JPH04144151A - ウェーハ表面の不純物濃度の測定方法 - Google Patents
ウェーハ表面の不純物濃度の測定方法Info
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- JPH04144151A JPH04144151A JP25338990A JP25338990A JPH04144151A JP H04144151 A JPH04144151 A JP H04144151A JP 25338990 A JP25338990 A JP 25338990A JP 25338990 A JP25338990 A JP 25338990A JP H04144151 A JPH04144151 A JP H04144151A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はウェーハ表面の不純物濃度の測定方法、詳しく
は全反射蛍光Ｘ線分析装置を用い、そのディテクタの位
置相対感度マツプを作成し、このマツプを使用したウェ
ーハ表面の不純物濃度の測定方法に間する。
は全反射蛍光Ｘ線分析装置を用い、そのディテクタの位
置相対感度マツプを作成し、このマツプを使用したウェ
ーハ表面の不純物濃度の測定方法に間する。
〈従来の技術〉
半導体デバイスの高集積度化が進むにしたがって、シリ
コンウェーハ表面の清浄度を高めることが要求されてい
る。したがって、シワコンウェーハ表面に付着する極微
量な汚染物質も正確に管理しなければならないこととな
る。
コンウェーハ表面の清浄度を高めることが要求されてい
る。したがって、シワコンウェーハ表面に付着する極微
量な汚染物質も正確に管理しなければならないこととな
る。
このための従来のウェーハ表面の不純物濃度の測定方法
としては、蒸気溶解法（ＶＰＤ）を用いた測定方法が知
られている。
としては、蒸気溶解法（ＶＰＤ）を用いた測定方法が知
られている。
すなわち、■滴下サンプル（滴下量既知）を使用して検
１線（不純物の原子数−蛍光Ｘ線の積分強度）を作成し
ておく。
１線（不純物の原子数−蛍光Ｘ線の積分強度）を作成し
ておく。
■汚染物質の濃度が未知のウェーハを密閉容器内てＨＦ
蒸気中にさらした後、純水を使ってそのウェーハ表面の
汚染物質の全てを濃縮する。
蒸気中にさらした後、純水を使ってそのウェーハ表面の
汚染物質の全てを濃縮する。
■濃縮した汚染物質をマイクロピペットで回収し、疎水
性のシリコンウェーハの表面に滴下、乾燥させる。
性のシリコンウェーハの表面に滴下、乾燥させる。
■全反射蛍光Ｘ線分析装置（ＴＸＲＦ装置）によりこの
液滴痕にＸ線を照射し、発生する蛍光Ｘ線の積分強度を
そのディテクタ（ＳＳＤ）により測定し、その積分強度
の測定値を上記■で作成した検量線に照合して回収溶液
中の原子数を求め、そのウェーハ表面の面積に基づいて
その平均表面濃度を算出する。
液滴痕にＸ線を照射し、発生する蛍光Ｘ線の積分強度を
そのディテクタ（ＳＳＤ）により測定し、その積分強度
の測定値を上記■で作成した検量線に照合して回収溶液
中の原子数を求め、そのウェーハ表面の面積に基づいて
その平均表面濃度を算出する。
ここで、上記■の検量線の作成は、以下による。
濃度既知の標準溶液の一定容量をクリーンなウェーハの
表面に滴下し、乾燥して標準試料を作成する。この時、
液滴痕がディテクタの有効測定範囲内に位置するように
する。
表面に滴下し、乾燥して標準試料を作成する。この時、
液滴痕がディテクタの有効測定範囲内に位置するように
する。
そして、このウェーハ表面の液滴痕にＸ線を照射し、そ
の蛍光Ｘ線の積分強度を測定する。
の蛍光Ｘ線の積分強度を測定する。
この工程を、濃度の異なる複数の標準溶液について実行
することにより、検量線（蛍光Ｘ線の積分強度と不純物
原子数との関係を示すもの）を作成する。
することにより、検量線（蛍光Ｘ線の積分強度と不純物
原子数との関係を示すもの）を作成する。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような従来のウェーハ表面の不純物
濃度の測定方法にあっては、純水の滴下により汚染物質
を測定対象であるウェーハ表面から回収し、この回収液
をクリーンなウェーハ表面上に再び滴下、乾燥させるこ
とが必要となり、その作業が煩雑であり、測定に手間が
かかつていた。
濃度の測定方法にあっては、純水の滴下により汚染物質
を測定対象であるウェーハ表面から回収し、この回収液
をクリーンなウェーハ表面上に再び滴下、乾燥させるこ
とが必要となり、その作業が煩雑であり、測定に手間が
かかつていた。
また、ウェーハ表面から汚染物質を完全に除去（全量の
回収）することができず、その測定値に誤差が生じてい
る。
回収）することができず、その測定値に誤差が生じてい
る。
特に特定の汚染物質（例えばＣｕ）についてはこのＨＦ
蒸気にさらす方法ではウェーハ表面から回収することが
できなかった。
蒸気にさらす方法ではウェーハ表面から回収することが
できなかった。
さらに、そのウェーハ表面について表面全体の平均した
不純物濃度しか測定することができないという課題が生
じていた。
不純物濃度しか測定することができないという課題が生
じていた。
そこで、本発明は、簡単で、かつ、正確に測定すること
ができ、また、ウェーハ表面の一部についてもその不純
物濃度を測定することができるウェーハ表面の不純物濃
度の測定方法を提供するものである。
ができ、また、ウェーハ表面の一部についてもその不純
物濃度を測定することができるウェーハ表面の不純物濃
度の測定方法を提供するものである。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、原子数が既知の不純物を含む複数の標準試料
を滴下法により作製する試料作製工程と、全反射蛍光Ｘ
線分析装置により、これらの標準試料にＸ線を照射して
、発生する蛍光Ｘ線の積分強度をそれぞれ測定する工程
と、これらの測定値に基づいて、当該不純物の原子数と
その積分強度との対応関係を示す検１線を作成する工程
と、上記試料作製工程において作製した１つの標準試料
について、その液滴痕が上記全反射蛍光Ｘ線分析装置の
ディテクタの直下に位置する場合、および、このディテ
クタの直下から偏位した位置にある場合について、それ
ぞれの蛍光Ｘ線の積分強度を測定する工程と、これらの
測定値に基づいて、ディテクタの直下位置からの偏位置
とその蛍光Ｘ線の積分強度に対する感度との関係を示す
ディテクタの位置相対感度マツプを作成する工程と、測
定対象であるウェーハ表面にこの全反射蛍光Ｘ線分析装
置によりＸ線を照射して、発生する蛍光Ｘ線の積分強度
を測定する工程と、この積分強度の測定値を上記検量線
と照合することにより、不純物の原子数を算出する工程
と、上記ディテクタの位置相対感度マツプを用いて、こ
の算出した原子数を補正して当該ウェーハ表面の測定点
の不純物濃度を算出する工程と、を含むウェーハ表面の
不純物濃度の測定方法である。
を滴下法により作製する試料作製工程と、全反射蛍光Ｘ
線分析装置により、これらの標準試料にＸ線を照射して
、発生する蛍光Ｘ線の積分強度をそれぞれ測定する工程
と、これらの測定値に基づいて、当該不純物の原子数と
その積分強度との対応関係を示す検１線を作成する工程
と、上記試料作製工程において作製した１つの標準試料
について、その液滴痕が上記全反射蛍光Ｘ線分析装置の
ディテクタの直下に位置する場合、および、このディテ
クタの直下から偏位した位置にある場合について、それ
ぞれの蛍光Ｘ線の積分強度を測定する工程と、これらの
測定値に基づいて、ディテクタの直下位置からの偏位置
とその蛍光Ｘ線の積分強度に対する感度との関係を示す
ディテクタの位置相対感度マツプを作成する工程と、測
定対象であるウェーハ表面にこの全反射蛍光Ｘ線分析装
置によりＸ線を照射して、発生する蛍光Ｘ線の積分強度
を測定する工程と、この積分強度の測定値を上記検量線
と照合することにより、不純物の原子数を算出する工程
と、上記ディテクタの位置相対感度マツプを用いて、こ
の算出した原子数を補正して当該ウェーハ表面の測定点
の不純物濃度を算出する工程と、を含むウェーハ表面の
不純物濃度の測定方法である。
本発明方法をより具体的に以下説明する。
■滴下法により標準試料を作製する試料作製工程は、以
下に示すプロセスによる。
下に示すプロセスによる。
ａ）予め適当な濃度の汚染不純物、例えばＮ１゜Ｚｎ等
の溶液を調製しておく。
の溶液を調製しておく。
ｂ）全量がＴＸＲＦ装置のディテクタの測定範囲内に入
る量の溶液を計り取り、ウェーハ表面に滴下する。
る量の溶液を計り取り、ウェーハ表面に滴下する。
Ｃ）この溶液を自然乾燥させた後のウェーハを標準試料
として用いる。これにより不純物の原子数が既知の標準
試料が得られる。
として用いる。これにより不純物の原子数が既知の標準
試料が得られる。
また、これらの工程ａ）〜Ｃ）を繰り返すことにより原
子数の異なる複数の標準試料を作製する。
子数の異なる複数の標準試料を作製する。
■全反射蛍光Ｘ線分析装置（ＴＸＲＦ装置）のディテク
タ（半導体Ｘ線検出器）を、この標準試料であるウェー
ハにおける液滴の滴下位置の直上に配置する。
タ（半導体Ｘ線検出器）を、この標準試料であるウェー
ハにおける液滴の滴下位置の直上に配置する。
■ＴＸＲＦ装置のＸ線照射装置により、この液滴痕に低
角度でＸ線を照射して、発生する蛍光Ｘ線の積分強度を
そのディテクタ（ＳＳＤ）によって測定する。これによ
り上記複数の標準試料のそれぞれについて積分強度の測
定値を得る。
角度でＸ線を照射して、発生する蛍光Ｘ線の積分強度を
そのディテクタ（ＳＳＤ）によって測定する。これによ
り上記複数の標準試料のそれぞれについて積分強度の測
定値を得る。
■これらの測定値に基づいて、ウェーハ表面の不純物の
原子数とＴＸＲＦ装置の蛍光Ｘ線の積分強度との間の関
係を示す検量線を作成する。
原子数とＴＸＲＦ装置の蛍光Ｘ線の積分強度との間の関
係を示す検量線を作成する。
■ここで、上記標準試料の１つについて、ＴＸＲＦ装置
のディテクタを、このウェーハの液滴滴下位置（液滴痕
）の直上に配置し、その蛍光Ｘ線の積分強度を測定する
。
のディテクタを、このウェーハの液滴滴下位置（液滴痕
）の直上に配置し、その蛍光Ｘ線の積分強度を測定する
。
■そして、その滴下位置をディテクタの直下から水平面
内でずらしなから（ウェーハを移動して）その蛍光Ｘ線
の積分強度を複数位置で測定することにより、液滴痕（
不純物）のディテクタの直下位置からの偏位置とその積
分強度に対する感度との関係を示すディテクタの位置相
対感度マツプを作成する。
内でずらしなから（ウェーハを移動して）その蛍光Ｘ線
の積分強度を複数位置で測定することにより、液滴痕（
不純物）のディテクタの直下位置からの偏位置とその積
分強度に対する感度との関係を示すディテクタの位置相
対感度マツプを作成する。
■そして、不純物濃度が未知のウェーハ（全面汚染ウェ
ーハ）表面にそのＴＸＲＦ装置によりＸ線を照射し、発
生する蛍光Ｘ線の積分強度をそのディテクタにより測定
する。
ーハ）表面にそのＴＸＲＦ装置によりＸ線を照射し、発
生する蛍光Ｘ線の積分強度をそのディテクタにより測定
する。
■この未知試料の積分強度の測定値を、上記■で求めた
検量線と照合することにより、そのつ工−ハの測定点に
おけるみかけの不純物原子数を得る。後述の通り積分強
度の測定値から直接実際の不純物濃度（単位面積当りの
原子数）を算出することはできない。
検量線と照合することにより、そのつ工−ハの測定点に
おけるみかけの不純物原子数を得る。後述の通り積分強
度の測定値から直接実際の不純物濃度（単位面積当りの
原子数）を算出することはできない。
■この検量線で得た不純物原子数の値を、上記ディテク
タの位置相対感度マツプを用いて補正し、このウェーハ
表面の当該測定点の実際の不純物濃度を算出、決定する
。
タの位置相対感度マツプを用いて補正し、このウェーハ
表面の当該測定点の実際の不純物濃度を算出、決定する
。
すなわち、検を線によって得られたみかけの不純物原子
数をＮｃ、位置相対感度マツプによる積分強度に対する
補正間数をＲ（ｓ）とすると、次式により実際の不純物
濃度Ｃが算出、決定される。
数をＮｃ、位置相対感度マツプによる積分強度に対する
補正間数をＲ（ｓ）とすると、次式により実際の不純物
濃度Ｃが算出、決定される。
Ｃ＝Ｎｃ／ ｊｉ” Ｒ（ｓ）ｄ ｓ
このように位置相対感度マツプを用いて原子数を補正す
るとしたのは、以下の理由による。
るとしたのは、以下の理由による。
すなわち、ウェーハ表面でのディテクタによる測定領域
内では、どの位置Ｓにあっても等しくＣｄｓ個の原子が
存在する（ｄｓは微小部分の面積とする）。しかし、Ｓ
ＳＤ直下の微小部分のＣｄ８個の原子と、これからＳの
距離だけ離れた微小部分のＣｄｓ個の原子とでは、ＳＳ
Ｄによって測定した積分強度への寄与の度合が異なる。
内では、どの位置Ｓにあっても等しくＣｄｓ個の原子が
存在する（ｄｓは微小部分の面積とする）。しかし、Ｓ
ＳＤ直下の微小部分のＣｄ８個の原子と、これからＳの
距離だけ離れた微小部分のＣｄｓ個の原子とでは、ＳＳ
Ｄによって測定した積分強度への寄与の度合が異なる。
例えば距離Ｓだけ離れた位置の原子は、ＳＳＤ直下のそ
れに比較すると、積分強度（測定値）に対してＲ（ｓ）
倍の寄与しかしない。
れに比較すると、積分強度（測定値）に対してＲ（ｓ）
倍の寄与しかしない。
換言すると、Ｓ位置にあるＣｄｓ個の原子からの積分強
度の測定値に対しての寄与の度合は、ＳＳＤ直下位置く
偏位置は０）にあるＲ（ｓ ）Ｃｄ ｓ個の原子による
寄与の度合に等しいものである。
度の測定値に対しての寄与の度合は、ＳＳＤ直下位置く
偏位置は０）にあるＲ（ｓ ）Ｃｄ ｓ個の原子による
寄与の度合に等しいものである。
したがって、その表面の不純物濃度Ｃ（ａｔｏｍｓ／ｃ
ＩＩ２）が未知の試料について測定する場合、測定領域
内に存在する全ての原子からの積分強度への寄与が、Ｓ
ＳＤ直下にＮｃ個の原子が凝集している場合の寄与に等
しいことになり、次式が成立するものである。
ＩＩ２）が未知の試料について測定する場合、測定領域
内に存在する全ての原子からの積分強度への寄与が、Ｓ
ＳＤ直下にＮｃ個の原子が凝集している場合の寄与に等
しいことになり、次式が成立するものである。
Ｃｊ” Ｒ（ｓ）ｄ ５＝Ｎｃ
く作用および効果〉
本発明によれば、測定対象であるウェーハ表面について
直接Ｘ線を照射して蛍光Ｘ線を測定することができ、そ
のウェーハ表面の不純物濃度を簡単、かつ、正確に測定
することができる。従来の測定方法のように水滴を滴下
し、回収する必要がないためである。
直接Ｘ線を照射して蛍光Ｘ線を測定することができ、そ
のウェーハ表面の不純物濃度を簡単、かつ、正確に測定
することができる。従来の測定方法のように水滴を滴下
し、回収する必要がないためである。
また、水滴を滴下してウェーハ表面の全体を転がすこと
がないので、そのＸ線を！］β射しだウェーハ表面の一
部分についての不純物濃度を測定することができる。
がないので、そのＸ線を！］β射しだウェーハ表面の一
部分についての不純物濃度を測定することができる。
なお、上記検量線の作成ζこおいては、液滴痕に対して
高角度で、例えば０．１度以上でＸ線を照射するものと
する。このように高角度で照射すると、その蛍光Ｘ線の
積分強度の測定値は正確に求めることができる。
高角度で、例えば０．１度以上でＸ線を照射するものと
する。このように高角度で照射すると、その蛍光Ｘ線の
積分強度の測定値は正確に求めることができる。
次表は、Ｘ線の入射角θとＮｉの積分強度の測定値との
関係を示している。なお、同一の原子数の標準試料を３
つ用意して同じＸ線照射管より入射角を変化させながら
Ｘ線を照射したものである。
関係を示している。なお、同一の原子数の標準試料を３
つ用意して同じＸ線照射管より入射角を変化させながら
Ｘ線を照射したものである。
（以下余白）
この表に示すように、入射角θが０．１０°以上になる
と、滴下サンプルについての積分強度■の測定値にバラ
ツキが少なくなり、検量線を正確に作成することができ
る。
と、滴下サンプルについての積分強度■の測定値にバラ
ツキが少なくなり、検量線を正確に作成することができ
る。
〈実施例〉
本発明に係るウェーハ表面の不純物濃度の測定方法を実
施例に基づいて以下具体的に説明する。
施例に基づいて以下具体的に説明する。
■標準試料作製工程
ａ）予め適当な濃度の汚染不純物、例えばＮｌ。
Ｚｎ等のうちの１つについて溶液を調製しておく。
ｂ）全量がＴＸＲＦ装置のディテクタの測定範囲内に入
る量の溶液を計り取り、ウェーハ表面に滴下する。第１
，２図において、１０はウェーハを、１２は溶液の滴下
範囲を、それぞれ示している。
る量の溶液を計り取り、ウェーハ表面に滴下する。第１
，２図において、１０はウェーハを、１２は溶液の滴下
範囲を、それぞれ示している。
また、Ｄはディテクタの有効測定範囲である。
Ｃ）この溶液をウェーハ表面で自然乾燥させた後、標準
試料として用いる。これにより不純物の原子数が既知の
標準試料を得るものである。
試料として用いる。これにより不純物の原子数が既知の
標準試料を得るものである。
そして、これらの工程ａ）〜Ｃ）を繰り返すことにより
原子数の異なる複数の標準試料を作製する。
原子数の異なる複数の標準試料を作製する。
例えば原子数かＮｓ＋、 Ｎｓ２＋ Ｎ５３１
・・・・・のウェーハ１０を作製する。
・・・・・のウェーハ１０を作製する。
■検量線作成工程
ａ）第３図に示すように、ＴＸＲＦ装置のディテクタ３
を、この標準試料ウェーハ１０における液滴痕１２の滴
下位置の直上に配置する。
を、この標準試料ウェーハ１０における液滴痕１２の滴
下位置の直上に配置する。
ｂ）Ｘ線照射源から二〇液滴痕１２に低角度でＸ線Ｒを
照射して、発生する蛍光Ｘ線ｒの積分強度（Ｉｓｌ＋
ＴＳ２１ ＩＳ３＋ ・・・）をそのディテクタ
３によって測定する。これにより上記複数の標準試料の
それぞれについて積分強度の測定値を得る。
照射して、発生する蛍光Ｘ線ｒの積分強度（Ｉｓｌ＋
ＴＳ２１ ＩＳ３＋ ・・・）をそのディテクタ
３によって測定する。これにより上記複数の標準試料の
それぞれについて積分強度の測定値を得る。
この場合のＸ線Ｒの入射角は、θ＝ｏ、ｏｓ’〜ｏ、ｉ
ｓ’とする。
ｓ’とする。
Ｃ）これらの測定値に基づいて、滴下汚染ウェーハにお
けるその不純物の原子数Ｎと蛍光Ｘ線の積分強度■との
間の関係を示す検量線を作成する。
けるその不純物の原子数Ｎと蛍光Ｘ線の積分強度■との
間の関係を示す検量線を作成する。
第４図はこの検量線を示している。
■感度マツプ作成工程
ａ）上記標準試料の１つについて、ディテクタ３を、こ
の液滴の滴下位置（液滴痕１２）の直上に配置し、その
蛍光Ｘ線の積分強度を測定する。
の液滴の滴下位置（液滴痕１２）の直上に配置し、その
蛍光Ｘ線の積分強度を測定する。
ｂ）そして、その滴下位置をディテクタ３の直下から水
平面内でずらしながら（ウェーハ１０を移動して）その
蛍光Ｘ線の積分強度を複数位置で測定する。
平面内でずらしながら（ウェーハ１０を移動して）その
蛍光Ｘ線の積分強度を複数位置で測定する。
Ｃ）こわらの測定値に基づいて、液滴痕１２のディテク
タ３の直下位置からの偏位置Ｓと、その積分強度に対す
る感度Ｒ（ｓ ）との関係を示すディテクタの位置相対
感度マツプを作成する。第５図はこのＳＳＤについての
位置相対感度マツプを示している。
タ３の直下位置からの偏位置Ｓと、その積分強度に対す
る感度Ｒ（ｓ ）との関係を示すディテクタの位置相対
感度マツプを作成する。第５図はこのＳＳＤについての
位置相対感度マツプを示している。
■未知試料測定工程
次に、不純物濃度が未知の汚染ウェーハの表面に、その
ＴＸＲＦ装置によりＸ線を照射し、発生する蛍光Ｘ線の
積分強度Ｉｃを当該ディテクタ３により測定する。
ＴＸＲＦ装置によりＸ線を照射し、発生する蛍光Ｘ線の
積分強度Ｉｃを当該ディテクタ３により測定する。
■濃度算８工程
ａ）この積分強度の測定値Ｉｃを、上記■で求めた検を
線と照合し、この検量線によって、そのウェーハ表面に
ついてのみかけの不純物原子数Ｎｃを得る（第４図参照
）。
線と照合し、この検量線によって、そのウェーハ表面に
ついてのみかけの不純物原子数Ｎｃを得る（第４図参照
）。
ｂ）このみかけの不純物原子数の値Ｎｃを、上記ディテ
クタの位置相対感度マツプ（第５図）を用いて補正し、
このウェーハ表面の当該測定点の実際の不純物濃度Ｃを
算出する。
クタの位置相対感度マツプ（第５図）を用いて補正し、
このウェーハ表面の当該測定点の実際の不純物濃度Ｃを
算出する。
すなわち、検を線によって得られたみかけの不純物の原
子数Ｎｃを第５図で得られた釣鐘型の図形の面積（，５
″ Ｒ（ｓ）ｄｓ）で割ることにより、すなわち次式に
より実際の不純物濃度Ｃが算出、決定される。
子数Ｎｃを第５図で得られた釣鐘型の図形の面積（，５
″ Ｒ（ｓ）ｄｓ）で割ることにより、すなわち次式に
より実際の不純物濃度Ｃが算出、決定される。
Ｃ＝Ｎｃ／ Ｓ Ｒ（ｓ）ｄ ｓ
第１図は本発明の一実施例に係るウェーハを示す平面図
、第２図はその側面図、第３図は同じく一実施例に係る
ＴＸＲＦ装置による測定を説明するための概略側面図、
第４図は一実施例に係る検量線を示すグラフ、第５図は
一実施例に係るディテクタの位置相対感度マツプを示す
グラフである。 ３・・・・・・・・・・ディテクタ、 １０・ψ・・・ ・・・ ・ウェーハ、１２・・・・・
・・・・液滴痕、 Ｄ・・・・・・・・・・有効測定領域。 特許出願人 三菱金属株式会社代理人
弁理士 桑井清−図 第 ２図 第３図 第４図 第５図
、第２図はその側面図、第３図は同じく一実施例に係る
ＴＸＲＦ装置による測定を説明するための概略側面図、
第４図は一実施例に係る検量線を示すグラフ、第５図は
一実施例に係るディテクタの位置相対感度マツプを示す
グラフである。 ３・・・・・・・・・・ディテクタ、 １０・ψ・・・ ・・・ ・ウェーハ、１２・・・・・
・・・・液滴痕、 Ｄ・・・・・・・・・・有効測定領域。 特許出願人 三菱金属株式会社代理人
弁理士 桑井清−図 第 ２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 原子数が既知の不純物を含む複数の標準試料を滴下法
により作製する試料作製工程と、全反射蛍光Ｘ線分析装
置により、これらの標準試料にＸ線を照射して、発生す
る蛍光Ｘ線の積分強度をそれぞれ測定する工程と、 これらの測定値に基づいて、当該不純物の原子数とその
積分強度との対応関係を示す検量線を作成する工程と、 上記試料作製工程において作製した１つの標準試料につ
いて、その液滴痕が上記全反射蛍光Ｘ線分析装置のディ
テクタの直下に位置する場合、および、このディテクタ
の直下から偏位した位置にある場合について、それぞれ
の蛍光Ｘ線の積分強度を測定する工程と、 これらの測定値に基づいて、ディテクタの直下位置から
の偏位置とその蛍光Ｘ線の積分強度に対する感度との関
係を示すディテクタの位置相対感度マップを作成する工
程と、 測定対象であるウェーハ表面にこの全反射蛍光Ｘ線分析
装置によりＸ線を照射して、発生する蛍光Ｘ線の積分強
度を測定する工程と、 この積分強度の測定値を上記検量線と照合することによ
り、不純物の原子数を算出する工程と、上記ディテクタ
の位置相対感度マップを用いて、この算出した原子数を
補正して当該ウェーハ表面の測定点の不純物濃度を算出
する工程と、を含むことを特徴とするウェーハ表面の不
純物濃度の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25338990A JPH04144151A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | ウェーハ表面の不純物濃度の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25338990A JPH04144151A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | ウェーハ表面の不純物濃度の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144151A true JPH04144151A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17250691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25338990A Pending JPH04144151A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | ウェーハ表面の不純物濃度の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04144151A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168998A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Sony Corp | 汚染の評価方法 |
| WO2000004579A1 (en) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for mapping metal contaminant concentration on a silicon wafer surface |
| JP2010071762A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラム |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25338990A patent/JPH04144151A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168998A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Sony Corp | 汚染の評価方法 |
| WO2000004579A1 (en) * | 1998-07-17 | 2000-01-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for mapping metal contaminant concentration on a silicon wafer surface |
| JP2010071762A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラム |
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