JPH0471457B2 - - Google Patents
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- JPH0471457B2 JPH0471457B2 JP4969186A JP4969186A JPH0471457B2 JP H0471457 B2 JPH0471457 B2 JP H0471457B2 JP 4969186 A JP4969186 A JP 4969186A JP 4969186 A JP4969186 A JP 4969186A JP H0471457 B2 JPH0471457 B2 JP H0471457B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 112
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、検査用基板に係り、特に、フオトマ
スク用ブランクやシリコンウエハ等の基板上に存
在する異物の個数や大きさ等を検査する基板表面
検査装置の検出信号校正用基板として用いて好適
な検査用基板に関する。
スク用ブランクやシリコンウエハ等の基板上に存
在する異物の個数や大きさ等を検査する基板表面
検査装置の検出信号校正用基板として用いて好適
な検査用基板に関する。
半導体素子製造工程で用いられるフオトマスク
用ブランクやシリコンウエハ等の基板は、その基
板表面に塵埃等の異物及びキズ等の微細欠陥が存
在しない高品質のものであることが要求される。
そこで、基板表面の微細欠陥の個数や大きさ等を
検査するために、例えばレーザ光を用いる基板表
面検査装置が使用されている。この基板表面検査
装置は、第５図に示すように、レーザ光源１から
検査光たるレーザ光２を被検査基板３の表面に照
射し、レーザ光２が表面上の異物又は表面の欠陥
によつて光学的に変化した光を受光装置６によつ
て検出する。このレーザ光２の光学的変化とは、
例えば図示するようにレーザ光２が被検査基板３
の表面上の異物４によつてレーザ散乱光５に変化
することである。レーザ散乱光５の光量は異物４
の大きさに対応し、レーザ散乱光５を検出した受
光装置６から発生する検出信号の大きさも異物４
の大きさに対応する。すなわち、所定の大きさの
異物４（例；直径1μｍの球状の塵埃）より散乱
するレーザ散乱光５を検出した受光装置６から発
生する検出信号の大きさも、その異物４の大きさ
に対応した所定の値となる。しかし、異なる基板
表面検査装置においては、受光装置６の特性の差
違等によつてこの所定の値はそれぞれ異なり、ま
た、同一の基板表面検査装置においても使用環境
の変化等によつてこの所定の値は異なつてくる。
従つて、異なる基板表面検査装置において、所定
の大きさの異物に対応した所定の値をそれぞれ選
択決定すること、あるいは、同一の基板表面検査
装置において使用環境の変化等に際して所定の値
を選択決定することが必要となる。この所定の値
を選択決定するために、例えば直径1μｍの球状
の塵埃に対応する検出信号を発生させる擬似的異
物を形成した検出信号校正用基板が使用されてい
る。そして、この検出信号校正用基板を用いて、
前述した各場合における所定の値を選択決定し、
基板表面検査装置の校正（キヤリブレーシヨン）
を行つている。
用ブランクやシリコンウエハ等の基板は、その基
板表面に塵埃等の異物及びキズ等の微細欠陥が存
在しない高品質のものであることが要求される。
そこで、基板表面の微細欠陥の個数や大きさ等を
検査するために、例えばレーザ光を用いる基板表
面検査装置が使用されている。この基板表面検査
装置は、第５図に示すように、レーザ光源１から
検査光たるレーザ光２を被検査基板３の表面に照
射し、レーザ光２が表面上の異物又は表面の欠陥
によつて光学的に変化した光を受光装置６によつ
て検出する。このレーザ光２の光学的変化とは、
例えば図示するようにレーザ光２が被検査基板３
の表面上の異物４によつてレーザ散乱光５に変化
することである。レーザ散乱光５の光量は異物４
の大きさに対応し、レーザ散乱光５を検出した受
光装置６から発生する検出信号の大きさも異物４
の大きさに対応する。すなわち、所定の大きさの
異物４（例；直径1μｍの球状の塵埃）より散乱
するレーザ散乱光５を検出した受光装置６から発
生する検出信号の大きさも、その異物４の大きさ
に対応した所定の値となる。しかし、異なる基板
表面検査装置においては、受光装置６の特性の差
違等によつてこの所定の値はそれぞれ異なり、ま
た、同一の基板表面検査装置においても使用環境
の変化等によつてこの所定の値は異なつてくる。
従つて、異なる基板表面検査装置において、所定
の大きさの異物に対応した所定の値をそれぞれ選
択決定すること、あるいは、同一の基板表面検査
装置において使用環境の変化等に際して所定の値
を選択決定することが必要となる。この所定の値
を選択決定するために、例えば直径1μｍの球状
の塵埃に対応する検出信号を発生させる擬似的異
物を形成した検出信号校正用基板が使用されてい
る。そして、この検出信号校正用基板を用いて、
前述した各場合における所定の値を選択決定し、
基板表面検査装置の校正（キヤリブレーシヨン）
を行つている。
従来、検出信号校正用基板として、第６図ａ〜
ｅに示すような方法で製作されたものが使用され
ている。すなわち、シリコン基板７にポジ型フオ
トレジスト８を塗布し（第６図ａ）、次に所望の
パターンを得るべく露光マスク９を通して、ポジ
型フオトレジスト８の上方から紫外光１０を露光
する（第６図ｂ）。次に、現像液により現象処理
して、ポジ型フオトレジスト８の露光部分を除去
し、未露光部分からなるレジストパターン１１を
シリコン基板７上に形成する（第６図ｃ）。次に、
シリコン基板７に対応したエツチング液を用い
て、レジストパターン１１から露出したシリコン
基板７の部分をエツチングしたシリコン基板７′
を形成する（第６図ｄ）。次に、レジストパター
ン１１を剥離液により剥離して、シリコン基板
７′上に擬似的異物としてのシリコンパターン７
ａを形成する（第６図ｅ）。以上のようにして、
第６図ｆに示すような、シリコン基板７′上にシ
リコンパターン７ａを形成した検出信号校正用基
板１２を製作して検査用基板として用いていた。
ｅに示すような方法で製作されたものが使用され
ている。すなわち、シリコン基板７にポジ型フオ
トレジスト８を塗布し（第６図ａ）、次に所望の
パターンを得るべく露光マスク９を通して、ポジ
型フオトレジスト８の上方から紫外光１０を露光
する（第６図ｂ）。次に、現像液により現象処理
して、ポジ型フオトレジスト８の露光部分を除去
し、未露光部分からなるレジストパターン１１を
シリコン基板７上に形成する（第６図ｃ）。次に、
シリコン基板７に対応したエツチング液を用い
て、レジストパターン１１から露出したシリコン
基板７の部分をエツチングしたシリコン基板７′
を形成する（第６図ｄ）。次に、レジストパター
ン１１を剥離液により剥離して、シリコン基板
７′上に擬似的異物としてのシリコンパターン７
ａを形成する（第６図ｅ）。以上のようにして、
第６図ｆに示すような、シリコン基板７′上にシ
リコンパターン７ａを形成した検出信号校正用基
板１２を製作して検査用基板として用いていた。
しかし、シリコン基板７′及びシリコンパター
ン７ａからなる検出信号校正用基板１２はシリコ
ン結晶からなる為、結晶構造上の性質から非常に
脆いという欠点がある。これは、シリコン結晶
は、外力を受けることにより、特定の結晶構造に
従つて規則正しく破壊する特性、換言すると外力
に対して異方的破壊特性を有しているためであ
る。従つて、特に洗浄用ブラシ等を用いて被洗浄
物を洗浄するスクラブ洗浄法によつて検出信号校
正用基板１２を洗浄する場合、検出信号校正用基
板１２は容易に破損してしまう。
ン７ａからなる検出信号校正用基板１２はシリコ
ン結晶からなる為、結晶構造上の性質から非常に
脆いという欠点がある。これは、シリコン結晶
は、外力を受けることにより、特定の結晶構造に
従つて規則正しく破壊する特性、換言すると外力
に対して異方的破壊特性を有しているためであ
る。従つて、特に洗浄用ブラシ等を用いて被洗浄
物を洗浄するスクラブ洗浄法によつて検出信号校
正用基板１２を洗浄する場合、検出信号校正用基
板１２は容易に破損してしまう。
また、シリコン結晶からなる検出信号校正用基
板１２は酸化されやすい為、擬似的異物として形
成されたシリコンパターン７ａの形状や大きさも
酸化によつて変化してしまいやすい。このように
シリコンパターン７ａの形状や大きさが変化する
と、そのシリコンパターン７ａより散乱するレー
ザ散乱光５の光量も変化し、受光装置６において
発生する検出信号も変化してしまう。すなわち、
例えば直径1μｍの球状の塵埃に対応する検出信
号を発生させる擬似的異物としてのシリコンパタ
ーン７ａを形成した検出信号校正用基板１２にお
いて、酸化によつて形状や大きさが変化したシリ
コンパターン７ａは直径1μｍの球状の塵埃に対
応する検出信号を発生させなくなつてしまう。以
上のように酸化によつて形状や大きさが変化した
シリコンパターンを有する検出信号校正用基板を
用いては基板表面検査装置の校正を正確に行うこ
とはできず、そのような検出信号校正用基板は検
査用基板として使用できない。
板１２は酸化されやすい為、擬似的異物として形
成されたシリコンパターン７ａの形状や大きさも
酸化によつて変化してしまいやすい。このように
シリコンパターン７ａの形状や大きさが変化する
と、そのシリコンパターン７ａより散乱するレー
ザ散乱光５の光量も変化し、受光装置６において
発生する検出信号も変化してしまう。すなわち、
例えば直径1μｍの球状の塵埃に対応する検出信
号を発生させる擬似的異物としてのシリコンパタ
ーン７ａを形成した検出信号校正用基板１２にお
いて、酸化によつて形状や大きさが変化したシリ
コンパターン７ａは直径1μｍの球状の塵埃に対
応する検出信号を発生させなくなつてしまう。以
上のように酸化によつて形状や大きさが変化した
シリコンパターンを有する検出信号校正用基板を
用いては基板表面検査装置の校正を正確に行うこ
とはできず、そのような検出信号校正用基板は検
査用基板として使用できない。
本発明は、以上のような事情を鑑みてなされた
ものであり、洗浄時等において破損しにくく、さ
らに形状の大きさが変化しない擬似的異物を形成
した検査用基板を提供することを目的とする。
ものであり、洗浄時等において破損しにくく、さ
らに形状の大きさが変化しない擬似的異物を形成
した検査用基板を提供することを目的とする。
本発明は、上記した目的を達成する為になされ
たものであり、被検査基板の表面での検査光の光
学的変化に基づいて、前記表面状態を検査する検
査方法の実行前に、前記光学的変化に対応した検
出信号を校正するために使用される検査用基板に
おいて、 前記検査用基板は、 前記被検査用基板の、表面上の異物又は表面の
欠陥に相当する凹凸部を表面に形成すると共に、
外力に対して等方的破壊特性を有する材料から構
成した基板と、 前記基板の表面上に設けられ且つ酸化に対して
耐性を有する反射膜とを有することを特徴とする
検査用基板である。なお、上述の等方的破壊特性
とは、外力を受けることにより、破壊（破損、欠
損、破断）が特定の方向に依存することなく生ず
る特性のことである。
たものであり、被検査基板の表面での検査光の光
学的変化に基づいて、前記表面状態を検査する検
査方法の実行前に、前記光学的変化に対応した検
出信号を校正するために使用される検査用基板に
おいて、 前記検査用基板は、 前記被検査用基板の、表面上の異物又は表面の
欠陥に相当する凹凸部を表面に形成すると共に、
外力に対して等方的破壊特性を有する材料から構
成した基板と、 前記基板の表面上に設けられ且つ酸化に対して
耐性を有する反射膜とを有することを特徴とする
検査用基板である。なお、上述の等方的破壊特性
とは、外力を受けることにより、破壊（破損、欠
損、破断）が特定の方向に依存することなく生ず
る特性のことである。
本発明によれば、基板を外力に対して等方的破
壊特性を有する材料から構成しているので、基板
表面の凹凸部が受けた外力は、特定の方向に依存
することなく分散する。従つて、例えば洗浄等に
より基板表面の凹凸部が外力を受けた場合、特定
の方向に容易に破壊することを防止することがで
きる。又、凹凸部を形成した基板表面上には酸化
に対して耐性を有する反射膜を形成していること
から、基板表面の凹凸部が酸化して、形状又は大
きさが変化することを防止し、且つ、凹凸部によ
る検査光の光学的変化を好適にもたらすことがで
きる。
壊特性を有する材料から構成しているので、基板
表面の凹凸部が受けた外力は、特定の方向に依存
することなく分散する。従つて、例えば洗浄等に
より基板表面の凹凸部が外力を受けた場合、特定
の方向に容易に破壊することを防止することがで
きる。又、凹凸部を形成した基板表面上には酸化
に対して耐性を有する反射膜を形成していること
から、基板表面の凹凸部が酸化して、形状又は大
きさが変化することを防止し、且つ、凹凸部によ
る検査光の光学的変化を好適にもたらすことがで
きる。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例による検査用基板を示
す斜視図、第２図は同実施例による検査用基板の
製造方法の各工程を示す断面図である。
す斜視図、第２図は同実施例による検査用基板の
製造方法の各工程を示す断面図である。
本発明の実施例による検査用基板１３は、第１
図、並びに第２図ｆ及びｇに示したように、エツ
チングにより基板の表面に凹状に加工された部分
１４（第２図ｆ参照。）を有する基板１５と、基
板１５の最上面１５ｃにのみ形成された薄膜パタ
ーン１６と、薄膜パターン１６上及び基板１５の
凹状に加工された部分１４内の露出表面１４ａに
形成された反射膜１７とを具備している。なお、
基板１５はソーダライムガラスからなり、薄膜パ
ターン１６はクロムからなり、反射膜１７はタン
タルからなる。さらに、この検査用基板１３は凹
状に加工された部分１４に対応する形状を有する
凹状パターン１８を備え、この凹状パターン１８
が、前述した基板表面検査装置のレーザ光源１か
ら照射されるレーザ光２を散乱する擬似的異物と
なる。
図、並びに第２図ｆ及びｇに示したように、エツ
チングにより基板の表面に凹状に加工された部分
１４（第２図ｆ参照。）を有する基板１５と、基
板１５の最上面１５ｃにのみ形成された薄膜パタ
ーン１６と、薄膜パターン１６上及び基板１５の
凹状に加工された部分１４内の露出表面１４ａに
形成された反射膜１７とを具備している。なお、
基板１５はソーダライムガラスからなり、薄膜パ
ターン１６はクロムからなり、反射膜１７はタン
タルからなる。さらに、この検査用基板１３は凹
状に加工された部分１４に対応する形状を有する
凹状パターン１８を備え、この凹状パターン１８
が、前述した基板表面検査装置のレーザ光源１か
ら照射されるレーザ光２を散乱する擬似的異物と
なる。
次に、検査用基板１３の製造方法について第２
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
先ず、外力に対して等方的破壊特性を有するソ
ーダライムガラスを所定寸法（例；５×５×0.09
インチ）に加工し、このソーダライムガラスの両
主表面を研磨し、純水及びイソプロピルアルコー
ル等により洗浄し、乾燥してソーダライムガラス
からなる基板１９を得る。この基板１９の一主表
面上にスパツタリング法によりクロムからなる薄
膜２０（膜厚：1000Å）を被着して形成し、次
に、薄膜２０上にポジ型フオトレジスト２１
（例；シツプレー社製MP−1350、ハ膜厚：5000
Å）をスピンコート法により塗布する（第２図
ａ）。なお、クロムからなる薄膜２０は、後記す
る基板１９のエツチング手段では、エツチングさ
れない。すなわち、薄膜２０は、基板１９のエツ
チングに耐性を有する。次に、所定のパターンを
得るべく露光マスク２２を通して、ポジ型フオト
レジスト２１の上方から遠紫外光ないし紫外光２
３（波長：200〜450nm）を露光する（第２図
ｂ）。次に、現像液（例；MP−1350専用デイベ
ロツパ）により所定時間（例；70秒）現像処理し
て、ポジ型フオトレジスト２１の露光部分を除去
し、未露光部分からなるレジストパターン２４を
薄膜２０上に形成する（第２図ｃ）。次に、薄膜
２０に対応したエツチング液（例；硝酸第２セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液）を
用いて、所定時間（例；40秒）エツチングして、
薄膜パターン１６を形成する（第２図ｄ）。この
際、薄膜２０に対応したエツチング液では、基板
１９はエツチングされない。次に、レジストパタ
ーン２４を剥離液（例；熱濃硫酸90℃）により剥
離した後、常温の硫酸中に浸して温度を下げ、
水、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、
フレオン蒸気中で乾燥して、薄膜パターン１６を
基板１９上に形成する（第２図ｅ）。
ーダライムガラスを所定寸法（例；５×５×0.09
インチ）に加工し、このソーダライムガラスの両
主表面を研磨し、純水及びイソプロピルアルコー
ル等により洗浄し、乾燥してソーダライムガラス
からなる基板１９を得る。この基板１９の一主表
面上にスパツタリング法によりクロムからなる薄
膜２０（膜厚：1000Å）を被着して形成し、次
に、薄膜２０上にポジ型フオトレジスト２１
（例；シツプレー社製MP−1350、ハ膜厚：5000
Å）をスピンコート法により塗布する（第２図
ａ）。なお、クロムからなる薄膜２０は、後記す
る基板１９のエツチング手段では、エツチングさ
れない。すなわち、薄膜２０は、基板１９のエツ
チングに耐性を有する。次に、所定のパターンを
得るべく露光マスク２２を通して、ポジ型フオト
レジスト２１の上方から遠紫外光ないし紫外光２
３（波長：200〜450nm）を露光する（第２図
ｂ）。次に、現像液（例；MP−1350専用デイベ
ロツパ）により所定時間（例；70秒）現像処理し
て、ポジ型フオトレジスト２１の露光部分を除去
し、未露光部分からなるレジストパターン２４を
薄膜２０上に形成する（第２図ｃ）。次に、薄膜
２０に対応したエツチング液（例；硝酸第２セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液）を
用いて、所定時間（例；40秒）エツチングして、
薄膜パターン１６を形成する（第２図ｄ）。この
際、薄膜２０に対応したエツチング液では、基板
１９はエツチングされない。次に、レジストパタ
ーン２４を剥離液（例；熱濃硫酸90℃）により剥
離した後、常温の硫酸中に浸して温度を下げ、
水、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、
フレオン蒸気中で乾燥して、薄膜パターン１６を
基板１９上に形成する（第２図ｅ）。
次に、基板１９に対応した基板用エツチング液
（例；フツ化水素酸とフツ化アンモニウム水溶液
との混合溶液）を用い、所定時間（例；３分間）
露出した基板１９の部分をエツチングすることに
より、基板１９の表面に凹状に加工された部分１
４を形成して基板１５を製作する。この時、基板
１５の最上面１５ａにのみ薄膜パターン１６が形
成されることになる。（第２図ｆ）。また、基板１
９に対応した基板用エツチング液では、薄膜パタ
ーン１６はエツチングされない。次に、薄膜パタ
ーン１６上及び基板１５の凹状に加工された部分
１４内の露出表面１４ａに、反射性及び酸化に対
して耐性を有するタンタルからなる反射膜１７
（膜厚：1000Å）をスパツタリング法により被着
して形成し、部分１４に対応した形状を有する凹
状パターン１８を形成して検査用基板１３を製作
する（第２図ｇ）。この凹状パターン１８が検査
用基板１３の擬似的異物として作用する。
（例；フツ化水素酸とフツ化アンモニウム水溶液
との混合溶液）を用い、所定時間（例；３分間）
露出した基板１９の部分をエツチングすることに
より、基板１９の表面に凹状に加工された部分１
４を形成して基板１５を製作する。この時、基板
１５の最上面１５ａにのみ薄膜パターン１６が形
成されることになる。（第２図ｆ）。また、基板１
９に対応した基板用エツチング液では、薄膜パタ
ーン１６はエツチングされない。次に、薄膜パタ
ーン１６上及び基板１５の凹状に加工された部分
１４内の露出表面１４ａに、反射性及び酸化に対
して耐性を有するタンタルからなる反射膜１７
（膜厚：1000Å）をスパツタリング法により被着
して形成し、部分１４に対応した形状を有する凹
状パターン１８を形成して検査用基板１３を製作
する（第２図ｇ）。この凹状パターン１８が検査
用基板１３の擬似的異物として作用する。
本実施例の検査用基板１３によれば、この検査
用基板１３が、ソーダライムガラスからなる基板
１５と、薄膜パターン１６上及び基板１５の露出
表面１４ａに形成され基板１５を被覆する反射膜
１７とを具備してなるので、検査用基板１３の洗
浄時等において破損しにくい。さらに、この検査
用基板１３は酸化等の化学変化を起こしにくの
で、擬似的異物としての凹状パターン１８の形状
や大きさも極めて変化しにくい。従つて、この検
査用基板１３は、特に前述した基板表面検査装置
の検出信号校正用基板として用いて好適である。
用基板１３が、ソーダライムガラスからなる基板
１５と、薄膜パターン１６上及び基板１５の露出
表面１４ａに形成され基板１５を被覆する反射膜
１７とを具備してなるので、検査用基板１３の洗
浄時等において破損しにくい。さらに、この検査
用基板１３は酸化等の化学変化を起こしにくの
で、擬似的異物としての凹状パターン１８の形状
や大きさも極めて変化しにくい。従つて、この検
査用基板１３は、特に前述した基板表面検査装置
の検出信号校正用基板として用いて好適である。
本発明は、上記した実施例に限定されるもので
はない。
はない。
擬似的異物としては、実施例中に示したような
凹状パターン１８以外に、第３図ａ及びｂに示す
ように、凸状パターン２５であつてもよい。この
場合、検査用基板２６はエツチングにより基板の
表面に凸状に加工された部分２７を有する基板２
８と、基板２８の最上面２８ａにのみ形成された
薄膜パターン２９と、薄膜パターン２９上及び基
板２８の露出表面２８ｂに形成された反射膜３０
とを具備している。そして、凸状に加工された部
分２７と基板２８の最上面２８ａにのみ形成され
た薄膜パターン２９とを被覆する反射膜３０の部
分が、凸状パターン２５を形成する。
凹状パターン１８以外に、第３図ａ及びｂに示す
ように、凸状パターン２５であつてもよい。この
場合、検査用基板２６はエツチングにより基板の
表面に凸状に加工された部分２７を有する基板２
８と、基板２８の最上面２８ａにのみ形成された
薄膜パターン２９と、薄膜パターン２９上及び基
板２８の露出表面２８ｂに形成された反射膜３０
とを具備している。そして、凸状に加工された部
分２７と基板２８の最上面２８ａにのみ形成され
た薄膜パターン２９とを被覆する反射膜３０の部
分が、凸状パターン２５を形成する。
また、実施例中では、基板１９の一主表面上に
薄膜２０を被着形成し、薄膜２０上にポジ型フオ
トレジスト２１を塗布したが、先ず、基板１９の
一主表面上にポジ型フオトレジスト２１を直接塗
布し、次に、このポジ型フオトレジスト２１を露
光し、現像して、第４図に示すように薄膜状のレ
ジストパターン２１ａを形成し、次に基板１９を
エツチングして表面に凹状に加工された部分１４
を有する基板３１を製作し、その後、反射膜１７
を被着形成して、擬似的異物としての凹状パター
ン１８を備えた検査用基板３２を製作してもよ
い。
薄膜２０を被着形成し、薄膜２０上にポジ型フオ
トレジスト２１を塗布したが、先ず、基板１９の
一主表面上にポジ型フオトレジスト２１を直接塗
布し、次に、このポジ型フオトレジスト２１を露
光し、現像して、第４図に示すように薄膜状のレ
ジストパターン２１ａを形成し、次に基板１９を
エツチングして表面に凹状に加工された部分１４
を有する基板３１を製作し、その後、反射膜１７
を被着形成して、擬似的異物としての凹状パター
ン１８を備えた検査用基板３２を製作してもよ
い。
本実施例では、基板１９をソーダライムガラス
から製作したが、アルミノシリケートガラス、石
英ガラス、アルミニウム等の材料から製作しても
よく、その寸法及び形状も必要に応じて適宜決定
してよい。また、薄膜２０はクロムを成膜材料と
して被着形成したが、基板１９のエツチングに耐
性を有するものであればよく、チタン、アルミニ
ウム、シリコン、タングステン、タンタル、アル
ミニウム、モリブデン等やこれらの酸化物、窒化
物、炭化物、硼化物等の成膜材料から適宜選択し
て被着形成してもよい。さらに、クロムからなる
薄膜２０に対応したエツチング液として、硝酸第
２セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶
液を用いたが、薄膜２０の成膜材料として別の成
膜材料を選択した場合、その成膜材料に対応した
エツチング液を用いればよい。さらに、基板１９
の一主表面上と薄膜２０との間に、薄膜２０と異
なる薄膜を介在させてもよい。なお、反射膜をク
ロムから被着形成し、所定の工程を経て検査用基
板を製作して、これを検出信号校正用基板として
用いて基板表面検査装置を校正すれば、特にクロ
ム膜上に存在する異物等について基板表面検査が
適確に行われる。また、薄膜２０及び反射膜１７
の被着形成方法としては、スパツタリング法以外
に真空蒸着法やイオンプレーテイング法等の成膜
方法であつてもよく、また、レジストはポジ型フ
オトレジスト以外にネガ型フオトレジストやポジ
型あるいはネガ型電子線レジスト等のレジストで
あつてもよく、レジストの塗布方法もロールコー
ト法等の塗布方法を採用してもよい。また、露光
方法としてＸ線や電子線等による露光方法を採用
してもよい。エツチング法としては、実施例中で
採用した湿式エツチング法の他に、スパツタエツ
チング法やプラズマエツチング法等の乾式エツチ
ング法を採用してもよい。
から製作したが、アルミノシリケートガラス、石
英ガラス、アルミニウム等の材料から製作しても
よく、その寸法及び形状も必要に応じて適宜決定
してよい。また、薄膜２０はクロムを成膜材料と
して被着形成したが、基板１９のエツチングに耐
性を有するものであればよく、チタン、アルミニ
ウム、シリコン、タングステン、タンタル、アル
ミニウム、モリブデン等やこれらの酸化物、窒化
物、炭化物、硼化物等の成膜材料から適宜選択し
て被着形成してもよい。さらに、クロムからなる
薄膜２０に対応したエツチング液として、硝酸第
２セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶
液を用いたが、薄膜２０の成膜材料として別の成
膜材料を選択した場合、その成膜材料に対応した
エツチング液を用いればよい。さらに、基板１９
の一主表面上と薄膜２０との間に、薄膜２０と異
なる薄膜を介在させてもよい。なお、反射膜をク
ロムから被着形成し、所定の工程を経て検査用基
板を製作して、これを検出信号校正用基板として
用いて基板表面検査装置を校正すれば、特にクロ
ム膜上に存在する異物等について基板表面検査が
適確に行われる。また、薄膜２０及び反射膜１７
の被着形成方法としては、スパツタリング法以外
に真空蒸着法やイオンプレーテイング法等の成膜
方法であつてもよく、また、レジストはポジ型フ
オトレジスト以外にネガ型フオトレジストやポジ
型あるいはネガ型電子線レジスト等のレジストで
あつてもよく、レジストの塗布方法もロールコー
ト法等の塗布方法を採用してもよい。また、露光
方法としてＸ線や電子線等による露光方法を採用
してもよい。エツチング法としては、実施例中で
採用した湿式エツチング法の他に、スパツタエツ
チング法やプラズマエツチング法等の乾式エツチ
ング法を採用してもよい。
本発明の検査用基板によれば、この検査用基板
は破損しにくく、さらに擬似的異物としての凹状
又は凸状パターンの形状や大きさが極めて変化し
にくい。従つて、この検査用基板は、特に基板表
面検査装置の検出信号校正用基板として使用した
場合、基板表面検査装置を常に高精度に校正する
ことができる。
は破損しにくく、さらに擬似的異物としての凹状
又は凸状パターンの形状や大きさが極めて変化し
にくい。従つて、この検査用基板は、特に基板表
面検査装置の検出信号校正用基板として使用した
場合、基板表面検査装置を常に高精度に校正する
ことができる。
第１図は本発明の実施例による検査用基板を示
す斜視図、第２図は同実施例による検査用基板の
製造方法の各工程を示す断面図、第３図は実施例
の変形例による検査用基板を示す図で、同図ａは
検査用基板を示す斜視図、同図ｂは同図ａ中のＸ
−Ｘ線断面図、第４図は実施例の変形例による検
査用基板を示す断面図、第５図は基板表面検査装
置を用いて被検査基板の表面検査を行う状態を示
す図、第６図ａ〜ｅは従来の検査用基板としての
検出信号校正用基板の製造方法の各工程を示す断
面図、及び第６図ｆは従来の検査用基板を示す斜
視図である。 １３，２６，３２……検査用基板、１４……凹
状に加工された部分、１４ａ，２８ｂ……露出表
面、１５，３１……凹状に加工された部分を有す
る基板、１５ａ，２８ａ，３１ａ……基板の最上
面、１６，２９……薄膜パターン、１７，３０…
…反射膜、１８……凹状パターン、２１ａ……薄
膜状のレジストパターン、２５……凸状パター
ン、２７……凸状に加工された部分、２８……凸
状に加工された部分を有する基板。
す斜視図、第２図は同実施例による検査用基板の
製造方法の各工程を示す断面図、第３図は実施例
の変形例による検査用基板を示す図で、同図ａは
検査用基板を示す斜視図、同図ｂは同図ａ中のＸ
−Ｘ線断面図、第４図は実施例の変形例による検
査用基板を示す断面図、第５図は基板表面検査装
置を用いて被検査基板の表面検査を行う状態を示
す図、第６図ａ〜ｅは従来の検査用基板としての
検出信号校正用基板の製造方法の各工程を示す断
面図、及び第６図ｆは従来の検査用基板を示す斜
視図である。 １３，２６，３２……検査用基板、１４……凹
状に加工された部分、１４ａ，２８ｂ……露出表
面、１５，３１……凹状に加工された部分を有す
る基板、１５ａ，２８ａ，３１ａ……基板の最上
面、１６，２９……薄膜パターン、１７，３０…
…反射膜、１８……凹状パターン、２１ａ……薄
膜状のレジストパターン、２５……凸状パター
ン、２７……凸状に加工された部分、２８……凸
状に加工された部分を有する基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被検査基板の表面での検査光の光学的変化に
基づいて、前記表面状態を検査する検査方法の実
行前に、前記光学的変化に対応した検出信号を校
正するために使用される検査用基板において、 前記検査用基板は、 前記被検査用基板の、表面上の異物又は表面の
欠陥に相当する凹凸部を表面に形成すると共に、
外力に対して等方的破壊特性を有する材料から構
成した基板と、 前記基板の表面上に設けられ且つ酸化に対して
耐性を有する反射膜とを有することを特徴とする
検査用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049691A JPS62206433A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 検査用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049691A JPS62206433A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 検査用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206433A JPS62206433A (ja) | 1987-09-10 |
| JPH0471457B2 true JPH0471457B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=12838206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049691A Granted JPS62206433A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 検査用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62206433A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2731914B2 (ja) * | 1988-08-25 | 1998-03-25 | ホーヤ株式会社 | 検査用基板およびその製造方法 |
| KR100694597B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법 |
| JP2009156574A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61049691A patent/JPS62206433A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62206433A (ja) | 1987-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |