JPS582836A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPS582836A JPS582836A JP10052781A JP10052781A JPS582836A JP S582836 A JPS582836 A JP S582836A JP 10052781 A JP10052781 A JP 10052781A JP 10052781 A JP10052781 A JP 10052781A JP S582836 A JPS582836 A JP S582836A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- substrate
- development
- resist
- layer
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は現像方法、 １ｌＩｉＫ黴細・曹ターンを形成
する丸めのホトマスク製造の一工程であるレゾストを８
Ｉ儂する方法に関するものである。
する丸めのホトマスク製造の一工程であるレゾストを８
Ｉ儂する方法に関するものである。
ＬＳＩの１４度集積化に伴なって微細パターンを形成す
るための高度の技術が必要どなって来た０従来、微細７
４ターンを形成する際に、レゾストを現像する方法は被
処理基板を液に漬ける浸漬法（Ｄｉｐ方式）又はス！レ
ーヤによりて液を被処暑基板に吹付けるスフレ−法があ
る０特に第１に示したＤｌｐ方式による現像方法は第１
図に示し友ように現像液１を微積４ング７によって循積
せしめ被逃場基板２に接触せしめることによって行なわ
れて−る。この場合被処理基板２はｍｓ！６理内偕３の
支持台５に現像液面に対して−直に約５〜ｌＯ枚配設さ
れてお）、又現像液ｌはフィルタ６で浄化せしめられ、
循＠Ｉ！ン７”７によって現像処理内槽９上端からあふ
れ出たａ儂液８は現像処理外槽４内に落下する・しかし
ながら九とえ現像液ｌを約１０４／分で循還せしめ、更
に必ｆ６時は手動で適度に攪拌せしめ九としても被処理
基板２０表面での現像液のリフレッシ＆サイクルが遅く
、現像時間が６０〜１００秒もかか９非能率的である〇
又現倫完了後のレジスト露光部除去後の寸法（６１１３
図にＤで示した）のばらつきが０．２〜０．３μ根度の
ばらつきを生ずる。更に又時間の経過にともない１７Ａ
儂むらが発生する。
るための高度の技術が必要どなって来た０従来、微細７
４ターンを形成する際に、レゾストを現像する方法は被
処理基板を液に漬ける浸漬法（Ｄｉｐ方式）又はス！レ
ーヤによりて液を被処暑基板に吹付けるスフレ−法があ
る０特に第１に示したＤｌｐ方式による現像方法は第１
図に示し友ように現像液１を微積４ング７によって循積
せしめ被逃場基板２に接触せしめることによって行なわ
れて−る。この場合被処理基板２はｍｓ！６理内偕３の
支持台５に現像液面に対して−直に約５〜ｌＯ枚配設さ
れてお）、又現像液ｌはフィルタ６で浄化せしめられ、
循＠Ｉ！ン７”７によって現像処理内槽９上端からあふ
れ出たａ儂液８は現像処理外槽４内に落下する・しかし
ながら九とえ現像液ｌを約１０４／分で循還せしめ、更
に必ｆ６時は手動で適度に攪拌せしめ九としても被処理
基板２０表面での現像液のリフレッシ＆サイクルが遅く
、現像時間が６０〜１００秒もかか９非能率的である〇
又現倫完了後のレジスト露光部除去後の寸法（６１１３
図にＤで示した）のばらつきが０．２〜０．３μ根度の
ばらつきを生ずる。更に又時間の経過にともない１７Ａ
儂むらが発生する。
本発明の目的は微細パターンを形成するためのホトマス
クの一工程であるＤ１ｐ方式レゾスト現像で被処理基板
表面の現像液のリフレッシ、を向上１せ、み、且つ現像
時間を短縮させる現像方法を提供することである０ 本発明の１１Ｍ０１Ｉ的はａｍ処理基板表面上の現像む
ら及び寸法のばらつ自を減少せしめるｌｌＫ儂方法を提
供すみことである。
クの一工程であるＤ１ｐ方式レゾスト現像で被処理基板
表面の現像液のリフレッシ、を向上１せ、み、且つ現像
時間を短縮させる現像方法を提供することである０ 本発明の１１Ｍ０１Ｉ的はａｍ処理基板表面上の現像む
ら及び寸法のばらつ自を減少せしめるｌｌＫ儂方法を提
供すみことである。
〇−工揚であるしＶスト現像工程管Ｄ１方式で行なう現
像方法にお−て；３Ｊ儂液を、湾状に、且つ懺搗場基１
［１１１ｍＫ斜めに！６＆えるように落下せしめて前記
レゾスト現像を行なうことを特徴とする現像方法によっ
て達成される・ すなわち本発明は、レゾスト／譬ターンを形成す為丸め
の現像ＯＩＩに被ＪＩ＆履基Ｉ［表面に、現像液が働程
せしめられながら湾状に、しかも斜めに！！＆えるよう
に現像せしめ為のである。この場合被＃＆履基板は現像
液中に載置されておらず現像液の上方に−ｗＫ装置せし
められる。１九１本発明によれば従ｍｏｓ１にる循１１
Ｄｌｐ方式の場合と異な〉循環ぜしめられ九斬らしい１
１＆＊箪と被処理基板ａｍとの接触速度が早くなる九め
に、被処理基板表面上に！Ｉ触する現像液の９−７し、
シ、が向上する・オ九前述のように新しい循環され九構
儂液による精度の高い現像工程が行なわれるＯ″ｃｆＡ
像が完了し九基板表面の現像むら又は仕上げ寸法のばら
り自が減少せしめられ良好なホトマスクが形成される・
−現像液を循環させる循環Ｉンノ及び微積液を浄化する
フィルタは公知のものでよく、鋏循濃液の循環速度は１
０〜２０Ｌ／分が好ましい。又現像液−ＩＩＸ砿処理藁
処理基板表面−４５”ｉｉ度に歯先るのが好ｔしく、特
に１Ｇ’−２０°で歯先ると自更に又。
像方法にお−て；３Ｊ儂液を、湾状に、且つ懺搗場基１
［１１１ｍＫ斜めに！６＆えるように落下せしめて前記
レゾスト現像を行なうことを特徴とする現像方法によっ
て達成される・ すなわち本発明は、レゾスト／譬ターンを形成す為丸め
の現像ＯＩＩに被ＪＩ＆履基Ｉ［表面に、現像液が働程
せしめられながら湾状に、しかも斜めに！！＆えるよう
に現像せしめ為のである。この場合被＃＆履基板は現像
液中に載置されておらず現像液の上方に−ｗＫ装置せし
められる。１九１本発明によれば従ｍｏｓ１にる循１１
Ｄｌｐ方式の場合と異な〉循環ぜしめられ九斬らしい１
１＆＊箪と被処理基板ａｍとの接触速度が早くなる九め
に、被処理基板表面上に！Ｉ触する現像液の９−７し、
シ、が向上する・オ九前述のように新しい循環され九構
儂液による精度の高い現像工程が行なわれるＯ″ｃｆＡ
像が完了し九基板表面の現像むら又は仕上げ寸法のばら
り自が減少せしめられ良好なホトマスクが形成される・
−現像液を循環させる循環Ｉンノ及び微積液を浄化する
フィルタは公知のものでよく、鋏循濃液の循環速度は１
０〜２０Ｌ／分が好ましい。又現像液−ＩＩＸ砿処理藁
処理基板表面−４５”ｉｉ度に歯先るのが好ｔしく、特
に１Ｇ’−２０°で歯先ると自更に又。
寸法ばらり龜が非常に少なｉ結果が得られ九、被処理基
板は一つＯ支持台（ホルダー）に５〜１０枚が好ましく
、該基板の載置機−は５１以内、且つ該基板間の距離は
５■以上が好ｔし−・更に又。
板は一つＯ支持台（ホルダー）に５〜１０枚が好ましく
、該基板の載置機−は５１以内、且つ該基板間の距離は
５■以上が好ｔし−・更に又。
循ｌ１ｉ５れ九穏像液は円筒状で且つその出口内径が１
０ｍ〜２０−程度の大きさが好ましｉ・また咳円筒状出
口と被処理基板の高度差紘畝ａｍｍ度が好鷹し−０ 以下本発明を、七〇一実施例を示す図面に基づ−て説明
する。
０ｍ〜２０−程度の大きさが好ましｉ・また咳円筒状出
口と被処理基板の高度差紘畝ａｍｍ度が好鷹し−０ 以下本発明を、七〇一実施例を示す図面に基づ−て説明
する。
第２ｗＡは亭尭＠〇一実施例を示す概略断面図であＬ
ＩＩ像Ｊ６１１榴４′に収納された現像液ｌは循環Ｉン
ゾ７によりて矢印の如（２０１７分の速度で循礒せしめ
られ、フィルター６によって汚れが落１れ、内＊２０ｍ
ｔ）大暑さの円筒状出口９から湾状１Ａ−１１１１０に
＊＃且つ、支持台Ｓ上に喬直に載置されえ６枚の被処理
基板２のレジスト現俸面に。
ＩＩ像Ｊ６１１榴４′に収納された現像液ｌは循環Ｉン
ゾ７によりて矢印の如（２０１７分の速度で循礒せしめ
られ、フィルター６によって汚れが落１れ、内＊２０ｍ
ｔ）大暑さの円筒状出口９から湾状１Ａ−１１１１０に
＊＃且つ、支持台Ｓ上に喬直に載置されえ６枚の被処理
基板２のレジスト現俸面に。
１０’−８０”ｌｉｌ［０＊度を持りて斜めに嶺良るよ
うＫｌｌ下し現像部層を行ない、再び現像処理槽４′へ
と戻動、更に以下同様の工Ｓが繰返し行なわれる・ｌＩ
儂処運時間ｓＯ秒後の処理基板の概略断面図を第３−に
示す。第３図におｉて、約２．３−のガラス基板１１上
に／ａＡ１２を約１０００ｉの厚みに１１．１ＩＩｉｉ
Ｊｔその上にレジストＩり一ン１３１が形成４ＩＩ区し
め為・斜線部１４はレジストが剥離され先部分である。
うＫｌｌ下し現像部層を行ない、再び現像処理槽４′へ
と戻動、更に以下同様の工Ｓが繰返し行なわれる・ｌＩ
儂処運時間ｓＯ秒後の処理基板の概略断面図を第３−に
示す。第３図におｉて、約２．３−のガラス基板１１上
に／ａＡ１２を約１０００ｉの厚みに１１．１ＩＩｉｉ
Ｊｔその上にレジストＩり一ン１３１が形成４ＩＩ区し
め為・斜線部１４はレジストが剥離され先部分である。
第５ｔｉＡＫ示された残レゾスト間の距１１１１）ｌ（
）Ａラツや紘１つの基板において０．１〜０．２μｍと
質未の０．２〜ｏ、ｓ？６ノ電ツツ命に比較し向上され
ておル又＊＊むら４１を来よ〕少なか−）た・轟然Ｏこ
とながら本発明による現像方法では現像液０９７し１７
１作用が大であり九〇
）Ａラツや紘１つの基板において０．１〜０．２μｍと
質未の０．２〜ｏ、ｓ？６ノ電ツツ命に比較し向上され
ておル又＊＊むら４１を来よ〕少なか−）た・轟然Ｏこ
とながら本発明による現像方法では現像液０９７し１７
１作用が大であり九〇
第１図は従来のＤ１方式によゐ現像方法の一実施例を示
す概略断面図であ勤、第８図線本発明に係為ｌＫ像方法
の一実施例を示す概略断面図であシ。 第１ＩＩは部層基板の概略断面図を示す・１−・現像液
、２−被４６１１基板、３−処理内槽、４−電層外槽、
Ｓ−・支持台、６−循ｉａ−ンノ、７−フィルター、９
−円筒状出口、ｉｏ−・湾状現像液、１１−ガラス基板
、１２−タロム、１３・・・レゾスト／譬ターン＠ 特許出願人 富士通株式全社 轡許出願代理人 弁理士 青 木 調 弁理士真舘和之 弁理士 内 １）申 男 弁理士 山 口 昭 之
す概略断面図であ勤、第８図線本発明に係為ｌＫ像方法
の一実施例を示す概略断面図であシ。 第１ＩＩは部層基板の概略断面図を示す・１−・現像液
、２−被４６１１基板、３−処理内槽、４−電層外槽、
Ｓ−・支持台、６−循ｉａ−ンノ、７−フィルター、９
−円筒状出口、ｉｏ−・湾状現像液、１１−ガラス基板
、１２−タロム、１３・・・レゾスト／譬ターン＠ 特許出願人 富士通株式全社 轡許出願代理人 弁理士 青 木 調 弁理士真舘和之 弁理士 内 １）申 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 徴１ｉ４Ａターンを形成する丸めのホトマスク製造の一
工程であるレゾスト現像工鵬をＤｌｐ方式で行なうａｍ
方Ｉ＆にお−て； ′ □ 、現像液を、循ｉｓ
ｓせながら湾状に、且つ被処理基板表面に斜めに轟九る
ように落下せしめて前記レジスト＊儂を行なうことを特
徴とする現像方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052781A JPS582836A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052781A JPS582836A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582836A true JPS582836A (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=14276429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10052781A Pending JPS582836A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01299082A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 感熱記録材料 |
| US6786631B2 (en) * | 2000-05-16 | 2004-09-07 | Lipp Mischtechnik Gmbh | Mixing and reducing machine with an upward conveying mixing blade |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10052781A patent/JPS582836A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01299082A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 感熱記録材料 |
| US6786631B2 (en) * | 2000-05-16 | 2004-09-07 | Lipp Mischtechnik Gmbh | Mixing and reducing machine with an upward conveying mixing blade |
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