CN101345189A - 基板的清洗方法和清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板的清洗方法和清洗装置。本发明提供一种不损伤基板上的微细图形、效率高的基板的清洗方法。该方法是一种通过批量式浸渍处理方式进行的基板(6)的清洗方法，具备：将单片或多片基板(6)作为一批，将一批基板(6)浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，其中超声波清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。

Description

基板的清洗方法和清洗装置
技术领域
本发明涉及基板的清洗，更具体地说，涉及除去附着在半导体基板、液晶基板、磁盘基板或光掩模等基板的表面上的污染物的清洗方法和清洗装置。
背景技术
作为除去半导体基板上的微粒的技术，现有技术中存在利用超声波或双流体喷射等物理力的清洗方法(参见特开2001-345301号公报(专利文献1))。尽管任何一种都是清洗效果高的优异的清洗方法，但是存在异物除去和微细图形损伤连动的问题。即，存在清洗效果越高，微细图形的损伤越大的问题。因此，为了防止微细图形的损伤，必须减弱清洗力，不能获得充分的异物除去效果。此外，由于是单片处理方式，因此双流体喷射存在不能应用于浸渍式清洗的问题。
图8中示出了作为现有技术的半导体基板的清洗装置的例子，利用批量式浸渍处理方式的清洗装置的结构。该装置是将例如最大25片或50片半导体基板作为一批，可以一次处理的装置，作为基本结构，具有湿刻蚀液处理槽(药液处理槽4)、水洗槽25和干燥处理部9，并具备运送基板的自动装置(图中未示出)。
在湿刻蚀液处理槽(药液处理槽4)中具备超声波振动器8(振动板)，此外，一般还具备具有粒子除去过滤器、温度调节器和泵等的湿刻蚀液循环的系统(图中未示出)。在图8所示的例子中，水洗槽中具备超声波振动器8(振动板)。在湿刻蚀液处理槽(药液处理槽4)等中具备的超声波振动器8其频率为500kHz以上，通常，使用为750～950kHz范围内的频率。此外，超声波的输出功率一般在0.3～3W/cm2范围内。
基板6的清洗方法，首先，将一批基板6浸渍在加入了氨、过氧化氢和水的混合液(APM)等的湿刻蚀液的湿刻蚀液处理槽(药液处理槽4)中。浸渍中，利用超声波振动器8照射基板6。然后，将基板6浸渍在供给纯水的水洗槽25中，同时向基板照射超声波。水洗中使用的纯水通常是通过脱气处理而几乎不含溶解气体的超纯水、或含有少量氮气的超纯水，温度一般与洁净室温度相同，为23℃左右。水洗所希望的时间之后，将基板6移动到干燥处理部9，对基板6进行干燥并结束一系列的清洗处理。
发明内容
但是，在现有的清洗装置中，在利用湿刻蚀液的处理中，或者利用水洗中的超声波照射，容易损伤基板上形成的微细图形。因而，实际上，在清洗形成有微细图形的基板的情况下，由于不可以用充分的超声波进行照射，因此粒子除去效果极端低下。此外，尽管通过控制超声波的输出功率尝试着不损伤基板上的微细图形，但是直到没有损伤的状态时的超声波输出功率很低，达到没有超声波照射的程度，粒子除去能力降低。因此，不能兼顾避免微细图形的损伤和粒子除去效率的提高，导致成品率降低。
本发明的课题是提供一种不损伤基板上的微细图形、效率高的基板清洗方法。此外，还提供一种实施该方法的基板清洗装置。
根据本发明的实施方式，提供一种基板的清洗方法，其通过批量式浸渍处理方式进行，其具备：将单片或多片基板作为一批，将一批基板浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，在超声波清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。
根据本发明的其它实施方式，提供一种基板的清洗方法，通过单片处理方式进行，其具备：在单片基板上旋涂湿刻蚀液的工序；在基板上旋涂清洗水的工序；和干燥工序，在旋涂清洗水的工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，在旋涂之前向清洗水施加超声波，超声波的频率为1MHz以上，超声波的输出功率为10W以下。
根据本实施方式，可以防止微细图形的损伤，并且可以以高效率进行清洗。
本发明的上述和其它目的、特征、局面和优点通过下面参照附图对本发明的详细说明会更清楚。
附图说明
图1是表示本发明使用的清洗水的调制方法的示意图。
图2是表示本发明中使用的清洗水的溶解氢饱和度对微粒除去率和图形损伤数量的影响的图。
图3是表示根据本发明的超声波的输出功率对微粒除去率和图形损伤数量的影响的图。
图4是表示根据本发明的清洗水的液温对微粒除去率和图形损伤数量的影响的图。
图5是表示根据本发明的批量式浸渍处理方式的基板的清洗装置的结构图。
图6是表示根据本发明的批量式浸渍处理方式的基板的清洗装置的另一实施方式的图。
图7是表示根据本发明的单片处理方式的基板的清洗装置的结构图。
图8是表示根据现有的批量式浸渍处理方式的清洗装置的结构图。
具体实施方式
(基板的清洗方法)
本发明的基板的清洗方法，在利用批量式浸渍处理方式时，超声波清洗是使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水进行的，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。相对于大气压下的溶解气体的饱和浓度的比例，在达到溶解气体的饱和度时，使用溶解气体的饱和度为60％以上的清洗水进行超声波清洗，通过使照射的超声波的频率和输出功率最佳化，可以达到抑制损伤基板上形成的微细图形和提高清洗效率这两个效果。因而，根据本发明的清洗方法，例如，有效地清洗具有线宽为0.5μm以下的微细图形的半导体基板，可以防止微细图形的破坏。利用批量式浸渍处理方式的基板的清洗方法是一种具备以下工序的清洗方法：将单片或多片基板作为一批，将一批基板浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序和干燥工序。
以往，为了在清洗中尽量不氧化构成半导体基板的硅，而使用对清洗水进行脱气处理的超纯水，但是如果清洗水中的溶解气体少，则通过超声波照射对微细图形的损伤大。考虑到抑制微细图形的损伤这一点，本发明中使用的清洗水的溶解气体的饱和度优选为60％以上，更优选为70％以上，特别优选为80％以上。
由于超声波的频率越低，越容易损伤被清洗物表面，因此在微细加工基板的清洗中，希望超声波的频率为500kHz以上，更希望为750kHz以上。此外，考虑到提高异物除去效率，超声波的输出功率优选为0.02W/cm2以上，更优选为0.05W/cm2以上。另一方面，考虑到抑制图形的损伤这一点，优选为0.5W/cm2以下，更优选为0.2W/cm2以下。如果低于0.02W/cm2，也可以抑制损伤，但是容易使异物除去效率降低。另一方面，如果超过0.5W/cm2，则可以获得非常高的异物除去效果，但是也容易损伤图形。
本发明的基板的清洗方法，在利用单片处理方式时，在清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，在旋涂之前向清洗水施加超声波，超声波的频率为1MHz以上超声波的输出功率为10W以下。通过使用溶解气体的饱和度为60％以上的清洗水，使超声波的频率和输出功率最佳化，可以抑制基板上的微细图形的损伤，并且可以提高清洗效率。因而，根据本发明的清洗方法，例如，可以有效地清洗具有线宽为0.5μm以下的微细图形的半导体基板，可以防止微细图形的破坏。利用单片处理方式的基板的清洗方法，具备向一片基板旋涂湿刻蚀液的工序、在基板上旋涂清洗水的工序和干燥工序。
考虑到抑制微细图形的损伤这一点，清洗水的溶解气体的饱和度优选为60％以上，更优选为70％以上，特别优选为80％以上。此外，由于超声波的频率越低，越容易损伤被清洗物的表面，因此在微细加工基板的清洗中，希望超声波的频率为1MHz以上，更希望为1.5MHz以上。此外，考虑到抑制图形损伤这一点，旋涂之前施加于清洗水的超声波的输出功率优选为10W以下，更优选为5W以下。
下面介绍批量式浸渍处理方式和单片处理方式中的共同点。从抑制微细图形的损伤方面考虑，清洗水的温度优选为30℃以上，更优选为40℃以上。另一方面，尽管增高水温不会使异物的除去效率降低，但是，由于高温时，微细图形的破坏倾向增大，因此水温优选为90℃以下，更优选为80℃以下。加温的方法不特别限制，可以在供给氢等溶解气体之后加温，也可以在加温之后供给溶解气体。即使在任何一种方法中，由于氢气的饱和溶解度相对于水温是不同的，因此考虑到设定温度时的溶解氢的饱和浓度，希望调整氢气的供给量。此外，在基板上的微细图形比较坚固的情况下，通过将超声波输出功率设定为高值，可以获得高的异物除去效果，并且水温不必特别高。与此相对，在加工有极脆弱图形的基板的清洗中，希望将超声波输出功率设定为低值，将水温设定为高温。
超声波清洗机理考虑到通过超声波的能量在液体中形成气穴(微小气泡)，并通过微小气泡消失时的局部的能量从基板除去粒子。如果液体中的溶解气体增加，则气穴的产生数量增加，清洗性能提高。对于清洗液中溶解的溶解气体，尽管不特别限制溶解气体的供给方法，但是为了控制溶解气体浓度，希望采用对溶剂一次脱气，除去不需要的气体之后，使用溶解膜供给所需量的溶解气体的方式。
作为溶解气体，可以使用选自氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)和二氧化碳(CO2)中的气体或它们中两种以上的混合气体，特别是，氢气的清洗性能高。微细图形的损伤与超声波的能量(输出功率)和气穴的能量相关，在含有氢气的液体中，由于形成能量低的气穴，因此考虑难以产生微细图形的损伤。在超声波的输出功率高的情况下，由于通过超声波的能量(振动能量)容易产生微细图形的损伤，因此必须将输出功率抑制在阈值以下。
从包含的杂质少的观点出发，清洗水优选使用在超纯水中溶解了气体的溶液。此外，从微细图形的损伤少和可以获得高的粒子除去性能方面考虑，清洗水优选使用将在超纯水中溶解了气体的溶液和湿刻蚀液混合得到的混合溶液。这里，APM等的湿刻蚀液处理槽采用一般的循环过滤系统，由于控制氢气浓度很困难，因此即使在湿刻蚀液处理槽中溶解氢气，并进行超声波清洗，获得不损伤微细图形和高的粒子除去性能也是很困难的。
尽管根据超声波的条件和清洗水的温度等不同，一般情况下，考虑到清洗效率高的问题，清洗时间优选为2分钟以上。另一方面，在基板上的微细图形容易破坏的情况下，优选清洗时间为15分钟以下。
在湿刻蚀液中，可以使用上述的APM(氨、过氧化氢水和水的混合液)、HPM(盐酸、过氧化氢水和水的混合液)、SPM(硫酸、过氧化氢和水的混合液)、HF(氟酸)或BHF(缓冲氢氟酸)等。APM通过对Si基板的刻蚀，可以从基板除去粒子。HPM溶解除去污染金属。SPM溶解除去抗蚀剂等有机物和污染金属。此外，HF和BHF刻蚀氧化膜。
(基板的清洗装置)
本发明的基板的清洗装置是实施具备以下工序的清洗方法的装置：将单片或多片基板作为一批，将一批基板浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，例如，该装置具备：浸渍一批基板的湿刻蚀液处理槽、超声波清洗槽和干燥处理部，在超声波清洗工序(超声波清洗槽等)中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2，超声波的输出功率优选为0.05W/cm2～0.2W/cm2。此外，根据其它方式，本发明的基板的清洗装置可以在同一容器内执行将基板浸渍在湿刻蚀液中的工序和超声波清洗工序。这种实施方式，由于通过使基板不暴露在大气中而连续进行在湿刻蚀液中的浸渍处理和超声波清洗，可以抑制粒子的再附着，并且可以使装置进一步小型化，因此是优选的。
具体地说，根据批量式浸渍处理方式的基板的清洗装置的结构如图5所示。这种装置，例如，是可以将最大25个或50个半导体基板作为一批而一次处理的装置，作为基本结构，具有湿刻蚀液处理槽(药液处理槽4)、超声波清洗槽(溶解气体纯水处理槽7)和干燥处理部9，还具备运送用于各个处理的基板6的自动装置(图中未示出)。在溶解气体纯水处理槽7中具备超声波振动器8，对纯水进行脱气，在被脱气的纯水中混合通过水的电解产生的氢气的氢水供给单元11与使纯水升温(加热)的加温单元12连接。而且，氢的产生可以不是由水的电解产生的，可以通过高压储气瓶等从外部供给(图中未示出)。
这种清洗装置，首先，在放入了APM(氨、过氧化氢水和水的混合液)等的湿刻蚀液的药液处理槽4中，浸渍一批基板6。然后，利用氢水供给单元11在从纯水供给部10供给的纯水中混合氢气，将基板6浸渍在已经供给了利用加温单元12控制在所希望温度的纯水的溶解气体纯水处理槽7中。清洗中，利用来自超声波振动器8的超声波照射基板6。在所希望的处理时间之后，将基板6移动到干燥处理部9，对基板6进行干燥，从而结束一系列的清洗处理。
APM具有将半导体基板表面的各种材料(Si、SiO2、SiN等)进行若干刻蚀的作用，并且具有将基板上附着的粒子的附着力减弱的作用。之后，通过在含有溶解气体的纯水中连续照射超声波，有效地除去基板上的粒子。纯水中的溶解气体的饱和度(相对于在大气压下的饱和浓度的比例)优选为60％以上，即使是过饱和的状态，也可以优选使用。饱和度低于60％的情况下，粒子除去性能低。超声波的频率优选为500kHz以上。在低于500kHz的情况下，基板上形成的微细图形容易发生损伤。更优选地，如果是750kHz以上的高频(所谓的兆频超声波清洗(メガソニック))，可以更进一步抑制损伤。
超声波的单位面积(振动板的面积)的输出功率优选设定为0.02～0.5W/cm2，更优选为0.05～0.2W/cm2。如果超声波的输出功率过高，则容易引起微细图形的损伤，在输出功率低的情况下，粒子除去性能低。清洗水的液温优选设定为30～90℃，更优选设定为40～80℃。通过将液温设定为30～90℃，可以抑制微细图形的损伤，并且可以提高粒子除去效率。通过设定溶解气体浓度、超声波的频率和输出功率、以及液温，可以不损伤微细图形，并且可以获得高的粒子除去效率，这是在现有技术中无法实现的。
利用批量式浸渍处理方式的基板的清洗装置的另一种方式示于图6中。这种清洗装置通称为一次通过型批量式浸渍处理装置，可以在一个一次通过式处理槽15中连续进行湿刻蚀液和清洗、干燥处理，其特征在于可以在密闭式腔室16内进行处理。处理流程与上述的清洗装置相同，在最后的干燥处理时，向密闭腔室16内从气体供给口13供给IPA(异丙醇)蒸气14，将基板6从一次通过式处理槽15上拉(图中的虚线)，或者通过排放液体，对基板6进行干燥。还具备在一次通过式处理槽15中的超声波振动器8，在纯水中混合了氢气的氢水供给单元11与使纯水升温(加热)的加温单元12连接。操作也与上述清洗装置相同，在湿刻蚀液处理后的水洗时，用氢水供给单元11在纯水中混合氢气，然后，供给利用加温单元12将其控制到所希望温度的纯水，照射超声波，除去基板6上的粒子。溶解气体浓度、超声波的频率和输出功率、液温的各设定范围也相同。
此外，使用本装置，可以使用清洗液进行超声波清洗，其中该清洗液含有将在纯水中溶解气体的溶液和湿刻蚀液混合得到的混合用液。例如，将溶解利用氢水供给单元11产生的氢气的溶液、与从药液供给部18供给的氨和过氧化氢水等的药液利用湿刻蚀液混合单元(药液混合单元17)进行混合，并将利用加温单元12加温到所希望温度的清洗液供给到一次通过式处理槽15中，通过照射超声波，可以获得不损伤微细图形的高的粒子除去性能。特别是，利用由APM的刻蚀产生的移去作用和由超声波产生的物理作用的协同效果，可以更有效地除去粒子。
本发明的基板的清洗装置的另一方式是利用单片处理方式的基板的清洗装置，具备向一片基板上供给湿刻蚀液的旋涂部、向基板上供给清洗水的旋涂部、以及干燥处理部，其中清洗水在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％，在旋涂之前向清洗水施加超声波，超声波的频率为1MHz以上，超声波的输出功率为10W以下，超声波的输出功率优选为5W以下。相对于固定在同一工作台上的基板进行湿刻蚀液的旋涂、清洗水的旋涂以及干燥处理的方式，可以提高清洗效率，因此是优选的。
具体地说，利用单片处理方式的基板的清洗装置的结构示于图7中。这种装置是对一片基板(晶片21)进行处理的单片处理装置，其具备保持晶片21(基板)的工作台23、旋转工作台23的电机24、向基板(晶片21)的处理面喷出湿刻蚀液的喷嘴20、向基板喷射清洗水的喷嘴19以及清洗杯22。喷嘴19具备在内部的超声波振动板(图中未示出)。对供给的纯水进行脱气，将在脱气后的纯水中由水电解产生的氢气混合在由纯水供给部10供给的纯水中的氢水供给单元11与使清洗水升温(加热)的加温单元12连接。氢的产生可以不是由水的电解产生的，可以通过高压储气瓶等从外部供给(图中未示出)。处理流程首先是将晶片21(基板)固定在工作台23上，利用电机24使晶片21(基板)旋转预定转数。
然后，通过从喷嘴20向基板喷射APM等清洗液，进行旋涂。之后，利用氢水供给单元11混合氢气，接着，由喷嘴19供给用加温单元12控制在所希望温度的清洗水，接着，通过照射超声波并向晶片21(基板)喷射清洗水而进行旋涂，除去晶片21(基板)上的粒子。随后，通过基板的高速旋转进行旋转干燥，完成一系列处理。基本作用、效果与上述的相同。喷嘴19内具备的超声波振动板(振动器)与在浸渍处理槽中使用的不同，超声波的频率为1MHz以上，也可以是1.5MHz或3MHz等高频。频率越高，越可以抑制微细图形的损伤，此外，可以提高粒子除去性能。
例
(实施例1)
在本实施例中，在批量式浸渍处理方式的清洗方法中，调查溶解氢的饱和度对清洗效率(微粒除去率)和微细图形的损伤(图形损伤数量)的影响。图1是表示清洗水的调制方法的示意图。如图1所示，在向氢水供给单元1供给超纯水之后，根据需要利用加温机2进行加热，然后，以7L/min的流量向清洗槽3供给液体。在氢水供给单元1中，使用KHOW-HS10S(栗田工業制)调制预定溶解氢浓度的清洗液。在这种氢水供给单元1中，尽管使用由水的电解产生的氢气，但是也可以通过氢高压储气瓶等从外部供给氢。此外，通过氢水供给单元1对超纯水进行脱气处理之后，溶解氢气。用ォ-ビスフェァラボラトリ-ズ制溶解氢计测量溶解氢浓度。利用加温机2调整用氢水供给单元1调制过的清洗水到70℃。此外，在清洗槽3中，使用プレテック社制浸渍式超声波清洗槽(细声波)，并以超声波频率750kHz、输出功率0.111W/cm2，进行3分钟的清洗。
在图形损伤的评价中，使用多晶硅栅图形作为被清洗体，使用在Si基板上形成有宽度为55nm、高度为142nm、高度142nm中的最下部的2nm作为栅绝缘膜的图形的8英寸基板。图形损伤的评价使用缺陷检查装置(ケ-ェルェ-·テンコ-ル社制)，计算产生的缺陷。另一方面，在微粒除去的评价中，利用APM对8英寸硅基板的表面进行氧化后，接着用混入SiO2微粒的纯水进行浸渍处理之后，旋涂干燥后作为评价用基板。微粒除去的评价是使用异物检查装置(ケ-ェルェ-·テンコ-ル制)测量清洗前后65nm以上的微粒的附着数量。
测量结果示于表1中。此外，基于表1的结果，清洗水的溶解氢饱和度对微粒除去率和图形损伤数量的影响示于图2中。如图2所示，尽管微细图形的坚固度不同，但为了抑制图形损伤并进行微粒除去，溶解氢饱和度优选为60％以上，更优选为70％以上，特别优选为80％以上。
表1
Figure A20081021038000121
(实施例2)
在本实施例中，调查超声波的输出功率对微粒的除去率和图形损伤数量的影响。此外，除了溶解氢饱和度为88％、清洗水的液温为23℃、和改变超声波的输出功率之外，执行与实施例1相同的步骤。结果示于表2中。此外，超声波的输出功率对微粒的除去率和图形损伤数量的影响示于图3中。如图3所示，尽管提高超声波的输出功率，使微粒的除去率增高，但是微细图形的损伤增大，因此超声波的输出功率优选在0.05W/cm2～0.2W/cm2的范围内。
表2
Figure A20081021038000131
(实施例3)
在本实施例中，调查清洗水的液温对微粒的除去率和图形损伤数量的影响。此外，除了溶解氢饱和度为88％、和改变清洗水的液温之外，执行与实施例1相同的步骤。清洗水的液温对微粒的除去率和图形损伤数量的影响示于图4中。如图4所示，尽管升高清洗水的液温不会使微粒的除去率有很大变化，但是微细图形的损伤会变小。
如图3所示，尽管升高超声波的输出功率，会使微粒的除去率增高，但是微细图形的损伤也增大。但是，如图4所示，如果提高清洗水的温度，可以增高微粒的除去率，并且可以减少微细图形的损伤。在这种结果下，在水温50℃、溶解氢饱和度80％、超声波的频率0.75MHz、超声波的输出功率0.1W/cm2的条件下，清洗附着异物的基板和微细加工基板3分钟，完全没有图形损伤，可以以60％的高除去率除去65nm以上的微粒。此外，在水温60℃、溶解氢饱和度95％、超声波的输出功率0.1W/cm2的情况下，图形损伤数量为0个，获得微粒除去率为71％的良好结果。
(实施例4)
除了水温23℃、溶解氢饱和度88％、超声波的输出功率0.1W/cm2以外，在与实施例1相同的条件下进行清洗。结果是，微粒除去率为57％，图形损伤数量为32个。
(比较例1)
除了水温70℃、溶解氢饱和度40％、超声波的输出功率0.1W/cm2以外，在与实施例1相同的条件下进行清洗。结果是，图形损伤数量为680个，微粒除去率为44％，不能获得不发生损伤的充分的微粒除去效果。
尽管已经详细地说明并示出了本发明，但是应该明白，这些只是示例而已，不起限定作用，本发明的范围应该由所附权利要求书的范围来解释。

Claims (20)

1、一种基板的清洗方法，其通过批量式浸渍处理方式进行，其具备：将单片或多片基板作为一批，将一批基板浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，
在所述超声波清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，所述超声波的频率为500kHz以上，所述超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。
2、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述超声波的输出功率为0.05W/cm2～0.2W/cm2。
3、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述清洗水的液温为30℃～90℃。
4、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述清洗水的液温为40℃～80℃。
5、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述溶解气体选自H2、N2、O2和CO2中的气体或它们中两种以上的混合气体。
6、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述清洗水是在超纯水中溶解了气体的溶液。
7、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述清洗水是将在超纯水中溶解了气体的溶液和湿刻蚀液混合得到的混合溶液。
8、根据权利要求1的基板的清洗方法，其中，所述基板是具有线宽为0.5μm以下的微细图形的半导体基板。
9、一种基板的清洗装置，其实施权利要求1的基板的清洗方法。
10、根据权利要求9的基板的清洗装置，其中，在同一容器内，进行将基板浸渍在湿刻蚀液中的工序和超声波清洗工序。
11、一种基板的清洗方法，通过单片处理方式进行，其具备：在单片基板上旋涂湿刻蚀液的工序；在所述基板上旋涂清洗水的工序；和干燥工序，
在所述旋涂清洗水的工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，在旋涂之前向所述清洗水施加超声波，所述超声波的频率为1MHz以上，所述超声波的输出功率为10W以下。
12、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述超声波的输出功率为5W以下。
13、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述清洗水的液温为30℃～90℃。
14、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述清洗水的液温为40℃～80℃。
15、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述溶解气体选自H2、N2、O2和CO2中的气体或它们中两种以上的混合气体。
16、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述清洗水是在超纯水中溶解了气体的溶液。
17、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述清洗水是将在超纯水中溶解了气体的溶液和湿刻蚀液混合到的混合溶液。
18、根据权利要求11的基板的清洗方法，其中，所述基板是具有线宽为0.5μm以下的微细图形的半导体基板。
19、一种基板的清洗装置，其实施权利要求11的基板的清洗方法。
20、根据权利要求19的基板的清洗装置，其中，对固定在同一工作台上的基板进行旋涂湿刻蚀液的工序、旋涂清洗水的工序以及干燥工序。
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