JP7309922B2 - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の方法の好ましい実施形態が、以下の説明において詳細に記載される。個々の特徴は、本発明の実施形態として別々にまたは組み合わせて実現することができる。
偏光解消度は、好ましくは、位置ベースの測定値を与えるよう、半導体ウェハの予め規定された領域の位置で測定される。
第1の計算方法では、好ましくは、ある領域が、ウェハの表面上の中間点と一致する中間点を有するウェハ上の放射状対称リングとして定義される。ここで、この領域の外半径はウェハの半径より小さく、好ましくはウェハの半径の98%未満であり、内半径はウェハの半径の50%より大きく、好ましくはウェハの半径の75%より大きい。
Claims (10)
- 半導体ウェハの製造方法であって、
シリコンの単結晶ロッドを提供し、
前記単結晶ロッドは結晶片に切断され、
テストウェハを1つの前記結晶片から取り出し、
前記テストウェハは、デバイス加工における熱処理に対応する第1の熱処理方法に供され、
その後、第2の熱処理方法が行われ、
前記第2の熱処理方法は、加熱段階と、保持温度Thでの保持段階と、冷却段階とを含み、
前記第2の熱処理方法は、前記テストウェハ上で中心部と縁部との間に径方向温度差ΔTを引き起こし、前記保持段階における前記径方向温度差ΔTは1K~30Kであり、
前記テストウェハの冷却後、前記テストウェハは、SIRD測定を用いて応力場に関して分析され、
この結果を利用して、前記結晶片から得られた前記半導体ウェハが不良であるか否かが判断される、半導体ウェハの製造方法。 - 前記保持段階の温度Thは、700℃~1410℃である、請求項1に記載の方法。
- 前記単結晶ロッドはチョクラルスキー法により引き上げられる、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記単結晶ロッドは、フロートゾーン法によって引き上げられる、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加熱段階の加熱速度は4K/s未満であり、
前記冷却段階の冷却速度は5K/s未満である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記保持段階における前記前記径方向温度差ΔTの量は、2K~5Kである、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1と第2の熱処理方法の少なくとも1つの雰囲気は、He、Ar、H2、O2、N2、NH3、CH4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4、SiCl4、CH4Cl2Si、およびH2Oからなるリストからの少なくとも1つの化学物質を含む、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加熱段階および前記冷却段階の両方における径方向熱勾配の量は、前記保持段階における径方向熱勾配の量よりも小さい、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の熱処理方法は、サセプタを用いて行われ、前記サセプタ上で前記半導体ウェハはその領域全体にわたって置かれる、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記保持段階の持続時間は、少なくとも10秒である、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
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