JPH01251629A - パーティクルの評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造工程におけるパーティクル
の評価方法に関する。

従来の技術 近年、半導体装置の製造工程において、パーティクルの
低減化が非常に重要な課題になっており、パーティクル
の数を検出してその評価を行う方法の開発も進められて
いる。ところで、パーティクルを検出する代表的な装置
として、レーザ光の散乱を利用したものがある。

以下、その装置を使用した従来のパーティクルの評価方
法を説明する。

まず、第３図に基づき、パーティクルの検出装置につい
て説明する。第３図において、１１はレーザ光源（Ｈａ
　−Ｎｏ　）で、１２はレーザ光、１３はパーティクル
を示す。１４は散乱光で、レーザ光１２がパーティクル
１３によって散乱したものである。１５はその散乱光１
４を検知する受光素子である。１６はシリコンウェハ（
以下、単にウェハという）で、１７はそのウェハ１６を
保持する試料台である。この構成において、ウェハ１６
の表面に入射されたレーザ光１２がパーティクル１３の
存在する部分で散乱し、その散乱光１４を検知すること
でウェハ１６の表面のパーティクル１３の位置、個数、
大きさなどを判別することができる。

次に、第４図に基づき従来のパーティクルの評何方法を
説明する。第１工程では、ウェハの一主面である表面上
に存在する初期状態のパーティクル数を検出する。第２
工程では、そのウェハにパーティクルを評価すべき工程
の処理（たとえば無握膜の形成）が施される。第３工程
では、再度ウェハの表面上のパーティクル数を検出する
。その結果、第１工程と第３工程とのパーティクルの検
出個数の差が第２工程でのパーティクル増加数となって
評価される（第４工程）。また、このように１度評価に
使用されたウェハは、２度３度と何度も再使用される。

そして、パーティクルの数が多くなると洗浄工程や表面
研磨の工程により再生される。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の方法では、ウェハの使用回数が
多くなるにつれて、各評価時における初期状態のウェハ
の表面上のパーティクル数が増加し、微妙なパーティク
ルの増加数を正確に検出できなくなるため、上述したよ
うにパーティクルを除去する再生処理が行われている。

ところで、再生処理方法として洗浄工程や研磨工程があ
るが、前者はパーティクルを十分に低減できず、またウ
ェハの欠損を補うことはできないという問題がある。さ
らに、後者は十分パーティクル数を低減できかつウェハ
の欠損も除去できるが、コストが非常に高くなるという
問題があった。

そこで、本発明は上記問題点を解消するパーティクルの
評価方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明のパーティクルの評
価方法は、初期状態のウェハ表面のパーティクル数をレ
ーザ光により検出し、次にウェハの評価工程における処
理俊のウェハ表面のパーティクル数をレーザ光により検
出した後、上記評価工程前後におけるパーティクル数の
増加数に基づきパーティクルの評価を行う際に、上記パ
ーティクル数を検出する前の初期状態でのウェハ表面に
平坦かつ均一な薄膜を形成する方法である。

作用 上記の評価方法によると、初期状態におけるウェハ表面
に平坦かつ均一な薄膜を形成して、初期状態でのパーテ
ィクルの数を減じるとともに、ウェハ表面の欠損による
光の散乱を防止するため、パーティクル評価工程におけ
るパーティクル数を正確に検出することができる。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図に基づき説明する。

まず、初期状態のシリコンウェハ（ＪＪ、下、単にウェ
ハという）１の一主面である表面に、［２を平坦にかつ
均一に形成する。この薄膜２の厚さは、初期状態ですで
にウェハ１の表面に付着したパーティクル３Ａを十分に
覆うだけの厚さとされ、また薄膜材料としては、屈折率
が１．７（または光透過率が９０％以下）のポジ型フォ
トレジストで吸光剤が混入されたものが使用される。ま
た、薄膜２の形成方法は、簿膜材料をウェハ１の表面上
にスピン塗布し、熱処理を施すことにより行われる。

次に、この薄膜２が形成されたウェハ１の表面のパーテ
ィクル３Ｂの数をレーザ光４を使用して検出する。次に
、ウェハ１をパーティクル評価工程で処理を施した後、
再びレーザ光５により表面のパーティクル数を検出する
。そして、これら両パーティクル数の差を求め、これに
基づき評価が行われる。

このように、初期状態において、パーティクル数を検出
する前に、ウェハ１の表面に薄膜２を形成して、すでに
付着しているパーティクル３Ａを覆うとともに、表面の
欠損５も覆ってしまうため、最初に検出されるパーティ
クル数をほとんどなくすことができるとともにレーザ光
４の散乱が防止され、したがって評価工程でのパーティ
クル数の検出精度、すなわちパーティクルの評価精度が
大幅に向上する。なお、図中、６はレーザ光源、７は試
料台、８は受光素子である。

次に、他の実施例を第２図に基づき説明フる。

この実施例は再使用の場合を示す。すなわち、まず前段
階でのパーティクル評価工程で形成された無覇膜９の表
面グレイン９ａの上面に薄膜２を形成する。このＮ膜２
の厚さは５０ｒ＋ｎ以下と十分に薄くされ、また薄ｖ２
として粘度の低いポジ型フォトレジストが使用されると
ともに、その形成はスピン塗布により行われる。そして
、次に上述した実施例と同様の手順により、増加パーテ
ィクル数を検出して、評価が行われる。

このように、無機膜９のグレイン９ａ上に簿膜２を形成
することでグレイン９ａからのレーザ光の散乱を防止し
、パーティクルのみを選択的に検出することができる。

弁明の効果 上記本発明のパーティクルの評価方法によると、初期状
態におけるウェハ表面に平坦かつ均一な薄膜を形成して
、初期状態でのパーティクルの数を減じるとともに、ウ
ェハ表面の欠損による光の散乱を防止するため、低コス
トでパーティクル評価工程におけるパーティクル数を正
確に検出でき、低コストで評価精度を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるパーティクルの評価
方法を説明する断面図、第２図は本発明の他の実施例に
おけるパーティクルの評価方法を説明する断面図、第３
図は従来例のパーティクルの評価方法を説明する断面図
、第４図は同手順を示す工程図である。 １・・・シリコンウェハ、２・・・薄膜、３・・・パー
ティクル、４・・・レーザ光、５・・・欠損、９・・・
無償膜、９ａ・・・グレイン。 代理人　　　森　　本　　義　　弘 第１図 ｆ・−シリク〉ウェハ ２−簿膜 ３−・−ツマ−ティクツム ４ルーザ゛　光 ５・−’１ｉ１１′損 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、初期状態のウェハ表面のパーティクル数をレーザ光
   により検出し、次にウェハの評価工程における処理後の
   ウェハ表面のパーティクル数をレーザ光により検出した
   後、上記評価工程前後におけるパーティクル数の増加数
   に基づきパーティクルの評価を行う際に、上記パーティ
   クル数を検出する前の初期状態でのウェハ表面に平坦か
   つ均一な薄膜を形成するパーティクルの評価方法。