JPS59104132A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPS59104132A JPS59104132A JP21523382A JP21523382A JPS59104132A JP S59104132 A JPS59104132 A JP S59104132A JP 21523382 A JP21523382 A JP 21523382A JP 21523382 A JP21523382 A JP 21523382A JP S59104132 A JPS59104132 A JP S59104132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- cleaning
- ozone
- wafers
- etching rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は洗浄方法に係り、特に半４体ウェーハの洗浄方
法に関するものである。
法に関するものである。
（１）ｌ 従来技術と問題欝
従来半導体装置を製造するに際して、色々の薬品が種々
の製造工程に使用されている。即ち酸化祁 性酸処理、稀＃酸処理、及びアルカリ性洗浄液による処
理などが用途に応じて適当に組合わせて用いられるのは
周知のことである。たとえばアルカリ洗浄処理において
アンモニア水（ＮＨ，Ｏｆ（）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２
）と脱イオン水（ｆｈｏ ）との所定比よりなる混会浴
液を約８０℃に加熱して該混合浴液に半導体ウェー八を
所定時間浸漬して洗浄処理することが一般に行われてい
るが半導体装置の高集積化に伴なって半導（４）ウェー
ハ表面に付着する微粒子たとえばシリコン餓粉、或はバ
クテリアなどの除去が歩留ｕｐのため重要な問題となう
方法では酸化性酸処理によって半導体ウェーハ表面に固
着したバクテリアなどの微粒子を除去する効果が不充分
であり、かつ洗浄液のｌ島度を高温（約８０℃）に加熱
する盛りがあり、これに替るものとして低温アルカリ性
洗浄液即ちコリン：Ｎ（ＣＨ３） ａ （ＣＨ２ＣＨ２
０Ｅ（）・ＯＨに非イオン糸高純度界面活性剤を配合し
たＴＭＫ−１（商品名 関東化学制）洗浄液が注目され
ている。しかしながら１記洗浄液をそのまま便用する場
１にはシリコン（Ｓｉ）のエツチングレートが大きいた
め、使用する工程によってたとえばすでに形成したＳｉ
表向の不純物拡散層のエツチング除去がおこって特性と
に支障をきたす問題がある。したがってその抑制剤とし
てＨ２Ｏ２を添加しＳｌのエツチングレートを急敞に減
少させる方法が知られているが、この方法はかえってＳ
ｉ表面に固着したシリコン微粉の除去率も低Ｆする欠点
がある。
の製造工程に使用されている。即ち酸化祁 性酸処理、稀＃酸処理、及びアルカリ性洗浄液による処
理などが用途に応じて適当に組合わせて用いられるのは
周知のことである。たとえばアルカリ洗浄処理において
アンモニア水（ＮＨ，Ｏｆ（）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２
）と脱イオン水（ｆｈｏ ）との所定比よりなる混会浴
液を約８０℃に加熱して該混合浴液に半導体ウェー八を
所定時間浸漬して洗浄処理することが一般に行われてい
るが半導体装置の高集積化に伴なって半導（４）ウェー
ハ表面に付着する微粒子たとえばシリコン餓粉、或はバ
クテリアなどの除去が歩留ｕｐのため重要な問題となう
方法では酸化性酸処理によって半導体ウェーハ表面に固
着したバクテリアなどの微粒子を除去する効果が不充分
であり、かつ洗浄液のｌ島度を高温（約８０℃）に加熱
する盛りがあり、これに替るものとして低温アルカリ性
洗浄液即ちコリン：Ｎ（ＣＨ３） ａ （ＣＨ２ＣＨ２
０Ｅ（）・ＯＨに非イオン糸高純度界面活性剤を配合し
たＴＭＫ−１（商品名 関東化学制）洗浄液が注目され
ている。しかしながら１記洗浄液をそのまま便用する場
１にはシリコン（Ｓｉ）のエツチングレートが大きいた
め、使用する工程によってたとえばすでに形成したＳｉ
表向の不純物拡散層のエツチング除去がおこって特性と
に支障をきたす問題がある。したがってその抑制剤とし
てＨ２Ｏ２を添加しＳｌのエツチングレートを急敞に減
少させる方法が知られているが、この方法はかえってＳ
ｉ表面に固着したシリコン微粉の除去率も低Ｆする欠点
がある。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点を解消するためなされたも
ので、アルカリ性洗浄液のエツチングレートを抑制し、
かつ半導体ウェーハ表面に固着した微粒子除去を効果的
にする有効な半導体ウェーハの洗浄方法を提供するもの
である。
ので、アルカリ性洗浄液のエツチングレートを抑制し、
かつ半導体ウェーハ表面に固着した微粒子除去を効果的
にする有効な半導体ウェーハの洗浄方法を提供するもの
である。
（ｄ）＠明の構成
その目的を達成するため本発明の洗浄方法は、アルカリ
性洗浄液に試料を入れオゾンをバブリングさせながら洗
浄することを特徴とする。
性洗浄液に試料を入れオゾンをバブリングさせながら洗
浄することを特徴とする。
（θ）＠明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して具体的に説
明する。第１図は本発明を実施するだめの洗浄装置の概
略構成図を示す。同図においてアルカリ性洗浄液ｌが収
容された洗浄槽２内には図示したように複数個の噴出孔
３を有するオゾンガス導入管４が設けられ、該オゾンガ
ス導入管４にはオゾン発生器５が付設され、該オゾン発
生器５によって酸累ガヌ心人営６より尋人された酸素（
０２）をオゾン（０３）に変換するように構成されてい
る。四に洗浄槽２内にはつ上−ハホルダー７を載＋ｉ￥
する載置台８が設けられ、該載置台８の［面よりＡｉｌ
記噴出孔３を介してオゾンガスがアルカリ性洗浄ａｋｌ
中に噴出する構造になっている。又洗浄槽２のＦ部に設
けられた加熱装置９に、しって核洗＃槽２内のアルカリ
性洗浄液１は所望温度に加熱される。
明する。第１図は本発明を実施するだめの洗浄装置の概
略構成図を示す。同図においてアルカリ性洗浄液ｌが収
容された洗浄槽２内には図示したように複数個の噴出孔
３を有するオゾンガス導入管４が設けられ、該オゾンガ
ス導入管４にはオゾン発生器５が付設され、該オゾン発
生器５によって酸累ガヌ心人営６より尋人された酸素（
０２）をオゾン（０３）に変換するように構成されてい
る。四に洗浄槽２内にはつ上−ハホルダー７を載＋ｉ￥
する載置台８が設けられ、該載置台８の［面よりＡｉｌ
記噴出孔３を介してオゾンガスがアルカリ性洗浄ａｋｌ
中に噴出する構造になっている。又洗浄槽２のＦ部に設
けられた加熱装置９に、しって核洗＃槽２内のアルカリ
性洗浄液１は所望温度に加熱される。
北記のようＶＣ構成された洗浄装置を用いてたとえば半
導体ウェーハを洗浄する場合には、洗浄槽２内に［１１
１述した低湿アルカリ性洗浄液ＴＭＫ−１（商品名 門
東化学製）ｌを約１０１００Ｏ注入し加熱装置９によっ
て所定ｌ黒度約５０℃に加熱した後、酸素ガス導入１ｆ
ｆ６より酸素ガス（０２）を所定流量１２０ｍＮ／ｍ翔
オゾン発生器５内に導入し、該オゾン）生ｇＰｒ５を介
して酸素ガスをオゾン（０３）ガスに変換し、該オゾン
ガスがオゾンガス導入管４を通じて複数個の噴出孔３よ
り曲記洗締液中にバブリングされ、該洗浄液中にウェー
ハホルダー７に載置された半導体ウェーハ１０を約１０
分間浸漬して洗浄すれば非常に良好な結果を得た。ト記
洗浄条件設定のだめの＋開明者等の実験結果について説
明すると第２図の図表は抵抗幀１０〜２０ΩのＰＱ（＋
００）のシリコンウェーハを用いて液温５０土２ｔ３．
浸漬時間ＩＯ分間の条件において、シリコンエツチング
速度と、オゾン（０３）流量の関係を示す。図表から明
らかなように１２０”’／ｍｉｏの０３流量においてシ
リコンエツチングレートが最低に抑制される。第３図の
図表は洗浄液の温度とエツチング速度との関係を示しａ
線はオゾン（０３）をバブルしない洗浄液の場きを示し
ｂ線は該洗浄液にオゾン（０３）を１２０ｍ１／ｒｎ１
ｎ流量でバブルした時の実験呵會プロットしている。図
表から明らかなようにＴＭＫ−１洗浄液だけの場合は、
エツチングレートは非常に大きく、オゾンのバブリング
によってエツチングレートは抑制され、液温５０℃を超
えるとややエツチングレートが増加除去率と喉／ａとの
関係を示し、Ｃ線は１１１１図と同様にオゾン（０３）
をバブルしない場合をボし、（Ｌ線はＴＭＫ−１洗浄液
にオゾン（Ｏａ ）’ｊ＜ １２０崎／ｍ１４−１流量
でバブルした時の実験直音プロットした図表である。図
表から明らかなように゛］’ＭＫ−１−洗浄液単独の場
合に比べて該洗浄液にオゾンケバプルしても殆んど変ら
ない事が判明した。尚シリコン微粉除去率は単位面積当
りの明視野による囮ＩＩ！鏡写真判定によってカウント
し算出したものである。
導体ウェーハを洗浄する場合には、洗浄槽２内に［１１
１述した低湿アルカリ性洗浄液ＴＭＫ−１（商品名 門
東化学製）ｌを約１０１００Ｏ注入し加熱装置９によっ
て所定ｌ黒度約５０℃に加熱した後、酸素ガス導入１ｆ
ｆ６より酸素ガス（０２）を所定流量１２０ｍＮ／ｍ翔
オゾン発生器５内に導入し、該オゾン）生ｇＰｒ５を介
して酸素ガスをオゾン（０３）ガスに変換し、該オゾン
ガスがオゾンガス導入管４を通じて複数個の噴出孔３よ
り曲記洗締液中にバブリングされ、該洗浄液中にウェー
ハホルダー７に載置された半導体ウェーハ１０を約１０
分間浸漬して洗浄すれば非常に良好な結果を得た。ト記
洗浄条件設定のだめの＋開明者等の実験結果について説
明すると第２図の図表は抵抗幀１０〜２０ΩのＰＱ（＋
００）のシリコンウェーハを用いて液温５０土２ｔ３．
浸漬時間ＩＯ分間の条件において、シリコンエツチング
速度と、オゾン（０３）流量の関係を示す。図表から明
らかなように１２０”’／ｍｉｏの０３流量においてシ
リコンエツチングレートが最低に抑制される。第３図の
図表は洗浄液の温度とエツチング速度との関係を示しａ
線はオゾン（０３）をバブルしない洗浄液の場きを示し
ｂ線は該洗浄液にオゾン（０３）を１２０ｍ１／ｒｎ１
ｎ流量でバブルした時の実験呵會プロットしている。図
表から明らかなようにＴＭＫ−１洗浄液だけの場合は、
エツチングレートは非常に大きく、オゾンのバブリング
によってエツチングレートは抑制され、液温５０℃を超
えるとややエツチングレートが増加除去率と喉／ａとの
関係を示し、Ｃ線は１１１１図と同様にオゾン（０３）
をバブルしない場合をボし、（Ｌ線はＴＭＫ−１洗浄液
にオゾン（Ｏａ ）’ｊ＜ １２０崎／ｍ１４−１流量
でバブルした時の実験直音プロットした図表である。図
表から明らかなように゛］’ＭＫ−１−洗浄液単独の場
合に比べて該洗浄液にオゾンケバプルしても殆んど変ら
ない事が判明した。尚シリコン微粉除去率は単位面積当
りの明視野による囮ＩＩ！鏡写真判定によってカウント
し算出したものである。
（ｆ） 発明の効果
以−ヒ説明したごとく本発明の実施例によればアルカリ
性洗浄液のエツチングレートを抑制し、かつ半ｍｌウェ
ーハ表面に固着した餓粒子の除去効果を低減しない半４
体ウェーハの低温洗浄が−ｉＪ能となり品質向と１歩留
白玉に大きな効果がある。
性洗浄液のエツチングレートを抑制し、かつ半ｍｌウェ
ーハ表面に固着した餓粒子の除去効果を低減しない半４
体ウェーハの低温洗浄が−ｉＪ能となり品質向と１歩留
白玉に大きな効果がある。
第１図は本発明を実施するだめの洗浄装置の概略構成図
、第２図乃至第４図は本実施例の条件設定のだめの実験
結果をプロットした図表である。 糟、３は噴出孔、４はオゾンガスリ入管、５は第１０ シン禎生ｇ’ａ、、Ｖγは半導体ウェーハをボす。 筐 １ 第１図 第 ２ 図 大ゾシ３詑量（ｍ％＋ｎ）
、第２図乃至第４図は本実施例の条件設定のだめの実験
結果をプロットした図表である。 糟、３は噴出孔、４はオゾンガスリ入管、５は第１０ シン禎生ｇ’ａ、、Ｖγは半導体ウェーハをボす。 筐 １ 第１図 第 ２ 図 大ゾシ３詑量（ｍ％＋ｎ）
Claims (1)
- アルカリ性洗浄液に試料を入れ、オゾンをバブリングさ
せながら該試料を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21523382A JPS59104132A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21523382A JPS59104132A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104132A true JPS59104132A (ja) | 1984-06-15 |
Family
ID=16668912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21523382A Pending JPS59104132A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104132A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814811A (en) * | 1986-12-05 | 1989-03-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Still camera system |
| US4823199A (en) * | 1986-03-11 | 1989-04-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Still video adapter device detachable to a camera body |
| US4831450A (en) * | 1986-12-09 | 1989-05-16 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Still camera system usable for both film and electrophotography |
| US4862293A (en) * | 1986-08-30 | 1989-08-29 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Still video adapter |
| WO1992012877A1 (en) * | 1991-01-29 | 1992-08-06 | Fsk Inc. | Method of washing motor vehicle |
| US5179478A (en) * | 1986-01-08 | 1993-01-12 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Electronic still camera attachment for a single-lens relex camera recording an image of the focusing for plate through the viewfinder |
| DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
| JPH1180787A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Hitachi Ltd | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US6722378B2 (en) * | 2001-03-02 | 2004-04-20 | Coltene/Whaledent, Inc. | Gun rack for ultrasonic cleaning |
| CN100413606C (zh) * | 1996-03-27 | 2008-08-27 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 清洁溶液的制造方法及其清洁方法 |
| DE102011000861A1 (de) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Rena Gmbh | Verfahren zum Behandeln eines Objekts, insbesondere eines Solarzellensubstrats, und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21523382A patent/JPS59104132A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179478A (en) * | 1986-01-08 | 1993-01-12 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Electronic still camera attachment for a single-lens relex camera recording an image of the focusing for plate through the viewfinder |
| US4823199A (en) * | 1986-03-11 | 1989-04-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Still video adapter device detachable to a camera body |
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| DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
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| CN100413606C (zh) * | 1996-03-27 | 2008-08-27 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 清洁溶液的制造方法及其清洁方法 |
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