JP2001269632A - 洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
洗浄方法および洗浄装置Info
- Publication number
- JP2001269632A JP2001269632A JP2000086927A JP2000086927A JP2001269632A JP 2001269632 A JP2001269632 A JP 2001269632A JP 2000086927 A JP2000086927 A JP 2000086927A JP 2000086927 A JP2000086927 A JP 2000086927A JP 2001269632 A JP2001269632 A JP 2001269632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- ultrasonic
- wafer
- cleaned
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄対象へ悪影響を与えることなく、室温で
の洗浄が可能な洗浄方法および洗浄装置を提供する。 【解決手段】 イソプロピルアルコールが３０〜９０ｗ
ｔ％、フッ化カリウムが０．１〜５ｗｔ％に調製された
超純水溶液４にウェハ５に浸し、周波数が０．９〜５Ｍ
Ｈｚ、強度が０．５〜５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射す
る。
の洗浄が可能な洗浄方法および洗浄装置を提供する。 【解決手段】 イソプロピルアルコールが３０〜９０ｗ
ｔ％、フッ化カリウムが０．１〜５ｗｔ％に調製された
超純水溶液４にウェハ５に浸し、周波数が０．９〜５Ｍ
Ｈｚ、強度が０．５〜５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は洗浄装置および洗浄
方法に関し、特に、半導体装置や液晶表示装置などのリ
ソグラフィー工程で用いられるフォトレジストなどの剥
離に適用して好適なものである。
方法に関し、特に、半導体装置や液晶表示装置などのリ
ソグラフィー工程で用いられるフォトレジストなどの剥
離に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置や液晶表示装置などの
製造工程では、半導体装置や液晶表示装置などの洗浄度
を保つため、多くの洗浄プロセスが用いられている。従
来の洗浄方法の代表例として、ＳＰＭ洗浄、ＳＣ−１洗
浄（ＡＰＭ洗浄とも言う）、ＳＣ−２洗浄（ＨＰＭ洗浄
とも言う）などがある。なお、ＳＣ−１洗浄およびＳＣ
−２洗浄は、ＲＣＡ洗浄と呼ばれる。
製造工程では、半導体装置や液晶表示装置などの洗浄度
を保つため、多くの洗浄プロセスが用いられている。従
来の洗浄方法の代表例として、ＳＰＭ洗浄、ＳＣ−１洗
浄（ＡＰＭ洗浄とも言う）、ＳＣ−２洗浄（ＨＰＭ洗浄
とも言う）などがある。なお、ＳＣ−１洗浄およびＳＣ
−２洗浄は、ＲＣＡ洗浄と呼ばれる。
【０００３】ここで、ＳＰＭ洗浄では、硫酸（Ｈ２ＳＯ
４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）とを４：１の割合で混合
した溶液が９５〜１２０℃で用いられる。ＳＣ−１洗浄
では、アンモニア（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ
２）と水（Ｈ２Ｏ）とを１：１：５〜１：２：７の割合
で混合した水溶液が７５〜８５℃で用いられる。ＳＣ−
２洗浄では、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）
と水（Ｈ２Ｏ）とを１：１：６〜１：２：８の割合で混
合した水溶液が７５〜８５℃で用いられる。
４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）とを４：１の割合で混合
した溶液が９５〜１２０℃で用いられる。ＳＣ−１洗浄
では、アンモニア（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ
２）と水（Ｈ２Ｏ）とを１：１：５〜１：２：７の割合
で混合した水溶液が７５〜８５℃で用いられる。ＳＣ−
２洗浄では、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）
と水（Ｈ２Ｏ）とを１：１：６〜１：２：８の割合で混
合した水溶液が７５〜８５℃で用いられる。
【０００４】また、半導体装置などの製造工程では、リ
ソグラフィー工程で形成されたレジストをマスクとして
エッチングまたはイオン注入を行った後、不要となった
レジストを除去するために、酸素プラズマアッシング技
術が用いられている。ここで、酸素プラズマアッシング
後の基板の洗浄には、ＳＰＭ洗浄、ＳＣ−１洗浄および
ＳＣ−２洗浄が連続して用いられる。
ソグラフィー工程で形成されたレジストをマスクとして
エッチングまたはイオン注入を行った後、不要となった
レジストを除去するために、酸素プラズマアッシング技
術が用いられている。ここで、酸素プラズマアッシング
後の基板の洗浄には、ＳＰＭ洗浄、ＳＣ−１洗浄および
ＳＣ−２洗浄が連続して用いられる。
【０００５】さらに、金属配線のレジスト除去工程や酸
素プラズマアッシング工程後のレジスト残渣を除去する
ために、アミン系の有機溶剤などを６０〜１００℃で使
用する洗浄が行われている。
素プラズマアッシング工程後のレジスト残渣を除去する
ために、アミン系の有機溶剤などを６０〜１００℃で使
用する洗浄が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄方法では、高温が必要とされる。このため、洗浄中
に薬液蒸気が発生し、クリーンルームの空調の負荷が大
きくなったり、多くの廃液処理が必要となったりすると
いう問題があった。
洗浄方法では、高温が必要とされる。このため、洗浄中
に薬液蒸気が発生し、クリーンルームの空調の負荷が大
きくなったり、多くの廃液処理が必要となったりすると
いう問題があった。
【０００７】また、タングステンや銅などの次世代の半
導体集積回路に用いられる材料によっては、従来のＳＰ
Ｍ洗浄やＲＣＡ洗浄を用いることができないという問題
があった。例えば、ＳＰＭ洗浄液やＲＣＡ洗浄液は酸化
還元電位が高く、タングステンや銅などは、これらの洗
浄液でエッチングされる。このため、ゲート電極にタン
グステンが使用されたり、配線に銅が使用されたりする
半導体集積回路では、従来の洗浄方法を用いることがで
きない。
導体集積回路に用いられる材料によっては、従来のＳＰ
Ｍ洗浄やＲＣＡ洗浄を用いることができないという問題
があった。例えば、ＳＰＭ洗浄液やＲＣＡ洗浄液は酸化
還元電位が高く、タングステンや銅などは、これらの洗
浄液でエッチングされる。このため、ゲート電極にタン
グステンが使用されたり、配線に銅が使用されたりする
半導体集積回路では、従来の洗浄方法を用いることがで
きない。
【０００８】さらに、アミン系の有機溶剤を使用した洗
浄では、アミンが超純水に溶解するとアルカリ性を示
し、金属配線を腐食させる。このため、従来の洗浄方法
では、アミン系の有機溶剤を使用した洗浄後に、イソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いたＩＰＡリンスを行
う必要があり、工程数が増加するという問題があった。
浄では、アミンが超純水に溶解するとアルカリ性を示
し、金属配線を腐食させる。このため、従来の洗浄方法
では、アミン系の有機溶剤を使用した洗浄後に、イソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いたＩＰＡリンスを行
う必要があり、工程数が増加するという問題があった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、洗浄対象へ悪影
響を与えることなく、室温での洗浄が可能な洗浄方法お
よび洗浄装置を提供することである。
響を与えることなく、室温での洗浄が可能な洗浄方法お
よび洗浄装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明によれば、周波数が０．９〜５ＭＨｚ、
強度が０．５〜５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射しつつ、イ
ソプロピルアルコールが３０〜９０ｗｔ％、フッ化カリ
ウムが０．１〜５ｗｔ％に調製された超純水溶液を洗浄
対象に接触させることを特徴とする。
ために、本発明によれば、周波数が０．９〜５ＭＨｚ、
強度が０．５〜５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射しつつ、イ
ソプロピルアルコールが３０〜９０ｗｔ％、フッ化カリ
ウムが０．１〜５ｗｔ％に調製された超純水溶液を洗浄
対象に接触させることを特徴とする。
【００１１】これにより、レジスト、微粒子、金属、有
機物などを室温で基板から剥離することが可能となり、
洗浄中の薬液蒸気の発生を抑制することが可能となるこ
とから、クリーンルームの空調の負荷を軽減することが
可能となる。また、本発明の洗浄方法では、基板などの
洗浄は、レジストや不純物などの剥離により行われ、レ
ジストや不純物が洗浄液に溶解することがない。このた
め、タングステンや銅などが洗浄液でエッチングされる
ことを防止することが可能となるとともに、洗浄液の劣
化を防止して、洗浄液の寿命を向上させることが可能と
なる。さらに、廃液処理の負担を軽減することが可能と
なり、洗浄液を再利用することが可能となる。さらに、
超音波照射の強度が弱いため、半導体基板上に形成され
た微細素子の形状破壊を防止することが可能となる。
機物などを室温で基板から剥離することが可能となり、
洗浄中の薬液蒸気の発生を抑制することが可能となるこ
とから、クリーンルームの空調の負荷を軽減することが
可能となる。また、本発明の洗浄方法では、基板などの
洗浄は、レジストや不純物などの剥離により行われ、レ
ジストや不純物が洗浄液に溶解することがない。このた
め、タングステンや銅などが洗浄液でエッチングされる
ことを防止することが可能となるとともに、洗浄液の劣
化を防止して、洗浄液の寿命を向上させることが可能と
なる。さらに、廃液処理の負担を軽減することが可能と
なり、洗浄液を再利用することが可能となる。さらに、
超音波照射の強度が弱いため、半導体基板上に形成され
た微細素子の形状破壊を防止することが可能となる。
【００１２】ここで、前記超音波は、前記洗浄対象に対
して垂直に照射されることが好ましい。
して垂直に照射されることが好ましい。
【００１３】これにより、半導体基板状に形成された微
細素子が横方向から揺さ振られることを防止することが
可能となり、半導体基板上に形成された微細素子が超音
波照射によって倒されることを防止することが可能とな
る。
細素子が横方向から揺さ振られることを防止することが
可能となり、半導体基板上に形成された微細素子が超音
波照射によって倒されることを防止することが可能とな
る。
【００１４】また、前記超純水溶液に溶解しているガス
を除去することが好ましい。
を除去することが好ましい。
【００１５】これにより、超音波振動で発生するマイク
ロキャビテーションを抑制することが可能となり、半導
体基板上に形成された微細素子の形状破壊を防止するこ
とが可能となる。
ロキャビテーションを抑制することが可能となり、半導
体基板上に形成された微細素子の形状破壊を防止するこ
とが可能となる。
【００１６】また、超音波振動体を前記洗浄対象の間に
配置し、前記超音波照射の方向と垂直な面内で前記洗浄
対象を回転させることが好ましい。
配置し、前記超音波照射の方向と垂直な面内で前記洗浄
対象を回転させることが好ましい。
【００１７】これにより、洗浄対象が大きなものであっ
ても、洗浄対象全体を均一に洗浄することが可能とな
り、超音波振動体にかかる負荷を軽減することが可能と
なる。
ても、洗浄対象全体を均一に洗浄することが可能とな
り、超音波振動体にかかる負荷を軽減することが可能と
なる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
洗浄装置および洗浄方法について図面を参照しながら説
明する。図１は、本発明の第１実施形態に係わる洗浄装
置の構成例を示す側面図である。図１において、外槽１
および内槽２の間には脱気純水３が入れられ、内槽２に
はＩＰＡ／ＫＦ溶液４が満たされている。ＩＰＡ／ＫＦ
溶液４にはウェハ５が所定間隔で浸され、ウェハ５の間
には超音波振動体６が設置される。超音波振動体６は超
音波振動体駆動装置７に接続され、超音波振動体駆動装
置７により駆動される。ここで、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４
は、脱気純水３により室温に維持される。
洗浄装置および洗浄方法について図面を参照しながら説
明する。図１は、本発明の第１実施形態に係わる洗浄装
置の構成例を示す側面図である。図１において、外槽１
および内槽２の間には脱気純水３が入れられ、内槽２に
はＩＰＡ／ＫＦ溶液４が満たされている。ＩＰＡ／ＫＦ
溶液４にはウェハ５が所定間隔で浸され、ウェハ５の間
には超音波振動体６が設置される。超音波振動体６は超
音波振動体駆動装置７に接続され、超音波振動体駆動装
置７により駆動される。ここで、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４
は、脱気純水３により室温に維持される。
【００１９】ＩＰＡ／ＫＦ溶液４は、イソプロピルアル
コールおよびフッ化カリウムを純水または超純水に混合
したものであり、イソプロピルアルコールの濃度は３０
〜９０ｗｔ％であることが好ましく、さらに好ましく
は、４０〜６０ｗｔ％である。ここで、イソプロピルア
ルコールは取り扱い性および安全性に優れ、高い洗浄効
果を得ることができる。また、フッ化カリウムの濃度は
０．１〜５ｗｔ％であることが好ましく、さらに好まし
くは、０．１〜３ｗｔ％である。ここで、フッ化カリウ
ムは、ＳｉＯ２膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのエッチ
ング速度が遅く、半導体装置や液晶用ガラス基板などの
洗浄に有効である。
コールおよびフッ化カリウムを純水または超純水に混合
したものであり、イソプロピルアルコールの濃度は３０
〜９０ｗｔ％であることが好ましく、さらに好ましく
は、４０〜６０ｗｔ％である。ここで、イソプロピルア
ルコールは取り扱い性および安全性に優れ、高い洗浄効
果を得ることができる。また、フッ化カリウムの濃度は
０．１〜５ｗｔ％であることが好ましく、さらに好まし
くは、０．１〜３ｗｔ％である。ここで、フッ化カリウ
ムは、ＳｉＯ２膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのエッチ
ング速度が遅く、半導体装置や液晶用ガラス基板などの
洗浄に有効である。
【００２０】また、超音波照射の周波数は０．９〜５Ｍ
Ｈｚであることが好ましく、さらに好ましくは、３〜５
ＭＨｚである。超音波照射の強度は０．５〜５Ｗ／ｃｍ
２であることが好ましく、さらに好ましくは、０．５〜
２Ｗ／ｃｍ２である。
Ｈｚであることが好ましく、さらに好ましくは、３〜５
ＭＨｚである。超音波照射の強度は０．５〜５Ｗ／ｃｍ
２であることが好ましく、さらに好ましくは、０．５〜
２Ｗ／ｃｍ２である。
【００２１】ウェハ５がＩＰＡ／ＫＦ溶液４に浸される
と、超音波振動体６から超音波が照射され、ウェハ５に
付着しているレジスト、微粒子、金属、有機物などが剥
離される。ここで、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４は、ウェハ５に
付着しているレジスト、微粒子、金属、有機物などを剥
離するだけで、タングステンや銅などの金属のエッチン
グはほとんど行わない。このため、半導体装置に形成さ
れた配線や素子などに影響を与えることなく、半導体装
置の洗浄を行うことができる。
と、超音波振動体６から超音波が照射され、ウェハ５に
付着しているレジスト、微粒子、金属、有機物などが剥
離される。ここで、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４は、ウェハ５に
付着しているレジスト、微粒子、金属、有機物などを剥
離するだけで、タングステンや銅などの金属のエッチン
グはほとんど行わない。このため、半導体装置に形成さ
れた配線や素子などに影響を与えることなく、半導体装
置の洗浄を行うことができる。
【００２２】ここで、ウェハ５の間に超音波振動体６を
設置することにより、ウェハ５の両面を同時に洗浄する
ことが可能となるとともに、ウェハ５に対して超音波を
垂直に照射することが可能となり、ウェハ５に形成され
た微細素子が倒されることを防止することができる。
設置することにより、ウェハ５の両面を同時に洗浄する
ことが可能となるとともに、ウェハ５に対して超音波を
垂直に照射することが可能となり、ウェハ５に形成され
た微細素子が倒されることを防止することができる。
【００２３】また、剥離されたレジスト、微粒子、金
属、有機物などはＩＰＡ／ＫＦ溶液４に溶解することは
ないため、洗浄中にＩＰＡ／ＫＦ溶液４が劣化すること
を防止することが可能となり、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４によ
る洗浄力の低下を防止することが可能となる。
属、有機物などはＩＰＡ／ＫＦ溶液４に溶解することは
ないため、洗浄中にＩＰＡ／ＫＦ溶液４が劣化すること
を防止することが可能となり、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４によ
る洗浄力の低下を防止することが可能となる。
【００２４】さらに、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４は脱気されて
いることが好ましく、これによりマイクロキャビテーシ
ョンを抑制することが可能となり、半導体基板上に形成
された微細素子の形状破壊を防止することが可能とな
る。
いることが好ましく、これによりマイクロキャビテーシ
ョンを抑制することが可能となり、半導体基板上に形成
された微細素子の形状破壊を防止することが可能とな
る。
【００２５】なお、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４で洗浄した後の
ウェハ５表面に残存するＫは、超純水リンスにより除去
することができる。また、ｐｐｍオーダーのオゾンが添
加された超純水やアノード電解イオン水を用いても、Ｋ
を有効に除去することができる。
ウェハ５表面に残存するＫは、超純水リンスにより除去
することができる。また、ｐｐｍオーダーのオゾンが添
加された超純水やアノード電解イオン水を用いても、Ｋ
を有効に除去することができる。
【００２６】また、超純水リンスにより排出される廃液
には、イソプロピルアルコールおよび極微量のフッ化カ
リウムが含有されるが、イソプロピルアルコールは微生
物分解性が高いことから、微生物処理などで容易に分解
することができる。また、フッ化カリウムはイオン交換
処理で除去することができる。
には、イソプロピルアルコールおよび極微量のフッ化カ
リウムが含有されるが、イソプロピルアルコールは微生
物分解性が高いことから、微生物処理などで容易に分解
することができる。また、フッ化カリウムはイオン交換
処理で除去することができる。
【００２７】なお、本明細書において「純水」とは、２
５℃換算電気抵抗率が１５．０ＭΩ・ｃｍ以上、ＴＯＣ
濃度５０ｐｐｂ以下、０．２μｍ以上の微粒子数が１０
個／ｍｌ以下の清浄度の高い水をいい、「超純水」と
は、２５℃換算電気抵抗率が１８．０ＭΩ・ｃｍ以上、
ＴＯＣ濃度が５ｐｐｂ以下、０．０５μｍ以上の微粒子
数が１０個／ｍｌ以下のさらに清浄度の高い水をいう。
５℃換算電気抵抗率が１５．０ＭΩ・ｃｍ以上、ＴＯＣ
濃度５０ｐｐｂ以下、０．２μｍ以上の微粒子数が１０
個／ｍｌ以下の清浄度の高い水をいい、「超純水」と
は、２５℃換算電気抵抗率が１８．０ＭΩ・ｃｍ以上、
ＴＯＣ濃度が５ｐｐｂ以下、０．０５μｍ以上の微粒子
数が１０個／ｍｌ以下のさらに清浄度の高い水をいう。
【００２８】本実施形態において、洗浄液に被洗浄物を
接触させる方法には特に制限はなく、被洗浄物表面のレ
ジストなどの付着状態や被洗浄物表面の性状等により適
宜選択することができる。例えば、被洗浄物を洗浄液に
浸漬してバッチ式の洗浄をしたり、被洗浄物を１枚ずつ
洗浄する枚葉式の洗浄を行うことができる。枚葉式の洗
浄例としては、被洗浄物を回転させつつ、洗浄液を流し
かけるスピン洗浄法を挙げることができる。
接触させる方法には特に制限はなく、被洗浄物表面のレ
ジストなどの付着状態や被洗浄物表面の性状等により適
宜選択することができる。例えば、被洗浄物を洗浄液に
浸漬してバッチ式の洗浄をしたり、被洗浄物を１枚ずつ
洗浄する枚葉式の洗浄を行うことができる。枚葉式の洗
浄例としては、被洗浄物を回転させつつ、洗浄液を流し
かけるスピン洗浄法を挙げることができる。
【００２９】前記洗浄液に超音波による振動を付与しつ
つ洗浄するには、例えば、振動子が取り付けられた洗浄
槽内に供給した洗浄液に、被洗浄物を浸漬した状態で超
音波を照射する方法、洗浄液を被洗浄物にノズル等から
供給しながら供給液に超音波振動を付与して洗浄する方
法等が用いられる。洗浄液を被洗浄物にノズル等から供
給しながら供給液に超音波振動を付与して洗浄する後者
の方法の場合には、振動子を内蔵する洗浄液噴射ノズル
より超音波を照射する方法、あるいは、振動子を内蔵し
たバー型の音波トランスミッタ、もしくは振動子を石英
ロッドに取りつけた音波トランスミッタより超音波を照
射する方法等を採用することができる。
つ洗浄するには、例えば、振動子が取り付けられた洗浄
槽内に供給した洗浄液に、被洗浄物を浸漬した状態で超
音波を照射する方法、洗浄液を被洗浄物にノズル等から
供給しながら供給液に超音波振動を付与して洗浄する方
法等が用いられる。洗浄液を被洗浄物にノズル等から供
給しながら供給液に超音波振動を付与して洗浄する後者
の方法の場合には、振動子を内蔵する洗浄液噴射ノズル
より超音波を照射する方法、あるいは、振動子を内蔵し
たバー型の音波トランスミッタ、もしくは振動子を石英
ロッドに取りつけた音波トランスミッタより超音波を照
射する方法等を採用することができる。
【００３０】また、ウェハ５の洗浄を行う場合、ウェハ
５を回転させたり、ウェハ５または超音波振動体６を揺
動させたりしながら、超音波照射を行うようにしてもよ
い。
５を回転させたり、ウェハ５または超音波振動体６を揺
動させたりしながら、超音波照射を行うようにしてもよ
い。
【００３１】図２（ａ）は、超音波照射中にウェハ５を
回転させる方法を示す図、図２（ｂ）は、超音波照射中
に超音波振動体６を揺動させる方法を示す図である。
回転させる方法を示す図、図２（ｂ）は、超音波照射中
に超音波振動体６を揺動させる方法を示す図である。
【００３２】図２（ａ）において、ウェハ５の外周がロ
ーラ１３ａ〜１３ｃで保持されている。そして、ローラ
１３ａ〜１３ｃを回転させ、ローラ１３ａ〜１３ｃの駆
動力をウェハ５に伝えることにより、ウェハ５を回転さ
せることができる。
ーラ１３ａ〜１３ｃで保持されている。そして、ローラ
１３ａ〜１３ｃを回転させ、ローラ１３ａ〜１３ｃの駆
動力をウェハ５に伝えることにより、ウェハ５を回転さ
せることができる。
【００３３】図２（ｂ）において、超音波振動体６は上
下左右に移動可能となっており、超音波振動体６をウェ
ハ５に対して上下左右にスキャンさせることができる。
下左右に移動可能となっており、超音波振動体６をウェ
ハ５に対して上下左右にスキャンさせることができる。
【００３４】このように、ウェハ５を回転させたり、超
音波振動体６を揺動させたりすることにより、超音波振
動体６の超音波出力を下げた場合においても、ウェハ５
全面に超音波照射を行うことが可能となるとともに、ウ
ェハ５に対して垂直に超音波照射を行うことが可能とな
る。
音波振動体６を揺動させたりすることにより、超音波振
動体６の超音波出力を下げた場合においても、ウェハ５
全面に超音波照射を行うことが可能となるとともに、ウ
ェハ５に対して垂直に超音波照射を行うことが可能とな
る。
【００３５】図３は、本発明の第２実施形態に係わる洗
浄装置の構成例を示す側面図である。図３において、こ
の第２実施形態では、図１の構成に加え、ポンプ２１お
よびフィルタ２２が設けられ、ウェハ５の洗浄に用いら
れたＩＰＡ／ＫＦ溶液４は、ポンプ２１によりフィルタ
２２に送られる。フィルタ２２は、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４
に含まれるレジストなどの残渣を濾過し、濾過後のＩＰ
Ａ／ＫＦ溶液４を内槽２の戻す。ウェハ５の洗浄に用い
られたＩＰＡ／ＫＦ溶液４をフィルタ２２に通すことに
より、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４を容易に再生することが可能
となり、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４の再利用が可能となる。ま
た、ウェハ５の洗浄中にＩＰＡ／ＫＦ溶液４をフィルタ
２２に通すことにより、ウェハ５から剥離したレジスト
などの残渣がウェハ５に再付着することを防止すること
が可能となり、ウェハ５の洗浄度を向上させることが可
能となる。
浄装置の構成例を示す側面図である。図３において、こ
の第２実施形態では、図１の構成に加え、ポンプ２１お
よびフィルタ２２が設けられ、ウェハ５の洗浄に用いら
れたＩＰＡ／ＫＦ溶液４は、ポンプ２１によりフィルタ
２２に送られる。フィルタ２２は、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４
に含まれるレジストなどの残渣を濾過し、濾過後のＩＰ
Ａ／ＫＦ溶液４を内槽２の戻す。ウェハ５の洗浄に用い
られたＩＰＡ／ＫＦ溶液４をフィルタ２２に通すことに
より、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４を容易に再生することが可能
となり、ＩＰＡ／ＫＦ溶液４の再利用が可能となる。ま
た、ウェハ５の洗浄中にＩＰＡ／ＫＦ溶液４をフィルタ
２２に通すことにより、ウェハ５から剥離したレジスト
などの残渣がウェハ５に再付着することを防止すること
が可能となり、ウェハ５の洗浄度を向上させることが可
能となる。
【００３６】以下、本発明の実施例に係わる実験結果に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３７】実施例１として、レジストを塗布した後、
ドーズ量が５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のＡｓのイ
オン注入を行った２５ｍｍ２の面積の基板を、イソプロ
ピルアルコール：フッ化カリウム：超純水＝６０：２：
３８に調製された水溶液に浸し、周波数が０．９５ＭＨ
ｚ、強度が０．５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射しつつ室温
で洗浄を行った。
ドーズ量が５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のＡｓのイ
オン注入を行った２５ｍｍ２の面積の基板を、イソプロ
ピルアルコール：フッ化カリウム：超純水＝６０：２：
３８に調製された水溶液に浸し、周波数が０．９５ＭＨ
ｚ、強度が０．５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射しつつ室温
で洗浄を行った。
【００３８】比較例１として、実施例１と同一の洗浄対
象に対し、ＳＰＭ洗浄を８０℃で行った。
象に対し、ＳＰＭ洗浄を８０℃で行った。
【００３９】比較例２として、実施例１と同一の洗浄対
象に対し、ＳＣ−１洗浄を８０℃で行った。
象に対し、ＳＣ−１洗浄を８０℃で行った。
【００４０】比較例３として、実施例１の超音波照射の
強度を５Ｗ／ｃｍ２に変更して洗浄を行った。それ以外
の条件は、実施例１と同じである。
強度を５Ｗ／ｃｍ２に変更して洗浄を行った。それ以外
の条件は、実施例１と同じである。
【００４１】以上の各洗浄方法について、レジストの剥
離時間を調べた。
離時間を調べた。
【００４２】表１は、本発明の実施例に係わる実験結果
を示す表である。
を示す表である。
【００４３】
【表１】 表１において、実施例１の方法では、ＳＰＭ洗浄やＳＣ
−１洗浄よりも洗浄時間が短い。また、実施例１の方法
は、比較例３の方法よりも洗浄時間が短い。この結果、
超音波照射の強度は、あまり強過ぎると、却って逆効果
であることがわかる。
−１洗浄よりも洗浄時間が短い。また、実施例１の方法
は、比較例３の方法よりも洗浄時間が短い。この結果、
超音波照射の強度は、あまり強過ぎると、却って逆効果
であることがわかる。
【００４４】次に、実施例１の洗浄方法のタングステン
膜への影響を調べた。比較例４として、ＮＨ４ＯＨ１％
水溶液を８０℃で用いた。また、上述した比較例２、３
についても調べた。
膜への影響を調べた。比較例４として、ＮＨ４ＯＨ１％
水溶液を８０℃で用いた。また、上述した比較例２、３
についても調べた。
【００４５】以上の各洗浄方法について、タングステン
膜が形成された基板を各溶液に３０分間浸漬し、シート
抵抗値を調べた。
膜が形成された基板を各溶液に３０分間浸漬し、シート
抵抗値を調べた。
【００４６】表２は、本発明の実施例に係わる実験結果
を示す表である。
を示す表である。
【００４７】
【表２】 表２において、ＳＣ−１洗浄では、タングステン膜のエ
ッチング速度が速く、タングステン膜が形成された基板
には使用できないことがわかる。実施例１の洗浄方法で
は、タングステン膜のエッチング速度が遅く、タングス
テン膜が形成された基板にも使用できるわかった。ま
た、実施例１の方法は、比較例３の方法よりもエッチン
グ速度が遅く、超音波照射の強度を５Ｗ／ｃｍ２より小
さくすることにより、タングステン膜への影響を軽減す
ることができる。
ッチング速度が速く、タングステン膜が形成された基板
には使用できないことがわかる。実施例１の洗浄方法で
は、タングステン膜のエッチング速度が遅く、タングス
テン膜が形成された基板にも使用できるわかった。ま
た、実施例１の方法は、比較例３の方法よりもエッチン
グ速度が遅く、超音波照射の強度を５Ｗ／ｃｍ２より小
さくすることにより、タングステン膜への影響を軽減す
ることができる。
【００４８】次に、実施例１の洗浄方法の銅膜への影響
を調べた。比較例５、６として、剥離液Ａ，Ｂを８０℃
で用いた。また、上述した比較例２、３、４についても
調べた。
を調べた。比較例５、６として、剥離液Ａ，Ｂを８０℃
で用いた。また、上述した比較例２、３、４についても
調べた。
【００４９】以上の各洗浄方法について、銅膜が形成さ
れた基板を各溶液に３０分間浸漬し、シート抵抗値を調
べた。
れた基板を各溶液に３０分間浸漬し、シート抵抗値を調
べた。
【００５０】表３は、本発明の実施例に係わる実験結果
を示す表である。
を示す表である。
【００５１】
【表３】 表３において、ＳＣ−１洗浄、ＮＨ４ＯＨ１％水溶液を
用いた洗浄、剥離液Ａ，Ｂを用いた洗浄のいずれにおい
ても、銅膜のエッチング速度が速く、銅膜が形成された
基板には使用できないことがわかる。実施例１の洗浄方
法では、銅膜のエッチング速度が遅く、銅膜が形成され
た基板にも使用できるわかった。また、実施例１の方法
は、比較例３の方法よりもエッチング速度が遅く、超音
波照射の強度を５Ｗ／ｃｍ２より小さくすることによ
り、銅膜への影響を軽減することができる。
用いた洗浄、剥離液Ａ，Ｂを用いた洗浄のいずれにおい
ても、銅膜のエッチング速度が速く、銅膜が形成された
基板には使用できないことがわかる。実施例１の洗浄方
法では、銅膜のエッチング速度が遅く、銅膜が形成され
た基板にも使用できるわかった。また、実施例１の方法
は、比較例３の方法よりもエッチング速度が遅く、超音
波照射の強度を５Ｗ／ｃｍ２より小さくすることによ
り、銅膜への影響を軽減することができる。
【００５２】なお、実施例１の洗浄方法では、Ａｌに対
するエッチング速度も１０Å／分以下であり、Ａｌ配線
が形成された基板においても使用可能である。
するエッチング速度も１０Å／分以下であり、Ａｌ配線
が形成された基板においても使用可能である。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
室温で洗浄を行うことが可能となり、クリーンルームの
空調の負荷を軽減することが可能となるとともに、タン
グステンや銅などの金属配線が洗浄液でエッチングされ
ることを防止することが可能となる。また、洗浄液の劣
化を防止して、洗浄液の寿命を向上させることが可能と
なるとともに、廃液処理の負担を軽減することが可能と
なり、洗浄液を再利用することが可能となる。さらに、
半導体基板上に形成された微細素子の形状破壊を防止す
ることが可能となるとともに、洗浄工程の削減が可能と
なる。
室温で洗浄を行うことが可能となり、クリーンルームの
空調の負荷を軽減することが可能となるとともに、タン
グステンや銅などの金属配線が洗浄液でエッチングされ
ることを防止することが可能となる。また、洗浄液の劣
化を防止して、洗浄液の寿命を向上させることが可能と
なるとともに、廃液処理の負担を軽減することが可能と
なり、洗浄液を再利用することが可能となる。さらに、
半導体基板上に形成された微細素子の形状破壊を防止す
ることが可能となるとともに、洗浄工程の削減が可能と
なる。
【図１】本発明の第１実施形態に係わる洗浄装置の構成
例を示す側面図である。
例を示す側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係わる超音波照射方法を示
す正面図である。
す正面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係わる洗浄装置の構成
例を示す側面図である。
例を示す側面図である。
１ 外槽 ２ 内槽 ３ 脱気純水 ４ ＩＰＡ／ＫＦ溶液 ５、１１ ウェハ ６、１２ 超音波振動体 ７ 超音波振動体駆動装置 １３ａ〜１３ｃ ローラ ２１ ポンプ ２２ フィルタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA02 LA03 3B201 AA03 AB01 AB34 AB38 AB42 BB05 BB82 BB85 BB92 BB93 CB01 CC01 CC21 4H003 BA12 DA15 DC04 EA05 ED02 ED28 FA15 5F046 MA02 MA07
Claims (5)
- 【請求項１】 周波数が０．９〜５ＭＨｚ、強度が０．
５〜５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射しつつ、イソプロピル
アルコールが３０〜９０ｗｔ％、フッ化カリウムが０．
１〜５ｗｔ％に調製された超純水溶液を洗浄対象に接触
させることを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 前記超音波は、前記洗浄対象に対して垂
直に照射されることを特徴とする請求項１記載の洗浄方
法。 - 【請求項３】 前記超純水溶液に溶解しているガスが除
去されることを特徴とする請求項１または２記載の洗浄
方法。 - 【請求項４】 イソプロピルアルコールが３０〜９０ｗ
ｔ％、フッ化カリウムが０．１〜５ｗｔ％に調製された
超純水溶液を洗浄対象に接触させる接触手段と、 前記洗浄対象に周波数が０．９〜５ＭＨｚ、強度が０．
５〜５Ｗ／ｃｍ２の超音波を照射する超音波照射手段と
を備えることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項５】 超音波振動体を前記洗浄対象の間に設置
する超音波振動体設置手段と、 前記超音波照射の方向と垂直な面内で前記洗浄対象を回
転させる回転手段とを備えることを特徴とする請求項４
記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000086927A JP2001269632A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000086927A JP2001269632A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001269632A true JP2001269632A (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18603021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000086927A Withdrawn JP2001269632A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001269632A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004092320A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Asahi Denka Co., Ltd. | アルカリ現像装置用洗浄剤組成物 |
| JP2008166426A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Siltronic Ag | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| CN102179390A (zh) * | 2010-11-25 | 2011-09-14 | 西安北方捷瑞光电科技有限公司 | 一种超光滑表面清洗方法 |
| JP2013202597A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 原子力用多孔板の洗浄装置 |
| CN113985712A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led芯片的常温去胶方法 |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000086927A patent/JP2001269632A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004092320A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Asahi Denka Co., Ltd. | アルカリ現像装置用洗浄剤組成物 |
| CN1296470C (zh) * | 2003-04-11 | 2007-01-24 | 株式会社Adeka | 碱显影装置用洗涤剂组合物 |
| JP2008166426A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Siltronic Ag | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| CN102179390A (zh) * | 2010-11-25 | 2011-09-14 | 西安北方捷瑞光电科技有限公司 | 一种超光滑表面清洗方法 |
| JP2013202597A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 原子力用多孔板の洗浄装置 |
| US9463494B2 (en) | 2012-03-29 | 2016-10-11 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Cleaning device of porous plate for nuclear power |
| CN113985712A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led芯片的常温去胶方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3690619B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| KR101463997B1 (ko) | 기판의 세정 방법 및 세정 장치 | |
| US6743301B2 (en) | Substrate treatment process and apparatus | |
| JP3940742B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH08187474A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2001205204A (ja) | 電子部品部材類洗浄用洗浄液の製造装置 | |
| US20120012134A1 (en) | Method for cleaning electronic material and device for cleaning electronic material | |
| JP2001015474A (ja) | 半導体ウエハの超音波洗浄用脱イオン水の脱ガス処理方法及びそのための装置 | |
| JPH10298589A (ja) | 洗浄液及び洗浄方法 | |
| JP2007150164A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP3296405B2 (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP2002261062A (ja) | 半導体ウェハ上の粒子を除去する方法及び装置 | |
| JPH04146616A (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
| JP3535820B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH10116809A (ja) | 洗浄方法及び洗浄システム | |
| JP4482844B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
| JP2001269632A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2005150768A (ja) | 洗浄方法および電子部品の洗浄方法 | |
| JP2004296463A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2006073747A (ja) | 半導体ウェーハの処理方法およびその装置 | |
| CN110416060B (zh) | 用于清洗半导体晶片的方法和设备 | |
| JP2000288495A (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH1129795A (ja) | 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法 | |
| JP2002001243A (ja) | 電子材料の洗浄方法 | |
| JP2001054768A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |