JP2000277716A - 半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体 - Google Patents
半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体Info
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- JP2000277716A JP2000277716A JP11084674A JP8467499A JP2000277716A JP 2000277716 A JP2000277716 A JP 2000277716A JP 11084674 A JP11084674 A JP 11084674A JP 8467499 A JP8467499 A JP 8467499A JP 2000277716 A JP2000277716 A JP 2000277716A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に完全空乏化するようなＳＯＩ層の不純物
濃度あるいは比抵抗（キャリア濃度）を簡便、迅速かつ
低コストで測定する。 【解決手段】 ５１，５２はＳＯＩ層１の表面に接触し
た探針であり、測定回路５４に接続されている。５３は
半導体基板３の裏面に接触した電極であり、測定回路５
４に接続されている。測定回路５４は探針間の電気伝導
度を計測する計測手段と電極の電位を制御する電位制御
手段にあたり、工程１及び工程２を実施する。１１は検
出回路であり、反転電位Ｖt 及び／又はフラットバンド
電位Ｖfbを検出する検出手段にあたり、工程３及び工程
４を実施する。１２は第１の換算回路であり、工程５を
実施する。
濃度あるいは比抵抗（キャリア濃度）を簡便、迅速かつ
低コストで測定する。 【解決手段】 ５１，５２はＳＯＩ層１の表面に接触し
た探針であり、測定回路５４に接続されている。５３は
半導体基板３の裏面に接触した電極であり、測定回路５
４に接続されている。測定回路５４は探針間の電気伝導
度を計測する計測手段と電極の電位を制御する電位制御
手段にあたり、工程１及び工程２を実施する。１１は検
出回路であり、反転電位Ｖt 及び／又はフラットバンド
電位Ｖfbを検出する検出手段にあたり、工程３及び工程
４を実施する。１２は第１の換算回路であり、工程５を
実施する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に絶縁層を
介して形成された半導体層、特に絶縁物上に単結晶シリ
コン層を有する半導体基板（ＳＯＩ基板： Silicon On
Insulator ）の単結晶シリコン層( ＳＯＩ層）の電気特
性評価に用いるのに好適な測定方法および測定装置、並
びにＳＯＩ層中に含まれる不純物濃度の評価方法、及び
当該評価方法を使用するための装置、及び当該評価を行
なうためのプログラムを格納した記憶媒体に関する。
介して形成された半導体層、特に絶縁物上に単結晶シリ
コン層を有する半導体基板（ＳＯＩ基板： Silicon On
Insulator ）の単結晶シリコン層( ＳＯＩ層）の電気特
性評価に用いるのに好適な測定方法および測定装置、並
びにＳＯＩ層中に含まれる不純物濃度の評価方法、及び
当該評価方法を使用するための装置、及び当該評価を行
なうためのプログラムを格納した記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ層のキャリア濃度（または比抵抗
値、不純物濃度）は、ＳＯＩ層を利用して作製された電
界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）のしきい値電圧等に影
響を及ぼすため、一定の範囲内に制御する必要がある。
値、不純物濃度）は、ＳＯＩ層を利用して作製された電
界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）のしきい値電圧等に影
響を及ぼすため、一定の範囲内に制御する必要がある。
【０００３】そして、ＳＩＭＯＸ法や貼り合わせ法等の
各種ＳＯＩ基板の製造工程は、いずれの場合もイオン注
入工程や高温処理工程等の不純物濃度の変動を生じる可
能性のある工程を含んでいる。
各種ＳＯＩ基板の製造工程は、いずれの場合もイオン注
入工程や高温処理工程等の不純物濃度の変動を生じる可
能性のある工程を含んでいる。
【０００４】そのため、ＳＯＩ基板製造工程途中あるい
は完成したＳＯＩ基板のＳＯＩ層中の不純物濃度を実際
に測定するＳＩＭＳ法（２次イオン質量分析法）などに
より、所望のキャリア濃度が得られていることを確認し
ていた。
は完成したＳＯＩ基板のＳＯＩ層中の不純物濃度を実際
に測定するＳＩＭＳ法（２次イオン質量分析法）などに
より、所望のキャリア濃度が得られていることを確認し
ていた。
【０００５】しかしながら、ＳＩＭＳ法等の成分分析に
より不純物濃度を測定する方法は、分析に長時間を要
し、また高価な分析装置を必要とするため、より簡便な
方法により、ＳＯＩ層の不純物濃度を求める方法の確立
が望まれていた。
より不純物濃度を測定する方法は、分析に長時間を要
し、また高価な分析装置を必要とするため、より簡便な
方法により、ＳＯＩ層の不純物濃度を求める方法の確立
が望まれていた。
【０００６】半導体基板中の不純物濃度を求める簡便な
方法として、いわゆる４探針法により比抵抗測定し、そ
の値から不純物濃度を見積もる方法がある。
方法として、いわゆる４探針法により比抵抗測定し、そ
の値から不純物濃度を見積もる方法がある。
【０００７】図４は、上述の４探針法を用いた半導体基
板の評価方法を示す模式図である。図４（ａ）は評価装
置の構成を、図４（ｂ）は評価の手順をそれぞれ示して
いる。ここで、半導体基板としてはＳＯＩ基板を用いて
いる。図４（ａ）において、１は基板３上に絶縁層２を
介して形成されたＳＯＩ層である。４〜７はＳＯＩ層１
の表面に接触している探針であり、通常、間隔Ｌをもっ
て等間隔に配置されている。
板の評価方法を示す模式図である。図４（ａ）は評価装
置の構成を、図４（ｂ）は評価の手順をそれぞれ示して
いる。ここで、半導体基板としてはＳＯＩ基板を用いて
いる。図４（ａ）において、１は基板３上に絶縁層２を
介して形成されたＳＯＩ層である。４〜７はＳＯＩ層１
の表面に接触している探針であり、通常、間隔Ｌをもっ
て等間隔に配置されている。
【０００８】８は探針４と探針７の間にＳＯＩ層１を介
して所定の電流を生じる定電流源であり、９は探針５と
探針６によりＳＯＩ層１中に生じる電圧降下を測定する
電圧計である。
して所定の電流を生じる定電流源であり、９は探針５と
探針６によりＳＯＩ層１中に生じる電圧降下を測定する
電圧計である。
【０００９】定電流源８の発生電流値Ｉと電圧計９によ
って測定される電圧値Ｖから、探針間隔Ｌと試料形状を
考慮した換算式： ＲS ＝（π／ｌｎ２）・（Ｖ／Ｉ）・Ｆｒ によってＳＯＩ層１のシート抵抗値ＲS が求められる。
ここで、Ｆｒは試料形状に依存する補正項である。更
に、ＳＯＩ層１の厚みｔ1 を用いてＳＯＩ層１の比抵抗
値ρが、 ρ＝ＲS ・ｔ1 により計算される。
って測定される電圧値Ｖから、探針間隔Ｌと試料形状を
考慮した換算式： ＲS ＝（π／ｌｎ２）・（Ｖ／Ｉ）・Ｆｒ によってＳＯＩ層１のシート抵抗値ＲS が求められる。
ここで、Ｆｒは試料形状に依存する補正項である。更
に、ＳＯＩ層１の厚みｔ1 を用いてＳＯＩ層１の比抵抗
値ρが、 ρ＝ＲS ・ｔ1 により計算される。
【００１０】そして、不純物の種類が分かっている場合
には、例えば、”The Bell SystemTechnical Journal,3
88 (1962)”に記載されているような比抵抗値と不純物
濃度との換算曲線（図５）をもちいて、ＳＯＩ層の不純
物濃度を見積もることが考えられる。
には、例えば、”The Bell SystemTechnical Journal,3
88 (1962)”に記載されているような比抵抗値と不純物
濃度との換算曲線（図５）をもちいて、ＳＯＩ層の不純
物濃度を見積もることが考えられる。
【００１１】この４探針法によって、ＳＯＩ層の厚さが
１００ｎｍ、不純物であるボロンの濃度が２．５×１０
16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）（ＳＩＭＳ法による測定値Ｎ
SIMS）であるＳＯＩ層の比抵抗を測定したところ、５
５．４Ω・ｃｍであった。この比抵抗値から、図５を用
いて換算された不純物濃度ＮR は、５．０×１０14（ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）であり、上記のＳＩＭＳ法による分
析した結果（２．５×１０16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ））
との誤差は、−９８％であった。ここでいう誤差とは、 〔（ＮR −ＮSIMS）／ＮSIMS〕×１００ で定義される値である。
１００ｎｍ、不純物であるボロンの濃度が２．５×１０
16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）（ＳＩＭＳ法による測定値Ｎ
SIMS）であるＳＯＩ層の比抵抗を測定したところ、５
５．４Ω・ｃｍであった。この比抵抗値から、図５を用
いて換算された不純物濃度ＮR は、５．０×１０14（ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）であり、上記のＳＩＭＳ法による分
析した結果（２．５×１０16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ））
との誤差は、−９８％であった。ここでいう誤差とは、 〔（ＮR −ＮSIMS）／ＮSIMS〕×１００ で定義される値である。
【００１２】これは、不純物濃度が比較的低い場合や、
ＳＯＩ層が比較的薄い場合には絶縁層中の電荷の影響や
半導体基板の電位の影響を受けてＳＯＩ層全体が空乏化
しているためと考えられる。このように、完全空乏状態
化においては、４探針法による比抵抗測定値は、ＳＯＩ
層中の不純物濃度を反映しておらず、ＳＯＩ層の特性評
価方法として用いることができなかった。
ＳＯＩ層が比較的薄い場合には絶縁層中の電荷の影響や
半導体基板の電位の影響を受けてＳＯＩ層全体が空乏化
しているためと考えられる。このように、完全空乏状態
化においては、４探針法による比抵抗測定値は、ＳＯＩ
層中の不純物濃度を反映しておらず、ＳＯＩ層の特性評
価方法として用いることができなかった。
【００１３】ＳＯＩ層のキャリア濃度を求める別の方法
が、"MEETING ABSTRACTS Vol.97-2THE 1997 JOINT INTE
RNATIONAL MEETING, THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY AND
THE INTERNATIONAL SOCIETY OF ELECTROCHEMISTRY"(AU
GUST 31-SEPTEMBER 5, 1997PARIS)のp.2327に記載され
ている。
が、"MEETING ABSTRACTS Vol.97-2THE 1997 JOINT INTE
RNATIONAL MEETING, THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY AND
THE INTERNATIONAL SOCIETY OF ELECTROCHEMISTRY"(AU
GUST 31-SEPTEMBER 5, 1997PARIS)のp.2327に記載され
ている。
【００１４】当該方法を図６を用いて説明する。図６
（ａ）は評価装置の構成を、図６（ｂ）は評価の手順を
それぞれ示している。図６（ａ）において、１はＳＯＩ
層、２は絶縁層、３はシリコン基板である。測定回路５
４により、探針５１、探針５２間に定電圧Ｖsdを印加
し、電極５３の電位Ｖg を変化させながら探針５１、探
針５２間の電流値Ｉsdを測定する。
（ａ）は評価装置の構成を、図６（ｂ）は評価の手順を
それぞれ示している。図６（ａ）において、１はＳＯＩ
層、２は絶縁層、３はシリコン基板である。測定回路５
４により、探針５１、探針５２間に定電圧Ｖsdを印加
し、電極５３の電位Ｖg を変化させながら探針５１、探
針５２間の電流値Ｉsdを測定する。
【００１５】こうして得られるＶg −Ｉsd曲線の一例を
図７に示す。図７中のＮＡは、ＳＩＭＳ法により測定さ
れた不純物濃度の値である。
図７に示す。図７中のＮＡは、ＳＩＭＳ法により測定さ
れた不純物濃度の値である。
【００１６】そして、ここで得られたＶg −Ｉsd特性か
ら、Ｉsdが最小となる時の電極５３の電位Ｖg をＶmin
とし、このＶmin の値を求める。このＶmin の値はＳＯ
Ｉ層のキャリア濃度に対応することが分かっているの
で、あらかじめＳＩＭＳ法等の成分分析法により求めた
不純物濃度とＶmin の対応関係を求めておけば、Ｖmin
をキャリア濃度に換算することができる。
ら、Ｉsdが最小となる時の電極５３の電位Ｖg をＶmin
とし、このＶmin の値を求める。このＶmin の値はＳＯ
Ｉ層のキャリア濃度に対応することが分かっているの
で、あらかじめＳＩＭＳ法等の成分分析法により求めた
不純物濃度とＶmin の対応関係を求めておけば、Ｖmin
をキャリア濃度に換算することができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７の
不純物濃度４．１×１０16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）の試
料のＶg −Ｉsd特性のように、ＳＯＩ層全体が空乏化
し、Ｖg の変化に対してＩsdが実質的に０の値を示す空
乏状態化する場合においては（図中の領域（ｉ））、Ｉ
sdが最小となるときの電位Ｖmin を決定することができ
なかった。すなわち、Ｖmin から不純物濃度を求める方
法は、ＳＯＩ層が完全空乏化する場合には適用できなか
った。
不純物濃度４．１×１０16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）の試
料のＶg −Ｉsd特性のように、ＳＯＩ層全体が空乏化
し、Ｖg の変化に対してＩsdが実質的に０の値を示す空
乏状態化する場合においては（図中の領域（ｉ））、Ｉ
sdが最小となるときの電位Ｖmin を決定することができ
なかった。すなわち、Ｖmin から不純物濃度を求める方
法は、ＳＯＩ層が完全空乏化する場合には適用できなか
った。
【００１８】上記の点に鑑み、本発明の目的はＳＯＩ基
板のＳＯＩ層、特に半導体基板の電位によってＳＯＩ層
が完全空乏化するようなＳＯＩ層のキャリア濃度、不純
物濃度あるいは比抵抗を簡便、迅速かつ低コストで測定
する方法及び装置、記憶媒体を提供することにある。
板のＳＯＩ層、特に半導体基板の電位によってＳＯＩ層
が完全空乏化するようなＳＯＩ層のキャリア濃度、不純
物濃度あるいは比抵抗を簡便、迅速かつ低コストで測定
する方法及び装置、記憶媒体を提供することにある。
【００１９】なお、キャリア濃度とは、ｐ型又はｎ型の
導電型を規定する不純物（ボロンやリン）等がドープさ
れていることにより生じるキャリアの濃度を意味する。
導電型を規定する不純物（ボロンやリン）等がドープさ
れていることにより生じるキャリアの濃度を意味する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体層の評価方法は、半導体基板上に絶
縁層を介して形成された半導体層を評価する際に、前記
半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状
態から反転状態に転ずる際の反転電位を利用して、前記
半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物濃度を見積
もる。
に、本発明の半導体層の評価方法は、半導体基板上に絶
縁層を介して形成された半導体層を評価する際に、前記
半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状
態から反転状態に転ずる際の反転電位を利用して、前記
半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物濃度を見積
もる。
【００２１】本発明の半導体層の評価方法の一態様にお
いて、前記キャリア濃度又は不純物濃度を見積もった
後、当該見積もりに基づいて前記半導体層の比抵抗値に
換算する。
いて、前記キャリア濃度又は不純物濃度を見積もった
後、当該見積もりに基づいて前記半導体層の比抵抗値に
換算する。
【００２２】本発明の半導体層の評価方法は、半導体基
板上に絶縁層を介して形成された半導体層を評価する際
に、前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層
が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の
電位である反転電位を計測する工程と、前記反転電位
を、前記半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物濃
度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換算する工程と
を含む。
板上に絶縁層を介して形成された半導体層を評価する際
に、前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層
が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の
電位である反転電位を計測する工程と、前記反転電位
を、前記半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物濃
度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換算する工程と
を含む。
【００２３】本発明の半導体層の評価方法は、半導体基
板上に絶縁層を介して形成された半導体層を評価する際
に、前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層
が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の
電位である反転電位を計測する工程と、前記半導体基板
の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状態から蓄積
状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転ずる際の前記半
導体基板の基板電位であるフラットバンド電位を計測す
る工程と、前記反転電位と前記フラットバンド電位との
差を、前記半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物
濃度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換算する工程
とを含む。
板上に絶縁層を介して形成された半導体層を評価する際
に、前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層
が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の
電位である反転電位を計測する工程と、前記半導体基板
の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状態から蓄積
状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転ずる際の前記半
導体基板の基板電位であるフラットバンド電位を計測す
る工程と、前記反転電位と前記フラットバンド電位との
差を、前記半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物
濃度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換算する工程
とを含む。
【００２４】本発明の半導体層の評価方法の一態様にお
いて、前記反転電位及び／又は前記フラットバンド電位
を、前記半導体層に接触する複数の探針及び前記半導体
基板に接触する電極により計測する。
いて、前記反転電位及び／又は前記フラットバンド電位
を、前記半導体層に接触する複数の探針及び前記半導体
基板に接触する電極により計測する。
【００２５】本発明の半導体層の評価方法の一態様にお
いて、前記半導体層は、前記半導体基板の当該半導体層
に対する電位を制御することによって完全空乏化する半
導体層である。
いて、前記半導体層は、前記半導体基板の当該半導体層
に対する電位を制御することによって完全空乏化する半
導体層である。
【００２６】本発明の半導体層の評価方法の一態様にお
いて、前記半導体基板、前記絶縁層及び前記半導体層が
順次積層されてなる基板が、シリコン基板上に酸化シリ
コン層を介して単結晶シリコン層を有するＳＯＩ基板で
ある。
いて、前記半導体基板、前記絶縁層及び前記半導体層が
順次積層されてなる基板が、シリコン基板上に酸化シリ
コン層を介して単結晶シリコン層を有するＳＯＩ基板で
ある。
【００２７】本発明の半導体層の評価装置は、半導体基
板上に絶縁層を介して形成された半導体層を評価するも
のであって、前記半導体層に接触する複数の探針と、前
記半導体基板に接触する電極と、前記探針間の電気伝導
度を計測する計測手段と、前記電極の電位を制御する電
位制御手段と、前記半導体基板の電位の変化に伴って前
記半導体層が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半
導体基板の電位である反転電位を検出する検出手段とを
備える。
板上に絶縁層を介して形成された半導体層を評価するも
のであって、前記半導体層に接触する複数の探針と、前
記半導体基板に接触する電極と、前記探針間の電気伝導
度を計測する計測手段と、前記電極の電位を制御する電
位制御手段と、前記半導体基板の電位の変化に伴って前
記半導体層が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半
導体基板の電位である反転電位を検出する検出手段とを
備える。
【００２８】本発明の半導体層の評価装置の一態様は、
前記反転電位を用いて、前記半導体層のキャリア濃度又
は不純物濃度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換算
する換算手段を更に備える。
前記反転電位を用いて、前記半導体層のキャリア濃度又
は不純物濃度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換算
する換算手段を更に備える。
【００２９】本発明の半導体層の評価装置の一態様にお
いて、前記検出手段は、前記反転電位とともに、前記半
導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状態
から蓄積状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転ずる際
の前記半導体基板の基板電位であるフラットバンド電位
ををも検出する。
いて、前記検出手段は、前記反転電位とともに、前記半
導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状態
から蓄積状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転ずる際
の前記半導体基板の基板電位であるフラットバンド電位
ををも検出する。
【００３０】本発明の記憶媒体は、半導体基板上に絶縁
層を介して形成された半導体層を評価するに際して、前
記半導体層における反転電位を利用して、当該半導体層
のキャリア濃度。不純物濃度又は比抵抗値を評価する機
能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記憶
したコンピュータ読み取り可能なものである。
層を介して形成された半導体層を評価するに際して、前
記半導体層における反転電位を利用して、当該半導体層
のキャリア濃度。不純物濃度又は比抵抗値を評価する機
能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記憶
したコンピュータ読み取り可能なものである。
【００３１】本発明の記憶媒体の一態様において、前記
プログラムは、前記半導体基板の電位の変化に伴って前
記半導体層が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半
導体基板の電位である反転電位を検出する検出プログラ
ムと、前記反転電位を、所定の計算式又はデータテーブ
ルを用いてキャリア濃度、不純物濃度又は比抵抗値に換
算する換算プログラムとを含む。
プログラムは、前記半導体基板の電位の変化に伴って前
記半導体層が空乏状態から反転状態に転ずる際の前記半
導体基板の電位である反転電位を検出する検出プログラ
ムと、前記反転電位を、所定の計算式又はデータテーブ
ルを用いてキャリア濃度、不純物濃度又は比抵抗値に換
算する換算プログラムとを含む。
【００３２】本発明の記憶媒体の一態様において、前記
換算プログラムは、前記反転電位とともに、前記半導体
基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状態から
蓄積状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転ずる際の前
記半導体基板の基板電位であるフラットバンド電位をも
検出し、前記反転電位と前記フラットバンド電位との差
を、キャリア濃度、不純物濃度又は比抵抗値に換算す
る。
換算プログラムは、前記反転電位とともに、前記半導体
基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空乏状態から
蓄積状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転ずる際の前
記半導体基板の基板電位であるフラットバンド電位をも
検出し、前記反転電位と前記フラットバンド電位との差
を、キャリア濃度、不純物濃度又は比抵抗値に換算す
る。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な実
施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３４】図１は、本発明の一実施形態における評価
装置を示す模式図である。図１において、５１，５２は
ＳＯＩ層１の表面に接触した探針であり、測定回路５４
に接続されている。５３は半導体基板３の裏面に接触し
た電極であり、測定回路５４に接続されている。
装置を示す模式図である。図１において、５１，５２は
ＳＯＩ層１の表面に接触した探針であり、測定回路５４
に接続されている。５３は半導体基板３の裏面に接触し
た電極であり、測定回路５４に接続されている。
【００３５】測定回路５４は探針間の電気伝導度を計測
する計測手段と電極の電位を制御する電位制御手段にあ
たり、工程１及び工程２を実施する。すなわち、測定回
路５４は探針５１、探針５２間に定電圧Ｖsdを印加し、
次いで電極５３の電位Ｖg を変化させながら探針５１、
探針５２間の電流値Ｉsdを測定する。
する計測手段と電極の電位を制御する電位制御手段にあ
たり、工程１及び工程２を実施する。すなわち、測定回
路５４は探針５１、探針５２間に定電圧Ｖsdを印加し、
次いで電極５３の電位Ｖg を変化させながら探針５１、
探針５２間の電流値Ｉsdを測定する。
【００３６】図２は、測定回路５４によって測定された
ｐ型ＳＯＩ基板のＶg −Ｉsd特性の一例である。この図
２において、横軸は半導体層１の電位を基準にしたとき
の半導体基板３の電位を表すＶg を示し、縦軸は探針５
１、探針５２間に定電圧Ｖsdを印加したときに探針５
１、探針５２間に生じる電流値Ｉsdである。
ｐ型ＳＯＩ基板のＶg −Ｉsd特性の一例である。この図
２において、横軸は半導体層１の電位を基準にしたとき
の半導体基板３の電位を表すＶg を示し、縦軸は探針５
１、探針５２間に定電圧Ｖsdを印加したときに探針５
１、探針５２間に生じる電流値Ｉsdである。
【００３７】図２において、Ｉsdが実質的に０の領域が
空乏領域であり、空乏領域よりもＶg が大なる領域が反
転領域、空乏領域よりもＶg が小なる領域が蓄積領域で
ある。
空乏領域であり、空乏領域よりもＶg が大なる領域が反
転領域、空乏領域よりもＶg が小なる領域が蓄積領域で
ある。
【００３８】なお、空乏領域は厳密には部分空乏領域と
完全空乏領域に分類することができる（不図示）。空乏
領域と反転領域の境界のＶg が反転電位Ｖt であり、空
乏領域と蓄積領域の境界のＶg がフラットバンド電位Ｖ
fbである。
完全空乏領域に分類することができる（不図示）。空乏
領域と反転領域の境界のＶg が反転電位Ｖt であり、空
乏領域と蓄積領域の境界のＶg がフラットバンド電位Ｖ
fbである。
【００３９】図１中で、１１は検出回路であり、反転電
位Ｖt 及び／又はフラットバンド電位Ｖfbを検出する検
出手段にあたり、工程３及び工程４を実施する。すなわ
ち、測定回路５４の出力データから反転電圧Ｖt 及びフ
ラットバンド電圧Ｖfbを検出する。
位Ｖt 及び／又はフラットバンド電位Ｖfbを検出する検
出手段にあたり、工程３及び工程４を実施する。すなわ
ち、測定回路５４の出力データから反転電圧Ｖt 及びフ
ラットバンド電圧Ｖfbを検出する。
【００４０】検出の方法としては、例えばＩsdをＶg で
２回微分して変極点を検出する方法でＶfb、及びＶt を
求めることができる。なお、次に述べる工程５でＶfbを
用いない場合には工程４は省略しても良い。
２回微分して変極点を検出する方法でＶfb、及びＶt を
求めることができる。なお、次に述べる工程５でＶfbを
用いない場合には工程４は省略しても良い。
【００４１】１２は第１の換算回路であり、工程５を実
施する。すなわち、検出回路１１から出力されたＶt 、
またはＶt −Ｖfbの値をキャリア濃度に換算する。換算
の方法として、あらかじめ、Ｖt の測定値及びＳＩＭＳ
法等の成分分析により不純物濃度の値が分かっている複
数の試料から換算曲線（図３の実線）を作成しておく方
法がある。
施する。すなわち、検出回路１１から出力されたＶt 、
またはＶt −Ｖfbの値をキャリア濃度に換算する。換算
の方法として、あらかじめ、Ｖt の測定値及びＳＩＭＳ
法等の成分分析により不純物濃度の値が分かっている複
数の試料から換算曲線（図３の実線）を作成しておく方
法がある。
【００４２】また、Ｖt 及びＶfbの値と、半導体層１の
厚みｔ1 や絶縁層２の厚み等のパラメータを含む計算式
を作成しそれによってＶt の値からキャリア濃度を換算
してもよい。
厚みｔ1 や絶縁層２の厚み等のパラメータを含む計算式
を作成しそれによってＶt の値からキャリア濃度を換算
してもよい。
【００４３】あるいは、あらかじめ計算や実験等によっ
て求めた対応関係のデータテーブル等を記憶回路に記憶
しておき、そこからＶt ，Ｖfbの値に応じたキャリア濃
度の値を読み出すことでも達成される。
て求めた対応関係のデータテーブル等を記憶回路に記憶
しておき、そこからＶt ，Ｖfbの値に応じたキャリア濃
度の値を読み出すことでも達成される。
【００４４】工程５において、キャリア濃度の換算にＶ
t −Ｖfbの値を用いた場合は、絶縁層２中の電荷量が多
い場合に生じる測定誤差を回避することができるが、こ
の誤差が許容範囲内である場合にはＶt のみを用いても
差し支えない。
t −Ｖfbの値を用いた場合は、絶縁層２中の電荷量が多
い場合に生じる測定誤差を回避することができるが、こ
の誤差が許容範囲内である場合にはＶt のみを用いても
差し支えない。
【００４５】１３は第２の換算回路であり、工程６を実
施する。すなわち、第１の換算回路１２から出力された
キャリア濃度を比抵抗に換算する。換算の方法として
は、例えば、あらかじめ不純物の種類に応じたキャリア
濃度と比抵抗の対応関係をデータテーブルとして記憶回
路に記憶しておき、そこからキャリア濃度の値に応じた
比抵抗の値を読み出すことで達成される。また、キャリ
ア濃度又は不純物濃度と反転電位Ｖt との相関をモデル
を構築してシミュレーションすることで換算してもよ
い。勿論、キャリア濃度を比抵抗値に換算する必要がな
ければ、工程６を行なう必要はない。
施する。すなわち、第１の換算回路１２から出力された
キャリア濃度を比抵抗に換算する。換算の方法として
は、例えば、あらかじめ不純物の種類に応じたキャリア
濃度と比抵抗の対応関係をデータテーブルとして記憶回
路に記憶しておき、そこからキャリア濃度の値に応じた
比抵抗の値を読み出すことで達成される。また、キャリ
ア濃度又は不純物濃度と反転電位Ｖt との相関をモデル
を構築してシミュレーションすることで換算してもよ
い。勿論、キャリア濃度を比抵抗値に換算する必要がな
ければ、工程６を行なう必要はない。
【００４６】以上述べた検出回路１１、第１の換算回路
１２、第２の換算回路１３は、それぞれ専用の電気回路
により構成することが可能であるが、これらの機能を達
成する手段はこれに限るものではなく、例えば、コンピ
ューターとソフトウェアによるデータ処理装置によって
同様の機能を達成するものであっても良い。
１２、第２の換算回路１３は、それぞれ専用の電気回路
により構成することが可能であるが、これらの機能を達
成する手段はこれに限るものではなく、例えば、コンピ
ューターとソフトウェアによるデータ処理装置によって
同様の機能を達成するものであっても良い。
【００４７】また、本実施形態では、Ｖt またはＶt −
Ｖfbの値をキャリア濃度に換算し、更に比抵抗に換算し
たが、Ｖt またはＶt −Ｖfbの値から直接にキャリア濃
度、不純物濃度及び比抵抗値のいずれかに変換するもの
であっても良い。更に、キャリア濃度、不純物濃度及び
比抵抗値の相互間で変換しても良く、それらの変換の順
番を限定するものではない。
Ｖfbの値をキャリア濃度に換算し、更に比抵抗に換算し
たが、Ｖt またはＶt −Ｖfbの値から直接にキャリア濃
度、不純物濃度及び比抵抗値のいずれかに変換するもの
であっても良い。更に、キャリア濃度、不純物濃度及び
比抵抗値の相互間で変換しても良く、それらの変換の順
番を限定するものではない。
【００４８】なお、ＳＯＩ層を作製する方法は、シリコ
ン基板に酸素イオンを打ち込み熱処理を行ない埋込酸化
膜を形成するＳＩＭＯＸ法や、特開平５−２１３３８号
公報や、特開平５−２１１１２８号公報に記載された貼
り合わせ法などいずれによっても構わない。
ン基板に酸素イオンを打ち込み熱処理を行ない埋込酸化
膜を形成するＳＩＭＯＸ法や、特開平５−２１３３８号
公報や、特開平５−２１１１２８号公報に記載された貼
り合わせ法などいずれによっても構わない。
【００４９】本発明は、反転電位と不純物濃度に相関が
あることを利用して、ＳＯＩ層の不純物濃度等を評価す
るものである。ＳＯＩ層は、その不純物濃度（キャリア
濃度、比抵抗値）や厚さによって、完全空乏化する場合
としない場合とがあるが、概ねＳＯＩ層の厚さに関して
は１μｍ以下、とくに数百ｎｍ以下の場合、またキャリ
ア濃度に関しては、１×１０18（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）
以下の場合、ＳＯＩ層の比抵抗値に関しては０．１（Ω
・ｃｍ）以上、ＳＯＩ層のシート抵抗値が１０００（Ω
／□）以上の場合に、完全空乏化する傾向が強い。
あることを利用して、ＳＯＩ層の不純物濃度等を評価す
るものである。ＳＯＩ層は、その不純物濃度（キャリア
濃度、比抵抗値）や厚さによって、完全空乏化する場合
としない場合とがあるが、概ねＳＯＩ層の厚さに関して
は１μｍ以下、とくに数百ｎｍ以下の場合、またキャリ
ア濃度に関しては、１×１０18（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）
以下の場合、ＳＯＩ層の比抵抗値に関しては０．１（Ω
・ｃｍ）以上、ＳＯＩ層のシート抵抗値が１０００（Ω
／□）以上の場合に、完全空乏化する傾向が強い。
【００５０】（実験例）以下、本発明の実施形態に基づ
いて、実際にＳＯＩ層の評価を行なった実験について説
明する。
いて、実際にＳＯＩ層の評価を行なった実験について説
明する。
【００５１】ＳＯＩ層が不純物としてボロンをドーピン
グしたｐ型シリコンであり、絶縁層が厚さ２００ｎｍの
シリコン酸化膜であるＳＯＩウェハを、図１（ａ）に示
す評価装置で測定した。測定回路にはヒューレットパッ
カード社製の商品名ＨＰ４１４５Ｂを用いた。
グしたｐ型シリコンであり、絶縁層が厚さ２００ｎｍの
シリコン酸化膜であるＳＯＩウェハを、図１（ａ）に示
す評価装置で測定した。測定回路にはヒューレットパッ
カード社製の商品名ＨＰ４１４５Ｂを用いた。
【００５２】測定はＳＯＩ層中のボロン濃度のみが異な
る、試料番号１〜３の３種類について行なった。
る、試料番号１〜３の３種類について行なった。
【００５３】測定の結果、Ｖt の値はそれぞれ１．９
Ｖ，２．５Ｖ，３．７Ｖであった。このＶt の値を、あ
らかじめＳＩＭＳ等の成分分析法によって求めた換算曲
線によってボロン濃度に換算した。用いた換算曲線を図
３のグラフ中に実線で示す。この実線は、ボロン濃度の
異なる複数の試料のＶt の値とＳＩＭＳ法による不純物
濃度の測定の結果から作成したものである。
Ｖ，２．５Ｖ，３．７Ｖであった。このＶt の値を、あ
らかじめＳＩＭＳ等の成分分析法によって求めた換算曲
線によってボロン濃度に換算した。用いた換算曲線を図
３のグラフ中に実線で示す。この実線は、ボロン濃度の
異なる複数の試料のＶt の値とＳＩＭＳ法による不純物
濃度の測定の結果から作成したものである。
【００５４】換算の結果、試料番号１〜３のＳＯＩ層の
ボロン濃度は、それぞれ３．５×１０15，６．９×１０
15，１．８×１０16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）であった。
ボロン濃度は、それぞれ３．５×１０15，６．９×１０
15，１．８×１０16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）であった。
【００５５】一方、比較のため、試料番号１〜３のＳＯ
Ｉ層のボロン濃度をＳＩＭＳ法によって測定したとこ
ろ、それぞれ３．０×１０15，７．０×１０15，２．０
×１０ 16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）であった。ＳＩＭＳ法
による測定結果を図３のグラフ中に丸印で示す。丸印の
点は、横軸を該当試料の本実施例によるＶt の値、縦軸
をＳＩＭＳ法によるボロン濃度の値としてプロットした
ものであり、実線と丸印の乖離の度合いが、本実験例と
ＳＩＭＳ法との間の誤差を示すものである。このよう
に、反転電位と不純物濃度との間には密接な関係があ
り、反転電位を利用して不純物濃度を容易に換算できる
ことが分かる。
Ｉ層のボロン濃度をＳＩＭＳ法によって測定したとこ
ろ、それぞれ３．０×１０15，７．０×１０15，２．０
×１０ 16（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）であった。ＳＩＭＳ法
による測定結果を図３のグラフ中に丸印で示す。丸印の
点は、横軸を該当試料の本実施例によるＶt の値、縦軸
をＳＩＭＳ法によるボロン濃度の値としてプロットした
ものであり、実線と丸印の乖離の度合いが、本実験例と
ＳＩＭＳ法との間の誤差を示すものである。このよう
に、反転電位と不純物濃度との間には密接な関係があ
り、反転電位を利用して不純物濃度を容易に換算できる
ことが分かる。
【００５６】本実施形態の方法によるボロン濃度値のＳ
ＩＭＳ法による値に対する相対誤差は、試料番号１〜３
についてそれぞれ１５．４％，−１．５％，−７．９％
であった。以上の結果を以下の表１にまとめて示す。
ＩＭＳ法による値に対する相対誤差は、試料番号１〜３
についてそれぞれ１５．４％，−１．５％，−７．９％
であった。以上の結果を以下の表１にまとめて示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】以上の結果から、本実施形態の方法によ
り、ＳＯＩ層中の不純物濃度が測定されることが確認で
きた。
り、ＳＯＩ層中の不純物濃度が測定されることが確認で
きた。
【００５９】なお、本実施例ではｐ型不純物であるボロ
ンが単結晶シリコン中に拡散したＳＯＩ層の場合を示し
たが、不純物の種類、タイプ、及び半導体の種類は何ら
これらに限定されるものではなく、他のものであっても
同様の作用効果を得るものである。ＳＯＩ基板の作製方
法も、シリコン基板に酸素イオンを打ち込み熱処理を行
ない埋込酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ法や、特開平５−
２１３３８号公報及び特開平５−２１１１２８号公報記
載の貼り合わせ法により作成した試料であっても構わな
い。
ンが単結晶シリコン中に拡散したＳＯＩ層の場合を示し
たが、不純物の種類、タイプ、及び半導体の種類は何ら
これらに限定されるものではなく、他のものであっても
同様の作用効果を得るものである。ＳＯＩ基板の作製方
法も、シリコン基板に酸素イオンを打ち込み熱処理を行
ない埋込酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ法や、特開平５−
２１３３８号公報及び特開平５−２１１１２８号公報記
載の貼り合わせ法により作成した試料であっても構わな
い。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板の電位によ
ってＳＯＩ層（半導体層）が完全空乏化するようなＳＯ
Ｉ層の不純物濃度または比抵抗を、高価な成分分析装置
等を用いることなく、電気測定とデータ処理により簡
便、迅速かつ低コストで測定することが可能となる。
ってＳＯＩ層（半導体層）が完全空乏化するようなＳＯ
Ｉ層の不純物濃度または比抵抗を、高価な成分分析装置
等を用いることなく、電気測定とデータ処理により簡
便、迅速かつ低コストで測定することが可能となる。
【図１】本発明の実施形態における評価装置及び評価工
程を示す模式図である。
程を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態における測定結果の一例を示
す特性図である。
す特性図である。
【図３】本発明の実験例における測定結果の一例を示す
特性図である。
特性図である。
【図４】従来技術における評価装置及び評価工程を示す
模式図である。
模式図である。
【図５】従来技術における測定結果の一例を示す特性図
である。
である。
【図６】別の従来技術における評価装置及び評価工程を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図７】別の従来技術における測定結果の一例を示す特
性図である。
性図である。
１ ＳＯＩ層 ２ 基板 ３ 絶縁層 ４〜７，５１，５２ 探針 ８ 定電流源 ９ 電圧計 １１ 検出回路 １２ 第１の換算回路 １３ 第２の換算回路 ５３ 電極 ５４ 測定回路
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁層を介して形成され
た半導体層を評価する方法において、 前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空
乏状態から反転状態に転ずる際の反転電位を利用して、
前記半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物濃度を
見積もることを特徴とする半導体層の評価方法。 - 【請求項２】 前記キャリア濃度又は不純物濃度を見積
もった後、当該見積もりに基づいて前記半導体層の比抵
抗値に換算することを特徴とする請求項１に記載の半導
体層の評価方法。 - 【請求項３】 半導体基板上に絶縁層を介して形成され
た半導体層を評価する方法において、 前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空
乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の電位
である反転電位を計測する工程と、 前記反転電位を、前記半導体層に含まれるキャリア濃度
又は不純物濃度、若しくは前記半導体層の比抵抗値に換
算する工程とを含むことを特徴とする半導体層の評価方
法。 - 【請求項４】 半導体基板上に絶縁層を介して形成され
た半導体層を評価する方法において、 前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空
乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の電位
である反転電位を計測する工程と、 前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空
乏状態から蓄積状態に或いは蓄積状態から空乏状態に転
ずる際の前記半導体基板の基板電位であるフラットバン
ド電位を計測する工程と、 前記反転電位と前記フラットバンド電位との差を、前記
半導体層に含まれるキャリア濃度又は不純物濃度、若し
くは前記半導体層の比抵抗値に換算する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体層の評価方法。 - 【請求項５】 前記反転電位及び／又は前記フラットバ
ンド電位を、前記半導体層に接触する複数の探針及び前
記半導体基板に接触する電極により計測することを特徴
とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体層の
評価方法。 - 【請求項６】 前記半導体層は、前記半導体基板の当該
半導体層に対する電位を制御することによって完全空乏
化する半導体層であることを特徴とする請求項１〜５の
いずれか１項に記載の半導体層の評価方法。 - 【請求項７】 前記半導体基板、前記絶縁層及び前記半
導体層が順次積層されてなる基板が、シリコン基板上に
酸化シリコン層を介して単結晶シリコン層を有するＳＯ
Ｉ基板であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
１項に記載の半導体層の評価方法。 - 【請求項８】 半導体基板上に絶縁層を介して形成され
た半導体層を評価する装置において、 前記半導体層に接触する複数の探針と、 前記半導体基板に接触する電極と、 前記探針間の電気伝導度を計測する計測手段と、 前記電極の電位を制御する電位制御手段と、 前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空
乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の電位
である反転電位を検出する検出手段とを備えることを特
徴とする半導体層の評価装置。 - 【請求項９】 前記反転電位を用いて、前記半導体層の
キャリア濃度又は不純物濃度、若しくは前記半導体層の
比抵抗値に換算する換算手段を更に備えることを特徴と
する請求項８に記載の半導体層の評価装置。 - 【請求項１０】 前記検出手段は、前記反転電位ととも
に、前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層
が空乏状態から蓄積状態に或いは蓄積状態から空乏状態
に転ずる際の前記半導体基板の基板電位であるフラット
バンド電位ををも検出することを特徴とする請求項８に
記載の半導体層の評価装置。 - 【請求項１１】 半導体基板上に絶縁層を介して形成さ
れた半導体層を評価するに際して、 前記半導体層における反転電位を利用して、当該半導体
層のキャリア濃度、不純物濃度又は比抵抗値を評価する
機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記
憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 【請求項１２】 前記プログラムは、 前記半導体基板の電位の変化に伴って前記半導体層が空
乏状態から反転状態に転ずる際の前記半導体基板の電位
である反転電位を検出する検出プログラムと、 前記反転電位を、所定の計算式又はデータテーブルを用
いてキャリア濃度、不純物濃度又は比抵抗値に換算する
換算プログラムとを含むことを特徴とする請求項１１に
記載の記憶媒体。 - 【請求項１３】 前記換算プログラムは、 前記反転電位とともに、前記半導体基板の電位の変化に
伴って前記半導体層が空乏状態から蓄積状態に或いは蓄
積状態から空乏状態に転ずる際の前記半導体基板の基板
電位であるフラットバンド電位をも検出し、 前記反転電位と前記フラットバンド電位との差を、キャ
リア濃度、不純物濃度又は比抵抗値に換算することを特
徴とする請求項１２に記載の記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11084674A JP2000277716A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11084674A JP2000277716A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277716A true JP2000277716A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13837264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11084674A Pending JP2000277716A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体層の評価方法、半導体層の評価装置及び記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277716A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073886A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| WO2007138828A1 (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| JP2008160041A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Denso Corp | 半導体層の評価用電極パターンおよびそれを用いた半導体層の評価方法 |
| JP2009016681A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウェーハの評価方法 |
| JP2012238910A (ja) * | 2012-08-30 | 2012-12-06 | Denso Corp | 半導体層の評価用電極パターン |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP11084674A patent/JP2000277716A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073886A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| WO2007138828A1 (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| JP2007324194A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
| US8089274B2 (en) | 2006-05-30 | 2012-01-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating SOI wafer |
| JP2008160041A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Denso Corp | 半導体層の評価用電極パターンおよびそれを用いた半導体層の評価方法 |
| JP2009016681A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウェーハの評価方法 |
| JP2012238910A (ja) * | 2012-08-30 | 2012-12-06 | Denso Corp | 半導体層の評価用電極パターン |
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