JP3259386B2 - 汚染の評価方法 - Google Patents
汚染の評価方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、汚染の評価方法に関
し、特に、汚染源が被処理体に与える汚染の評価方法、
及び被処理体が汚染源により与えられる汚染の評価方法
に関するものである。本発明は、例えば、半導体ウェハ
に各種処理を施す場合について、該半導体ウェハを支持
する支持台であるサセプタ（これが汚染源になる）がど
の程度被処理体である半導体ウェハを汚染するかを評価
する方法として利用することができる。
し、特に、汚染源が被処理体に与える汚染の評価方法、
及び被処理体が汚染源により与えられる汚染の評価方法
に関するものである。本発明は、例えば、半導体ウェハ
に各種処理を施す場合について、該半導体ウェハを支持
する支持台であるサセプタ（これが汚染源になる）がど
の程度被処理体である半導体ウェハを汚染するかを評価
する方法として利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】各種分野において、被処理材料にクリー
ン度が厳しく要請されることが多くなっている。例え
ば、電子材料の分野においては、半導体素子の高密度
化、微細化に伴い、種々段階において汚染防止が高度に
要求されている。
ン度が厳しく要請されることが多くなっている。例え
ば、電子材料の分野においては、半導体素子の高密度
化、微細化に伴い、種々段階において汚染防止が高度に
要求されている。
【０００３】ところで、使用する原材料や環境等に対す
るクリーン化要求が増々厳しいものになって来ている一
方、半導体プロセス装置内部で発生する汚染も決して少
なくなく、ウェハ保持に用いられるサセプタ（一般に、
グラファイトやポリＳｉやＳｉＣにＣＶＤ−ＳｉＣやポ
リＳｉ膜等を単独あるいは組合わせてコートして形成す
る）から半導体ウェハに混入する不純物量も相当に多
い。例えばＳｉウェハのエピタキシャル成長装置では、
サセプタとしてグラファイトにＳｉＣをＣＶＤコートし
更にエピ直前にポリＳｉコートして用いているが、エピ
形成温度（１１００〜１１５０℃）中にサセプタ中の重
金属（ＳｉＣやポリＳｉに比べグラファイト中に多く含
まれる）がＳｉウェハ中に拡散し、エピタキシＳｉの品
質を劣化させている。
るクリーン化要求が増々厳しいものになって来ている一
方、半導体プロセス装置内部で発生する汚染も決して少
なくなく、ウェハ保持に用いられるサセプタ（一般に、
グラファイトやポリＳｉやＳｉＣにＣＶＤ−ＳｉＣやポ
リＳｉ膜等を単独あるいは組合わせてコートして形成す
る）から半導体ウェハに混入する不純物量も相当に多
い。例えばＳｉウェハのエピタキシャル成長装置では、
サセプタとしてグラファイトにＳｉＣをＣＶＤコートし
更にエピ直前にポリＳｉコートして用いているが、エピ
形成温度（１１００〜１１５０℃）中にサセプタ中の重
金属（ＳｉＣやポリＳｉに比べグラファイト中に多く含
まれる）がＳｉウェハ中に拡散し、エピタキシＳｉの品
質を劣化させている。
【０００４】従来行われていたサセプタ起因汚染の評価
法は、主にサセプタ自身の分析であった。例えば、Ｓｉ
エピ用サセプタではポリＳｉ、ＳｉＣ、グラファイト
全体を中性子放射化分析する、グラファイトをグライ
ンド、または酸化処理等で除去後、ポリＳｉ、ＳｉＣを
粉砕、溶解（例えばＨＦ／ＨＮＯ3 やＮａ2 ＣＯ3 を使
用）して原子吸光分析やＩＣＰ−ＭＳ法で測定を行って
いた。しかしながら、これらの方法では、サセプタ材料
の全体もしくは個々の純度は測定できるものの、実プロ
セス工程で実際にサセプタからウェハに混入する不純物
量は評価できず、分析結果と、その工程での素子劣化と
は必ずしも１対１に対応が取れない。また多層構造のサ
セプタでは上層の膜質（例えばピンホールの有無等）が
重金属拡散に大きな影響を与えるが、このような影響も
従来法では評価不可能である。
法は、主にサセプタ自身の分析であった。例えば、Ｓｉ
エピ用サセプタではポリＳｉ、ＳｉＣ、グラファイト
全体を中性子放射化分析する、グラファイトをグライ
ンド、または酸化処理等で除去後、ポリＳｉ、ＳｉＣを
粉砕、溶解（例えばＨＦ／ＨＮＯ3 やＮａ2 ＣＯ3 を使
用）して原子吸光分析やＩＣＰ−ＭＳ法で測定を行って
いた。しかしながら、これらの方法では、サセプタ材料
の全体もしくは個々の純度は測定できるものの、実プロ
セス工程で実際にサセプタからウェハに混入する不純物
量は評価できず、分析結果と、その工程での素子劣化と
は必ずしも１対１に対応が取れない。また多層構造のサ
セプタでは上層の膜質（例えばピンホールの有無等）が
重金属拡散に大きな影響を与えるが、このような影響も
従来法では評価不可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】上述したように、従
来の技術にあっては、半導体ウェハ等の被処理体に、ウ
ェハサセプタ等の汚染源が実際にどの程度の汚染を与え
るかということが、厳密に評価できるものではなかっ
た。
来の技術にあっては、半導体ウェハ等の被処理体に、ウ
ェハサセプタ等の汚染源が実際にどの程度の汚染を与え
るかということが、厳密に評価できるものではなかっ
た。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点を解決し
た技術を提供しようとするもので、汚染源が被処理体に
与える実際の汚染量を知ることができる汚染の評価方
法、及び被処理体が実際に汚染源により与えられる汚染
量を知ることができる汚染の評価方法を提供することを
目的とする。
た技術を提供しようとするもので、汚染源が被処理体に
与える実際の汚染量を知ることができる汚染の評価方
法、及び被処理体が実際に汚染源により与えられる汚染
量を知ることができる汚染の評価方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本出願の請求項１の発明
は、汚染源が被処理体に与える汚染の評価方法であっ
て、前記被処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染
源との接触部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前
記汚染源の側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッ
パ層が形成されている材料を用い、該材料を前記汚染源
に接触させた後、前記鏡面において全反射蛍光Ｘ線分析
を行うことを特徴とする汚染の評価方法であり、これに
より上述した目的を達成するものである。
は、汚染源が被処理体に与える汚染の評価方法であっ
て、前記被処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染
源との接触部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前
記汚染源の側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッ
パ層が形成されている材料を用い、該材料を前記汚染源
に接触させた後、前記鏡面において全反射蛍光Ｘ線分析
を行うことを特徴とする汚染の評価方法であり、これに
より上述した目的を達成するものである。
【０００８】本出願の請求項２の発明は、汚染源が被処
理体に与える汚染の評価方法であって、前記被処理体と
同等の材料であって、かつ前記汚染源との接触部は鏡面
をなしており、かつ該接触部には前記汚染源の側から汚
染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層が形成されてい
る材料を用い、該材料を前記汚染源に接触させ、前記被
処理体に施される処理と同等の処理を施した後、前記鏡
面において全反射蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする
汚染の評価方法であり、これにより上述した目的を達成
するものである。
理体に与える汚染の評価方法であって、前記被処理体と
同等の材料であって、かつ前記汚染源との接触部は鏡面
をなしており、かつ該接触部には前記汚染源の側から汚
染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層が形成されてい
る材料を用い、該材料を前記汚染源に接触させ、前記被
処理体に施される処理と同等の処理を施した後、前記鏡
面において全反射蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする
汚染の評価方法であり、これにより上述した目的を達成
するものである。
【０００９】本出願の請求項３の発明は、被処理体が汚
染源により与えられる汚染の評価方法であって、前記被
処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源との接触
部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚染源の
側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層が形成
されている材料を用い、該材料を前記汚染源に接触させ
た後、前記鏡面において全反射蛍光Ｘ線分析を行うこと
を特徴とする汚染の評価方法であり、これにより上述し
た目的を達成するものである。
染源により与えられる汚染の評価方法であって、前記被
処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源との接触
部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚染源の
側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層が形成
されている材料を用い、該材料を前記汚染源に接触させ
た後、前記鏡面において全反射蛍光Ｘ線分析を行うこと
を特徴とする汚染の評価方法であり、これにより上述し
た目的を達成するものである。
【００１０】本出願の請求項４の発明は、被処理体が汚
染源により与えられる汚染の評価方法であって、前記被
処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源との接触
部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚染源の
側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層が形成
されている材料を用い、該材料を前記汚染源に接触さ
せ、前記被処理体に施される処理と同等の処理を施した
後、前記鏡面において全反射蛍光Ｘ線分析を行うことを
特徴とする汚染の評価方法であり、これにより上述した
目的を達成するものである。
染源により与えられる汚染の評価方法であって、前記被
処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源との接触
部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚染源の
側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層が形成
されている材料を用い、該材料を前記汚染源に接触さ
せ、前記被処理体に施される処理と同等の処理を施した
後、前記鏡面において全反射蛍光Ｘ線分析を行うことを
特徴とする汚染の評価方法であり、これにより上述した
目的を達成するものである。
【００１１】本発明において、被処理体と同等の材料と
は、汚染評価のために形成する鏡面、汚染を拡散し易い
層、汚染のストッパ層以外は実際の被処理体と同じも
の、あるいは同じものとしての測定対象となり得るもの
を言う。
は、汚染評価のために形成する鏡面、汚染を拡散し易い
層、汚染のストッパ層以外は実際の被処理体と同じも
の、あるいは同じものとしての測定対象となり得るもの
を言う。
【００１２】また、被処理体に施される処理と同等の処
理とは、実際の処理工程で行うのと同じ処理、または同
じ効果のある処理を言う。
理とは、実際の処理工程で行うのと同じ処理、または同
じ効果のある処理を言う。
【００１３】本発明において、全反射蛍光Ｘ線分析と
は、ＴＲＸＲＦ（Total Reflection X-Ray Fluorescenc
e)と称される分析方法で、これは光学的に平坦な試料面
に励起Ｘ線を全反射が生じる角度〔θ＝５．４×１０10
・Ｚ・ρ・λ／Ａ）1/2 、Ｚ、Ａ、ρ；λは反射試料の
原子番号、質量数、密度；Ｘ線の波長〕で入射させ、発
生した固有Ｘ線を測定する手法である。この手法は、一
般にＳｉに限らず光学的鏡面を有する試料の表面元素分
析に広く応用されている。また、材料バルクを評価する
蛍光Ｘ線分析も広く使用されている。
は、ＴＲＸＲＦ（Total Reflection X-Ray Fluorescenc
e)と称される分析方法で、これは光学的に平坦な試料面
に励起Ｘ線を全反射が生じる角度〔θ＝５．４×１０10
・Ｚ・ρ・λ／Ａ）1/2 、Ｚ、Ａ、ρ；λは反射試料の
原子番号、質量数、密度；Ｘ線の波長〕で入射させ、発
生した固有Ｘ線を測定する手法である。この手法は、一
般にＳｉに限らず光学的鏡面を有する試料の表面元素分
析に広く応用されている。また、材料バルクを評価する
蛍光Ｘ線分析も広く使用されている。
【００１４】半導体分野でＳｉウェハ表面の不純物をＴ
ＲＸＲＦで測定することは公知であり（例えば特開平４
−１４４１５１９参照）、半導体分野での専用の装置も
市販されている。
ＲＸＲＦで測定することは公知であり（例えば特開平４
−１４４１５１９参照）、半導体分野での専用の装置も
市販されている。
【００１５】本発明の構成の概要について、後記詳述す
る本発明の一実施例を示す図１の例示を用いて説明する
と、次のとおりである。
る本発明の一実施例を示す図１の例示を用いて説明する
と、次のとおりである。
【００１６】図１は、被処理体１であるＳｉウェハにつ
いて、エピ形成を行うため、これを熱処理する場合に、
ウェハ支持部であるサセプタに支持させるが、このとき
サセプタが汚染源２となるので、このサセプタ（汚染源
２）が被処理体１であるウェハに与える汚染を評価しよ
うとする例を示している。
いて、エピ形成を行うため、これを熱処理する場合に、
ウェハ支持部であるサセプタに支持させるが、このとき
サセプタが汚染源２となるので、このサセプタ（汚染源
２）が被処理体１であるウェハに与える汚染を評価しよ
うとする例を示している。
【００１７】このような場合に具体化できるように、本
発明は、汚染源２であるサセプタが被処理体であるＳｉ
ウェハに与える汚染を評価する場合に、被処理体と同等
の材料であって、即ち図示例の場合Ｓｉウェハであっ
て、かつ汚染源２との接触部は鏡面１１をなしており、
かつ該接触部１２は汚染源の側から汚染を拡散し易い層
１２（ここではＳｉＯ２膜）及び汚染のストッパ層１３
（ここではＳｉ３Ｎ４膜）が形成されている材料１を用
い、該材料１を汚染源２に接触させ、必要に応じ被処理
体に施される処理と同等の処理を施した後、鏡面１１に
おいて全反射蛍光Ｘ線分析を行い、汚染源２が被処理体
に与える汚染を評価するものである。
発明は、汚染源２であるサセプタが被処理体であるＳｉ
ウェハに与える汚染を評価する場合に、被処理体と同等
の材料であって、即ち図示例の場合Ｓｉウェハであっ
て、かつ汚染源２との接触部は鏡面１１をなしており、
かつ該接触部１２は汚染源の側から汚染を拡散し易い層
１２（ここではＳｉＯ２膜）及び汚染のストッパ層１３
（ここではＳｉ３Ｎ４膜）が形成されている材料１を用
い、該材料１を汚染源２に接触させ、必要に応じ被処理
体に施される処理と同等の処理を施した後、鏡面１１に
おいて全反射蛍光Ｘ線分析を行い、汚染源２が被処理体
に与える汚染を評価するものである。
【００１８】また、本発明は、被処理体であるＳｉウェ
ハが汚染源２であるサセプタにより与えられる汚染を評
価する場合に、被処理体と同等の材料であって、即ち図
示例の場合Ｓｉウェハであって、かつ汚染源２との接触
部は鏡面１１をなしており、かつ該接触部１２は汚染源
の側から汚染を拡散し易い層（ここではＳｉＯ２膜）及
び汚染のストッパ層１３（ここではＳｉ３Ｎ４膜）が形
成されている材料１を用い、該材料１を汚染源２に接触
させ、必要に応じ被処理体に施される処理と同等の処理
を施した後、鏡面１１において全反射蛍光Ｘ線分析を行
い、汚染源２により被処理体が与えられる汚染を評価す
るものである。
ハが汚染源２であるサセプタにより与えられる汚染を評
価する場合に、被処理体と同等の材料であって、即ち図
示例の場合Ｓｉウェハであって、かつ汚染源２との接触
部は鏡面１１をなしており、かつ該接触部１２は汚染源
の側から汚染を拡散し易い層（ここではＳｉＯ２膜）及
び汚染のストッパ層１３（ここではＳｉ３Ｎ４膜）が形
成されている材料１を用い、該材料１を汚染源２に接触
させ、必要に応じ被処理体に施される処理と同等の処理
を施した後、鏡面１１において全反射蛍光Ｘ線分析を行
い、汚染源２により被処理体が与えられる汚染を評価す
るものである。
【００１９】
【作用】本発明によれば、実際に汚染源が被処理体に汚
染を与えるのと全く同等の条件で処理を行った材料を分
析するので、実際に汚染源が被処理体に与えるのと同じ
汚染を忠実に評価できる。
染を与えるのと全く同等の条件で処理を行った材料を分
析するので、実際に汚染源が被処理体に与えるのと同じ
汚染を忠実に評価できる。
【００２０】
【実施例】以下、本出願の発明の実施例について、図面
を参照して説明する。なお当然のことではあるが、本発
明は以下の実施例により限定を受けるものではない。
を参照して説明する。なお当然のことではあるが、本発
明は以下の実施例により限定を受けるものではない。
【００２１】実施例１ この実施例は、本発明を、Ｓｉウェハのエピタキシ処理
の場合の熱処理における、サセプタがＳｉウェハに与え
る汚染の評価のために用いた例である。
の場合の熱処理における、サセプタがＳｉウェハに与え
る汚染の評価のために用いた例である。
【００２２】即ち、本実施例では、半導体製造プロサセ
ス中にウェハ保持サセプタから半導体ウェハに混入する
汚染を簡単に評価できるようにした。
ス中にウェハ保持サセプタから半導体ウェハに混入する
汚染を簡単に評価できるようにした。
【００２３】本実施例では、図１に示すように、汚染の
ストッパ層13であるＳｉ3 Ｎ4 膜と、その上に１０ｎｍ
以下のＳｉＯ2 膜を汚染を吸収し易い層12として形成し
たＳｉウェハを汚染評価用材料１として用い、この鏡面
11が汚染源２であるサセプタと接触するように保持し、
該サセプタを有する半導体製造装置で通常行うのと同じ
または同じ効果が期待される熱処理以上の処理を施した
後に、該材料１（Ｓｉウェハ）を取り出して、そのミラ
ー面を全反射蛍光Ｘ線分析（ＴＲＸＲＦ）により表面不
純物測定する。汚染源２（サセプタ）から拡散した不純
物元素のうち、素子特性に影響を及ぼす重金属は、汚染
を拡散し易い層12として機能するＳｉＯ2 膜を介して進
行し、ほとんどの元素はＳｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 界面近傍
でトラップされ、Ｓｉウェハまで拡散しない。Ｓｉ3 Ｎ
4 膜が汚染のストッパとして機能するからである。な
お、ＴＲＸＲＦでは、表面から約１０ｎｍの深さの不純
物に起因した蛍光Ｘ線を検出しているので、ＳｉＯ2 膜
は１０ｎｍ以下にした。
ストッパ層13であるＳｉ3 Ｎ4 膜と、その上に１０ｎｍ
以下のＳｉＯ2 膜を汚染を吸収し易い層12として形成し
たＳｉウェハを汚染評価用材料１として用い、この鏡面
11が汚染源２であるサセプタと接触するように保持し、
該サセプタを有する半導体製造装置で通常行うのと同じ
または同じ効果が期待される熱処理以上の処理を施した
後に、該材料１（Ｓｉウェハ）を取り出して、そのミラ
ー面を全反射蛍光Ｘ線分析（ＴＲＸＲＦ）により表面不
純物測定する。汚染源２（サセプタ）から拡散した不純
物元素のうち、素子特性に影響を及ぼす重金属は、汚染
を拡散し易い層12として機能するＳｉＯ2 膜を介して進
行し、ほとんどの元素はＳｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 界面近傍
でトラップされ、Ｓｉウェハまで拡散しない。Ｓｉ3 Ｎ
4 膜が汚染のストッパとして機能するからである。な
お、ＴＲＸＲＦでは、表面から約１０ｎｍの深さの不純
物に起因した蛍光Ｘ線を検出しているので、ＳｉＯ2 膜
は１０ｎｍ以下にした。
【００２４】Ｓｉ3 Ｎ4 膜上のＳｉＯ2 膜は、サセプタ
との密着性向上と、拡散不純物のトラップ領域として形
成することにより、高感度分析が可能となる。
との密着性向上と、拡散不純物のトラップ領域として形
成することにより、高感度分析が可能となる。
【００２５】更に具体的には、本実施例はＳｉエピ装置
に本発明を適用した例であるので、以下のように構成し
た。ＣＺＳｉウェハに、ＬＰ−ＣＶＤでストッパ層13と
して約１００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 膜（５０〜５００ｎｍの
範囲で適宜選定するのが好ましい）を形成後、１０００
℃の湿式酸化で、Ｓｉ3 Ｎ4 表面に約５ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成する（Ｘ線検知できる厚みとするため、１０ｎ
ｍ以下、特に５〜１０ｎｍの範囲で適宜選定するのが好
ましい）。ミラー面が汚染源２となるサセプタに接触す
るようにセットする。サセプタはグラファイト21にＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ22を約１００μｍコートし、その上にポリＳ
ｉ23を１０μｍコートして成る。
に本発明を適用した例であるので、以下のように構成し
た。ＣＺＳｉウェハに、ＬＰ−ＣＶＤでストッパ層13と
して約１００ｎｍのＳｉ3 Ｎ4 膜（５０〜５００ｎｍの
範囲で適宜選定するのが好ましい）を形成後、１０００
℃の湿式酸化で、Ｓｉ3 Ｎ4 表面に約５ｎｍのＳｉＯ2
膜を形成する（Ｘ線検知できる厚みとするため、１０ｎ
ｍ以下、特に５〜１０ｎｍの範囲で適宜選定するのが好
ましい）。ミラー面が汚染源２となるサセプタに接触す
るようにセットする。サセプタはグラファイト21にＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ22を約１００μｍコートし、その上にポリＳ
ｉ23を１０μｍコートして成る。
【００２６】通常のエピ形成熱処理、例えば１１５０℃
−２０分から１１００℃−１０分（昇降温速度は７０℃
／分）の処理を施す。この時のガス雰囲気はＮ2 やＨ2
で、熱シュミレーションのみを行っても良いし、実プロ
セスと同じにしてエピ成長しても良い。
−２０分から１１００℃−１０分（昇降温速度は７０℃
／分）の処理を施す。この時のガス雰囲気はＮ2 やＨ2
で、熱シュミレーションのみを行っても良いし、実プロ
セスと同じにしてエピ成長しても良い。
【００２７】熱処理後Ｓｉウェハをエピ炉から取出し、
ミラー面のＴＲＸＲＦ分析を行い、サセプタからの汚染
量を評価する。
ミラー面のＴＲＸＲＦ分析を行い、サセプタからの汚染
量を評価する。
【００２８】図２は本実施例を用いて、メーカーの異な
るサセプタＡ，ＢからのＦｅの汚染量を測定した結果で
ある。本発明によりサセプタからの汚染量が簡便に測定
でき、有効であることが分かる。なお、図２中、Ｒｅｆ
はブランクテストを示す。
るサセプタＡ，ＢからのＦｅの汚染量を測定した結果で
ある。本発明によりサセプタからの汚染量が簡便に測定
でき、有効であることが分かる。なお、図２中、Ｒｅｆ
はブランクテストを示す。
【００２９】実施例２ 本実施例は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ，液晶表示デバイス）に汚染源が与える
汚染を評価するのに、本実施例を用いた。
Ｄｉｓｐｌａｙ，液晶表示デバイス）に汚染源が与える
汚染を評価するのに、本実施例を用いた。
【００３０】ここでは、図３に示す評価材料１を使用し
た。即ち、ＬＣＤ基板を構成する石英に、汚染のストッ
パ層13であるＳｉ3 Ｎ4 膜及び汚染を拡散し易い層12と
してのＳｉＯ2 膜を形成して、評価用の材料１とした。
た。即ち、ＬＣＤ基板を構成する石英に、汚染のストッ
パ層13であるＳｉ3 Ｎ4 膜及び汚染を拡散し易い層12と
してのＳｉＯ2 膜を形成して、評価用の材料１とした。
【００３１】その他の評価プロセスは実施例１と同様の
操作で、ＬＣＤに対して実際に施される処理に対応して
実施した。
操作で、ＬＣＤに対して実際に施される処理に対応して
実施した。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、汚染源が被処理体に与
える実際の汚染量を知ることができる汚染の評価方法、
及び被処理体が実際に汚染源により与えられる汚染量を
知ることができる汚染の評価方法を提供することができ
る。
える実際の汚染量を知ることができる汚染の評価方法、
及び被処理体が実際に汚染源により与えられる汚染量を
知ることができる汚染の評価方法を提供することができ
る。
【図１】実施例１の汚染評価方法を説明する構成図であ
る。
る。
【図２】実施例１の汚染評価方法による評価結果を示す
図である。
図である。
【図３】実施例２の汚染評価方法の評価材料の構成図で
ある。
ある。
１ （汚染評価）材料 ２ 汚染源（サセプタ） 11 鏡面（ミラー面） 12 汚染を拡散し易い層（ＳｉＯ2 膜） 13 汚染のストッパ層（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）
Claims (4)
- 【請求項１】汚染源が被処理体に与える汚染の評価方法
であって、前記 被処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源と
の接触部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚
染源の側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層
が形成されている材料を用い、 該材料を前記汚染源に接触させた後、前記鏡面において
全反射蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする汚染の評価
方法。 - 【請求項２】汚染源が被処理体に与える汚染の評価方法
であって、前記 被処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源と
の接触部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚
染源の側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層
が形成されている材料を用い、 該材料を前記汚染源に接触させ、前記被処理体に施され
る処理と同等の処理を施した後、前記鏡面において全反
射蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする汚染の評価方
法。 - 【請求項３】被処理体が汚染源により与えられる汚染の
評価方法であって、前記 被処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源と
の接触部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚
染源の側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層
が形成されている材料を用い、 該材料を前記汚染源に接触させた後、前記鏡面において
全反射蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする汚染の評価
方法。 - 【請求項４】被処理体が汚染源により与えられる汚染の
評価方法であって、前記 被処理体と同等の材料であって、かつ前記汚染源と
の接触部は鏡面をなしており、かつ該接触部には前記汚
染源の側から汚染を拡散し易い層及び汚染のストッパ層
が形成されている材料を用い、 該材料を前記汚染源に接触させ、前記被処理体に施され
る処理と同等の処理を施した後、前記鏡面において全反
射蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする汚染の評価方
法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP34327792A JP3259386B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 汚染の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34327792A JP3259386B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 汚染の評価方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=18360281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34327792A Expired - Fee Related JP3259386B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 汚染の評価方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3259386B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-11-30 JP JP34327792A patent/JP3259386B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06168998A (ja) | 1994-06-14 |
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