JP2002353282A - シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法 - Google Patents
シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン単結晶ウェーハの抵抗率によらず、
かつ、地球環境を汚染することもなく、低濃度、特に2x
1014/cm3以下の窒素濃度も評価することができるシリコ
ン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法を提供する。 【解決手段】 シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度
を、該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性（密
度、サイズ、形状等）に基づいて決定することを特徴と
するシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。
熱処理後のグローンイン欠陥やBMDに係る欠陥特性に基
づいて決定することもでき、また、エピタキシャルウェ
ーハに対しては、シリコン単結晶ウェーハのグローンイ
ン欠陥、BMDのほか、エピタキシャル層の欠陥（エピ積
層欠陥や転位ループ）の欠陥特性に基づいて評価するこ
ともできる。
かつ、地球環境を汚染することもなく、低濃度、特に2x
1014/cm3以下の窒素濃度も評価することができるシリコ
ン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法を提供する。 【解決手段】 シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度
を、該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性（密
度、サイズ、形状等）に基づいて決定することを特徴と
するシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。
熱処理後のグローンイン欠陥やBMDに係る欠陥特性に基
づいて決定することもでき、また、エピタキシャルウェ
ーハに対しては、シリコン単結晶ウェーハのグローンイ
ン欠陥、BMDのほか、エピタキシャル層の欠陥（エピ積
層欠陥や転位ループ）の欠陥特性に基づいて評価するこ
ともできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶ウ
ェーハ中の窒素濃度の評価方法に関する。
ェーハ中の窒素濃度の評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体素子の高集積化に伴い、基
板となる半導体ウェーハの結晶欠陥、特にウェーハ表面
および表面近傍の結晶欠陥の低減が非常に重要になって
きている。半導体ウェーハは、例えば、チョクラルスキ
ー（ＣＺ）法によりシリコン単結晶を成長させ、これを
スライスして得ることができる。
板となる半導体ウェーハの結晶欠陥、特にウェーハ表面
および表面近傍の結晶欠陥の低減が非常に重要になって
きている。半導体ウェーハは、例えば、チョクラルスキ
ー（ＣＺ）法によりシリコン単結晶を成長させ、これを
スライスして得ることができる。
【０００３】最近になって、ＣＺ法により育成されたシ
リコン単結晶中には、Grown-in（グローンイン）欠陥と
呼ばれる結晶成長中に導入されたさまざまな結晶欠陥
（結晶成長導入欠陥）が存在することが分かってきた。
例えば、これらの結晶欠陥の一部は、パーティクルカウ
ンターを使用してＣＯＰ（Crystal Originated Particl
e）として検出できる。このような結晶欠陥の主な発生
原因は、単結晶製造中に導入された点欠陥である原子空
孔や格子間シリコンが凝集したクラスター（ボイドや転
位）、あるいは石英ルツボから混入する酸素原子の凝集
体である酸素析出物であると考えられている。
リコン単結晶中には、Grown-in（グローンイン）欠陥と
呼ばれる結晶成長中に導入されたさまざまな結晶欠陥
（結晶成長導入欠陥）が存在することが分かってきた。
例えば、これらの結晶欠陥の一部は、パーティクルカウ
ンターを使用してＣＯＰ（Crystal Originated Particl
e）として検出できる。このような結晶欠陥の主な発生
原因は、単結晶製造中に導入された点欠陥である原子空
孔や格子間シリコンが凝集したクラスター（ボイドや転
位）、あるいは石英ルツボから混入する酸素原子の凝集
体である酸素析出物であると考えられている。
【０００４】近年、ＣＺシリコン単結晶の成長中に微量
の窒素をドープすると、上記ボイドのサイズが小さくな
ること、及び酸素析出物密度が増大することが指摘さ
れ、この現象を利用してＣＺシリコン単結晶中の結晶欠
陥を低減しつつ、ゲッタリング能力を高める技術が非常
に注目されている。そして、ＣＺシリコン単結晶中の窒
素濃度として１×１０１４/cm３以下の低濃度でも十分
に上記効果があることが報告されている（1999年春季第
46回応用物理学関係連合講演会 予稿集No.1, p.469-47
1, 29a-ZB-5〜9, 玉塚他）。そのため、シリコン単結晶
ウェーハ（以下、「シリコンウェーハ」または単に「ウ
ェーハ」と言う場合がある。）の窒素濃度については、
このような低濃度まで評価できることが要求されてきて
いる。
の窒素をドープすると、上記ボイドのサイズが小さくな
ること、及び酸素析出物密度が増大することが指摘さ
れ、この現象を利用してＣＺシリコン単結晶中の結晶欠
陥を低減しつつ、ゲッタリング能力を高める技術が非常
に注目されている。そして、ＣＺシリコン単結晶中の窒
素濃度として１×１０１４/cm３以下の低濃度でも十分
に上記効果があることが報告されている（1999年春季第
46回応用物理学関係連合講演会 予稿集No.1, p.469-47
1, 29a-ZB-5〜9, 玉塚他）。そのため、シリコン単結晶
ウェーハ（以下、「シリコンウェーハ」または単に「ウ
ェーハ」と言う場合がある。）の窒素濃度については、
このような低濃度まで評価できることが要求されてきて
いる。
【０００５】従来、シリコンウェーハ中の窒素濃度の測
定は、平均濃度には荷電粒子放射化分析（CPAA）、局部
的には二次イオン質量分析装置（SIMS）が使われてい
た。また、簡便な方法としてフーリエ変換赤外分光（FT
-IR）法が用いられることもあった。しかしながら、こ
れらの分析手段を用いた場合のシリコン中の窒素の検出
下限は、それぞれ1x1015/cm3、3x1014/cm3、2x1014/cm3
程度である。そのため、近年使用されつつある2x1014/c
m3以下の窒素濃度に関しては、単結晶引き上げ時に融液
中に添加した窒素化合物の濃度と単結晶引き上げ時の偏
析係数とから計算で見積もるしかなく、ウェーハそのも
のから窒素濃度を評価する方法は確立していなかった。
定は、平均濃度には荷電粒子放射化分析（CPAA）、局部
的には二次イオン質量分析装置（SIMS）が使われてい
た。また、簡便な方法としてフーリエ変換赤外分光（FT
-IR）法が用いられることもあった。しかしながら、こ
れらの分析手段を用いた場合のシリコン中の窒素の検出
下限は、それぞれ1x1015/cm3、3x1014/cm3、2x1014/cm3
程度である。そのため、近年使用されつつある2x1014/c
m3以下の窒素濃度に関しては、単結晶引き上げ時に融液
中に添加した窒素化合物の濃度と単結晶引き上げ時の偏
析係数とから計算で見積もるしかなく、ウェーハそのも
のから窒素濃度を評価する方法は確立していなかった。
【０００６】最近、窒素濃度を評価する方法として、窒
素をドープしたシリコン単結晶ウェーハに対し、比較的
低温の熱処理を施すことによりドナーの性質を有する酸
素・窒素複合体（以下、酸素・窒素ドナーと表記する）
が形成され（A.Hara et al.,Appl. Phys. Lett. 54 (19
89) 626）、この酸素・窒素ドナーとシリコン単結晶ウ
ェーハ中の窒素ドープ量との間に相関があることを利用
して、特に2x1014/cm3以下の窒素濃度を評価する方法が
開発された（特開2000-332074参照）。しかしこの手法
では、酸素・窒素ドナーによる抵抗率変化から算出した
酸素・窒素ドナー濃度に基づいて窒素濃度を求めるた
め、特に低抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃
度を評価することが困難であった。
素をドープしたシリコン単結晶ウェーハに対し、比較的
低温の熱処理を施すことによりドナーの性質を有する酸
素・窒素複合体（以下、酸素・窒素ドナーと表記する）
が形成され（A.Hara et al.,Appl. Phys. Lett. 54 (19
89) 626）、この酸素・窒素ドナーとシリコン単結晶ウ
ェーハ中の窒素ドープ量との間に相関があることを利用
して、特に2x1014/cm3以下の窒素濃度を評価する方法が
開発された（特開2000-332074参照）。しかしこの手法
では、酸素・窒素ドナーによる抵抗率変化から算出した
酸素・窒素ドナー濃度に基づいて窒素濃度を求めるた
め、特に低抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃
度を評価することが困難であった。
【０００７】また、特開2000-272997では、シリコンウ
ェーハに高温酸化処理を施す際に生成するOSF（Oxidati
on-induced Stacking Fault；酸化誘起積層欠陥）密度
と窒素ドープ量には良好な相関があることを明らかに
し、OSF密度を検出することで結晶中のドープ量を推定
する方法が開示されている。しかしこの手法ではOSFを
検出するためにクロムを含むライトエッチングを行って
いるので、地球環境への影響を考えると、この手法は避
けることが望ましい。また、低抵抗率品に対しては適用
が困難であった。
ェーハに高温酸化処理を施す際に生成するOSF（Oxidati
on-induced Stacking Fault；酸化誘起積層欠陥）密度
と窒素ドープ量には良好な相関があることを明らかに
し、OSF密度を検出することで結晶中のドープ量を推定
する方法が開示されている。しかしこの手法ではOSFを
検出するためにクロムを含むライトエッチングを行って
いるので、地球環境への影響を考えると、この手法は避
けることが望ましい。また、低抵抗率品に対しては適用
が困難であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点に鑑みてなされたもので、シリコン単結晶ウェーハ
の抵抗率によらず、かつ、地球環境を汚染することもな
く、低濃度、特に2x1014/cm3以下の窒素濃度も評価する
ことができるシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評
価方法を提供することを目的としている。
題点に鑑みてなされたもので、シリコン単結晶ウェーハ
の抵抗率によらず、かつ、地球環境を汚染することもな
く、低濃度、特に2x1014/cm3以下の窒素濃度も評価する
ことができるシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評
価方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、窒素ドー
プシリコン単結晶ウェーハ中の、いわゆるグローンイン
欠陥は、窒素ドープ量に依存して特徴的な欠陥特性（欠
陥の密度、サイズ、形状など）を示すので、この欠陥特
性に基づいて窒素濃度を評価することが可能となること
を見出した。さらに、このようなグローンイン欠陥の欠
陥特性に基づけば、ウェーハの抵抗率に関係無く、ま
た、クロム含有のエッチング液を使用せずに、2x1014/c
m3以下の窒素濃度の評価をすることができることを見出
し、本発明を完成するに至った。
プシリコン単結晶ウェーハ中の、いわゆるグローンイン
欠陥は、窒素ドープ量に依存して特徴的な欠陥特性（欠
陥の密度、サイズ、形状など）を示すので、この欠陥特
性に基づいて窒素濃度を評価することが可能となること
を見出した。さらに、このようなグローンイン欠陥の欠
陥特性に基づけば、ウェーハの抵抗率に関係無く、ま
た、クロム含有のエッチング液を使用せずに、2x1014/c
m3以下の窒素濃度の評価をすることができることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、前記目的を達成するため、本発
明によれば、シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を、
該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性に基づい
て決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中
の窒素濃度の評価方法が提供される（請求項１）。
明によれば、シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を、
該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性に基づい
て決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中
の窒素濃度の評価方法が提供される（請求項１）。
【００１１】例えば、窒素ドープによりボイドサイズが
小さくなることや、その形状、形態が変化することは既
に知られている（1999年春季第46回応用物理学関係連合
講演会 予稿集No.1, p.469-471, 29a-ZB-5〜9, 玉塚
他）。特にボイド形状は、窒素ノンドープでは多面体型
であったものが、13乗台/cm3の窒素ドープでは多面体型
のほかに棒状、板状のものが観察され、14乗台/cm3では
棒状、板状のみが観察されるというように、窒素ドープ
量に応じて大きく変化する（加藤他、応用物理学会分科
会 シリコンテクノロジー No. 9 (26th May, 1999)、
第2回ミニ学術講演会特集号 p.2）。
小さくなることや、その形状、形態が変化することは既
に知られている（1999年春季第46回応用物理学関係連合
講演会 予稿集No.1, p.469-471, 29a-ZB-5〜9, 玉塚
他）。特にボイド形状は、窒素ノンドープでは多面体型
であったものが、13乗台/cm3の窒素ドープでは多面体型
のほかに棒状、板状のものが観察され、14乗台/cm3では
棒状、板状のみが観察されるというように、窒素ドープ
量に応じて大きく変化する（加藤他、応用物理学会分科
会 シリコンテクノロジー No. 9 (26th May, 1999)、
第2回ミニ学術講演会特集号 p.2）。
【００１２】そこで、本発明では、窒素ドープ量、すな
わちウェーハ中の窒素濃度と、それに依存して変化する
ボイド等のグローンイン欠陥の欠陥特性（密度、サイ
ズ、形状等）との関係を予め求めておけば、窒素濃度が
未知のウェーハについても、その欠陥特性だけを測定し
て上記関係に照らし合わせることで、その窒素濃度を決
定することとした。
わちウェーハ中の窒素濃度と、それに依存して変化する
ボイド等のグローンイン欠陥の欠陥特性（密度、サイ
ズ、形状等）との関係を予め求めておけば、窒素濃度が
未知のウェーハについても、その欠陥特性だけを測定し
て上記関係に照らし合わせることで、その窒素濃度を決
定することとした。
【００１３】さらに、本発明者らは、熱処理前のグロー
ンイン欠陥に限らず、窒素濃度と相関のある指標があれ
ば、これを用いて窒素濃度を評価することができ、特に
ウェーハを熱処理した後の欠陥特性に基づいてより好適
に窒素濃度を評価できることを見出した。すなわち、本
発明によれば、シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度
を、該ウェーハを熱処理した後のグローンイン欠陥及び
／又はBMDに係る欠陥特性に基づいて決定することを特
徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方
法が提供される（請求項２）。
ンイン欠陥に限らず、窒素濃度と相関のある指標があれ
ば、これを用いて窒素濃度を評価することができ、特に
ウェーハを熱処理した後の欠陥特性に基づいてより好適
に窒素濃度を評価できることを見出した。すなわち、本
発明によれば、シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度
を、該ウェーハを熱処理した後のグローンイン欠陥及び
／又はBMDに係る欠陥特性に基づいて決定することを特
徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方
法が提供される（請求項２）。
【００１４】すなわち、ウェーハの熱処理後にもグロー
ンイン欠陥は存在するので、熱処理後のグローンイン欠
陥の密度等に基づけば、ウェーハ中の窒素濃度を評価す
ることができる。また、熱処理により、グローンイン酸
素析出核（グローンイン酸素析出物）が結晶中に過飽和
に固溶していた格子間酸素により成長して、BMD（Bulk
Micro Defect）と呼ばれる微小欠陥として検出可能にな
る。本発明者らは、適当な熱処理後のBMDの密度等と窒
素濃度の間に良い相関があることも見出した。そして、
BMDは、ウェーハの抵抗率に依存せずに、光学式の検出
器で測定できるため、その欠陥特性に基づいて低抵抗率
品の窒素濃度評価を容易に行うことができる。
ンイン欠陥は存在するので、熱処理後のグローンイン欠
陥の密度等に基づけば、ウェーハ中の窒素濃度を評価す
ることができる。また、熱処理により、グローンイン酸
素析出核（グローンイン酸素析出物）が結晶中に過飽和
に固溶していた格子間酸素により成長して、BMD（Bulk
Micro Defect）と呼ばれる微小欠陥として検出可能にな
る。本発明者らは、適当な熱処理後のBMDの密度等と窒
素濃度の間に良い相関があることも見出した。そして、
BMDは、ウェーハの抵抗率に依存せずに、光学式の検出
器で測定できるため、その欠陥特性に基づいて低抵抗率
品の窒素濃度評価を容易に行うことができる。
【００１５】さらに本発明によれば、エピタキシャルウ
ェーハに対しても、同様に窒素濃度の評価を行うことが
できる。あるいは、シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃
度を評価するためにエピタキシャル成長を行うと換言す
ることもできる。すなわち、本発明によれば、シリコン
単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行うことにより
エピタキシャルウェーハを形成し、該エピタキシャルウ
ェーハのエピタキシャル層の欠陥及び／又はシリコン単
結晶ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性に基づ
いて前記シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定す
ることができる（請求項３）。
ェーハに対しても、同様に窒素濃度の評価を行うことが
できる。あるいは、シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃
度を評価するためにエピタキシャル成長を行うと換言す
ることもできる。すなわち、本発明によれば、シリコン
単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行うことにより
エピタキシャルウェーハを形成し、該エピタキシャルウ
ェーハのエピタキシャル層の欠陥及び／又はシリコン単
結晶ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性に基づ
いて前記シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定す
ることができる（請求項３）。
【００１６】また、この場合も、熱処理により欠陥特性
を顕在化させることができるので、シリコン単結晶ウェ
ーハにエピタキシャル成長を行うことによりエピタキシ
ャルウェーハを形成し、該エピタキシャルウェーハを熱
処理した後のエピタキシャル層の欠陥及び／又はシリコ
ン単結晶ウェーハのグローンイン欠陥、BMDに係る欠陥
特性に基づいて前記シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃
度を決定することもできる（請求項４）。
を顕在化させることができるので、シリコン単結晶ウェ
ーハにエピタキシャル成長を行うことによりエピタキシ
ャルウェーハを形成し、該エピタキシャルウェーハを熱
処理した後のエピタキシャル層の欠陥及び／又はシリコ
ン単結晶ウェーハのグローンイン欠陥、BMDに係る欠陥
特性に基づいて前記シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃
度を決定することもできる（請求項４）。
【００１７】すなわち、本発明者らは、エピタキシャル
成長後に適当な熱処理を施した場合でも、エピタキシャ
ル層が形成されたシリコン単結晶ウェーハ中のBMD密度
と窒素濃度の間に良い相関があることを明らかにした。
従って、上記のようにエピタキシャルウェーハであって
も、前記同様、熱処理前後のグローンイン欠陥、あるい
はBMDの欠陥特性に基づいてウェーハ中の窒素濃度を評
価することができる。
成長後に適当な熱処理を施した場合でも、エピタキシャ
ル層が形成されたシリコン単結晶ウェーハ中のBMD密度
と窒素濃度の間に良い相関があることを明らかにした。
従って、上記のようにエピタキシャルウェーハであって
も、前記同様、熱処理前後のグローンイン欠陥、あるい
はBMDの欠陥特性に基づいてウェーハ中の窒素濃度を評
価することができる。
【００１８】また、エピタキシャル層の欠陥は、基板で
あるシリコンウェーハ表面あるいは表面近傍の欠陥を反
映するので、上記のようにエピタキシャル層の欠陥の欠
陥特性に基づいてウェーハ中の窒素濃度を評価すること
もできる。この場合、エピタキシャル層の欠陥として
は、エピ積層欠陥及び／又は転位ループとすることがで
きる（請求項５）。
あるシリコンウェーハ表面あるいは表面近傍の欠陥を反
映するので、上記のようにエピタキシャル層の欠陥の欠
陥特性に基づいてウェーハ中の窒素濃度を評価すること
もできる。この場合、エピタキシャル層の欠陥として
は、エピ積層欠陥及び／又は転位ループとすることがで
きる（請求項５）。
【００１９】これらの欠陥は、特にウェーハ中の窒素濃
度に依存して変化するので、窒素濃度評価に適してお
り、これらの欠陥の欠陥特性に基づけば、たとえ窒素が
低濃度であっても高い精度で窒素濃度を評価することが
できる。また、エピタキシャル層の欠陥（エピ層欠陥）
の評価の際、クロムレスによる選択エッチングを行い、
これを光学顕微鏡で容易に測定することができるので、
地球環境を汚染することなく低抵抗率品の窒素濃度の評
価を行うことができる。
度に依存して変化するので、窒素濃度評価に適してお
り、これらの欠陥の欠陥特性に基づけば、たとえ窒素が
低濃度であっても高い精度で窒素濃度を評価することが
できる。また、エピタキシャル層の欠陥（エピ層欠陥）
の評価の際、クロムレスによる選択エッチングを行い、
これを光学顕微鏡で容易に測定することができるので、
地球環境を汚染することなく低抵抗率品の窒素濃度の評
価を行うことができる。
【００２０】本発明により窒素濃度を評価する場合の欠
陥特性は、特に限定されないが、欠陥の密度、サイズ、
及び形状のうちの少なくとも１つとすることができる
（請求項６）。欠陥の密度、サイズ、形状は、ウェーハ
中の窒素濃度により影響されるため、窒素濃度と良い相
関がとれる。従って、例えば、ウェーハ中の窒素濃度と
BMD密度との関係を予め割り出しておけば、窒素濃度が
未知のウェーハに対しても、そのBMD密度を測定して上
記関係に当てはめることで窒素濃度を容易に決定するこ
とができる。
陥特性は、特に限定されないが、欠陥の密度、サイズ、
及び形状のうちの少なくとも１つとすることができる
（請求項６）。欠陥の密度、サイズ、形状は、ウェーハ
中の窒素濃度により影響されるため、窒素濃度と良い相
関がとれる。従って、例えば、ウェーハ中の窒素濃度と
BMD密度との関係を予め割り出しておけば、窒素濃度が
未知のウェーハに対しても、そのBMD密度を測定して上
記関係に当てはめることで窒素濃度を容易に決定するこ
とができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明は、シリコン単結晶ウェー
ハ中の窒素濃度を、該ウェーハのグローンイン欠陥やBM
Dに係る欠陥特性に基づいて決定することを特徴として
いる。具体的には、窒素ドープ量、すなわちウェーハ中
の窒素濃度と、それに依存して変化する、いわゆるグロ
ーンイン欠陥の欠陥特性との相関を予め求め、この関係
に窒素濃度が未知のウェーハの欠陥特性を照らし合わせ
ることでその窒素濃度を決定することができる。以下に
本発明について、実施フローの一例を示してより具体的
に説明する。
ハ中の窒素濃度を、該ウェーハのグローンイン欠陥やBM
Dに係る欠陥特性に基づいて決定することを特徴として
いる。具体的には、窒素ドープ量、すなわちウェーハ中
の窒素濃度と、それに依存して変化する、いわゆるグロ
ーンイン欠陥の欠陥特性との相関を予め求め、この関係
に窒素濃度が未知のウェーハの欠陥特性を照らし合わせ
ることでその窒素濃度を決定することができる。以下に
本発明について、実施フローの一例を示してより具体的
に説明する。
【００２２】まず、ウェーハ中の窒素濃度と結晶欠陥と
の相関を求めるため、シリコン単結晶引き上げ時に融液
中に添加した窒素化合物の濃度と単結晶引き上げ時の偏
析係数とから、計算でシリコン単結晶中の窒素濃度を求
める。次に、育成したシリコン単結晶棒からシリコン単
結晶ウェーハを得て、結晶成長時に導入された欠陥（グ
ローンイン欠陥）として、例えば、ウェーハ中のCOPや
グローンイン酸素析出核（物）の密度等を適当な測定器
を用いて測定する。この場合、ウェーハに熱処理を施す
ことなく測定できるものについてはそのまま測定を行う
が、熱処理を施して測定器による欠陥の検出を容易にす
ることができる。さらに、必要に応じて弗酸、硝酸、酢
酸の混酸液等のクロムレスエッチング液を用いてエッチ
ングを行い、欠陥を一層顕在化させてから測定してもよ
い。
の相関を求めるため、シリコン単結晶引き上げ時に融液
中に添加した窒素化合物の濃度と単結晶引き上げ時の偏
析係数とから、計算でシリコン単結晶中の窒素濃度を求
める。次に、育成したシリコン単結晶棒からシリコン単
結晶ウェーハを得て、結晶成長時に導入された欠陥（グ
ローンイン欠陥）として、例えば、ウェーハ中のCOPや
グローンイン酸素析出核（物）の密度等を適当な測定器
を用いて測定する。この場合、ウェーハに熱処理を施す
ことなく測定できるものについてはそのまま測定を行う
が、熱処理を施して測定器による欠陥の検出を容易にす
ることができる。さらに、必要に応じて弗酸、硝酸、酢
酸の混酸液等のクロムレスエッチング液を用いてエッチ
ングを行い、欠陥を一層顕在化させてから測定してもよ
い。
【００２３】特に、上記のように熱処理を行うことでグ
ローンイン酸素析出核（物）を成長させてBMDとして検
出できるようにする。このBMDもウェーハ中の窒素濃度
と相関するので、熱処理後のBMD密度を測定することに
よって窒素濃度を知ることができる。BMDの密度測定は
光学式の検出器を用いれば、従来のクロムを含有する選
択エッチングでは不可能もしくは困難であった低抵抗率
品の窒素濃度の評価を容易に行うことができるという利
点がある。なお、熱処理方法に関しては、測定する欠陥
の種類、要求される評価精度等に応じて適宜決めれば良
い。例えば、上記のようにBMDを測定する場合には、700
℃〜1100℃、好ましくは1000℃〜1100℃での熱処理を施
すことにより測定器で検出可能なサイズに成長させるこ
とができる。
ローンイン酸素析出核（物）を成長させてBMDとして検
出できるようにする。このBMDもウェーハ中の窒素濃度
と相関するので、熱処理後のBMD密度を測定することに
よって窒素濃度を知ることができる。BMDの密度測定は
光学式の検出器を用いれば、従来のクロムを含有する選
択エッチングでは不可能もしくは困難であった低抵抗率
品の窒素濃度の評価を容易に行うことができるという利
点がある。なお、熱処理方法に関しては、測定する欠陥
の種類、要求される評価精度等に応じて適宜決めれば良
い。例えば、上記のようにBMDを測定する場合には、700
℃〜1100℃、好ましくは1000℃〜1100℃での熱処理を施
すことにより測定器で検出可能なサイズに成長させるこ
とができる。
【００２４】上記のような手順でシリコン単結晶ウェー
ハ中の窒素濃度を算出するとともに、BMDの密度を測定
して、ウェーハ中の窒素濃度と欠陥密度との相関を求め
る。そして、同様の熱処理等を施された窒素濃度が未知
のウェーハに対し、そのBMD密度を測定し、これを上記
相関に当てはめることでその窒素濃度を決定することが
できる。
ハ中の窒素濃度を算出するとともに、BMDの密度を測定
して、ウェーハ中の窒素濃度と欠陥密度との相関を求め
る。そして、同様の熱処理等を施された窒素濃度が未知
のウェーハに対し、そのBMD密度を測定し、これを上記
相関に当てはめることでその窒素濃度を決定することが
できる。
【００２５】上記の例では、窒素濃度と相関のある指標
（欠陥特性）としてBMD密度を用いたが、BMDのサイズや
形状のほか、熱処理前後のグローンイン欠陥の密度、サ
イズ、形状など、窒素濃度と相関のある欠陥特性であれ
ば、特に限定されるものではない。また、それぞれの欠
陥の欠陥特性と窒素濃度との相関を組み合わせること
で、より高精度な窒素濃度評価を行うこともできる。
（欠陥特性）としてBMD密度を用いたが、BMDのサイズや
形状のほか、熱処理前後のグローンイン欠陥の密度、サ
イズ、形状など、窒素濃度と相関のある欠陥特性であれ
ば、特に限定されるものではない。また、それぞれの欠
陥の欠陥特性と窒素濃度との相関を組み合わせること
で、より高精度な窒素濃度評価を行うこともできる。
【００２６】さらに、本発明では、エピタキシャルウェ
ーハに対しても、指標となる欠陥特性に基づいて、基板
のシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定すること
ができる。この場合の評価手順も基本的には前記したも
のと同様である。すなわち、シリコンウェーハ（基板）
の窒素濃度と、特定の結晶欠陥の特性との相関を予め求
めておく。そして、基板の窒素濃度が未知のエピタキシ
ャルウェーハに対しては、その欠陥特性を測定し、これ
を上記相関に当てはめることでその基板中の窒素濃度を
決定することができる。
ーハに対しても、指標となる欠陥特性に基づいて、基板
のシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定すること
ができる。この場合の評価手順も基本的には前記したも
のと同様である。すなわち、シリコンウェーハ（基板）
の窒素濃度と、特定の結晶欠陥の特性との相関を予め求
めておく。そして、基板の窒素濃度が未知のエピタキシ
ャルウェーハに対しては、その欠陥特性を測定し、これ
を上記相関に当てはめることでその基板中の窒素濃度を
決定することができる。
【００２７】例えば、予め窒素濃度を計算したシリコン
単結晶ウェーハに1000℃〜1200℃でのエピタキシャル成
長を行うことによりエピタキシャルウェーハを形成す
る。次いで、このエピタキシャルウェーハのエピタキシ
ャル層の欠陥、あるいはエピタキシャル成長を行った後
のシリコン単結晶ウェーハ（基板）のグローンイン欠陥
に係る欠陥特性（欠陥の密度、サイズ、形状など）を測
定する。
単結晶ウェーハに1000℃〜1200℃でのエピタキシャル成
長を行うことによりエピタキシャルウェーハを形成す
る。次いで、このエピタキシャルウェーハのエピタキシ
ャル層の欠陥、あるいはエピタキシャル成長を行った後
のシリコン単結晶ウェーハ（基板）のグローンイン欠陥
に係る欠陥特性（欠陥の密度、サイズ、形状など）を測
定する。
【００２８】このとき、エピタキシャルウェーハを熱処
理して各欠陥を成長あるいは消滅させることにより、測
定を容易化あるいは高精度なものとすることができる。
例えば、エピタキシャルウェーハの形成後、700℃〜110
0℃での熱処理（析出物成長熱処理）を行えば、エピタ
キシャル成長時に消滅しなかったシリコン単結晶ウェー
ハ（基板）中のグローンイン酸素析出物が成長し、測定
器による検出が容易なサイズとすることができる。こう
して、上記析出物成長熱処理により検出可能なサイズに
成長したBMD密度を測定し、計算から求めた窒素濃度と
上記熱処理により生じたBMD密度との相関関係を予め求
めておく。一方、ボイド欠陥であるCOPは、不活性ガス
雰囲気下または還元性雰囲気下で熱処理することにより
消滅するので、熱処理前後のCOPの密度の違いにより窒
素濃度を割り出すことが可能である。
理して各欠陥を成長あるいは消滅させることにより、測
定を容易化あるいは高精度なものとすることができる。
例えば、エピタキシャルウェーハの形成後、700℃〜110
0℃での熱処理（析出物成長熱処理）を行えば、エピタ
キシャル成長時に消滅しなかったシリコン単結晶ウェー
ハ（基板）中のグローンイン酸素析出物が成長し、測定
器による検出が容易なサイズとすることができる。こう
して、上記析出物成長熱処理により検出可能なサイズに
成長したBMD密度を測定し、計算から求めた窒素濃度と
上記熱処理により生じたBMD密度との相関関係を予め求
めておく。一方、ボイド欠陥であるCOPは、不活性ガス
雰囲気下または還元性雰囲気下で熱処理することにより
消滅するので、熱処理前後のCOPの密度の違いにより窒
素濃度を割り出すことが可能である。
【００２９】そして、例えば上記相関関係を求めた場合
と同様の条件下でエピタキシャル成長、析出物成長熱処
理を施された、窒素濃度が未知のウェーハに対し、その
BMD密度を測定する。このBMD密度を先程の窒素濃度とBM
D密度の関係に照らし合わせれば、上記の未知であった
窒素濃度を求めることが可能となる。
と同様の条件下でエピタキシャル成長、析出物成長熱処
理を施された、窒素濃度が未知のウェーハに対し、その
BMD密度を測定する。このBMD密度を先程の窒素濃度とBM
D密度の関係に照らし合わせれば、上記の未知であった
窒素濃度を求めることが可能となる。
【００３０】さらに、エピタキシャルウェーハに関して
は、エピタキシャル層の欠陥は、基板であるシリコン単
結晶ウェーハの欠陥を反映するため、エピタキシャル層
の欠陥もウェーハ中の窒素濃度と相関する。従って、シ
リコン単結晶ウェーハ（基板）のグローンイン欠陥やBM
Dのほか、エピタキシャル層の欠陥に係る欠陥特性を指
標として利用することもできる。
は、エピタキシャル層の欠陥は、基板であるシリコン単
結晶ウェーハの欠陥を反映するため、エピタキシャル層
の欠陥もウェーハ中の窒素濃度と相関する。従って、シ
リコン単結晶ウェーハ（基板）のグローンイン欠陥やBM
Dのほか、エピタキシャル層の欠陥に係る欠陥特性を指
標として利用することもできる。
【００３１】この場合、例えば、シリコン単結晶ウェー
ハに1000℃〜1200℃でのエピタキシャル成長を行い、パ
ーティクルカウンターや光学顕微鏡等を用いて、エピタ
キシャル層のエピ積層欠陥密度や転位ループ密度を求
め、計算から求めた窒素濃度との関係を予め明らかにし
ておく。そして、窒素濃度が未知のエピタキシャルウェ
ーハのエピ層に発生したエピ積層欠陥密度や転位ループ
密度を同様の方法で測定すれば、その窒素濃度が明らか
になる。
ハに1000℃〜1200℃でのエピタキシャル成長を行い、パ
ーティクルカウンターや光学顕微鏡等を用いて、エピタ
キシャル層のエピ積層欠陥密度や転位ループ密度を求
め、計算から求めた窒素濃度との関係を予め明らかにし
ておく。そして、窒素濃度が未知のエピタキシャルウェ
ーハのエピ層に発生したエピ積層欠陥密度や転位ループ
密度を同様の方法で測定すれば、その窒素濃度が明らか
になる。
【００３２】なお、エピタキシャル層の欠陥（エピ層欠
陥）の評価の際には、選択エッチングを行ってから光学
顕微鏡を用いることもあるが、シリコン単結晶ウェーハ
（基板）が低抵抗率の場合でも、エピタキシャル層を高
抵抗率にすれば、クロムレスによるエッチングが容易に
行える。従って、この方法によれば、地球環境を汚染す
ることなく低抵抗率品の窒素濃度の評価を行うことが可
能となる。
陥）の評価の際には、選択エッチングを行ってから光学
顕微鏡を用いることもあるが、シリコン単結晶ウェーハ
（基板）が低抵抗率の場合でも、エピタキシャル層を高
抵抗率にすれば、クロムレスによるエッチングが容易に
行える。従って、この方法によれば、地球環境を汚染す
ることなく低抵抗率品の窒素濃度の評価を行うことが可
能となる。
【００３３】また、言うまでもないことだが、エピタキ
シャル層の欠陥と、基板であるシリコン単結晶ウェーハ
のグローンイン欠陥、BMDのそれぞれに係る欠陥特性に
基づく窒素濃度の評価方法を任意に組み合わせれば、よ
り正確な窒素濃度を求めることができる。
シャル層の欠陥と、基板であるシリコン単結晶ウェーハ
のグローンイン欠陥、BMDのそれぞれに係る欠陥特性に
基づく窒素濃度の評価方法を任意に組み合わせれば、よ
り正確な窒素濃度を求めることができる。
【００３４】
【実施例】以下、実施例を示して本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 （実施例１）CZ法により、直径８インチ（200mm）、方
位＜100＞、導電型P型、抵抗率10Ω・cm、酸素濃度14ppm
a-JEIDA（JEIDA：日本電子工業振興協会が定めた変換係
数を用いて算出した格子間酸素濃度）のシリコン単結晶
棒を引き上げた。この際、原料多結晶シリコンと窒化硅
素膜付きシリコンウェーハを同時にチャージし、窒化硅
素膜付きシリコンウェーハの投入枚数を変えることによ
り、窒素ドープ量の異なる単結晶棒を複数本引き上げ、
これをスライスすることにより窒素濃度の異なるシリコ
ン単結晶ウェーハを作製した。
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 （実施例１）CZ法により、直径８インチ（200mm）、方
位＜100＞、導電型P型、抵抗率10Ω・cm、酸素濃度14ppm
a-JEIDA（JEIDA：日本電子工業振興協会が定めた変換係
数を用いて算出した格子間酸素濃度）のシリコン単結晶
棒を引き上げた。この際、原料多結晶シリコンと窒化硅
素膜付きシリコンウェーハを同時にチャージし、窒化硅
素膜付きシリコンウェーハの投入枚数を変えることによ
り、窒素ドープ量の異なる単結晶棒を複数本引き上げ、
これをスライスすることにより窒素濃度の異なるシリコ
ン単結晶ウェーハを作製した。
【００３５】これらのウェーハに1000℃/4hの熱処理を
施した後、レーザー散乱トモグラフィー（LST, Laser S
cattering Tomography）法によるBMDアナライザーMO-42
1（三井金属製）により、BMD密度を測定した。計算で求
めた窒素濃度とBMD密度の関係を図１に示す。両者の間
には良い相関が有り、これを用いて窒素濃度を決定する
ことができることが分かる。
施した後、レーザー散乱トモグラフィー（LST, Laser S
cattering Tomography）法によるBMDアナライザーMO-42
1（三井金属製）により、BMD密度を測定した。計算で求
めた窒素濃度とBMD密度の関係を図１に示す。両者の間
には良い相関が有り、これを用いて窒素濃度を決定する
ことができることが分かる。
【００３６】そこで、同様の方法で作製したシリコン単
結晶ウェーハに同様の処理を施したところ、BMD密度が
1.3x109/cm3であったので、図１のグラフに照らし合わ
せ、このウェーハの窒素濃度を3x1013/cm3と決定するこ
とができた。
結晶ウェーハに同様の処理を施したところ、BMD密度が
1.3x109/cm3であったので、図１のグラフに照らし合わ
せ、このウェーハの窒素濃度を3x1013/cm3と決定するこ
とができた。
【００３７】（実施例２）CZ法により、直径8インチ（2
00mm）、方位＜100＞、導電型P型、抵抗率0.015Ω・cm、
酸素濃度14ppma-JEIDAのシリコン単結晶棒を引き上げ
た。この際、実施例１と同様の方法で、窒素濃度の異な
るシリコン単結晶ウェーハを作製した。これらのウェー
ハの裏面に化学気相成長法（CVD, Chemical Vaper Depo
sition）により酸化膜を形成した後、表面にエピタキシ
ャル層を1130℃で3μm成長した。その後、1000℃/16hの
熱処理を施し、赤外レーザ明視野干渉法による結晶欠陥
検出装置OPP（Oxygen Precipiate Profiler; アクセン
ト オプティカル テクノロジーズ製）によりBMD密度
を評価した。この時の計算で求めた窒素濃度とBMD密度
の関係を図２に示す。両者の間には良い相関が有り、こ
れを用いて窒素濃度を求めることが可能となる。
00mm）、方位＜100＞、導電型P型、抵抗率0.015Ω・cm、
酸素濃度14ppma-JEIDAのシリコン単結晶棒を引き上げ
た。この際、実施例１と同様の方法で、窒素濃度の異な
るシリコン単結晶ウェーハを作製した。これらのウェー
ハの裏面に化学気相成長法（CVD, Chemical Vaper Depo
sition）により酸化膜を形成した後、表面にエピタキシ
ャル層を1130℃で3μm成長した。その後、1000℃/16hの
熱処理を施し、赤外レーザ明視野干渉法による結晶欠陥
検出装置OPP（Oxygen Precipiate Profiler; アクセン
ト オプティカル テクノロジーズ製）によりBMD密度
を評価した。この時の計算で求めた窒素濃度とBMD密度
の関係を図２に示す。両者の間には良い相関が有り、こ
れを用いて窒素濃度を求めることが可能となる。
【００３８】そこで、同様の方法で作製したシリコン単
結晶ウェーハに同様の処理を施したところ、BMD密度が
2.5x109/cm3であったので、図２のグラフに照らし合わ
せ、このウェーハの窒素濃度を9x1013/cm3と決定するこ
とができた。
結晶ウェーハに同様の処理を施したところ、BMD密度が
2.5x109/cm3であったので、図２のグラフに照らし合わ
せ、このウェーハの窒素濃度を9x1013/cm3と決定するこ
とができた。
【００３９】（実施例３）実施例１で作製したシリコン
単結晶ウェーハに、エピタキシャル層を1130℃で3μm成
長させた。このエピタキシャルウェーハを光散乱式のパ
ーティクルカウンターSP-1（KLAテンコール製）で測定
し、LPD（Light Point Defect；光散乱体の総称）の座
標を得た。次いで弗酸、硝酸、酢酸の混酸液によるエッ
チングを１分間行いエピ層欠陥を顕在化させた後、先程
の座標を基にLPDの同点観察を行った。その際、欠陥の
サイズと欠陥の種類との間に相関関係があることを利用
して、パーティクルカウンターで測定した欠陥のサイズ
に基づいて欠陥の分類ができる手法（特願平11‐356588
号参照）も併用し、エピ積層欠陥と転位ループに分類し
て各々の欠陥密度を求めた。
単結晶ウェーハに、エピタキシャル層を1130℃で3μm成
長させた。このエピタキシャルウェーハを光散乱式のパ
ーティクルカウンターSP-1（KLAテンコール製）で測定
し、LPD（Light Point Defect；光散乱体の総称）の座
標を得た。次いで弗酸、硝酸、酢酸の混酸液によるエッ
チングを１分間行いエピ層欠陥を顕在化させた後、先程
の座標を基にLPDの同点観察を行った。その際、欠陥の
サイズと欠陥の種類との間に相関関係があることを利用
して、パーティクルカウンターで測定した欠陥のサイズ
に基づいて欠陥の分類ができる手法（特願平11‐356588
号参照）も併用し、エピ積層欠陥と転位ループに分類し
て各々の欠陥密度を求めた。
【００４０】この時エピタキシャル層に観察されたエピ
積層欠陥と転位ループそれぞれの密度と、計算で求めた
窒素濃度との相関を図３及び図４に示す。これらの図を
見て明らかなように、エピ積層欠陥密度（直径８インチ
ウェーハ全面に存在する欠陥数：pcs／８"）は窒素濃度
と共に高くなっている。一方、転位ループ密度（直径８
インチウェーハ全面に存在する転位ループ数：pcs／
８"）は窒素濃度1x1014/cm3以下では全く発生していな
いが、それ以上の窒素濃度では急激に増加している。す
なわち、いずれの欠陥密度もウェーハ中の窒素濃度との
相関を有しているため、これらのエピ層欠陥に係る欠陥
特性からも、窒素濃度を求めることができる。
積層欠陥と転位ループそれぞれの密度と、計算で求めた
窒素濃度との相関を図３及び図４に示す。これらの図を
見て明らかなように、エピ積層欠陥密度（直径８インチ
ウェーハ全面に存在する欠陥数：pcs／８"）は窒素濃度
と共に高くなっている。一方、転位ループ密度（直径８
インチウェーハ全面に存在する転位ループ数：pcs／
８"）は窒素濃度1x1014/cm3以下では全く発生していな
いが、それ以上の窒素濃度では急激に増加している。す
なわち、いずれの欠陥密度もウェーハ中の窒素濃度との
相関を有しているため、これらのエピ層欠陥に係る欠陥
特性からも、窒素濃度を求めることができる。
【００４１】そこで、同様の方法で作製したシリコン単
結晶ウェーハに同様の処理を施してエピタキシャルウェ
ーハを形成し、パーティクルカウンターを用いて欠陥密
度を測定したところ、エピ積層欠陥密度が20ヶ/8”、転
位ループ密度が0ヶ/8”であったので、図３及び図４の
グラフに照らし合わせることで、このウェーハの窒素濃
度は8x1013/cm3であることが分かった。
結晶ウェーハに同様の処理を施してエピタキシャルウェ
ーハを形成し、パーティクルカウンターを用いて欠陥密
度を測定したところ、エピ積層欠陥密度が20ヶ/8”、転
位ループ密度が0ヶ/8”であったので、図３及び図４の
グラフに照らし合わせることで、このウェーハの窒素濃
度は8x1013/cm3であることが分かった。
【００４２】以上のように、BMD密度のほか、エピ積層
欠陥密度や転位ループ密度等の欠陥特性からシリコン単
結晶ウェーハ中の窒素濃度を評価することも可能であ
る。さらに、複数の欠陥特性を複合して考慮することに
より、精度の高い窒素濃度の評価が可能となる。なお、
実施例で示したような相関曲線は、初期酸素濃度やドー
パント濃度（抵抗率）の一定区分ごとに作成することが
好ましい。このようにして作成された窒素濃度と各種欠
陥特性の相関曲線を用いれば、窒素濃度が未知のウェー
ハ中に含まれる窒素濃度をより高精度に評価することが
できる。
欠陥密度や転位ループ密度等の欠陥特性からシリコン単
結晶ウェーハ中の窒素濃度を評価することも可能であ
る。さらに、複数の欠陥特性を複合して考慮することに
より、精度の高い窒素濃度の評価が可能となる。なお、
実施例で示したような相関曲線は、初期酸素濃度やドー
パント濃度（抵抗率）の一定区分ごとに作成することが
好ましい。このようにして作成された窒素濃度と各種欠
陥特性の相関曲線を用いれば、窒素濃度が未知のウェー
ハ中に含まれる窒素濃度をより高精度に評価することが
できる。
【００４３】本発明は、上記実施形態に限定されるもの
ではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例
えば、高抵抗率のシリコン単結晶ウェーハの場合には、
前述の酸素・窒素ドナーによる評価やOSF密度による評
価と本発明の方法を合わせれば、より正確な窒素濃度の
評価が可能となる。
ではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例
えば、高抵抗率のシリコン単結晶ウェーハの場合には、
前述の酸素・窒素ドナーによる評価やOSF密度による評
価と本発明の方法を合わせれば、より正確な窒素濃度の
評価が可能となる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコン単結晶ウェーハのグローンイン欠陥やBMD、ある
いはエピタキシャル層の欠陥に係る欠陥特性に基づくこ
とにより、シリコン単結晶ウェーハの抵抗率によらず、
地球環境を汚染することもなく、特に2x1014/cm3以下の
窒素濃度を評価することが可能となる。
リコン単結晶ウェーハのグローンイン欠陥やBMD、ある
いはエピタキシャル層の欠陥に係る欠陥特性に基づくこ
とにより、シリコン単結晶ウェーハの抵抗率によらず、
地球環境を汚染することもなく、特に2x1014/cm3以下の
窒素濃度を評価することが可能となる。
【図１】実施例１に係る窒素濃度とBMD密度の関係を示
す図である。
す図である。
【図２】実施例２に係る窒素濃度とBMD密度の関係を示
す図である。
す図である。
【図３】実施例３に係る窒素濃度とエピ積層欠陥密度の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図４】実施例３に係る窒素濃度と転位ループ密度の関
係を示す図である。
係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G059 AA01 BB16 CC02 DD11 EE02 EE09 GG01 HH01 4M106 AA01 BA05 CB03 CB19
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度
を、該ウェーハのグローンイン欠陥に係る欠陥特性に基
づいて決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェー
ハ中の窒素濃度の評価方法。 - 【請求項２】 シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度
を、該ウェーハを熱処理した後のグローンイン欠陥及び
／又はBMDに係る欠陥特性に基づいて決定することを特
徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方
法。 - 【請求項３】 シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャ
ル成長を行うことによりエピタキシャルウェーハを形成
し、該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の欠
陥及び／又はシリコン単結晶ウェーハのグローンイン欠
陥に係る欠陥特性に基づいて前記シリコン単結晶ウェー
ハ中の窒素濃度を決定することを特徴とするシリコン単
結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。 - 【請求項４】 シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャ
ル成長を行うことによりエピタキシャルウェーハを形成
し、該エピタキシャルウェーハを熱処理した後のエピタ
キシャル層の欠陥及び／又はシリコン単結晶ウェーハの
グローンイン欠陥、BMDに係る欠陥特性に基づいて前記
シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定することを
特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価
方法。 - 【請求項５】 前記エピタキシャル層の欠陥が、エピ積
層欠陥及び／又は転位ループであることを特徴とする請
求項３又は請求項４に記載のシリコン単結晶ウェーハ中
の窒素濃度の評価方法。 - 【請求項６】 前記欠陥特性を、欠陥の密度、サイズ、
及び形状のうちの少なくとも１つとすることを特徴とす
る請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のシリ
コン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001161833A JP2002353282A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001161833A JP2002353282A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353282A true JP2002353282A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=19005052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001161833A Pending JP2002353282A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002353282A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273977A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | バルク基板中の結晶欠陥を顕在化する方法 |
| JP2018152434A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 信越半導体株式会社 | シリコン結晶の窒素濃度測定方法 |
| JP2021032578A (ja) * | 2019-08-16 | 2021-03-01 | 信越半導体株式会社 | 窒素濃度の測定方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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