CN103035491B - 一种电力半导体芯片台面处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理，其特征是：腐蚀处理时，所述芯片整齐重叠成柱状，并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中，然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内，所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蚀处理时间为40-55秒；清洗处理时，将耐腐蚀篮和芯片一起取出，然后按常规使用清水将芯片清洗干净；烘干处理时，将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。本发明处理效率高，效果好。
Description
技术领域
本发明涉及一种电力半导体器件生产方法，特别是一种电力半导体芯片台面处理方法。
背景技术
电力半导体器件的一道重要加工工序是台面处理，就是PN结的终端处理。其目的是将磨角后的芯片台面通过化学腐蚀的方法进行清洗，去除台面的氧化层和表面污染物，形成清洁光洁无污染的台面表面，防止导电和电场打火。其传统的处理方法有两种：一种是采用腐蚀机器进行腐蚀，方法是将芯片放在旋转的工件台上，然后将腐蚀液喷在芯片台面上，一定时间后，在台面上喷清水清洗，最后烘干。此方法每次只能腐蚀一只芯片，效率较低，而且腐蚀液使用量大，酸性废水多，对环境有较大影响，适合于大直径的大功率器件。另一种方法是将芯片水平排放在圆形塑料盘底部，不重叠，然后倒入腐蚀液对芯片台面进行腐蚀，一定时间后冲水清洗干净，再根据腐蚀情况重复腐蚀，最后清洗、烘干。此方法效率稍高，适用于中小功率芯片的处理，但掌握难度大，且腐蚀液只能使用一次，酸性废水多，对环境影响大。
发明内容
本发明针对上述传统处理方法存在的问题，新提供一种电力半导体芯片台面处理方法，使其处理效率高，效果好。
本发明所述的一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理，其特征是：腐蚀处理时，所述芯片整齐重叠成柱状，并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中，然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内，所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蚀处理时间为40-55秒；清洗处理时，将耐腐蚀篮和芯片一起取出，然后按常规使用清水将芯片清洗干净；烘干处理时，将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。
在本发明中，所述超声波清洗器功率为900W，频率为28KHZ。
所述耐腐蚀篮和耐腐蚀盘分别为长方形塑料篮和塑料盘，其使用成本低。
所述耐腐蚀篮中设有5--9个凹槽，这样一次可处理较多芯片，效率更高。
所述耐腐蚀篮中的凹槽横截面为V形，其加工和使用方便。
本发明的有益技术效果是：1.一次可以处理较多数量的芯片，效率高；2.腐蚀液可以重复使用，节约材料，同时减少对环境的影响；3.在超声波的作用下进行腐蚀，均匀度好，芯片参数一致性高。
附图说明
图1为放有芯片的耐腐蚀篮截面结构示意图。
具体实施方式
附图标注说明：1-耐腐蚀篮、2-凹槽、3-芯片。
一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干，其腐蚀处理时，所述芯片整齐重叠成柱状，并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中，然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内，所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蚀处理时间为40-55秒；清洗处理时，将耐腐蚀篮和芯片一起取出，然后按常规使用清水将芯片清洗干净；烘干处理时，将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。
在本发明中，所述超声波清洗器功率为900W，频率为28KHZ；所述耐腐蚀篮
设有5-9个凹槽。这样一次可放置更多芯片，处理效率更高；所述耐腐蚀篮中的凹槽横截面为V形，这样整齐重叠成柱状的芯片横置于V形凹槽中方便可靠，并且其加工有也方便；所述耐腐蚀篮和耐腐蚀盘分别为塑料篮和塑料盘，其耐腐蚀性好，使用成本低。
本发明一次可以处理较多数量的芯片，效率高；腐蚀液可以重复使用，节约材料，同时减少对环境的影响；所述芯片台面在超声波的作用下进行腐蚀，均匀度好，芯片参数一致性高。
实施例：
一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理，其中采用的腐蚀液组分及浓度分别为：硝酸：65-68%、冰乙酸：98%、氢氟酸：40%、硫酸：98%；耐腐蚀篮和耐腐蚀盘分别为长方形塑料篮和长方形塑料盘。所述耐腐蚀篮根据芯片的直径设有7个凹槽，超声波清洗器功率为900W，频率为28KHZ，超声波清洗器的工作槽中放有3厘米深度清水。
在腐蚀阶段，所述圆形芯片整齐重叠成柱状，并横置于设有V形凹槽的长方形耐腐蚀篮中，然后将所述圆形芯片和长方形耐腐蚀篮一起放入盛有上述腐蚀液的耐腐蚀盘内，腐蚀液浸没全部芯片，并且该腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器工作槽的清水中，腐蚀处理时间为40-55秒；
然后将耐腐蚀篮和芯片一起取出，按常规使用清水将芯片清洗干净；也可以先在干净水槽中清洗，水槽水更换四次，再冲水清洗10分钟。最后将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。
这样采用有V形凹槽的长方形耐腐蚀篮集中较多数量芯片同时进行腐蚀处理，效率大大提高，并且腐蚀液可以重复使用，有利环保，以及采用在超声波环境下对芯片台面进行腐蚀处理，均匀度好，芯片参数一致性提高，效果好。
应该理解到的是：上述实施例只是对本发明的说明，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，均落入本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理，其特征是：腐蚀处理时，所述芯片整齐重叠成柱状，并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中，然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内，所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蚀处理时间为40-55秒；清洗处理时，将耐腐蚀篮和芯片一起取出，然后按常规使用清水将芯片清洗干净；烘干处理时，将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。
2.根据权利要求1所述的一种电力半导体芯片台面处理方法，其特征是：所述超声波清洗器功率为900W，频率为28KHZ。
3.根据权利要求1或2所述的一种电力半导体芯片台面处理方法，其特征是：所述耐腐蚀篮和耐腐蚀盘分别为长方形塑料篮和塑料盘。
4.根据权利要求3所述的一种电力半导体芯片台面处理方法，其特征是：所述耐腐蚀篮中设有5--9个凹槽。
5.根据权利要求4所述的一种电力半导体芯片台面处理方法，其特征是：所述耐腐蚀篮中的凹槽横截面为V形。
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