JP2014022599A - 電子材料の洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子材料を水素溶解水で洗浄する電子材料の洗浄方法において、60〜90℃の水素溶解水で電子材料を洗浄することを特徴とする電子材料の洗浄方法。超純水を脱気処理した後、水素ガスを溶解させ、60〜90℃に加温して電子材料を洗浄することが好ましい。水素溶解水の温度は好ましくは65〜85℃である。水素溶解水の水素濃度は好ましくは0.1〜1.4mg/L特に好ましくは0.5〜1.2mg/Lである。
【選択図】図1
Description
図1の洗浄装置を用い、加温した水素溶解水を用い、次の条件で基板のリンスを行った。
基板:SPM(硫酸/過酸化水素)洗浄後のシリコンウェハ
供給水量:2L/min
ウェハ回転数:100rpm
洗浄水:水素ガス溶解水 溶存水素濃度1.0mg/L 酸化還元電位−500mV
リンス時間:10min
リンス水温:70℃
水素溶解水の温度を65℃(実施例2)、85℃(実施例3)、50℃(比較例1)、40℃(比較例2)又は30℃(比較例3)としたこと以外は実施例1と同一条件にてリンス及び測定を行った。結果を表1に示す。
リンス水に水素を溶解させなかったこと以外は実施例1と同一条件にてリンス及び測定を行った。結果を表1に示す。
17 リンスノズル
20 チャンバ
21 回転台
22 被洗浄物
23 排液配管
Claims (4)
- 電子材料を水素溶解水で洗浄する電子材料の洗浄方法において、60〜90℃の水素溶解水で電子材料を洗浄することを特徴とする電子材料の洗浄方法。
- 請求項1において、超純水に水素ガスを溶解させた後、60〜90℃に加温して電子材料を洗浄することを特徴とする電子材料の洗浄方法。
- 請求項2において、超純水を脱気処理した後、水素ガスを溶解させることを特徴とする電子材料の洗浄方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項において、前記電子材料は、酸と過酸化物との混合液で洗浄された電子材料であることを特徴とする電子材料の洗浄方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10128253A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-19 | Japan Organo Co Ltd | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2001345301A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
JP2009021419A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Renesas Technology Corp | 基板の洗浄方法および洗浄装置 |
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2012
- 2012-07-19 JP JP2012160615A patent/JP2014022599A/ja active Pending
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