JP2003179114A - 半導体ウェーハの抵抗率測定方法 - Google Patents
半導体ウェーハの抵抗率測定方法Info
- Publication number
- JP2003179114A JP2003179114A JP2001379103A JP2001379103A JP2003179114A JP 2003179114 A JP2003179114 A JP 2003179114A JP 2001379103 A JP2001379103 A JP 2001379103A JP 2001379103 A JP2001379103 A JP 2001379103A JP 2003179114 A JP2003179114 A JP 2003179114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- spv
- resistivity
- semiconductor wafer
- depletion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】空乏状態又は弱反転状態のままでもＡＣ−ＳＰ
Ｖ法で抵抗率を測定する方法を提供する。 【解決手段】表面光電圧法を用いて半導体ウェーハの抵
抗率を測定する方法であって、（ａ）測定対象である半
導体ウェーハへの入射光の周波数によらず一定の表面光
電圧値が得られる低周波数領域と入射光の周波数に反比
例する表面光電圧値が得られる高周波数領域との両領域
において表面光電圧値を測定し、得られた測定値から遮
断周波数ｆcを算出するステップと、（ｂ）前記高周波
数領域における表面光電圧値から算出されるキャパシタ
ンスＣdpから空乏層幅Ｗdを算出するステップと、
（ｃ）前記遮断周波数ｆcと前記キャパシタンスＣdpか
ら多数キャリアコンダクタンスｇmjを算出するステップ
と、（ｄ）前記遮断周波数ｆc、前記キャパシタンスＣ
dp、前記空乏層幅Ｗd及び前記多数キャリアコンダクタ
ンスｇmjとから表面電位Ｕs及びフェルミ電位ＵFを算出
するステップと、を有するようにした。
Ｖ法で抵抗率を測定する方法を提供する。 【解決手段】表面光電圧法を用いて半導体ウェーハの抵
抗率を測定する方法であって、（ａ）測定対象である半
導体ウェーハへの入射光の周波数によらず一定の表面光
電圧値が得られる低周波数領域と入射光の周波数に反比
例する表面光電圧値が得られる高周波数領域との両領域
において表面光電圧値を測定し、得られた測定値から遮
断周波数ｆcを算出するステップと、（ｂ）前記高周波
数領域における表面光電圧値から算出されるキャパシタ
ンスＣdpから空乏層幅Ｗdを算出するステップと、
（ｃ）前記遮断周波数ｆcと前記キャパシタンスＣdpか
ら多数キャリアコンダクタンスｇmjを算出するステップ
と、（ｄ）前記遮断周波数ｆc、前記キャパシタンスＣ
dp、前記空乏層幅Ｗd及び前記多数キャリアコンダクタ
ンスｇmjとから表面電位Ｕs及びフェルミ電位ＵFを算出
するステップと、を有するようにした。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面光電圧法を用
いて半導体ウェーハ（以下、ウェーハということがあ
る）の抵抗率を測定する方法に関する。 【０００２】 【関連技術】半導体ウェーハの抵抗率を非接触で測定す
る方法としては、表面光電圧（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏ
ｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ：以下、ＳＰＶという）を利用す
る方法がエミル・カミエニエキらによって、例えば、
Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ ５４（１１）、Ｎ
ｏｖ． １９８３ ｐ．６４８１で提案されている。Ｓ
ＰＶは半導体に光を照射した時に生じる表面電位の変化
を意味する。入射光として適当な周波数で断続した光子
線を用いることにより励起されるＳＰＶのことを交流Ｓ
ＰＶ（ＡＣ−ＳＰＶ）という。本明細書中では、以下、
特にことわりがないかぎり、ＳＰＶとはＡＣ−ＳＰＶを
意味する。 【０００３】まず、ＳＰＶの測定装置の一例を図４を用
いて説明する。図４において、１０はＳＰＶの測定装置
で、その光源としては断続が容易であるため通常は発光
ダイオード１２（以下ＬＥＤ）が用いられる。適当な周
波数で断続されたＬＥＤ１２の光１２ａは開口１４とレ
ンズ１６を通して収束されて、ＳｉウェーハＷの表面に
照射される。１８はＬＥＤドライバーで、ＬＥＤ１２を
駆動するとともにロックイン増幅器２０に接続されてい
る。ＡＣ−ＳＰＶはＳｉウェーハＷの表面上にマイラー
膜２２を挿入して設置された透明電極２４に接続したＬ
ＥＤの駆動周波数に同調したロックイン増幅器２０で計
測する。マイラー膜２２はなくてもよく、Ｓｉウェーハ
Ｗの表面と数十μｍ〜２００μｍ程度の空隙を介して設
置された透明電極２４でも計測できる。透明電極２４と
しては、例えばガラス基板にインジウム酸化物を蒸着さ
せてつくることができる。なお、符号２６は透明電極２
４の上面に設けられたガラスプレート、２８は金属電極
である。 【０００４】図５にｐ型Ｓｉウェーハを例にとり、その
抵抗率を測定する原理図を示す。ＳｉウェーハWの表面
に正電荷Ｑｓ（Ｑｓ＞０）が存在する場合、バルク表面
近傍の自由正孔は静電的に反発されて、バルク内部に押
しやられる。この結果表面近傍には負にイオン化したア
クセプター原子のみが出現するため負の電荷Ｑｓｃ（Ｑ
ｓｃ＜０）を形成する。バルク表面近傍には自由正孔の
存在しない領域、即ち空乏層領域３６が形成される。こ
の空乏層領域３６には表面の正電荷ＱｓとＳｉバルク内
部の負電荷Ｑｓｃにより内部電界が形成されている。Ａ
Ｃ−ＳＰＶ測定用の透明電極３０はＳｉウェーハＷと１
００μｍの空隙（エアーギャップ）３２を介して設置さ
れており、これによりＳｉウェーハ表面と非接触で測定
可能となるメリットがある。光源３４からの入射光３４
ａ〔チョッピングされた断続光（４０〜５０ＫＨｚ）〕
としてはＳｉのエネルギーギャップに対応する波長より
も短波長の光が用いられ、このように短波長の光を用い
る理由は以下のとおりである。 【０００５】例えば、波長４５０ｎｍの光の場合のＳｉ
中での吸収係数が大きいため、ＳｉウェーハＷ中への侵
入深さは約０．５μｍ程度である。仮にＳｉウェーハＷ
の表面近傍に形成された空乏層３６の巾が１μｍであれ
ば、入射された光は空乏層３６内で全て吸収される。そ
の結果、入射光によってＳｉウェーハ中に励起される過
剰キャリアは空乏層３６のみで発生することになる。 【０００６】空乏層３６内に励起された過剰キャリア
〔電子（ｅ）、正孔（ｈ）〕は内部電界によってのみ電
荷分離されるため、得られるＳＰＶはＳｉウェーハのキ
ャリア拡散長Ｌや裏面での表面再結合速度などの基板特
性の影響を受けなくなり、光電流Ｊphは次式で表され
る。 【０００７】 【数１】Ｊph＝ｑΦ（１−Ｒ）・・・・・（１） 【０００８】ここで、ｑは電荷素量、Φは入射光子密
度、Ｒは光反射率である。 【０００９】このような状態で試料表面に一様に照射さ
れると、ＡＣ−ＳＰＶは次のような関係式で表すことが
できる（例えばエミル・カミエニエキ等、Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ ５４（１１）、Ｎｏｖ． １９
８３ Ｐ６４８１）。 【００１０】 【数２】 δＶs＝−ｊδφω-1（１−Ｒ）ｑＣdp -1・・・・・（２） 【００１１】ここで、Ｖsは表面の電位障壁高さ、ωは
入射光の角周波数（ω＝２πｆ、ｆは変調周波数）、ｑ
は電荷素量、Ｃdpは試料表面に形成された空乏層のキャ
パシタンス、Ｒは光反射率、φは入射光子束である。δ
ＶsはＶsの変化量であり、図５中の試料より１００μｍ
程度の空隙３２を介して設置された透明電極３０にてＡ
Ｃ−ＳＰＶ信号として観測される。なお、図５におい
て、３８はグランド電極である。 【００１２】このように空乏層３６内でのみ過剰キャリ
アが発生する条件下で測定される一般的なＡＣ−ＳＰＶ
の変調周波数依存性を図６に示す。ＡＣ−ＳＰＶを説明
するために何人かの人々は等価回路を使う試みをしてい
る。例えば、Ｒ．Ｓ．Ｎａｋｈｍａｓｏｎ他、Ｓｏｌｉ
ｄ−Ｓｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、１８（１９７５）、ｐｐ
６２７−６３４や、Ｃ．Ｍｕｎａｋａｔａ他、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａ．Ｐ．２３、（１９８４）、ｐｐ．１４５１−１
４６０がある。一例としてＭｕｎａｋａｔａ等によって
提案されている半導体表面に強反転層が形成された場合
の等価回路を図７に示す。半導体表面は表面処理によっ
て中性状態、空乏状態、弱反転状態、強反転状態の各状
態を作り出すことができることが一般的に知られてい
る。 【００１３】ここでは、強反転状態についてのみ等価回
路を用いて図６に示したＡＣ−ＳＰＶ信号を説明する。
これは、ＡＣ−ＳＰＶを用いて抵抗率を測定する従来の
技術が強反転状態を前提にした理論に基づいて構築され
ているからである。詳細な説明は上記した各論文中にあ
るのでここでは避けるが、図７中でＣinは反転層キャパ
シタンス、ｇinは反転層コンダクタンス、Ｃdpは空乏層
キャパシタンス、ｇdpは空乏層コンダクタンスである。
等価回路よりＡＣ−ＳＰＶ信号は以下のとおり記述され
る。 【００１４】 【数３】δＶs＝δＪph｜Ｚ｜・・・・・（３） 【００１５】 【数４】 Ｚ＝１／（ｇin＋ｇdp＋ｊω（Ｃin＋Ｃdp））・・・・・（４） 【００１６】ここでＶsは表面の電位障壁高さ、Ｊphは
光電流、Ｚはインピーダンスである。 【００１７】等価回路からも明白なようにキャパシタン
スと抵抗の並列回路である。従って、入射光の変調周波
数が低い領域ではコンダクタンスｇinとｇdpによって制
限されたＳＰＶが現れる。この領域ではＳＰＶは変調周
波数によらず一定値をとることがわかる（図６の“Ａ”
領域、以下低周波数領域という）。 【００１８】逆に変調周波数が高い領域（図６の“Ｂ”
領域、以下高周波数領域という）ではキャパシタンスＣ
inとＣdpによってＡＣ−ＳＰＶは制限されるため観測さ
れるＳＰＶ信号は変調周波数ｆに反比例することが分か
る。両者の中間の変調周波数領域（図６の“Ｃ”領域、
以下遷移周波数領域という）はコンダクタンスに制限さ
れる領域からキャパシタンスに制限される領域へ移る遷
移領域である。 【００１９】これより明確なように、変調周波数ｆの逆
数にＡＣ−ＳＰＶ信号が比例する高い変調周波数領域の
ＡＣ−ＳＰＶ信号を測定すれば、観測されたＡＣ−ＳＰ
Ｖより、試料表面に形成されたキャパシタンス成分であ
るＣinとＣdpの合成キャパシタンスが測定できる。強反
転状態においてはＣin＜＜Ｃdpであるから観測されたＡ
Ｃ−ＳＰＶ信号はＣdpのみに依存することになり、結果
として空乏層キャパシタンスが算出できる。空乏層キャ
パシタンスＣdpと空乏層幅Ｗdの間には一般的に次式が
成り立つ。 【００２０】 【数５】Ｃdp＝εｓ／Ｗd・・・・・（５） 【００２１】ここでεｓはＳｉの比誘電率である。 【００２２】したがって、変調周波数ｆの逆数にＡＣ−
ＳＰＶ信号が比例する高い変調周波数領域のＡＣ−ＳＰ
Ｖ信号を測定すれば（２）式より被測定物（Ｓｉ）の空
乏層キャパシタンスＣdpを算出できる。さらに（５）式
より空乏層巾Ｗdが算出できる。仮に被測定物の表面が
強反転状態であれば、空乏層巾Ｗdは最大値Ｗmaxになり
次式で表すことができる。 【００２３】 【数６】 【００２４】ここで、Ｗmaxは強反転状態での最大空乏
層幅、εsはＳｉの比誘電率、ｋはボルツマン定数、Ｎ
scはドーパント濃度、ｎiはＳｉの真性キャリア密度、
ｑは電荷素量である。 【００２５】この関係式を用いて被測定物のドーパント
濃度を算出することができるのである。現在市販されて
いるＡＣ−ＳＰＶを用いたＳｉウェーハの抵抗率を測定
する装置、例えばＱＣ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ社より市販さ
れている抵抗率測定器（商品名“ＳＣＰ”）は入射光と
して波長４５０ｎｍの光をチョッピングし（チョッピン
グ周波数４０ｋＨｚ）たものを用いており、光照射によ
り発生する過剰キャリアを空乏層内のみで発生できると
ともにチョッピング周波数４０ｋＨｚはＡＣ−ＳＰＶ信
号がチョッピング周波数ｆに反比例する領域であり、上
述したように空乏層キャパシタンスを測定することがで
きる。 【００２６】本装置はｐ型のＳｉウェーハを測定する場
合、測定前の前処理としてＲＯＳＴ（Ｒａｐｉｄ Ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）と
いう処理を実施している。これはハロゲンランプで３０
０℃前後の温度で３０秒程度の急速加熱処理を行なって
いる。この前処理により試料表面に正電荷が形成され
て、表面が強反転状態になるとしている。試料表面が強
反転状態の場合は、前述したようにＣdpから被測定物の
ドーパント濃度が算出でき、ドーパント濃度から抵抗率
への換算は、例えば、ＡＳＴＭ（７２３−８１）によっ
て行なえばよく、結果として抵抗率を算出することが原
理的に可能である。 【００２７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者がＲＯＳＴ処理したウェーハの表面状態を計測した結
果、表面は強反転状態ではなく空乏状態又は弱反転状態
であるため、必ずしも正確な測定結果が得られていない
ことが判明した。 【００２８】この問題を解決するためには、測定試料の
表面を強反転状態にする方法が考えられる。例えば、ｐ
型Ｓｉの場合は表面に相当量の正電位を出現させればよ
い。表面に正電荷を出現させる具体的な方法としては、
上述したＲＯＳＴ処理以外に（１）ＨＦ水溶液に浸漬す
る。（Ｃ．Ｍｕｎａｋａｔａ、Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ． ５（１９９０）、ｐｐ８４２−
８４６、（２）熱酸化する。（Ｂ．Ｅ．Ｄｅａｌ、ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ、
ＥＤ−２７、（１９８０）、ｐｐ６０６−６０８他）な
どがある。 【００２９】しかしながら、（１）の方法では正電荷は
発生するがやはり強反転状態にはならない。また、
（２）の方法では抵抗率が比較的高い領域では強反転状
態になるが、熱酸化をしなければならず、検査コストの
上昇を招く。またエピタキシャルウェーハの場合は加熱
熱処理によって基板とエピタキシャル層界面のドーパン
ト濃度が変化してしまうといった問題がある。その他の
方法も強反転状態が得られなかったり、処理によって汚
染が生じてしまうなど測定したウェーハをそのまま製品
ウェーハとして出荷するには問題があった。その結果、
本発明者は、Ｓｉウェーハの品質を低下させずに強反転
状態を形成することは難しいとの認識に達した。 【００３０】本発明は、これらの問題に鑑みなされたも
のであり、空乏状態又は弱反転状態のままでもＡＣ−Ｓ
ＰＶ法で抵抗率を測定する方法を提供することを目的と
する。 【００３１】上記問題を解決するため、本発明の半導体
ウェーハの抵抗率測定方法は、表面光電圧法を用いて半
導体ウェーハの抵抗率を測定する方法であって、（ａ）
測定対象である半導体ウェーハへの入射光の周波数によ
らず一定の表面光電圧値が得られる低周波数領域と、入
射光の周波数に反比例する表面光電圧値が得られる高周
波数領域との両領域において表面光電圧値を測定し、得
られた測定値から遮断周波数ｆcを算出するステップ
と、（ｂ）前記高周波数領域における表面光電圧値から
算出されるキャパシタンスＣdpから空乏層幅Ｗdを算出
するステップと、（ｃ）前記遮断周波数ｆcと前記キャ
パシタンスＣdpから多数キャリアコンダクタンスｇmjを
算出するステップと、（ｄ）前記遮断周波数ｆc、前記
キャパシタンスＣdp、前記空乏層幅Ｗd及び前記多数キ
ャリアコンダクタンスｇmjとから表面電位Ｕs及びフェ
ルミ電位ＵFを算出するステップと、を有することを特
徴とする。 【００３２】すなわち、本発明は、ＡＣ−ＳＰＶ法にお
いて、コンダクタンスでＡＣ−ＳＰＶが制限される低変
調周波数領域とキャパシタンスでＡＣ−ＳＰＶが制限さ
れる高変調周波数領域の少なくとも２つの領域のＡＣ−
ＳＰＶ信号を測定することに特徴を有する非破壊抵抗率
測定法である。 【００３３】以下、本発明を完成させるに至った経緯に
ついてさらに詳細に説明する。図８、図９は、前述のＱ
Ｃ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ社より市販されている抵抗率測定
器（商品名“ＳＣＰ”）を用いて、ｐ／ｐ+構造のエピ
タキシャルウェーハ（ｐ型の低抵抗率基板上にｐ型通常
抵抗率のエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウ
ェーハ）の抵抗率を測定した結果を示す。測定に用いた
エピタキシャルウェーハのエピ層の抵抗率は約１０Ωｃ
ｍである。これは現在広く一般的に用いられているショ
ットキーＣＶ法で確認を行なった。またエピタキシャル
層の厚さは約１０μｍである。 【００３４】図８は試料を測定前に１回だけＲＯＳＴ処
理をしてその後ＡＣ−ＳＰＶを繰り返し測定してエピタ
キシャル層のドーパント濃度を算出した結果である。横
軸は測定回数を示しており、１回の測定には約１分を要
する。エピタキシャル層のドーパント濃度は時間ととも
に減少しており、測定値が経時変化してしまっている。
一方、図９はＲＯＳＴ処理＋ＡＣ−ＳＰＶ測定を繰り返
し測定した場合である。横軸は図８と同様に測定回数を
示しているが、毎回ＲＯＳＴ処理を行なってから測定す
るので、１回の測定には約２分を要する。こちらの場合
には、ドーパント濃度は測定回数の増加とともに増加し
ており、やはり安定した測定ができていないことを示し
ている。 【００３５】本発明者はＲＯＳＴ処理したウェーハの無
単位の表面電位Ｕｓ（表面電位Φｓ（ｖ）を熱電圧ｋＴ
／ｑで割った物理量、ここでｋはボルツマン定数、Ｔは
絶対温度、ｑは電荷素量である）を、例えば、Ｍｕｎａ
ｋａｔａ他が提案している方法（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ．Ｐ
Ｖｏｌ．２６、Ｎｏ２． Ｆｅｂ． １９８７、ｐｐ．
２２６）で評価した結果、Ｕｓは１５程度であり、強反
転層を形成するのに必要なＵｓはｐ型１０Ω・ｃｍの場
合は２３．１以上であることから、ＲＯＳＴ処理では表
面は強反転状態にはならず、空乏状態又は弱反転状態に
しかなっていないことを確認するに至った。 【００３６】さらに、ｐ型Ｓｉを例にとれば、表面電位
ＵｓはＳｉ表面への水分の吸着や、自然酸化膜の形成な
どのため常に変化することが一般的に知られている。下
記に示す表１は上記のサンプルをＲＯＳＴ処理直後と５
時間経過後の無単位の表面電位Ｕｓを測定した結果であ
る。表１から明白なようにＵｓはいずれも２３．１未満
であり、Ｓｉ表面が強反転状態ではなく空乏状態又は弱
反転状態にしかなっていないことが分かる。またＵｓは
ＲＯＳＴ直後に対して５時間経過後では小さくなってお
り表面電位が時間とともに低下、変化していることがわ
かる。 【００３７】 【表１】 【００３８】たとえ表面電位が多少変動しても、表面が
強反転状態を保っている範囲内であれば、最大空乏層巾
Ｗｍａｘは一定であり、よってＡＣ−ＳＰＶで測定され
る空乏層キャパシタンスも一定であるため問題は生じな
いが、表面が空乏状態又は弱反転状態の場合は表面電位
が変化すると空乏層巾も変化してしまうことは、例えば
Ａ．Ｓ．Ｇｒｏｏｖｅ、“Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅ”などで記載されており、広く一般的に
公知である。 【００３９】このように、表面が空乏状態又は弱反転状
態の場合に表面電位が変化すると、結果として観測され
るＡＣ−ＳＰＶ信号も変化してしまう。従って、従来の
測定法のように変調周波数ｆの逆数にＡＣ−ＳＰＶが正
比例する領域だけの測定では、表面電位が変化したの
か、試料の抵抗率が変化したのを区分けすることは不可
能である。更に、表面が強反転しているとの仮定からこ
のＡＣ−ＳＰＶ信号の変化を測定対象ウェーハのドーパ
ント濃度の変化として取り扱ってしまうといった問題点
のために、結果として、測定対象ウェーハのドーパント
濃度が経時変化するといった誤った解釈をしてしまうと
いう問題点があった。 【００４０】以上のような従来の測定法の厳密なる分析
結果から、本発明者は、ＳＰＶ法による抵抗率（ドーパ
ント濃度）の測定結果が安定しない根本原因は、ＲＯＳ
Ｔ処理では表面は強反転状態にはならず空乏状態又は弱
反転状態にしかなっていないにもかかわらず、強反転状
態を仮定した計算を行なっているところにあることを確
信した。そして、測定対象ウェーハの表面が強反転状態
ではなく空乏状態又は弱反転状態であっても正確に抵抗
率（ドーパント濃度）を算出できる測定方法について鋭
意研究し、本発明を完成させたものである。 【００４１】 【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
とともに説明するが、本発明の技術思想から逸脱しない
限りこれらに限定されるものではない。 【００４２】図１は、本発明の半導体ウェーハの抵抗率
（ドーパント濃度）測定方法の工程順を示すフローチャ
ートである。まず、ステップ１００では、測定対象ウェ
ーハをＳＰＶ法による測定装置にセットし、入射光の変
調周波数を変化させることにより、低周波数領域と高周
波数領域のそれぞれの領域において、ＳＰＶを測定す
る。低周波数領域におけるＳＰＶは一定であり、高周波
数領域におけるＳＰＶは周波数に反比例するので、それ
ぞれの領域において、少なくとも１点（１周波数）の測
定を行なえば、次のステップで遮断周波数を決定するこ
とができる。もちろん、それぞれの領域において複数の
周波数を用い、複数点の測定を行なうこともできる。低
周波数領域としては、例えば、０．１Ｈｚ〜１０００Ｈ
ｚを選択し、高周波数領域としては、例えば、０．５ｋ
Ｈｚ〜５００ｋＨｚを選択すればよい。高周波数領域に
おけるＳＰＶの測定結果からは、ウェーハ表面に形成さ
れた空乏層キャパシタンスＣdpを算出することもでき、
その値から前述の式（５）を用いて空乏層幅Ｗdを求め
ることができる。 【００４３】次にステップ１０２において、遮断周波数
ｆｃを求める。遮断周波数ｆｃは、後述する（９）式か
ら明確なように、低周波数領域と高周波数領域において
それぞれ測定されたＳＰＶの外挿線の交点の周波数とな
る。図２に遮断周波数ｆｃの求め方の概念図を示す。 【００４４】ステップ１０４では、ステップ１００で求
めた空乏層キャパシタンスＣdpと、ステップ１０２で求
められた遮断周波数ｆｃとから、多数キャリアコンダク
タンスｇmjを算出する。その詳細な算出方法は以下の通
りである。 【００４５】図３にＣ．Ｍｕｎａｋａｔａ他（Ｊ．Ｊ．
Ａ．Ｐ、２６、（１９８７）ｐｐ２２６−２３０）によ
って提案されている半導体表面が空乏状態又は弱反転状
態の場合のＡＣ−ＳＰＶ信号の等価回路を示す。図３
中、Ｃitは界面捕獲キャパシタンス、ｇitは界面捕獲コ
ンダクタンス、Ｃdpは空乏層キャパシタンス、ｇmjは多
数キャリアコンダクタンスであるが詳細は本発明の本質
ではないので割愛する。 【００４６】この等価回路から明確なように、空乏状態
／弱反転状態の場合も強反転状態と同様にキャパシタン
スと抵抗の並列回路であり、図６に示したように３つの
変調周波数領域で特徴づけられるＡＣ−ＳＰＶ信号が現
れる。この場合のＡＣ−ＳＰＶ信号は以下のとおり記述
される。 【００４７】 【数７】δＶs＝δＪph｜Ｚ｜・・・・・（３） 【００４８】 【数８】 Ｚ＝１／（ｇit＋ｇmj＋ｊω（Ｃit＋Ｃdp））・・・・・（７） 【００４９】ここで、ＡＣ−ＳＰＶがコンダクタンスで
制限される低周波数領域においてはｇit＜＜ｇmjであ
り、他方ＡＣ−ＳＰＶがキャパシタンスで制限される高
周波数領域ではＣit＜＜Ｃdpであることが知られてい
る。したがって、この低周波数領域と高周波数領域のＡ
Ｃ−ＳＰＶを論じる場合はｇmjとＣdpのみを考慮すれば
よいことになり、 【００５０】 【数９】Ｚ＝１／（ｇmj＋ｊωＣdp）・・・・・（８） 【００５１】となる。 【００５２】よって、インピーダンスＺの変調周波数依
存性は次式で表される遮断周波数ｆｃを有する。 【００５３】 【数１０】 ｆｃ＝（１／２π）×（ｇmj／Ｃdp）・・・・・（９） 【００５４】このことはＡＣ−ＳＰＶでｇmjを決定する
上で重要な意味がある。そのことについて説明すると以
下のようになる。 【００５５】通常、空隙やマイラー膜を介した容量結合
の非接触ＡＣ−ＳＰＶ法で半導体表面電位の変化量を電
圧信号として測定することは簡単であるが、光電流ｊph
を正確に測定することは困難である。このためＡＣ−Ｓ
ＰＶ法では（３）、（８）式を用いてｇmjを正確に求め
るためにはＪphを正確に測定する必要があると言った理
由でｇmjの測定は困難である。しかしながら（９）式の
関係はｇmjは遮断周波数ｆｃと空乏層キャパシタンスＣ
dpで一義的に決まり、Ｊphが未知のままでｇmjが測定で
きることになる。一方、Ｃdpは（２）式で表されるよう
に電圧信号の変化を測定すれば測定できるため正確に測
定可能である。 【００５６】以上のステップ１００〜１０４によりＡＣ
−ＳＰＶ法を用いて空乏状態／弱反転状態の空乏層キャ
パシタンスＣdp、遮断周波数ｆｃ、多数キャリアコンダ
クタンスｇmjが容易に計測／算出できる。そして、これ
らのパラメーターは例えばｐ型半導体の場合には、以下
の関係が成り立つことが知られている。 【００５７】 【数１１】 【００５８】 【数１２】ｐs＝ｐp0exp（−Ｕｓ）・・・・・（１１） 【００５９】 【数１３】 【００６０】 【数１４】 【００６１】 【数１５】β＝ｑ／ｋＴ・・・・・（１４） 【００６２】 【数１６】Ｅ0＝ｖpdm／μp・・・・・（１５） 【００６３】 【数１７】 【００６４】 【数１８】 【００６５】ここでｐsはウェーハ表面の正孔濃度、μp
は正孔の移動度、Uｓは表面電位、ＵFはフェルミ電位、
ＬDiは真性デバイ長、ｐp0はｐ型Ｓｉバルク中の正孔濃
度、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電荷素
量、Ｖpdmは正孔の最大飽和速度、Ｗdは空乏層巾であ
る。 【００６６】そこで、ステップ１０６においては、既に
求めた遮断周波数ｆc、キャパシタンスＣdp、空乏層幅
Ｗd及び多数キャリアコンダクタンスｇmjを、（１０）
式から（１７）式に代入して、連立方程式を解くことに
よって表面電位Ｕｓ、フェルミ電位ＵFを算出する（ス
テップ１０８）。フェルミ電位ＵFが求まれば、公知の
フェルミ電位とドーパント濃度の関係（例えば、菅野卓
雄著、「半導体物性と素子（Ｉ）」、ｐ．３１９、昭晃
堂）によりドーパント濃度を算出し、抵抗率に換算する
ことができる（ステップ１１０）。 【００６７】 【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明するが、
この実施例は例示的に示されるもので、限定的に解釈さ
れるべきでないことはいうまでもない。 【００６８】（実施例１）導電型ｐ型で抵抗率が未知の
エピタキシャル層（厚さ３μm）を有するエピタキシャ
ルウェーハの抵抗率（ドーパント濃度）を本発明の測定
方法により以下の通り測定した。 【００６９】まず、エピタキシャル成長直後のエピタキ
シャルウェーハをＳＰＶ測定装置に載置し、ＲＯＳＴ処
理を施した後、低周波数領域及び高周波数領域において
ＳＰＶを測定した。入射光の低周波数領域と高周波数領
域の周波数は、それぞれ１００Ｈｚ、５０ｋＨｚとし
た。 【００７０】測定されたそれぞれの領域におけるＳＰＶ
値を基に図２のように外挿線を引くことにより、遮断周
波数ｆｃ＝３．３１ｋＨｚとなった。また、高周波数領
域における測定値から、空乏層キャパシタンスＣdp＝
６．１９ｎＦが求められ、式（５）から空乏層幅Ｗd＝
１．６７μmと算出された。そして、ｆｃ＝３．３１ｋ
Ｈｚ、Ｃdp＝６．１９ｎＦを式（９）に代入することに
より、多数キャリアコンダクタンスｇmj＝１．２９Ｓ／
ｍ2を得た。 【００７１】以上のようにして得られたＷd、Ｃdp、ｆ
ｃ、ｇmjを式（１０）〜（１７）に代入して連立方程式
を解くことにより、表面電位Ｕｓ＝１５、フェルミ電位
ＵF＝０．２５を算出した。得られたフェルミ電位から
エピタキシャル層のドーパント濃度を算出した結果、
１．５×１０15／ｃｍ3となり、これを抵抗率に換算す
ると１０Ωｃｍであることが判明した。 【００７２】次に、このエピタキシャルウェーハを１０
時間放置した後、再度前回と同様の測定を行なった結
果、ｆｃ＝９．１３ｋＨｚ、Ｃdp＝６．４０ｎＦ、Ｗd
＝１．６２μm、ｇmj＝３．６７Ｓ／ｍ2、Ｕｓ＝１４と
なり、放置時間の影響により表面電位に経時変化が見ら
れた結果、前回と異なる測定値となったが、フェルミ電
位ＵFは前回と同一の０．２５が得られた。すなわち、
表面電位の経時変化にかかわらず、エピタキシャル層の
真のドーパント濃度（１．５×１０15／ｃｍ3）が測定
できることがわかった。 【００７３】 【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の半導体ウェ
ーハの抵抗率を測定する方法によれば、空乏状態又は弱
反転状態のままでもＳＰＶ法で抵抗率を測定することが
でき、さらに、経時変化のない測定結果を得ることがで
きる。
いて半導体ウェーハ（以下、ウェーハということがあ
る）の抵抗率を測定する方法に関する。 【０００２】 【関連技術】半導体ウェーハの抵抗率を非接触で測定す
る方法としては、表面光電圧（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏ
ｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ：以下、ＳＰＶという）を利用す
る方法がエミル・カミエニエキらによって、例えば、
Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ ５４（１１）、Ｎ
ｏｖ． １９８３ ｐ．６４８１で提案されている。Ｓ
ＰＶは半導体に光を照射した時に生じる表面電位の変化
を意味する。入射光として適当な周波数で断続した光子
線を用いることにより励起されるＳＰＶのことを交流Ｓ
ＰＶ（ＡＣ−ＳＰＶ）という。本明細書中では、以下、
特にことわりがないかぎり、ＳＰＶとはＡＣ−ＳＰＶを
意味する。 【０００３】まず、ＳＰＶの測定装置の一例を図４を用
いて説明する。図４において、１０はＳＰＶの測定装置
で、その光源としては断続が容易であるため通常は発光
ダイオード１２（以下ＬＥＤ）が用いられる。適当な周
波数で断続されたＬＥＤ１２の光１２ａは開口１４とレ
ンズ１６を通して収束されて、ＳｉウェーハＷの表面に
照射される。１８はＬＥＤドライバーで、ＬＥＤ１２を
駆動するとともにロックイン増幅器２０に接続されてい
る。ＡＣ−ＳＰＶはＳｉウェーハＷの表面上にマイラー
膜２２を挿入して設置された透明電極２４に接続したＬ
ＥＤの駆動周波数に同調したロックイン増幅器２０で計
測する。マイラー膜２２はなくてもよく、Ｓｉウェーハ
Ｗの表面と数十μｍ〜２００μｍ程度の空隙を介して設
置された透明電極２４でも計測できる。透明電極２４と
しては、例えばガラス基板にインジウム酸化物を蒸着さ
せてつくることができる。なお、符号２６は透明電極２
４の上面に設けられたガラスプレート、２８は金属電極
である。 【０００４】図５にｐ型Ｓｉウェーハを例にとり、その
抵抗率を測定する原理図を示す。ＳｉウェーハWの表面
に正電荷Ｑｓ（Ｑｓ＞０）が存在する場合、バルク表面
近傍の自由正孔は静電的に反発されて、バルク内部に押
しやられる。この結果表面近傍には負にイオン化したア
クセプター原子のみが出現するため負の電荷Ｑｓｃ（Ｑ
ｓｃ＜０）を形成する。バルク表面近傍には自由正孔の
存在しない領域、即ち空乏層領域３６が形成される。こ
の空乏層領域３６には表面の正電荷ＱｓとＳｉバルク内
部の負電荷Ｑｓｃにより内部電界が形成されている。Ａ
Ｃ−ＳＰＶ測定用の透明電極３０はＳｉウェーハＷと１
００μｍの空隙（エアーギャップ）３２を介して設置さ
れており、これによりＳｉウェーハ表面と非接触で測定
可能となるメリットがある。光源３４からの入射光３４
ａ〔チョッピングされた断続光（４０〜５０ＫＨｚ）〕
としてはＳｉのエネルギーギャップに対応する波長より
も短波長の光が用いられ、このように短波長の光を用い
る理由は以下のとおりである。 【０００５】例えば、波長４５０ｎｍの光の場合のＳｉ
中での吸収係数が大きいため、ＳｉウェーハＷ中への侵
入深さは約０．５μｍ程度である。仮にＳｉウェーハＷ
の表面近傍に形成された空乏層３６の巾が１μｍであれ
ば、入射された光は空乏層３６内で全て吸収される。そ
の結果、入射光によってＳｉウェーハ中に励起される過
剰キャリアは空乏層３６のみで発生することになる。 【０００６】空乏層３６内に励起された過剰キャリア
〔電子（ｅ）、正孔（ｈ）〕は内部電界によってのみ電
荷分離されるため、得られるＳＰＶはＳｉウェーハのキ
ャリア拡散長Ｌや裏面での表面再結合速度などの基板特
性の影響を受けなくなり、光電流Ｊphは次式で表され
る。 【０００７】 【数１】Ｊph＝ｑΦ（１−Ｒ）・・・・・（１） 【０００８】ここで、ｑは電荷素量、Φは入射光子密
度、Ｒは光反射率である。 【０００９】このような状態で試料表面に一様に照射さ
れると、ＡＣ−ＳＰＶは次のような関係式で表すことが
できる（例えばエミル・カミエニエキ等、Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ ５４（１１）、Ｎｏｖ． １９
８３ Ｐ６４８１）。 【００１０】 【数２】 δＶs＝−ｊδφω-1（１−Ｒ）ｑＣdp -1・・・・・（２） 【００１１】ここで、Ｖsは表面の電位障壁高さ、ωは
入射光の角周波数（ω＝２πｆ、ｆは変調周波数）、ｑ
は電荷素量、Ｃdpは試料表面に形成された空乏層のキャ
パシタンス、Ｒは光反射率、φは入射光子束である。δ
ＶsはＶsの変化量であり、図５中の試料より１００μｍ
程度の空隙３２を介して設置された透明電極３０にてＡ
Ｃ−ＳＰＶ信号として観測される。なお、図５におい
て、３８はグランド電極である。 【００１２】このように空乏層３６内でのみ過剰キャリ
アが発生する条件下で測定される一般的なＡＣ−ＳＰＶ
の変調周波数依存性を図６に示す。ＡＣ−ＳＰＶを説明
するために何人かの人々は等価回路を使う試みをしてい
る。例えば、Ｒ．Ｓ．Ｎａｋｈｍａｓｏｎ他、Ｓｏｌｉ
ｄ−Ｓｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、１８（１９７５）、ｐｐ
６２７−６３４や、Ｃ．Ｍｕｎａｋａｔａ他、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａ．Ｐ．２３、（１９８４）、ｐｐ．１４５１−１
４６０がある。一例としてＭｕｎａｋａｔａ等によって
提案されている半導体表面に強反転層が形成された場合
の等価回路を図７に示す。半導体表面は表面処理によっ
て中性状態、空乏状態、弱反転状態、強反転状態の各状
態を作り出すことができることが一般的に知られてい
る。 【００１３】ここでは、強反転状態についてのみ等価回
路を用いて図６に示したＡＣ−ＳＰＶ信号を説明する。
これは、ＡＣ−ＳＰＶを用いて抵抗率を測定する従来の
技術が強反転状態を前提にした理論に基づいて構築され
ているからである。詳細な説明は上記した各論文中にあ
るのでここでは避けるが、図７中でＣinは反転層キャパ
シタンス、ｇinは反転層コンダクタンス、Ｃdpは空乏層
キャパシタンス、ｇdpは空乏層コンダクタンスである。
等価回路よりＡＣ−ＳＰＶ信号は以下のとおり記述され
る。 【００１４】 【数３】δＶs＝δＪph｜Ｚ｜・・・・・（３） 【００１５】 【数４】 Ｚ＝１／（ｇin＋ｇdp＋ｊω（Ｃin＋Ｃdp））・・・・・（４） 【００１６】ここでＶsは表面の電位障壁高さ、Ｊphは
光電流、Ｚはインピーダンスである。 【００１７】等価回路からも明白なようにキャパシタン
スと抵抗の並列回路である。従って、入射光の変調周波
数が低い領域ではコンダクタンスｇinとｇdpによって制
限されたＳＰＶが現れる。この領域ではＳＰＶは変調周
波数によらず一定値をとることがわかる（図６の“Ａ”
領域、以下低周波数領域という）。 【００１８】逆に変調周波数が高い領域（図６の“Ｂ”
領域、以下高周波数領域という）ではキャパシタンスＣ
inとＣdpによってＡＣ−ＳＰＶは制限されるため観測さ
れるＳＰＶ信号は変調周波数ｆに反比例することが分か
る。両者の中間の変調周波数領域（図６の“Ｃ”領域、
以下遷移周波数領域という）はコンダクタンスに制限さ
れる領域からキャパシタンスに制限される領域へ移る遷
移領域である。 【００１９】これより明確なように、変調周波数ｆの逆
数にＡＣ−ＳＰＶ信号が比例する高い変調周波数領域の
ＡＣ−ＳＰＶ信号を測定すれば、観測されたＡＣ−ＳＰ
Ｖより、試料表面に形成されたキャパシタンス成分であ
るＣinとＣdpの合成キャパシタンスが測定できる。強反
転状態においてはＣin＜＜Ｃdpであるから観測されたＡ
Ｃ−ＳＰＶ信号はＣdpのみに依存することになり、結果
として空乏層キャパシタンスが算出できる。空乏層キャ
パシタンスＣdpと空乏層幅Ｗdの間には一般的に次式が
成り立つ。 【００２０】 【数５】Ｃdp＝εｓ／Ｗd・・・・・（５） 【００２１】ここでεｓはＳｉの比誘電率である。 【００２２】したがって、変調周波数ｆの逆数にＡＣ−
ＳＰＶ信号が比例する高い変調周波数領域のＡＣ−ＳＰ
Ｖ信号を測定すれば（２）式より被測定物（Ｓｉ）の空
乏層キャパシタンスＣdpを算出できる。さらに（５）式
より空乏層巾Ｗdが算出できる。仮に被測定物の表面が
強反転状態であれば、空乏層巾Ｗdは最大値Ｗmaxになり
次式で表すことができる。 【００２３】 【数６】 【００２４】ここで、Ｗmaxは強反転状態での最大空乏
層幅、εsはＳｉの比誘電率、ｋはボルツマン定数、Ｎ
scはドーパント濃度、ｎiはＳｉの真性キャリア密度、
ｑは電荷素量である。 【００２５】この関係式を用いて被測定物のドーパント
濃度を算出することができるのである。現在市販されて
いるＡＣ−ＳＰＶを用いたＳｉウェーハの抵抗率を測定
する装置、例えばＱＣ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ社より市販さ
れている抵抗率測定器（商品名“ＳＣＰ”）は入射光と
して波長４５０ｎｍの光をチョッピングし（チョッピン
グ周波数４０ｋＨｚ）たものを用いており、光照射によ
り発生する過剰キャリアを空乏層内のみで発生できると
ともにチョッピング周波数４０ｋＨｚはＡＣ−ＳＰＶ信
号がチョッピング周波数ｆに反比例する領域であり、上
述したように空乏層キャパシタンスを測定することがで
きる。 【００２６】本装置はｐ型のＳｉウェーハを測定する場
合、測定前の前処理としてＲＯＳＴ（Ｒａｐｉｄ Ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）と
いう処理を実施している。これはハロゲンランプで３０
０℃前後の温度で３０秒程度の急速加熱処理を行なって
いる。この前処理により試料表面に正電荷が形成され
て、表面が強反転状態になるとしている。試料表面が強
反転状態の場合は、前述したようにＣdpから被測定物の
ドーパント濃度が算出でき、ドーパント濃度から抵抗率
への換算は、例えば、ＡＳＴＭ（７２３−８１）によっ
て行なえばよく、結果として抵抗率を算出することが原
理的に可能である。 【００２７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者がＲＯＳＴ処理したウェーハの表面状態を計測した結
果、表面は強反転状態ではなく空乏状態又は弱反転状態
であるため、必ずしも正確な測定結果が得られていない
ことが判明した。 【００２８】この問題を解決するためには、測定試料の
表面を強反転状態にする方法が考えられる。例えば、ｐ
型Ｓｉの場合は表面に相当量の正電位を出現させればよ
い。表面に正電荷を出現させる具体的な方法としては、
上述したＲＯＳＴ処理以外に（１）ＨＦ水溶液に浸漬す
る。（Ｃ．Ｍｕｎａｋａｔａ、Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ． ５（１９９０）、ｐｐ８４２−
８４６、（２）熱酸化する。（Ｂ．Ｅ．Ｄｅａｌ、ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ、
ＥＤ−２７、（１９８０）、ｐｐ６０６−６０８他）な
どがある。 【００２９】しかしながら、（１）の方法では正電荷は
発生するがやはり強反転状態にはならない。また、
（２）の方法では抵抗率が比較的高い領域では強反転状
態になるが、熱酸化をしなければならず、検査コストの
上昇を招く。またエピタキシャルウェーハの場合は加熱
熱処理によって基板とエピタキシャル層界面のドーパン
ト濃度が変化してしまうといった問題がある。その他の
方法も強反転状態が得られなかったり、処理によって汚
染が生じてしまうなど測定したウェーハをそのまま製品
ウェーハとして出荷するには問題があった。その結果、
本発明者は、Ｓｉウェーハの品質を低下させずに強反転
状態を形成することは難しいとの認識に達した。 【００３０】本発明は、これらの問題に鑑みなされたも
のであり、空乏状態又は弱反転状態のままでもＡＣ−Ｓ
ＰＶ法で抵抗率を測定する方法を提供することを目的と
する。 【００３１】上記問題を解決するため、本発明の半導体
ウェーハの抵抗率測定方法は、表面光電圧法を用いて半
導体ウェーハの抵抗率を測定する方法であって、（ａ）
測定対象である半導体ウェーハへの入射光の周波数によ
らず一定の表面光電圧値が得られる低周波数領域と、入
射光の周波数に反比例する表面光電圧値が得られる高周
波数領域との両領域において表面光電圧値を測定し、得
られた測定値から遮断周波数ｆcを算出するステップ
と、（ｂ）前記高周波数領域における表面光電圧値から
算出されるキャパシタンスＣdpから空乏層幅Ｗdを算出
するステップと、（ｃ）前記遮断周波数ｆcと前記キャ
パシタンスＣdpから多数キャリアコンダクタンスｇmjを
算出するステップと、（ｄ）前記遮断周波数ｆc、前記
キャパシタンスＣdp、前記空乏層幅Ｗd及び前記多数キ
ャリアコンダクタンスｇmjとから表面電位Ｕs及びフェ
ルミ電位ＵFを算出するステップと、を有することを特
徴とする。 【００３２】すなわち、本発明は、ＡＣ−ＳＰＶ法にお
いて、コンダクタンスでＡＣ−ＳＰＶが制限される低変
調周波数領域とキャパシタンスでＡＣ−ＳＰＶが制限さ
れる高変調周波数領域の少なくとも２つの領域のＡＣ−
ＳＰＶ信号を測定することに特徴を有する非破壊抵抗率
測定法である。 【００３３】以下、本発明を完成させるに至った経緯に
ついてさらに詳細に説明する。図８、図９は、前述のＱ
Ｃ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ社より市販されている抵抗率測定
器（商品名“ＳＣＰ”）を用いて、ｐ／ｐ+構造のエピ
タキシャルウェーハ（ｐ型の低抵抗率基板上にｐ型通常
抵抗率のエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウ
ェーハ）の抵抗率を測定した結果を示す。測定に用いた
エピタキシャルウェーハのエピ層の抵抗率は約１０Ωｃ
ｍである。これは現在広く一般的に用いられているショ
ットキーＣＶ法で確認を行なった。またエピタキシャル
層の厚さは約１０μｍである。 【００３４】図８は試料を測定前に１回だけＲＯＳＴ処
理をしてその後ＡＣ−ＳＰＶを繰り返し測定してエピタ
キシャル層のドーパント濃度を算出した結果である。横
軸は測定回数を示しており、１回の測定には約１分を要
する。エピタキシャル層のドーパント濃度は時間ととも
に減少しており、測定値が経時変化してしまっている。
一方、図９はＲＯＳＴ処理＋ＡＣ−ＳＰＶ測定を繰り返
し測定した場合である。横軸は図８と同様に測定回数を
示しているが、毎回ＲＯＳＴ処理を行なってから測定す
るので、１回の測定には約２分を要する。こちらの場合
には、ドーパント濃度は測定回数の増加とともに増加し
ており、やはり安定した測定ができていないことを示し
ている。 【００３５】本発明者はＲＯＳＴ処理したウェーハの無
単位の表面電位Ｕｓ（表面電位Φｓ（ｖ）を熱電圧ｋＴ
／ｑで割った物理量、ここでｋはボルツマン定数、Ｔは
絶対温度、ｑは電荷素量である）を、例えば、Ｍｕｎａ
ｋａｔａ他が提案している方法（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ．Ｐ
Ｖｏｌ．２６、Ｎｏ２． Ｆｅｂ． １９８７、ｐｐ．
２２６）で評価した結果、Ｕｓは１５程度であり、強反
転層を形成するのに必要なＵｓはｐ型１０Ω・ｃｍの場
合は２３．１以上であることから、ＲＯＳＴ処理では表
面は強反転状態にはならず、空乏状態又は弱反転状態に
しかなっていないことを確認するに至った。 【００３６】さらに、ｐ型Ｓｉを例にとれば、表面電位
ＵｓはＳｉ表面への水分の吸着や、自然酸化膜の形成な
どのため常に変化することが一般的に知られている。下
記に示す表１は上記のサンプルをＲＯＳＴ処理直後と５
時間経過後の無単位の表面電位Ｕｓを測定した結果であ
る。表１から明白なようにＵｓはいずれも２３．１未満
であり、Ｓｉ表面が強反転状態ではなく空乏状態又は弱
反転状態にしかなっていないことが分かる。またＵｓは
ＲＯＳＴ直後に対して５時間経過後では小さくなってお
り表面電位が時間とともに低下、変化していることがわ
かる。 【００３７】 【表１】 【００３８】たとえ表面電位が多少変動しても、表面が
強反転状態を保っている範囲内であれば、最大空乏層巾
Ｗｍａｘは一定であり、よってＡＣ−ＳＰＶで測定され
る空乏層キャパシタンスも一定であるため問題は生じな
いが、表面が空乏状態又は弱反転状態の場合は表面電位
が変化すると空乏層巾も変化してしまうことは、例えば
Ａ．Ｓ．Ｇｒｏｏｖｅ、“Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅ”などで記載されており、広く一般的に
公知である。 【００３９】このように、表面が空乏状態又は弱反転状
態の場合に表面電位が変化すると、結果として観測され
るＡＣ−ＳＰＶ信号も変化してしまう。従って、従来の
測定法のように変調周波数ｆの逆数にＡＣ−ＳＰＶが正
比例する領域だけの測定では、表面電位が変化したの
か、試料の抵抗率が変化したのを区分けすることは不可
能である。更に、表面が強反転しているとの仮定からこ
のＡＣ−ＳＰＶ信号の変化を測定対象ウェーハのドーパ
ント濃度の変化として取り扱ってしまうといった問題点
のために、結果として、測定対象ウェーハのドーパント
濃度が経時変化するといった誤った解釈をしてしまうと
いう問題点があった。 【００４０】以上のような従来の測定法の厳密なる分析
結果から、本発明者は、ＳＰＶ法による抵抗率（ドーパ
ント濃度）の測定結果が安定しない根本原因は、ＲＯＳ
Ｔ処理では表面は強反転状態にはならず空乏状態又は弱
反転状態にしかなっていないにもかかわらず、強反転状
態を仮定した計算を行なっているところにあることを確
信した。そして、測定対象ウェーハの表面が強反転状態
ではなく空乏状態又は弱反転状態であっても正確に抵抗
率（ドーパント濃度）を算出できる測定方法について鋭
意研究し、本発明を完成させたものである。 【００４１】 【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
とともに説明するが、本発明の技術思想から逸脱しない
限りこれらに限定されるものではない。 【００４２】図１は、本発明の半導体ウェーハの抵抗率
（ドーパント濃度）測定方法の工程順を示すフローチャ
ートである。まず、ステップ１００では、測定対象ウェ
ーハをＳＰＶ法による測定装置にセットし、入射光の変
調周波数を変化させることにより、低周波数領域と高周
波数領域のそれぞれの領域において、ＳＰＶを測定す
る。低周波数領域におけるＳＰＶは一定であり、高周波
数領域におけるＳＰＶは周波数に反比例するので、それ
ぞれの領域において、少なくとも１点（１周波数）の測
定を行なえば、次のステップで遮断周波数を決定するこ
とができる。もちろん、それぞれの領域において複数の
周波数を用い、複数点の測定を行なうこともできる。低
周波数領域としては、例えば、０．１Ｈｚ〜１０００Ｈ
ｚを選択し、高周波数領域としては、例えば、０．５ｋ
Ｈｚ〜５００ｋＨｚを選択すればよい。高周波数領域に
おけるＳＰＶの測定結果からは、ウェーハ表面に形成さ
れた空乏層キャパシタンスＣdpを算出することもでき、
その値から前述の式（５）を用いて空乏層幅Ｗdを求め
ることができる。 【００４３】次にステップ１０２において、遮断周波数
ｆｃを求める。遮断周波数ｆｃは、後述する（９）式か
ら明確なように、低周波数領域と高周波数領域において
それぞれ測定されたＳＰＶの外挿線の交点の周波数とな
る。図２に遮断周波数ｆｃの求め方の概念図を示す。 【００４４】ステップ１０４では、ステップ１００で求
めた空乏層キャパシタンスＣdpと、ステップ１０２で求
められた遮断周波数ｆｃとから、多数キャリアコンダク
タンスｇmjを算出する。その詳細な算出方法は以下の通
りである。 【００４５】図３にＣ．Ｍｕｎａｋａｔａ他（Ｊ．Ｊ．
Ａ．Ｐ、２６、（１９８７）ｐｐ２２６−２３０）によ
って提案されている半導体表面が空乏状態又は弱反転状
態の場合のＡＣ−ＳＰＶ信号の等価回路を示す。図３
中、Ｃitは界面捕獲キャパシタンス、ｇitは界面捕獲コ
ンダクタンス、Ｃdpは空乏層キャパシタンス、ｇmjは多
数キャリアコンダクタンスであるが詳細は本発明の本質
ではないので割愛する。 【００４６】この等価回路から明確なように、空乏状態
／弱反転状態の場合も強反転状態と同様にキャパシタン
スと抵抗の並列回路であり、図６に示したように３つの
変調周波数領域で特徴づけられるＡＣ−ＳＰＶ信号が現
れる。この場合のＡＣ−ＳＰＶ信号は以下のとおり記述
される。 【００４７】 【数７】δＶs＝δＪph｜Ｚ｜・・・・・（３） 【００４８】 【数８】 Ｚ＝１／（ｇit＋ｇmj＋ｊω（Ｃit＋Ｃdp））・・・・・（７） 【００４９】ここで、ＡＣ−ＳＰＶがコンダクタンスで
制限される低周波数領域においてはｇit＜＜ｇmjであ
り、他方ＡＣ−ＳＰＶがキャパシタンスで制限される高
周波数領域ではＣit＜＜Ｃdpであることが知られてい
る。したがって、この低周波数領域と高周波数領域のＡ
Ｃ−ＳＰＶを論じる場合はｇmjとＣdpのみを考慮すれば
よいことになり、 【００５０】 【数９】Ｚ＝１／（ｇmj＋ｊωＣdp）・・・・・（８） 【００５１】となる。 【００５２】よって、インピーダンスＺの変調周波数依
存性は次式で表される遮断周波数ｆｃを有する。 【００５３】 【数１０】 ｆｃ＝（１／２π）×（ｇmj／Ｃdp）・・・・・（９） 【００５４】このことはＡＣ−ＳＰＶでｇmjを決定する
上で重要な意味がある。そのことについて説明すると以
下のようになる。 【００５５】通常、空隙やマイラー膜を介した容量結合
の非接触ＡＣ−ＳＰＶ法で半導体表面電位の変化量を電
圧信号として測定することは簡単であるが、光電流ｊph
を正確に測定することは困難である。このためＡＣ−Ｓ
ＰＶ法では（３）、（８）式を用いてｇmjを正確に求め
るためにはＪphを正確に測定する必要があると言った理
由でｇmjの測定は困難である。しかしながら（９）式の
関係はｇmjは遮断周波数ｆｃと空乏層キャパシタンスＣ
dpで一義的に決まり、Ｊphが未知のままでｇmjが測定で
きることになる。一方、Ｃdpは（２）式で表されるよう
に電圧信号の変化を測定すれば測定できるため正確に測
定可能である。 【００５６】以上のステップ１００〜１０４によりＡＣ
−ＳＰＶ法を用いて空乏状態／弱反転状態の空乏層キャ
パシタンスＣdp、遮断周波数ｆｃ、多数キャリアコンダ
クタンスｇmjが容易に計測／算出できる。そして、これ
らのパラメーターは例えばｐ型半導体の場合には、以下
の関係が成り立つことが知られている。 【００５７】 【数１１】 【００５８】 【数１２】ｐs＝ｐp0exp（−Ｕｓ）・・・・・（１１） 【００５９】 【数１３】 【００６０】 【数１４】 【００６１】 【数１５】β＝ｑ／ｋＴ・・・・・（１４） 【００６２】 【数１６】Ｅ0＝ｖpdm／μp・・・・・（１５） 【００６３】 【数１７】 【００６４】 【数１８】 【００６５】ここでｐsはウェーハ表面の正孔濃度、μp
は正孔の移動度、Uｓは表面電位、ＵFはフェルミ電位、
ＬDiは真性デバイ長、ｐp0はｐ型Ｓｉバルク中の正孔濃
度、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電荷素
量、Ｖpdmは正孔の最大飽和速度、Ｗdは空乏層巾であ
る。 【００６６】そこで、ステップ１０６においては、既に
求めた遮断周波数ｆc、キャパシタンスＣdp、空乏層幅
Ｗd及び多数キャリアコンダクタンスｇmjを、（１０）
式から（１７）式に代入して、連立方程式を解くことに
よって表面電位Ｕｓ、フェルミ電位ＵFを算出する（ス
テップ１０８）。フェルミ電位ＵFが求まれば、公知の
フェルミ電位とドーパント濃度の関係（例えば、菅野卓
雄著、「半導体物性と素子（Ｉ）」、ｐ．３１９、昭晃
堂）によりドーパント濃度を算出し、抵抗率に換算する
ことができる（ステップ１１０）。 【００６７】 【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明するが、
この実施例は例示的に示されるもので、限定的に解釈さ
れるべきでないことはいうまでもない。 【００６８】（実施例１）導電型ｐ型で抵抗率が未知の
エピタキシャル層（厚さ３μm）を有するエピタキシャ
ルウェーハの抵抗率（ドーパント濃度）を本発明の測定
方法により以下の通り測定した。 【００６９】まず、エピタキシャル成長直後のエピタキ
シャルウェーハをＳＰＶ測定装置に載置し、ＲＯＳＴ処
理を施した後、低周波数領域及び高周波数領域において
ＳＰＶを測定した。入射光の低周波数領域と高周波数領
域の周波数は、それぞれ１００Ｈｚ、５０ｋＨｚとし
た。 【００７０】測定されたそれぞれの領域におけるＳＰＶ
値を基に図２のように外挿線を引くことにより、遮断周
波数ｆｃ＝３．３１ｋＨｚとなった。また、高周波数領
域における測定値から、空乏層キャパシタンスＣdp＝
６．１９ｎＦが求められ、式（５）から空乏層幅Ｗd＝
１．６７μmと算出された。そして、ｆｃ＝３．３１ｋ
Ｈｚ、Ｃdp＝６．１９ｎＦを式（９）に代入することに
より、多数キャリアコンダクタンスｇmj＝１．２９Ｓ／
ｍ2を得た。 【００７１】以上のようにして得られたＷd、Ｃdp、ｆ
ｃ、ｇmjを式（１０）〜（１７）に代入して連立方程式
を解くことにより、表面電位Ｕｓ＝１５、フェルミ電位
ＵF＝０．２５を算出した。得られたフェルミ電位から
エピタキシャル層のドーパント濃度を算出した結果、
１．５×１０15／ｃｍ3となり、これを抵抗率に換算す
ると１０Ωｃｍであることが判明した。 【００７２】次に、このエピタキシャルウェーハを１０
時間放置した後、再度前回と同様の測定を行なった結
果、ｆｃ＝９．１３ｋＨｚ、Ｃdp＝６．４０ｎＦ、Ｗd
＝１．６２μm、ｇmj＝３．６７Ｓ／ｍ2、Ｕｓ＝１４と
なり、放置時間の影響により表面電位に経時変化が見ら
れた結果、前回と異なる測定値となったが、フェルミ電
位ＵFは前回と同一の０．２５が得られた。すなわち、
表面電位の経時変化にかかわらず、エピタキシャル層の
真のドーパント濃度（１．５×１０15／ｃｍ3）が測定
できることがわかった。 【００７３】 【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の半導体ウェ
ーハの抵抗率を測定する方法によれば、空乏状態又は弱
反転状態のままでもＳＰＶ法で抵抗率を測定することが
でき、さらに、経時変化のない測定結果を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体ウェーハの抵抗率測定方法の
工程順を示すフローチャートである。 【図２】 本発明方法における遮断周波数ｆｃの求め方
を示す概念図である。 【図３】 半導体表面が空乏状態又は弱反転状態の場合
のＡＣ−ＳＰＶ信号の等価回路を示す図面である。 【図４】 ＳＰＶの測定装置の一例を示す説明図であ
る。 【図５】 ｐ型Ｓｉウェーハの抵抗率を測定する原理図
である。 【図６】 ＡＣ−ＳＰＶ信号を示すグラフである。 【図７】 半導体表面に強反転層が形成された場合の等
価回路を示す図面である。 【図８】 ｐ／ｐ+構造のエピタキシャルウェーハの抵
抗率を測定（ＲＯＳＴ処理１回＋ＡＣ−ＳＰＶの繰り返
し測定）した結果を示すグラフである。 【図９】 ｐ／ｐ+構造のエピタキシャルウェーハの抵
抗率を測定（ＲＯＳＴ処理＋ＡＣ−ＳＰＶの繰り返し測
定）した結果を示すグラフである。 【符号の説明】 １０：ＳＰＶ測定装置、１２：ＬＥＤ、１２ａ：光、１
４：開口、１６：レンズ、１８：ＬＥＤドライバー、２
０：ロックイン増幅器、２２：マイラー膜、２４，３
０：透明電極、２６：ガラスプレート、２８：金属電
極、３２：空隙、３４：光源、３４ａ：入射光、３６：
空乏層、Ｗ：Ｓｉウェーハ。
工程順を示すフローチャートである。 【図２】 本発明方法における遮断周波数ｆｃの求め方
を示す概念図である。 【図３】 半導体表面が空乏状態又は弱反転状態の場合
のＡＣ−ＳＰＶ信号の等価回路を示す図面である。 【図４】 ＳＰＶの測定装置の一例を示す説明図であ
る。 【図５】 ｐ型Ｓｉウェーハの抵抗率を測定する原理図
である。 【図６】 ＡＣ−ＳＰＶ信号を示すグラフである。 【図７】 半導体表面に強反転層が形成された場合の等
価回路を示す図面である。 【図８】 ｐ／ｐ+構造のエピタキシャルウェーハの抵
抗率を測定（ＲＯＳＴ処理１回＋ＡＣ−ＳＰＶの繰り返
し測定）した結果を示すグラフである。 【図９】 ｐ／ｐ+構造のエピタキシャルウェーハの抵
抗率を測定（ＲＯＳＴ処理＋ＡＣ−ＳＰＶの繰り返し測
定）した結果を示すグラフである。 【符号の説明】 １０：ＳＰＶ測定装置、１２：ＬＥＤ、１２ａ：光、１
４：開口、１６：レンズ、１８：ＬＥＤドライバー、２
０：ロックイン増幅器、２２：マイラー膜、２４，３
０：透明電極、２６：ガラスプレート、２８：金属電
極、３２：空隙、３４：光源、３４ａ：入射光、３６：
空乏層、Ｗ：Ｓｉウェーハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 表面光電圧法を用いて半導体ウェーハの
抵抗率を測定する方法であって、（ａ）測定対象である
半導体ウェーハへの入射光の周波数によらず一定の表面
光電圧値が得られる低周波数領域と、入射光の周波数に
反比例する表面光電圧値が得られる高周波数領域との両
領域において表面光電圧値を測定し、得られた測定値か
ら遮断周波数ｆcを算出するステップと、（ｂ）前記高
周波数領域における表面光電圧値から算出されるキャパ
シタンスＣ dpから空乏層幅Ｗdを算出するステップと、
（ｃ）前記遮断周波数ｆcと前記キャパシタンスＣdpか
ら多数キャリアコンダクタンスｇmjを算出するステップ
と、（ｄ）前記遮断周波数ｆc、前記キャパシタンスＣ
dp、前記空乏層幅Ｗd及び前記多数キャリアコンダクタ
ンスｇmjとから表面電位Ｕs及びフェルミ電位ＵFを算出
するステップと、を有することを特徴とする半導体ウェ
ーハの抵抗率測定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001379103A JP3736749B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 半導体ウェーハの抵抗率測定方法 |
| US10/423,885 US6914442B2 (en) | 2001-12-12 | 2003-04-28 | Method for measuring resistivity of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001379103A JP3736749B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 半導体ウェーハの抵抗率測定方法 |
| US10/423,885 US6914442B2 (en) | 2001-12-12 | 2003-04-28 | Method for measuring resistivity of semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179114A true JP2003179114A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3736749B2 JP3736749B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=33542915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001379103A Expired - Fee Related JP3736749B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 半導体ウェーハの抵抗率測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6914442B2 (ja) |
| JP (1) | JP3736749B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105242189A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-13 | 中国人民解放军海军工程大学 | 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的igbt健康状态监测方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4353121B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2009-10-28 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハのドーパント汚染の評価方法 |
| KR100707585B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-04-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｍｏｓ 트랜지스터 소자의 정전용량-전압 특성을 이용한캐리어 농도 분포 측정 자동화 시스템 및 방법 |
| JP2008241642A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面電位計 |
| CN115346889A (zh) * | 2022-10-17 | 2022-11-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 外延工艺的监控方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4051437A (en) * | 1976-04-02 | 1977-09-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and apparatus for semiconductor profiling using an optical probe |
| JP2690908B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | 表面計測装置 |
-
2001
- 2001-12-12 JP JP2001379103A patent/JP3736749B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-28 US US10/423,885 patent/US6914442B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105242189A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-13 | 中国人民解放军海军工程大学 | 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的igbt健康状态监测方法 |
| CN105242189B (zh) * | 2015-10-13 | 2018-10-19 | 中国人民解放军海军工程大学 | 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的igbt健康状态监测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040212377A1 (en) | 2004-10-28 |
| US6914442B2 (en) | 2005-07-05 |
| JP3736749B2 (ja) | 2006-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8896338B2 (en) | Electrical characterization of semiconductor materials | |
| US4758786A (en) | Method of analyzing semiconductor systems | |
| Schroder | Contactless surface charge semiconductor characterization | |
| US7403023B2 (en) | Apparatus and method of measuring defects in an ion implanted wafer by heating the wafer to a treatment temperature and time to substantially stabilize interstitial defect migration while leaving the vacancy defects substantially unaltered. | |
| EP0077021B1 (en) | Apparatus for nondestructively measuring characteristics of a semiconductor wafer having a junction | |
| US7804294B1 (en) | Non contact method and apparatus for measurement of sheet resistance of P-N junctions | |
| US20150168326A1 (en) | Method and device for testing semiconductor subtrates for radiofrequency application | |
| WO2005096004A1 (en) | Real-time in-line testing of semiconductor wafers | |
| US20150241512A1 (en) | Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Sheet Resistance and Shunt Resistance of P-N Junctions | |
| US8093920B2 (en) | Accurate measuring of long steady state minority carrier diffusion lengths | |
| CN1777984A (zh) | 半导体晶片的实时在线测试 | |
| JP2003179114A (ja) | 半導体ウェーハの抵抗率測定方法 | |
| WO2004055528A2 (en) | Apparatus and method for electrical characterization of semiconductors | |
| US7405580B2 (en) | Self-calibration in non-contact surface photovoltage measurement of depletion capacitance and dopant concentration | |
| JPH11186350A (ja) | 半導体の少数キャリアの再結合ライフタイム測定方法 | |
| US20080182347A1 (en) | Methods for monitoring ion implant process in bond and cleave, silicon-on-insulator (SOI) wafer manufacturing | |
| US4938847A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices, involving the detection of water | |
| JP5167527B2 (ja) | 電気特性測定装置 | |
| JP2000277716A (ja) | 半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体 | |
| JP2977172B2 (ja) | 半導体の特性測定方法 | |
| JP2004349342A (ja) | 空乏層容量測定方法 | |
| Liberman | Noncontact surface-resistivity measurements on production wafers | |
| Pietruszko et al. | Capacitance measurements at low frequencies in the study of amorphous silicon | |
| JP3625058B2 (ja) | 半導体ウェーハの厚さ測定装置および半導体ウェーハの平坦度測定装置 | |
| JP2004055935A (ja) | 交流表面光電圧計測装置及びそれを用いた半導体表面の非破壊不純物汚染濃度測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040830 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050920 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051007 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051020 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3736749 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081104 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081104 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |