JPH0682727B2 - 検査用基板とその製造方法 - Google Patents
検査用基板とその製造方法Info
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- JPH0682727B2 JPH0682727B2 JP62020987A JP2098787A JPH0682727B2 JP H0682727 B2 JPH0682727 B2 JP H0682727B2 JP 62020987 A JP62020987 A JP 62020987A JP 2098787 A JP2098787 A JP 2098787A JP H0682727 B2 JPH0682727 B2 JP H0682727B2
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- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 第１発明は、検査用基板に係り、特に、フォトマスクブ
ランクやシリコンウェハ等の基板上に存在する異物の個
数や大きさ等を検査する基板表面検査装置の検出信号校
正用基板等として用いて好適な検査用基板に関する。第
２発明は、第１発明の検査用基板の製造方法に関する。
ランクやシリコンウェハ等の基板上に存在する異物の個
数や大きさ等を検査する基板表面検査装置の検出信号校
正用基板等として用いて好適な検査用基板に関する。第
２発明は、第１発明の検査用基板の製造方法に関する。
半導体素子製造工程で用いられるフォトマスクブランク
やシリコンウェハ等の基板は、その基板表面に塵埃等の
異物及びキズ等の微細欠陥が存在しない高品質のもので
あることが要求される。そこで、基板表面の微細欠陥の
個数や大きさ等を検査するために、例えばレーザ光を用
いる基板表面検査装置が使用されている。この基板表面
検査装置は、第５図に示すように、レーザ光源１からレ
ーザ光２を被検査基板３の表面に照射し、その表面に存
在する異物４より散乱するレーザ散乱光５を受光装置６
によって検出する。レーザ散乱光５の光量は異物４の大
きさに対応し、レーザ散乱光５を検出した受光装置６か
ら発生する検出信号の強度も異物４の大きさに対応す
る。すなわち、所定の大きさの異物４（例；直径１μｍ
の球状の塵埃）より散乱するレーザ散乱光５を検出した
受光装置６から発生する検出信号の強度は、その異物４
の大きさに対応した所定の値となる。しかし、異なる基
板表面検査装置においては、受光装置６の特性の差違等
によってこの所の値はそれぞれ異なり、また、同一の基
板表面検査装置においても使用環境の変化等によってこ
の所定の値は異なってくる。従って、異なる基板表面検
査装置において、所定の大きさの異物に対応した所定の
値をそれぞれ選択決定すること，あるいは、同一の基板
表面検査装置において使用環境の変化等に際して所定の
値を選択決定することが必要となる。この所定の値を選
択決定するために、例えば直径１μｍの球状の塵埃に対
応する検出信号を発生させる擬似的異物を形成した検出
信号校正用基板が使用されている。そして、この検出信
号校正用基板を用いて、前述した各場合における所定の
値を選択決定し、基板表面検査装置の校正（キャリブレ
ーション）を行っている。
やシリコンウェハ等の基板は、その基板表面に塵埃等の
異物及びキズ等の微細欠陥が存在しない高品質のもので
あることが要求される。そこで、基板表面の微細欠陥の
個数や大きさ等を検査するために、例えばレーザ光を用
いる基板表面検査装置が使用されている。この基板表面
検査装置は、第５図に示すように、レーザ光源１からレ
ーザ光２を被検査基板３の表面に照射し、その表面に存
在する異物４より散乱するレーザ散乱光５を受光装置６
によって検出する。レーザ散乱光５の光量は異物４の大
きさに対応し、レーザ散乱光５を検出した受光装置６か
ら発生する検出信号の強度も異物４の大きさに対応す
る。すなわち、所定の大きさの異物４（例；直径１μｍ
の球状の塵埃）より散乱するレーザ散乱光５を検出した
受光装置６から発生する検出信号の強度は、その異物４
の大きさに対応した所定の値となる。しかし、異なる基
板表面検査装置においては、受光装置６の特性の差違等
によってこの所の値はそれぞれ異なり、また、同一の基
板表面検査装置においても使用環境の変化等によってこ
の所定の値は異なってくる。従って、異なる基板表面検
査装置において、所定の大きさの異物に対応した所定の
値をそれぞれ選択決定すること，あるいは、同一の基板
表面検査装置において使用環境の変化等に際して所定の
値を選択決定することが必要となる。この所定の値を選
択決定するために、例えば直径１μｍの球状の塵埃に対
応する検出信号を発生させる擬似的異物を形成した検出
信号校正用基板が使用されている。そして、この検出信
号校正用基板を用いて、前述した各場合における所定の
値を選択決定し、基板表面検査装置の校正（キャリブレ
ーション）を行っている。
従来、検出信号校正用基板として、第６図（ａ）〜
（ｅ）に示すような方法で製作されたものが使用されて
いる。すなわち、シリコン基板７にポジ型フォトレジス
ト８を塗布し（第６図（ａ））、次に所望のパターンを
得るべく露光マスク９を通して、ポジ型フォトレジスト
８の上方から紫外光10を露光する（第６図（ｂ））。次
に、現像液により現像処理して、ポジ型フォトレジスト
８の露光部分を除去し、未露光部分からなるレジストパ
ターン11をシリコン基板７上に形成する（第６図
（ｃ））。次に、シリコン基板７に対応したエッチング
液を用いて、レジストパターン11から露出したシリコン
基板７の部分を食刻する（第６図（ｄ））。次に、レジ
ストパターン11を剥離液により剥離して、シリコン基板
７′上に擬似的異物としてのシリコンパターン7aを形成
する（第６図（ｅ））。以上のようにして、第６図
（ｆ）に示すような、シリコン基板７′上にシリコンパ
ターン7aを形成した検出信号校正用基板12を製作して検
査用基板として用いていた。
（ｅ）に示すような方法で製作されたものが使用されて
いる。すなわち、シリコン基板７にポジ型フォトレジス
ト８を塗布し（第６図（ａ））、次に所望のパターンを
得るべく露光マスク９を通して、ポジ型フォトレジスト
８の上方から紫外光10を露光する（第６図（ｂ））。次
に、現像液により現像処理して、ポジ型フォトレジスト
８の露光部分を除去し、未露光部分からなるレジストパ
ターン11をシリコン基板７上に形成する（第６図
（ｃ））。次に、シリコン基板７に対応したエッチング
液を用いて、レジストパターン11から露出したシリコン
基板７の部分を食刻する（第６図（ｄ））。次に、レジ
ストパターン11を剥離液により剥離して、シリコン基板
７′上に擬似的異物としてのシリコンパターン7aを形成
する（第６図（ｅ））。以上のようにして、第６図
（ｆ）に示すような、シリコン基板７′上にシリコンパ
ターン7aを形成した検出信号校正用基板12を製作して検
査用基板として用いていた。
しかし、以上のようにして検出信号校正用基板12を製作
する場合、第６図（ｄ）に示したように、シリコン基板
７に対応したエッチング液を用いて、レジストパターン
11から露出したシリコン基板７の部分を食刻しているの
で、シリコンパターン7aの高さｈ（第６図（ｅ）参
照。）を所望の高さにして所定の形状のシリコンパター
ン7aを形成することは困難である。すなわち、前記した
エッチング液の濃度や温度，及びエッチング時間等のエ
ッチング条件によってシリコン基板７の食刻の度合いが
左右されるので、その高さｈもエッチング条件によって
変動する。従って、所定の形状のシリコンパターン7aを
形成するためには、エッチング条件の厳密な管理あるい
は制御がなされなければならない。しかし、このエッチ
ング条件の厳密な管理・制御は非常に困難であるため、
所定の形状のシリコンパターン7aからなる擬似的異物を
形成した検出信号校正用基板12を製作した場合、検出信
号の校正又は散乱光の光強度の測定を正確に行うことが
非常に困難であった。
する場合、第６図（ｄ）に示したように、シリコン基板
７に対応したエッチング液を用いて、レジストパターン
11から露出したシリコン基板７の部分を食刻しているの
で、シリコンパターン7aの高さｈ（第６図（ｅ）参
照。）を所望の高さにして所定の形状のシリコンパター
ン7aを形成することは困難である。すなわち、前記した
エッチング液の濃度や温度，及びエッチング時間等のエ
ッチング条件によってシリコン基板７の食刻の度合いが
左右されるので、その高さｈもエッチング条件によって
変動する。従って、所定の形状のシリコンパターン7aを
形成するためには、エッチング条件の厳密な管理あるい
は制御がなされなければならない。しかし、このエッチ
ング条件の厳密な管理・制御は非常に困難であるため、
所定の形状のシリコンパターン7aからなる擬似的異物を
形成した検出信号校正用基板12を製作した場合、検出信
号の校正又は散乱光の光強度の測定を正確に行うことが
非常に困難であった。
本発明は、以上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、第１発明は、所定の形状の擬似的異物を高精度に形
成し、正確に検出信号の校正又は散乱光の光強度の測定
を行うことができるような検査用基板を提供することを
目的とし、第２発明は、第１発明の検査用基板の製造方
法を提供することを目的とする。
り、第１発明は、所定の形状の擬似的異物を高精度に形
成し、正確に検出信号の校正又は散乱光の光強度の測定
を行うことができるような検査用基板を提供することを
目的とし、第２発明は、第１発明の検査用基板の製造方
法を提供することを目的とする。
本発明は、上記した目的を達成するためになされたもの
であり、第１発明は、被検査基板の表面での散乱光に基
づいて前記表面状態を検査する表面検査方法の実行前
に、前記散乱光の検出信号の校正又は強度測定に使用さ
れる検査用基板において、基板と、該基板の表面を覆う
ように設けられた第１遮光性膜と、該第１遮光性膜上に
設けられた第２遮光性膜から構成された擬似的異物パタ
ーンとを備え、前記第１遮光性膜は、前記第２遮光性膜
がエッチングによりパターン化される際、エッチング環
境の耐性を有する材料によって構成され、 前記擬似異物パターンは前記被検査基板表面上の異物に
相当する凸部又は前記被検査基板表面の欠陥に相当する
凹部を有することを特徴とする検査用基板である。
であり、第１発明は、被検査基板の表面での散乱光に基
づいて前記表面状態を検査する表面検査方法の実行前
に、前記散乱光の検出信号の校正又は強度測定に使用さ
れる検査用基板において、基板と、該基板の表面を覆う
ように設けられた第１遮光性膜と、該第１遮光性膜上に
設けられた第２遮光性膜から構成された擬似的異物パタ
ーンとを備え、前記第１遮光性膜は、前記第２遮光性膜
がエッチングによりパターン化される際、エッチング環
境の耐性を有する材料によって構成され、 前記擬似異物パターンは前記被検査基板表面上の異物に
相当する凸部又は前記被検査基板表面の欠陥に相当する
凹部を有することを特徴とする検査用基板である。
また、第２発明は、被検査基板の表面での散乱光に基づ
いて前記表面状態を検査する表面検査方法の実行前に、
前記散乱光の検出信号の校正又は強度測定に使用される
検査用基板の製造方法において、基板表面を覆う第１遮
光性膜上に形成した前記第２遮光性膜上に、レジストパ
ターンを形成する工程と、第１遮光膜をエッチングスト
ッパにし、該レジストパターンに沿って第２遮光性膜を
エッチングした後、残存レジストパターンを剥離するこ
とにより、第２遮光性膜からなる擬似的異物パターンを
形成する工程とを備え、 前記被検査基板表面上の異物に相当する凸部又は前記被
検査基板表面の欠陥に相当する凹部を有する擬似異物パ
ターンを形成することを特徴とする検査用基板の製造方
法である 〔作 用〕 本発明において、第１遮光性膜は第２遮光性膜がパター
ン化される際、エッチング環境に耐性を有する材料によ
って構成されているため、第２遮光性膜のエッチングの
際にオーバーエッチングが可能となり、特に高さ方向が
高精度に制御された所定形状の擬似的異物パターンを有
する検査用基板を得ることができる。
いて前記表面状態を検査する表面検査方法の実行前に、
前記散乱光の検出信号の校正又は強度測定に使用される
検査用基板の製造方法において、基板表面を覆う第１遮
光性膜上に形成した前記第２遮光性膜上に、レジストパ
ターンを形成する工程と、第１遮光膜をエッチングスト
ッパにし、該レジストパターンに沿って第２遮光性膜を
エッチングした後、残存レジストパターンを剥離するこ
とにより、第２遮光性膜からなる擬似的異物パターンを
形成する工程とを備え、 前記被検査基板表面上の異物に相当する凸部又は前記被
検査基板表面の欠陥に相当する凹部を有する擬似異物パ
ターンを形成することを特徴とする検査用基板の製造方
法である 〔作 用〕 本発明において、第１遮光性膜は第２遮光性膜がパター
ン化される際、エッチング環境に耐性を有する材料によ
って構成されているため、第２遮光性膜のエッチングの
際にオーバーエッチングが可能となり、特に高さ方向が
高精度に制御された所定形状の擬似的異物パターンを有
する検査用基板を得ることができる。
また、第２発明によれば、第１発明の検査用基板を容易
且つ正確に製造することができる。
且つ正確に製造することができる。
第１図に示すように、第１発明の実施例による検査用基
板13は、ソーダライムガラスからなる基板14と、基板14
の一方の主表面上に形成された第１遮光性膜15と、第１
遮光性膜15上に形成された凸状の第２遮光性膜からなる
パターン16とを備えている。
板13は、ソーダライムガラスからなる基板14と、基板14
の一方の主表面上に形成された第１遮光性膜15と、第１
遮光性膜15上に形成された凸状の第２遮光性膜からなる
パターン16とを備えている。
次に、検査用基板13の製造方法について第２図を用いて
説明する。
説明する。
まず、ソーダライムガラスを所定寸法（例;5×５×0.09
インチ）に加工し、このソーダライムガラスの両主表面
を研磨し、純水及びイソプロピルアルコール等により洗
浄し、乾燥してソーダライムガラスからなる基板14を得
る。次に、この基板14の一主表面上にスパツタリング法
によりチタンからなる第１遮光性膜15（膜厚:600Å）を
被着して形成し、続いて、第１遮光性膜15上にスパッタ
リング法によりクロムからなる第２遮光性膜17（膜厚:1
000Å）を被着して形成した後、第２遮光性膜17上にポ
ジ型フォトレジスト18（例；シップレー社製 MP−135
0,膜厚5000Å）をスピンコート法により塗布する（第２
図（ａ））。なお、チタンからなる第１遮光性膜15は、
クロムからなる第２遮光性膜17のエンチング手段では、
エッチングされない。すなわち、第１遮光性膜15は、第
２遮光性膜17のエッチングに耐性を有するエッチングス
トッパである。次に、所定のパターンを得るべく露光マ
スク19を通して、ポジ型フォトレジスト18の上方から遠
紫外光ないし紫外光20（波長:200〜450nm）を露光する
（第２図（ｂ））。次に、現像液（例;MP−1350専用デ
ィベロッパ）により所定時間（例;70秒）現像処理し
て、ポジ型フォトレジスト18の露光部分を除去し、未露
光部分からなるレジストパターン21を第２遮光性膜17上
に形成する（第２図（ｃ））。次に、第２遮光性膜17に
対応したエッチング液（例；硝酸第２セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸との混合水溶液）を用いて、第２遮光性
膜17が第１遮光性膜15に至るまでエッチングするのに用
する時間（いわゆるジャストエッチング時間，本例;40
秒）より若干長い所定時間（本例;50秒）エッチングし
て、第２遮光性膜からなるパターン16を第１遮光性膜15
上に形成する（第２図（ｄ））。この際、第２遮光性膜
17に対応したエッチング液によっては、第１遮光性膜15
は食刻されない。次に、レジストパターン21を剥離液
（例；熱濃硫酸90℃）により剥離した後、常温の硫酸中
に浸して温度を下げ、水，イソプロピルアルコール中で
超音波洗浄し、フレオン蒸気中で乾燥して、擬似的胃物
としての凸状の第２遮光性膜からなるパターン16を形成
した検査用基板13を製作する（第２図（ｅ））。
インチ）に加工し、このソーダライムガラスの両主表面
を研磨し、純水及びイソプロピルアルコール等により洗
浄し、乾燥してソーダライムガラスからなる基板14を得
る。次に、この基板14の一主表面上にスパツタリング法
によりチタンからなる第１遮光性膜15（膜厚:600Å）を
被着して形成し、続いて、第１遮光性膜15上にスパッタ
リング法によりクロムからなる第２遮光性膜17（膜厚:1
000Å）を被着して形成した後、第２遮光性膜17上にポ
ジ型フォトレジスト18（例；シップレー社製 MP−135
0,膜厚5000Å）をスピンコート法により塗布する（第２
図（ａ））。なお、チタンからなる第１遮光性膜15は、
クロムからなる第２遮光性膜17のエンチング手段では、
エッチングされない。すなわち、第１遮光性膜15は、第
２遮光性膜17のエッチングに耐性を有するエッチングス
トッパである。次に、所定のパターンを得るべく露光マ
スク19を通して、ポジ型フォトレジスト18の上方から遠
紫外光ないし紫外光20（波長:200〜450nm）を露光する
（第２図（ｂ））。次に、現像液（例;MP−1350専用デ
ィベロッパ）により所定時間（例;70秒）現像処理し
て、ポジ型フォトレジスト18の露光部分を除去し、未露
光部分からなるレジストパターン21を第２遮光性膜17上
に形成する（第２図（ｃ））。次に、第２遮光性膜17に
対応したエッチング液（例；硝酸第２セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸との混合水溶液）を用いて、第２遮光性
膜17が第１遮光性膜15に至るまでエッチングするのに用
する時間（いわゆるジャストエッチング時間，本例;40
秒）より若干長い所定時間（本例;50秒）エッチングし
て、第２遮光性膜からなるパターン16を第１遮光性膜15
上に形成する（第２図（ｄ））。この際、第２遮光性膜
17に対応したエッチング液によっては、第１遮光性膜15
は食刻されない。次に、レジストパターン21を剥離液
（例；熱濃硫酸90℃）により剥離した後、常温の硫酸中
に浸して温度を下げ、水，イソプロピルアルコール中で
超音波洗浄し、フレオン蒸気中で乾燥して、擬似的胃物
としての凸状の第２遮光性膜からなるパターン16を形成
した検査用基板13を製作する（第２図（ｅ））。
本実施例の製造方法による検査用基板13においては、第
１遮光性膜15は第２遮光性膜17のエッチングに耐性を有
するので、第２遮光性膜17のジャストエッチング時間、
及至そのジャストエッチング時間を若干越える時間エッ
チング（いわゆる、オーバーエッチング）処理を行なう
ことにより、第２遮光性膜17を第１遮光性膜15に至るま
で確実にエッチングすることができる。それ故、第２遮
光性膜17に対応したエッチング液の濃度や温度，及びエ
ッチング時間等のエッチング条件に関して、非常に厳密
な管理・制御を行わなくとも、所望の高さh1（第２図
（ｅ）参照。）を有する所定の形状の第２遮光性膜から
なるパターン16を高精度に形成して、検査用基至13を容
易に製作できる。なお、この所望の高さh1は第２遮光性
膜17の膜厚に、縦・横の各寸法は露光マスク19の遮光部
のそれにそれぞれ対応する。
１遮光性膜15は第２遮光性膜17のエッチングに耐性を有
するので、第２遮光性膜17のジャストエッチング時間、
及至そのジャストエッチング時間を若干越える時間エッ
チング（いわゆる、オーバーエッチング）処理を行なう
ことにより、第２遮光性膜17を第１遮光性膜15に至るま
で確実にエッチングすることができる。それ故、第２遮
光性膜17に対応したエッチング液の濃度や温度，及びエ
ッチング時間等のエッチング条件に関して、非常に厳密
な管理・制御を行わなくとも、所望の高さh1（第２図
（ｅ）参照。）を有する所定の形状の第２遮光性膜から
なるパターン16を高精度に形成して、検査用基至13を容
易に製作できる。なお、この所望の高さh1は第２遮光性
膜17の膜厚に、縦・横の各寸法は露光マスク19の遮光部
のそれにそれぞれ対応する。
なお、この検査用基板13は、前述した基板表面検査装置
の検出信号校正用基板として用いて好適であるが、その
他の用途に用いてもよいことは言うまでもない。
の検出信号校正用基板として用いて好適であるが、その
他の用途に用いてもよいことは言うまでもない。
本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。
上記実施例中で記した検査用基板13においては、基板14
の一主表面の全面に第１遮光性膜15を被着形成してある
が、必ずしもその一主表面の全面が第１遮光性膜15によ
って被覆されている必要はなく、例えば、全面を被覆し
たときに比べて、散乱光の光学的環境を損なわない範囲
であれば、第２遮光性膜からなるパターン16が形成され
ていないその一主表面の周縁部近傍領域の第１遮光性膜
15の部分のエッチング等の手段によって除去してもよ
い。また、そのように、第１遮光性膜15の部分を除去す
る際に、検査用基板を識別する為のマークとして第１遮
光性膜からなるパターンを残存させてもよい。
の一主表面の全面に第１遮光性膜15を被着形成してある
が、必ずしもその一主表面の全面が第１遮光性膜15によ
って被覆されている必要はなく、例えば、全面を被覆し
たときに比べて、散乱光の光学的環境を損なわない範囲
であれば、第２遮光性膜からなるパターン16が形成され
ていないその一主表面の周縁部近傍領域の第１遮光性膜
15の部分のエッチング等の手段によって除去してもよ
い。また、そのように、第１遮光性膜15の部分を除去す
る際に、検査用基板を識別する為のマークとして第１遮
光性膜からなるパターンを残存させてもよい。
検査用基板は、基板14の両主表面上にそれぞれ形成され
た第１遮光性膜15と、名第１遮光性膜15上にそれぞれ形
成された第２遮光性膜からなるパターン16とを備えてな
ってもよい。
た第１遮光性膜15と、名第１遮光性膜15上にそれぞれ形
成された第２遮光性膜からなるパターン16とを備えてな
ってもよい。
また、検査用基板は、上記実施例中に示したような凸状
の第２遮光性膜からなるパターン16を具備してなるもの
以外に、第３図（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２遮
光性膜17に包囲されることによって形成される、凹状の
第２遮光性膜からなるパターン16′を具備してなるもの
であってもよい。
の第２遮光性膜からなるパターン16を具備してなるもの
以外に、第３図（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２遮
光性膜17に包囲されることによって形成される、凹状の
第２遮光性膜からなるパターン16′を具備してなるもの
であってもよい。
また、第４図（ａ）及び（ｂ）に示すように、検査用基
板は、基板14上に被着形成された第１遮光性膜15上に、
凸状の第２遮光性膜からなるパターン16と、第２遮光性
膜17の部分17′に包囲されることによって形成される、
凹状の第２遮光性膜からなるパターン16′とを具備して
なるものであってもよい。この検査用基板を製作する為
には、例えば、先ず、凸状の第２遮光性膜からなるパタ
ーン16に対応した遮光パターンと第２遮光性膜17の部分
17′に対応した遮光パターンとを有する露光マスクを用
いてポジ型フォトレジストを露光・現像し、次に第２遮
光性膜17の部分をエッチングして第２遮光性膜からなる
パターン16を形成し、次にポジ型フォトレジストを剥離
する。次に、再びポジ型フォトレジストを塗布し、凹状
の第２遮光性膜からなるパターン16′に対応した部分以
外に遮光パターンを有する露光マスクを用いてポジ型フ
ォトレジストを露光・現象し、次に第２遮光性膜の部分
17′をエッチングして第２遮光性膜の部分17′に包囲さ
れることによって形成される凹状のパターン16′を形成
し、次にポジ型フォトレジストを剥離する。
板は、基板14上に被着形成された第１遮光性膜15上に、
凸状の第２遮光性膜からなるパターン16と、第２遮光性
膜17の部分17′に包囲されることによって形成される、
凹状の第２遮光性膜からなるパターン16′とを具備して
なるものであってもよい。この検査用基板を製作する為
には、例えば、先ず、凸状の第２遮光性膜からなるパタ
ーン16に対応した遮光パターンと第２遮光性膜17の部分
17′に対応した遮光パターンとを有する露光マスクを用
いてポジ型フォトレジストを露光・現像し、次に第２遮
光性膜17の部分をエッチングして第２遮光性膜からなる
パターン16を形成し、次にポジ型フォトレジストを剥離
する。次に、再びポジ型フォトレジストを塗布し、凹状
の第２遮光性膜からなるパターン16′に対応した部分以
外に遮光パターンを有する露光マスクを用いてポジ型フ
ォトレジストを露光・現象し、次に第２遮光性膜の部分
17′をエッチングして第２遮光性膜の部分17′に包囲さ
れることによって形成される凹状のパターン16′を形成
し、次にポジ型フォトレジストを剥離する。
また、検査用基板としては、チタンからなる第１遮光性
膜15上にチタン酸化物からなる反射防止膜を有し、その
反射防止膜上に凸状の第２遮光性膜からなるパターン16
を具備してなるものであってもよい。このような検査用
基板になれば、チタン酸化物からなる反射防止膜におい
てパターン16から露出した部分の検査用基板の表面反射
率が低下しているので、反射防止膜が露出した部分にレ
ーザ光が照射されて、基板表面検査装置の受光装置で発
生するノイズ信号強度が低下する。従って、このような
検査用基板によれば、基板表面検査装置の校正を行うこ
とができるのみならず、その基板表面検査装置において
所定の大きさの擬似的異物からの散乱光に対応して生じ
る検出信号強度を確認することが容易になる。
膜15上にチタン酸化物からなる反射防止膜を有し、その
反射防止膜上に凸状の第２遮光性膜からなるパターン16
を具備してなるものであってもよい。このような検査用
基板になれば、チタン酸化物からなる反射防止膜におい
てパターン16から露出した部分の検査用基板の表面反射
率が低下しているので、反射防止膜が露出した部分にレ
ーザ光が照射されて、基板表面検査装置の受光装置で発
生するノイズ信号強度が低下する。従って、このような
検査用基板によれば、基板表面検査装置の校正を行うこ
とができるのみならず、その基板表面検査装置において
所定の大きさの擬似的異物からの散乱光に対応して生じ
る検出信号強度を確認することが容易になる。
また、検査用基板としては、凸状の第２遮光性膜（クロ
ム膜）からなるパターン16上に、酸化クロムからなる反
射防止膜パターンを具備してなるものであってもよい。
ム膜）からなるパターン16上に、酸化クロムからなる反
射防止膜パターンを具備してなるものであってもよい。
また、検査用基板としては、第１遮光性膜15上に、第１
遮光性膜15のエッチングに耐性を有する第２遮光性膜か
らなるパターンと、そのパターン上に形成された第３の
遮光性膜からなるパターンとからなる擬似的異物として
のパターンを具備してなるものであってもよい。
遮光性膜15のエッチングに耐性を有する第２遮光性膜か
らなるパターンと、そのパターン上に形成された第３の
遮光性膜からなるパターンとからなる擬似的異物として
のパターンを具備してなるものであってもよい。
また、パターン16及び16′は、直方体，立方体，五角
柱，円柱状等の任意の形状及び寸法であってよい。
柱，円柱状等の任意の形状及び寸法であってよい。
上記実施例中では、基板14をソーダライムガラスから製
作したが、アルミノシリケートガラス，石英ガラス，セ
ラミック，アルミニウム，シリコン等の材料から製作し
てもよく、その寸法及び形状も必要に応じて適宜決定し
てよい。また、第１遮光性膜15はチタン、第２遮光性膜
17はクロムを成膜材料としてそれぞれ被着形成したが、
第２遮光性膜のエッチングに耐性を有する第１遮光性膜
と、第２遮光性膜との組合わせさえ図ればよく、その被
着形成される第１及び第２遮光性膜は、クロム，チタ
ン，アルミニウム，シリコン，タングステン，タンタ
ル，モリブデン等やこれらの酸化物，窒化物，ケイ化物
等の成膜材料からそれぞれ適宜選択して被着形成しても
よい。また、上記実例中に記した検査用基板13におい
て、チタンからなる第１遮光性膜15に代えて、酸化チタ
ン，窒化チタン又は炭化チタンからなる第１遮光性膜を
被着形成して、その第１遮光性膜の表面反射率をチタン
からなる第１遮光性膜15の表面反射率とは異なる値とす
ることができる。まら、チタンからなる第１遮光性膜15
に代えて、クロム，アルミニウム，シリコン，タングス
テン，タンタル又はモリブデン等からなる第１遮光性膜
を被着形成して、その第１遮光性膜の表面反射率をチタ
ンからなる第１遮光性膜15の表面反射率とは異なる値と
することもできる。このように、検査用基板13における
第１遮光性膜の表面反射率を第１遮光性膜の組成の違い
によって種々選択することができる為、被検査基板の表
面反射率と検査用基板13における第１遮光性膜の表面反
射率とを等しくし、被検査基板の表面反射率に対応して
基板表面検査装置を高精度に校正することができる。何
故ならば、被検査基板の表面反射率と検査用基板13にお
ける第１遮光性膜の表面反射率とが等しければ、被検査
基板における異物等の欠陥の存在しない表面部分にレー
ザ光が照射された場合と、第２遮光性膜からなるパター
ン16が存在しない検査用基板13の表面にレーザ光が照射
された場合とにおいて、基板表面検査装置で発生するノ
イズ信号強度が共に等しいからである。同様に、第３図
（ａ）及び（ｂ）に示したような、第２遮光性膜17に包
囲されることによって形成されるパターン16′を具備し
てなる検査用基板においても、第２遮光性膜の表面反射
率を必要に応じて選定して、基板表面検査装置を高精度
に校正することができる。また、第１及び第２遮光性膜
15及び17の膜厚はそれぞれ適宜決定されうる。また、基
板14の主表面上と第１遮光性膜15との間に、第１遮光性
膜15と異なる種類の遮光性膜等の薄膜を介在させてもよ
い。ところで、第１遮光性膜はクロム、第２遮光性膜は
チタンを成膜材料としてそれぞれ被着形成し、所定の工
程を経て検査査用基板を製作して、これを検出信号校正
用基板として用いて基板表面検査装置を校正すれば、特
に基板の主表面上にクロムからなる遮光性膜を被着形成
してなるフォトマスクブランク上に存在する異物等につ
いて表面検査が適確に行われる。
作したが、アルミノシリケートガラス，石英ガラス，セ
ラミック，アルミニウム，シリコン等の材料から製作し
てもよく、その寸法及び形状も必要に応じて適宜決定し
てよい。また、第１遮光性膜15はチタン、第２遮光性膜
17はクロムを成膜材料としてそれぞれ被着形成したが、
第２遮光性膜のエッチングに耐性を有する第１遮光性膜
と、第２遮光性膜との組合わせさえ図ればよく、その被
着形成される第１及び第２遮光性膜は、クロム，チタ
ン，アルミニウム，シリコン，タングステン，タンタ
ル，モリブデン等やこれらの酸化物，窒化物，ケイ化物
等の成膜材料からそれぞれ適宜選択して被着形成しても
よい。また、上記実例中に記した検査用基板13におい
て、チタンからなる第１遮光性膜15に代えて、酸化チタ
ン，窒化チタン又は炭化チタンからなる第１遮光性膜を
被着形成して、その第１遮光性膜の表面反射率をチタン
からなる第１遮光性膜15の表面反射率とは異なる値とす
ることができる。まら、チタンからなる第１遮光性膜15
に代えて、クロム，アルミニウム，シリコン，タングス
テン，タンタル又はモリブデン等からなる第１遮光性膜
を被着形成して、その第１遮光性膜の表面反射率をチタ
ンからなる第１遮光性膜15の表面反射率とは異なる値と
することもできる。このように、検査用基板13における
第１遮光性膜の表面反射率を第１遮光性膜の組成の違い
によって種々選択することができる為、被検査基板の表
面反射率と検査用基板13における第１遮光性膜の表面反
射率とを等しくし、被検査基板の表面反射率に対応して
基板表面検査装置を高精度に校正することができる。何
故ならば、被検査基板の表面反射率と検査用基板13にお
ける第１遮光性膜の表面反射率とが等しければ、被検査
基板における異物等の欠陥の存在しない表面部分にレー
ザ光が照射された場合と、第２遮光性膜からなるパター
ン16が存在しない検査用基板13の表面にレーザ光が照射
された場合とにおいて、基板表面検査装置で発生するノ
イズ信号強度が共に等しいからである。同様に、第３図
（ａ）及び（ｂ）に示したような、第２遮光性膜17に包
囲されることによって形成されるパターン16′を具備し
てなる検査用基板においても、第２遮光性膜の表面反射
率を必要に応じて選定して、基板表面検査装置を高精度
に校正することができる。また、第１及び第２遮光性膜
15及び17の膜厚はそれぞれ適宜決定されうる。また、基
板14の主表面上と第１遮光性膜15との間に、第１遮光性
膜15と異なる種類の遮光性膜等の薄膜を介在させてもよ
い。ところで、第１遮光性膜はクロム、第２遮光性膜は
チタンを成膜材料としてそれぞれ被着形成し、所定の工
程を経て検査査用基板を製作して、これを検出信号校正
用基板として用いて基板表面検査装置を校正すれば、特
に基板の主表面上にクロムからなる遮光性膜を被着形成
してなるフォトマスクブランク上に存在する異物等につ
いて表面検査が適確に行われる。
また、第１及び第２遮光性膜の被着形成方法としては、
スパッタリング法以外にCVD法や真空蒸着法やイオンプ
レーティング法等の成膜方法であってもよく、また、レ
ジストはポジ型フォトレジスト以外にネガ型フォトレジ
ストやポジ型あるいはネガ型電子線レジスト等のレジス
トであってもよく、レジストの塗布方法もロールコート
法等の塗布方法を採用してもよい。また、露光方法とし
てＸ線や電子線等による露光方法を採用してもよい。さ
らに、クロムからなる第２遮光性膜17に対応したエッチ
ング液として、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素
酸との混合水溶液を用いたが、第２遮光性膜の成膜材料
として別の成膜材料を選択した場合、その成膜材料に対
応したエッチング液を用いればよい。エッチング法とし
ては、上記実施例中で採用した湿式エッチング法の他
に、スパッタエッチング法やプラズマエッチング法等の
乾式エッチング法を採用してもよい。
スパッタリング法以外にCVD法や真空蒸着法やイオンプ
レーティング法等の成膜方法であってもよく、また、レ
ジストはポジ型フォトレジスト以外にネガ型フォトレジ
ストやポジ型あるいはネガ型電子線レジスト等のレジス
トであってもよく、レジストの塗布方法もロールコート
法等の塗布方法を採用してもよい。また、露光方法とし
てＸ線や電子線等による露光方法を採用してもよい。さ
らに、クロムからなる第２遮光性膜17に対応したエッチ
ング液として、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素
酸との混合水溶液を用いたが、第２遮光性膜の成膜材料
として別の成膜材料を選択した場合、その成膜材料に対
応したエッチング液を用いればよい。エッチング法とし
ては、上記実施例中で採用した湿式エッチング法の他
に、スパッタエッチング法やプラズマエッチング法等の
乾式エッチング法を採用してもよい。
第１発明によれば、第１遮光性膜は第２遮光性膜がパタ
ーン化される際、エッチング環境に耐性を有する材料に
よって構成されているため、特に高さ方向が高精度に制
御された所定の形状の擬似的異物パターンを形成するこ
とができる。その結果、正確な検出信号の校正又は強度
測定を行うことができる。
ーン化される際、エッチング環境に耐性を有する材料に
よって構成されているため、特に高さ方向が高精度に制
御された所定の形状の擬似的異物パターンを形成するこ
とができる。その結果、正確な検出信号の校正又は強度
測定を行うことができる。
また、第２発明によれば、第１遮光膜をエッチングスト
ッパとして第２遮光膜をエッチングによりパダーン化し
ているので、正確且つ的確な検査を行うことができるよ
うな検査用基板を容易に製造することができる。
ッパとして第２遮光膜をエッチングによりパダーン化し
ているので、正確且つ的確な検査を行うことができるよ
うな検査用基板を容易に製造することができる。
第１図は第１発明の実施例による検査用基板を示す斜視
図、第２図は第２発明の実施例による検査用基板の製造
方法の各工程を示す断面図、第３図及び第４図は第１発
明の前実施例の変形例による検査用基板を示す図で、第
３図（ａ）及び第４図（ａ）は斜視図，第３図（ｂ）及
び第４図（ｂ）は断面図、第５図は基板表面検査装置を
用いて被検査基板の表面検査を行う状態を示す図、第６
図（ａ）〜（ｅ）は従来の検査用基板としての検出信号
校正用基板の製造方法の各工程を示す断面図，同図
（ｆ）は従来の検査用基板を示す斜視図である。 13……検査用基板、14……基板、15……第１遮光性膜、
16,16′……第２遮光性膜からなるパターン、17……第
２遮光性膜、17′……第２遮光性膜の部分、18……ポジ
型フォトレジスト、19……露光マスク、20……遠紫外光
ないし紫外光、21……レジストパターン
図、第２図は第２発明の実施例による検査用基板の製造
方法の各工程を示す断面図、第３図及び第４図は第１発
明の前実施例の変形例による検査用基板を示す図で、第
３図（ａ）及び第４図（ａ）は斜視図，第３図（ｂ）及
び第４図（ｂ）は断面図、第５図は基板表面検査装置を
用いて被検査基板の表面検査を行う状態を示す図、第６
図（ａ）〜（ｅ）は従来の検査用基板としての検出信号
校正用基板の製造方法の各工程を示す断面図，同図
（ｆ）は従来の検査用基板を示す斜視図である。 13……検査用基板、14……基板、15……第１遮光性膜、
16,16′……第２遮光性膜からなるパターン、17……第
２遮光性膜、17′……第２遮光性膜の部分、18……ポジ
型フォトレジスト、19……露光マスク、20……遠紫外光
ないし紫外光、21……レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】被検査基板の表面での散乱光に基づいて前
記表面状態を検査する表面検査方法の実行前に、前記散
乱光の検出信号の、校正又は強度測定に使用される検査
用基板において、 基板と、該基板の表面を覆うように設けられた第１遮光
性膜と、該第１遮光性膜上に設けられた第２遮光性膜か
ら構成された擬似的異物パターンとを備え、 前記第１遮光性膜は、前記第２遮光性膜がエッチングに
よりパターン化される際、エッチング環境の耐性を有す
る材料によって構成され、 前記擬似異物パターンは前記被検査基板表面上の異物に
相当する凸部又は前記被検査基板表面の欠陥に相当する
凹部を有することを特徴とする検査用基板。 - 【請求項２】被検査基板の表面での散乱光に基づいて前
記表面状態を検査する表面検査方法の実行前に、前記散
乱光の検出信号の、校正又は強度測定に使用される検査
用基板の製造方法において、 基板表面を覆う第１遮光性膜上に形成した前記第２遮光
性膜上に、レジストパターンを形成する工程と、 第１遮光膜をエッチングストッパにし、該レジストパタ
ーンに沿って第２遮光性膜をエッチングした後、残存レ
ジストパターンを剥離することにより、第２遮光性膜か
らなる擬似的異物パターンを形成する工程とを備え、 前記被検査基板表面上の異物に相当する凸部又は前記被
検査基板表面の欠陥に相当する凹部を有する擬似異物パ
ターンを形成することを特徴とする検査用基板の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3332986 | 1986-02-18 | ||
| JP61-33329 | 1986-02-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282445A JPS62282445A (ja) | 1987-12-08 |
| JPH0682727B2 true JPH0682727B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=12383514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62020987A Expired - Lifetime JPH0682727B2 (ja) | 1986-02-18 | 1987-01-30 | 検査用基板とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4767660A (ja) |
| JP (1) | JPH0682727B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2556025B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1996-11-20 | 富士通株式会社 | ウエ−ハ表面検査装置較正方法 |
| US5004340A (en) * | 1988-04-27 | 1991-04-02 | Hewlett-Packard Company | Calibration target for surface analysis scanner systems |
| US5144524A (en) * | 1988-04-27 | 1992-09-01 | Hewlett-Packard Company | Light trap for blocking reflection and scattering of light |
| IT1248534B (it) * | 1991-06-24 | 1995-01-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Procedimento per la realizzazione di strutture di calibrazione particolarmente per la taratura di macchine di misura del disallineamento in circuiti integrati in genere. |
| US5259920A (en) * | 1991-12-31 | 1993-11-09 | At&T Bell Laboratories | Manufacturing method, including etch-rate monitoring |
| US5286608A (en) * | 1992-05-18 | 1994-02-15 | Industrial Technology Research Institute | TiOx as an anti-reflection coating for metal lithography |
| US5453830A (en) * | 1992-06-19 | 1995-09-26 | Vlsi Standards, Inc. | Spatially isolated diffractor on a calibration substrate for a pellicle inspection system |
| US5480748A (en) * | 1992-10-21 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development |
| US5611855A (en) * | 1995-01-31 | 1997-03-18 | Seh America, Inc. | Method for manufacturing a calibration wafer having a microdefect-free layer of a precisely predetermined depth |
| US7764857B2 (en) * | 2006-08-25 | 2010-07-27 | Adc Telecommunications, Inc. | Cable management system with twist latch |
| DE102017205212A1 (de) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Detektieren von Partikeln an der Oberfläche eines Objekts, Wafer und Maskenblank |
| RU2746674C1 (ru) * | 2020-08-24 | 2021-04-19 | Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина» | Способ визуально-оптического контроля поверхности |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516423A (en) * | 1978-07-22 | 1980-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of thick metal film pattern |
| JPS5942749B2 (ja) * | 1979-07-11 | 1984-10-17 | 株式会社東芝 | 多層膜のエツチング方法 |
| US4440841A (en) * | 1981-02-28 | 1984-04-03 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Photomask and photomask blank |
| JPS57151945A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hoya Corp | Photomask blank and its manufacture |
| US4512659A (en) * | 1983-08-10 | 1985-04-23 | Tencor Instruments | Apparatus for calibrating a surface scanner |
| JPH0669031B2 (ja) * | 1984-07-17 | 1994-08-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62020987A patent/JPH0682727B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-24 US US07/017,525 patent/US4767660A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4767660A (en) | 1988-08-30 |
| JPS62282445A (ja) | 1987-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |