、ＦＴ−ＩＲ法のような赤
外吸収法ではないので、通常のＦＴ−ＩＲ法では測定で
きないような０．１Ωｃｍ以下の低抵抗率結晶において
も酸素析出欠陥の観察が可能である。
外吸収法ではないので、通常のＦＴ−ＩＲ法では測定で
きないような０．１Ωｃｍ以下の低抵抗率結晶において
も酸素析出欠陥の観察が可能である。
【００１５】さらに、シリコン結晶中の酸素析出物密度
と平均散乱光強度の平方根との積は、ＦＴ−ＩＲ法で求
められた酸素析出量に対してプロットすると良い相関関
係が得られ、酸素析出量を定量的に表していることが確
認できる。
と平均散乱光強度の平方根との積は、ＦＴ−ＩＲ法で求
められた酸素析出量に対してプロットすると良い相関関
係が得られ、酸素析出量を定量的に表していることが確
認できる。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて、本発明をさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１７】まず、通常抵抗率のシリコン結晶における
実施例を示す。
実施例を示す。
【００１８】ＣＺ法により種々の条件で成長させた通常
抵抗率（５〜１５Ωｃｍ）シリコン結晶から切り出した
片面鏡面研磨済みウェーハに、８００℃、Ｎ2雰囲気、
４時間の熱処理と、１０００℃、Ｏ2雰囲気、１６時間
の熱処理とを施した後、ＹＡＧレーザー（波長１．０６
μｍ）を用いた赤外光散乱トモグラフ装置（三井金属社
製）を用い、レーザー光を前記ウエーハに照射して該ウ
エーハからの散乱光を検出し、シリコン結晶内部の酸素
析出欠陥密度とそれらの欠陥からの平均散乱光強度の平
方根をそれぞれ求めた。この時、散乱光強度はサンプル
の表面状態、入射レーザー光の波長や強度、検出器の感
度、電気信号の増幅率等様々な条件に影響されるため、
これらの条件を揃えて測定を行った。
抵抗率（５〜１５Ωｃｍ）シリコン結晶から切り出した
片面鏡面研磨済みウェーハに、８００℃、Ｎ2雰囲気、
４時間の熱処理と、１０００℃、Ｏ2雰囲気、１６時間
の熱処理とを施した後、ＹＡＧレーザー（波長１．０６
μｍ）を用いた赤外光散乱トモグラフ装置（三井金属社
製）を用い、レーザー光を前記ウエーハに照射して該ウ
エーハからの散乱光を検出し、シリコン結晶内部の酸素
析出欠陥密度とそれらの欠陥からの平均散乱光強度の平
方根をそれぞれ求めた。この時、散乱光強度はサンプル
の表面状態、入射レーザー光の波長や強度、検出器の感
度、電気信号の増幅率等様々な条件に影響されるため、
これらの条件を揃えて測定を行った。
【００１９】一方、上記熱処理前と熱処理後とで、ＦＴ
−ＩＲ法により格子間酸素濃度を測定し、その差から酸
素析出量を求めた。すなわち、赤外光をウエーハに照射
して赤外光領域の吸収スペクトルを求め、そのスペクト
ルの１１０７ｃｍ-1の格子間酸素起因の吸収ピークの高
さから格子間酸素濃度を求めた（Ｔ．Ｉｉｚｕｋａｅｔ
ａｔ．：Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ：Ｓｏｃ．，１
３２（１９８５）１７０７）。
−ＩＲ法により格子間酸素濃度を測定し、その差から酸
素析出量を求めた。すなわち、赤外光をウエーハに照射
して赤外光領域の吸収スペクトルを求め、そのスペクト
ルの１１０７ｃｍ-1の格子間酸素起因の吸収ピークの高
さから格子間酸素濃度を求めた（Ｔ．Ｉｉｚｕｋａｅｔ
ａｔ．：Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ：Ｓｏｃ．，１
３２（１９８５）１７０７）。
【００２０】ＦＴ−ＩＲ法で求められた酸素析出量に対
して、酸素析出欠陥密度（図１）、平均散乱光強度の平
方根（図２）及び両者の積（図３）をプロットした。図
１及び図２から、酸素析出欠陥密度と平均散乱光強度の
平方根とも、酸素析出量（Ｘ）に対してある程度の相関
があるが、両者の積（Ｙ）を酸素析出量に対してプロッ
トした場合に最も良い相関が得られている（図３）。こ
の場合の関係式は、我々の用いた条件でＹ＝９．６×１
０10Ｘ−５．８×１０10と求められた。ただし、この係
数はサンプルの表面状態、入射レザー光の波長や強度、
装置固有の特性等様々な条件で異なることに注意する必
要がある。
して、酸素析出欠陥密度（図１）、平均散乱光強度の平
方根（図２）及び両者の積（図３）をプロットした。図
１及び図２から、酸素析出欠陥密度と平均散乱光強度の
平方根とも、酸素析出量（Ｘ）に対してある程度の相関
があるが、両者の積（Ｙ）を酸素析出量に対してプロッ
トした場合に最も良い相関が得られている（図３）。こ
の場合の関係式は、我々の用いた条件でＹ＝９．６×１
０10Ｘ−５．８×１０10と求められた。ただし、この係
数はサンプルの表面状態、入射レザー光の波長や強度、
装置固有の特性等様々な条件で異なることに注意する必
要がある。
【００２１】従って、赤外光散乱法による測定の条件を
揃えた上で、酸素析出欠陥密度とその平均散乱光強度の
平方根を求めれば、酸素析出量を知ることができる。
揃えた上で、酸素析出欠陥密度とその平均散乱光強度の
平方根を求めれば、酸素析出量を知ることができる。
【００２２】次に低抵抗率シリコン結晶における実施例
を示す。
を示す。
【００２３】ＣＺ法によりボロンをドープ剤として種々
の条件で成長させた抵抗率が０．０４〜０．０５Ωｃｍ
であるシリコン結晶からウェーハ状の結晶を切り出し、
フッ酸、硝酸及び酢酸の混合液で表面を鏡面エッチング
した後、８００℃、Ｎ2雰囲気、４時間の熱処理と、１
０００℃、Ｏ2雰囲気、１６時間の熱処理とを施した。
これらのサンプルにおいて、赤外光散乱トモグラフ装置
により結晶内部の酸素析出欠陥密度とそれらの欠陥から
の平均散乱光強度の平方根をそれぞれ求めた。
の条件で成長させた抵抗率が０．０４〜０．０５Ωｃｍ
であるシリコン結晶からウェーハ状の結晶を切り出し、
フッ酸、硝酸及び酢酸の混合液で表面を鏡面エッチング
した後、８００℃、Ｎ2雰囲気、４時間の熱処理と、１
０００℃、Ｏ2雰囲気、１６時間の熱処理とを施した。
これらのサンプルにおいて、赤外光散乱トモグラフ装置
により結晶内部の酸素析出欠陥密度とそれらの欠陥から
の平均散乱光強度の平方根をそれぞれ求めた。
【００２４】一方、ＦＴ−ＩＲ法による格子間酸素濃度
測定を上記熱処理前と熱処理後とで行い、その差から酸
素析出量を求めた。このとき、これらのサンプルは抵抗
率が０．０４〜０．０５Ωｃｍと低く、そのままではＦ
Ｔ−ＩＲ測定が行えないため、フッ酸、硝酸及び酢酸の
混合液で厚さが約１００〜１５０μｍになるまでエッチ
ングで薄くした後にＦＴ−ＩＲ測定を行った。
測定を上記熱処理前と熱処理後とで行い、その差から酸
素析出量を求めた。このとき、これらのサンプルは抵抗
率が０．０４〜０．０５Ωｃｍと低く、そのままではＦ
Ｔ−ＩＲ測定が行えないため、フッ酸、硝酸及び酢酸の
混合液で厚さが約１００〜１５０μｍになるまでエッチ
ングで薄くした後にＦＴ−ＩＲ測定を行った。
【００２５】ＦＴ−ＩＲで求められた酸素析出量に対し
て、酸素析出欠陥密度と平均散乱光強度の平方根との積
をプロットした結果を図４に示す。両者の間に良好な相
関関係が得られ、関係式はこの時の条件でＹ＝９．２×
１０10Ｘ−７．２×１０10と求められた。以上のよう
に、本発明の方法により低抵抗率結晶についても酸素析
出量を評価することができることがわかる。
て、酸素析出欠陥密度と平均散乱光強度の平方根との積
をプロットした結果を図４に示す。両者の間に良好な相
関関係が得られ、関係式はこの時の条件でＹ＝９．２×
１０10Ｘ−７．２×１０10と求められた。以上のよう
に、本発明の方法により低抵抗率結晶についても酸素析
出量を評価することができることがわかる。
【００２６】次に、同一サンプルについて、本発明の方
法とＦＴ−ＩＲ法によりそれぞれ酸素析出量を求め、そ
の値を比較した。
法とＦＴ−ＩＲ法によりそれぞれ酸素析出量を求め、そ
の値を比較した。
【００２７】抵抗率が０．０５Ωｃｍであるボロンドー
プシリコン結晶から切り出したサンプルを、フッ酸、硝
酸及び酢酸の混合液で表面を鏡面エッチングした後、８
００℃、Ｎ2雰囲気、４時間の熱処理と、１０００℃、
Ｏ2雰囲気、１６時間の熱処理とを施した。このサンプ
ルにおいて、赤外光散乱トモグラフ装置により得られた
酸素析出欠陥密度と平均散乱光強度の平方根との積は
１．３×１０12（ａ，ｕ．）であった。図４のグラフか
ら、このサンプルの酸素析出量は１５．４ｐｐｍａ−Ｊ
ＥＩＤＡ程度であると予想される。そこで、実際に、こ
のサンプルを１５０μｍに薄片化してＦＴ−ＩＲ法によ
る測定を行ったところ、酸素析出量として１４．７ｐｐ
ｍａ−ＪＥＩＤＡとの値が得られ、本発明の方法により
得られた値がＦＴ−ＩＲ法により得られた値とよく符合
することがわかる。
プシリコン結晶から切り出したサンプルを、フッ酸、硝
酸及び酢酸の混合液で表面を鏡面エッチングした後、８
００℃、Ｎ2雰囲気、４時間の熱処理と、１０００℃、
Ｏ2雰囲気、１６時間の熱処理とを施した。このサンプ
ルにおいて、赤外光散乱トモグラフ装置により得られた
酸素析出欠陥密度と平均散乱光強度の平方根との積は
１．３×１０12（ａ，ｕ．）であった。図４のグラフか
ら、このサンプルの酸素析出量は１５．４ｐｐｍａ−Ｊ
ＥＩＤＡ程度であると予想される。そこで、実際に、こ
のサンプルを１５０μｍに薄片化してＦＴ−ＩＲ法によ
る測定を行ったところ、酸素析出量として１４．７ｐｐ
ｍａ−ＪＥＩＤＡとの値が得られ、本発明の方法により
得られた値がＦＴ−ＩＲ法により得られた値とよく符合
することがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、赤
外レーザー光をサンプルに照射して得られる散乱光から
酸素析出欠陥の密度とその平均散乱光強度の平方根との
積を求めることにより、酸素析出量を定量的に評価でき
る。特に、熱処理後のウェーハを観察するだけで酸素析
出量を評価できるので、熱処理前のウエーハを観察する
必要がない。また、従来の技術では測定が非常に難しか
った０．１Ωｃｍ以下の低抵抗率ウェーハにおける酸素
析出量の評価も簡便に行うことができる。
外レーザー光をサンプルに照射して得られる散乱光から
酸素析出欠陥の密度とその平均散乱光強度の平方根との
積を求めることにより、酸素析出量を定量的に評価でき
る。特に、熱処理後のウェーハを観察するだけで酸素析
出量を評価できるので、熱処理前のウエーハを観察する
必要がない。また、従来の技術では測定が非常に難しか
った０．１Ωｃｍ以下の低抵抗率ウェーハにおける酸素
析出量の評価も簡便に行うことができる。
【図１】実施例における、通常抵抗率シリコン結晶での
ＦＴ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥の
密度をプロットした図である。
ＦＴ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥の
密度をプロットした図である。
【図２】実施例における、通常抵抗率シリコン結晶での
ＦＴ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥か
らの平均散乱光強度の平方根をプロットした図である。
ＦＴ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥か
らの平均散乱光強度の平方根をプロットした図である。
【図３】実施例における、通常抵抗率シリコン結晶での
ＦＴ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥の
密度と平均散乱光強度の平方根との積をプロットした図
である。
ＦＴ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥の
密度と平均散乱光強度の平方根との積をプロットした図
である。
【図４】実施例における、低抵抗率シリコン結晶でのＦ
Ｔ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥の密
度と平均散乱光強度の平方根との積をプロットした図で
ある。
Ｔ−ＩＲ法による酸素析出量に対して酸素析出欠陥の密
度と平均散乱光強度の平方根との積をプロットした図で
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により引き上げたシ
リコン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レ
ーザー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が
前記シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散
乱して得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めると
ともに欠陥１個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素
析出欠陥密度と；前記平均散乱光強度の平方根と；の積
を算出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中
の酸素析出量を評価することを特徴とするシリコン結晶
中の酸素析出量の評価方法。 - 【請求項２】 前記シリコン結晶は鏡面研磨ウェーハも
しくは鏡面エッチングウェーハである請求項１記載のシ
リコン結晶中の酸素析出量の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3770694A JP3055594B2 (ja) | 1994-02-11 | 1994-02-11 | シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3770694A JP3055594B2 (ja) | 1994-02-11 | 1994-02-11 | シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226428A true JPH07226428A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3055594B2 JP3055594B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=12504975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3770694A Expired - Lifetime JP3055594B2 (ja) | 1994-02-11 | 1994-02-11 | シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055594B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008915A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
| KR100578161B1 (ko) * | 1997-11-11 | 2006-08-01 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정내의 산소 침전물 거동 측정방법, 실리콘 단결정웨이퍼를 제조하는 공정 결정 방법 및 실리콘 단결정내의 산소침전물 거동 측정용 프로그램을 갖는 기록매체 |
| JP2007096323A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Siltronic Ag | 研磨されない半導体ディスクおよび研磨されない半導体ディスクを製造する方法 |
| DE102008063130A1 (de) | 2008-12-24 | 2010-07-01 | Sicrystal Ag | Verfahren zur Fremdphasenuntersuchung eines einkristallinen Substrats |
| JP2011077281A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-02-11 JP JP3770694A patent/JP3055594B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100578161B1 (ko) * | 1997-11-11 | 2006-08-01 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정내의 산소 침전물 거동 측정방법, 실리콘 단결정웨이퍼를 제조하는 공정 결정 방법 및 실리콘 단결정내의 산소침전물 거동 측정용 프로그램을 갖는 기록매체 |
| WO2006008915A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
| JP2007096323A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Siltronic Ag | 研磨されない半導体ディスクおよび研磨されない半導体ディスクを製造する方法 |
| DE102008063130A1 (de) | 2008-12-24 | 2010-07-01 | Sicrystal Ag | Verfahren zur Fremdphasenuntersuchung eines einkristallinen Substrats |
| DE102008063130B4 (de) * | 2008-12-24 | 2010-10-14 | Sicrystal Ag | Verfahren zur Fremdphasenuntersuchung eines einkristallinen Substrats |
| JP2011077281A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Covalent Materials Corp | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3055594B2 (ja) | 2000-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62197743A (ja) | 赤外吸収測定装置 | |
| US20100085073A1 (en) | Accurate measuring of long steady state minority carrier diffusion lengths | |
| JP3055594B2 (ja) | シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法 | |
| Liu et al. | Si/SiO2 interface studies by spectroscopic immersion ellipsometry and atomic force microscopy | |
| US5598452A (en) | Method of evaluating a silicon single crystal | |
| JPH11237226A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH0862122A (ja) | シリコンウェーハの酸素析出欠陥密度評価方法 | |
| JP3465539B2 (ja) | 半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置 | |
| Roth et al. | In situ substrate temperature measurement during MBE by band-edge reflection spectroscopy | |
| JP3955441B2 (ja) | シリコンウエーハの評価方法および窒素ドープアニールウエーハ | |
| JPH09330966A (ja) | シリコン基板中炭素の検出方法 | |
| JP4952871B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
| JP2002340794A (ja) | 半導体ウェーハの赤外吸収測定法 | |
| Hadek et al. | Far-infrared transmittance of boron-implanted germanium at liquid-helium temperatures | |
| JPH08191091A (ja) | シリコンウェーハの酸化膜耐圧強度の簡便評価法 | |
| JP2004111752A (ja) | シリコン結晶、半導体集積回路、シリコン結晶の製造方法、窒素濃度測定方法およびシリコン結晶の品質管理方法 | |
| JP3994139B2 (ja) | シリコンウエハのグローン・イン欠陥密度の評価方法 | |
| JPH0333642A (ja) | シリコン単結晶中の酸素析出量の測定方法 | |
| JPH10253546A (ja) | 半導体基板の評価方法および評価装置 | |
| JPH033946B2 (ja) | ||
| JP2715999B2 (ja) | 多結晶材料の評価方法 | |
| JPH10154734A (ja) | 半導体結晶の評価方法 | |
| Savin et al. | Measuring oxygen and bulk microdefects in silicon | |
| JP2003179114A (ja) | 半導体ウェーハの抵抗率測定方法 | |
| JP3874254B2 (ja) | シリコンウェーハ中のｂｍｄ密度の評価方法 |