JPH09283488A - 半導体ウェハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェハ洗浄装置Info
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- JPH09283488A JPH09283488A JP8339124A JP33912496A JPH09283488A JP H09283488 A JPH09283488 A JP H09283488A JP 8339124 A JP8339124 A JP 8339124A JP 33912496 A JP33912496 A JP 33912496A JP H09283488 A JPH09283488 A JP H09283488A
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、洗浄液の流出動作が効率的に行わ
れるようにした、半導体素子のウェハ洗浄装置に関す
る。 【解決手段】 洗浄タンクの下部に構成された流出口
に、洗浄液の流れおよび速度を変化させる、洗浄液流出
装置を配置して、ウェハ洗浄動作時に流出される洗浄液
の流れを、直線形態から螺旋形態に変化させるようにし
た。
れるようにした、半導体素子のウェハ洗浄装置に関す
る。 【解決手段】 洗浄タンクの下部に構成された流出口
に、洗浄液の流れおよび速度を変化させる、洗浄液流出
装置を配置して、ウェハ洗浄動作時に流出される洗浄液
の流れを、直線形態から螺旋形態に変化させるようにし
た。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
工程で使用される洗浄装置に関するもので、特に洗浄液
の流出動作が効率的に行われるようにする、半導体のウ
ェハ洗浄装置に関する。
工程で使用される洗浄装置に関するもので、特に洗浄液
の流出動作が効率的に行われるようにする、半導体のウ
ェハ洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体素子が高集積化される
ことによって、ウェハ表面に残留する微細粒子等が、素
子の特性に大きく影響を及ぼすことになる。従って、最
近はこのようなウェハ表面に含まれた微細な粒子等を除
去するウェハ洗浄技術が、半導体素子の製造工程におい
て、非常に重要視されることになった。現在のＵＬＳＩ
技術では、すでに0.5μmレベルのパターン寸法のデバイ
スが量産されているが、そのような微細な寸法が関与す
るプロセスでは、超清浄環境が必要であり、またそれを
維持するための表面処理、洗浄技術が必要である。特
に、ウェハの大口径化およびチップサイズの減少によっ
て、湿式プロセスによるバス・システムの開発が続いて
いる。
ことによって、ウェハ表面に残留する微細粒子等が、素
子の特性に大きく影響を及ぼすことになる。従って、最
近はこのようなウェハ表面に含まれた微細な粒子等を除
去するウェハ洗浄技術が、半導体素子の製造工程におい
て、非常に重要視されることになった。現在のＵＬＳＩ
技術では、すでに0.5μmレベルのパターン寸法のデバイ
スが量産されているが、そのような微細な寸法が関与す
るプロセスでは、超清浄環境が必要であり、またそれを
維持するための表面処理、洗浄技術が必要である。特
に、ウェハの大口径化およびチップサイズの減少によっ
て、湿式プロセスによるバス・システムの開発が続いて
いる。
【０００３】以下、添付図面を参考にして、従来のウェ
ハ洗浄技術に関して説明する。まず、図１の（ａ）は、
オーバー・フローイング・バス・システムを示したもの
で、下端中央部に洗浄液を流入させる流入口（３）を有
する、ウェハ（８）洗浄用の内部洗浄タンク（１）と、
内部洗浄タンク（１）の外側に、内部洗浄タンク（１）
を囲んで設けられ、内部洗浄タンク（１）との分離空間
に、洗浄に使用された洗浄液を流す流出口（４）を有す
る外部洗浄タンク（２）と、上記流出口（４）と流入口
（３）を互いに連結する循環パイプ（１０）と、循環パ
イプ（１０）の中間部分に構成され、洗浄液を反復循環
させる循環ポンプ（５）と、循環ポンプ（５）の駆動に
よって、反復循環される洗浄液を濾過させて、流入口
（３）を通じて、内部洗浄タンク（１）へ送るフィルタ
ー（６）とからなる。
ハ洗浄技術に関して説明する。まず、図１の（ａ）は、
オーバー・フローイング・バス・システムを示したもの
で、下端中央部に洗浄液を流入させる流入口（３）を有
する、ウェハ（８）洗浄用の内部洗浄タンク（１）と、
内部洗浄タンク（１）の外側に、内部洗浄タンク（１）
を囲んで設けられ、内部洗浄タンク（１）との分離空間
に、洗浄に使用された洗浄液を流す流出口（４）を有す
る外部洗浄タンク（２）と、上記流出口（４）と流入口
（３）を互いに連結する循環パイプ（１０）と、循環パ
イプ（１０）の中間部分に構成され、洗浄液を反復循環
させる循環ポンプ（５）と、循環ポンプ（５）の駆動に
よって、反復循環される洗浄液を濾過させて、流入口
（３）を通じて、内部洗浄タンク（１）へ送るフィルタ
ー（６）とからなる。
【０００４】上記オーバー・フローイング・バス・シス
テムの洗浄動作を下記に説明する。まず、循環ポンプ
（５）の駆動によって、洗浄液がフィルター（６）を通
過し、流入口（３）を通じて内部洗浄タンク（１）内に
送られる。カセット（７）に固定されたウェハ（８）等
が洗浄液に浸される。したがって、ウェハ（８）等の間
に循環される洗浄液によって、ウェハ（８）表面に存在
する微細粒子等が洗浄される。すなわち、ウェハ（８）
と洗浄液が化学的反応と物理的作用とによって洗浄およ
びエッチング工程が行われる。溶液が内部洗浄タンク
（１）に完全に満たされた後溢れ流れると、外部洗浄タ
ンク（２）の流出口（４）を通じて、循環ポンプ（５）
によってフィルター（６）を通過することになる。フィ
ルター（６）によって濾過された洗浄液は、またウェハ
（８）が置かれた内部洗浄タンク（１）に送られる。上
記の洗浄液は、反復循環させ、一定基準によって廃棄処
分される。すなわち、バス・システムの循環ポンプ
（５）が駆動中は、廃棄バルブをロックし、洗浄液が廃
棄処分される時は、廃棄バルブを開いて、外部へ洗浄液
を排出させることになる。
テムの洗浄動作を下記に説明する。まず、循環ポンプ
（５）の駆動によって、洗浄液がフィルター（６）を通
過し、流入口（３）を通じて内部洗浄タンク（１）内に
送られる。カセット（７）に固定されたウェハ（８）等
が洗浄液に浸される。したがって、ウェハ（８）等の間
に循環される洗浄液によって、ウェハ（８）表面に存在
する微細粒子等が洗浄される。すなわち、ウェハ（８）
と洗浄液が化学的反応と物理的作用とによって洗浄およ
びエッチング工程が行われる。溶液が内部洗浄タンク
（１）に完全に満たされた後溢れ流れると、外部洗浄タ
ンク（２）の流出口（４）を通じて、循環ポンプ（５）
によってフィルター（６）を通過することになる。フィ
ルター（６）によって濾過された洗浄液は、またウェハ
（８）が置かれた内部洗浄タンク（１）に送られる。上
記の洗浄液は、反復循環させ、一定基準によって廃棄処
分される。すなわち、バス・システムの循環ポンプ
（５）が駆動中は、廃棄バルブをロックし、洗浄液が廃
棄処分される時は、廃棄バルブを開いて、外部へ洗浄液
を排出させることになる。
【０００５】図１（ｂ）は、ダウン・フローイング・バ
ス・システムそ示したもので、下端中央部に洗浄液を流
出させる流出口（４）を有する、ウェハ（８）洗浄用の
内部洗浄タンク（１）と、内部洗浄タンク（１）の外側
に、内部洗浄タンク（１）を囲み、内部洗浄タンク
（１）との分離空間に洗浄に使用される洗浄液を流入さ
せる流入口（３）を有する外部洗浄タンク（２）と、上
記流出口（４）と流入口（３）を互いに連結する循環パ
イプ（１０）と、循環パイプ（１０）の中間部分に構成
され、洗浄液を反復循環させる循環ポンプ（５）と、循
環ポンプ（５）の駆動によって、反復循環される洗浄液
を濾過させて、流入口（３）を通じて内部洗浄タンク
（１）へ送るフィルター（６）と、上記の内部洗浄タン
ク（１）の下側に構成されて、ウェハ（８）が満たされ
たカセット（７）を、内部洗浄タンク（１）の底面と分
離して固定させる、バッフル・プレート（９）からな
る。
ス・システムそ示したもので、下端中央部に洗浄液を流
出させる流出口（４）を有する、ウェハ（８）洗浄用の
内部洗浄タンク（１）と、内部洗浄タンク（１）の外側
に、内部洗浄タンク（１）を囲み、内部洗浄タンク
（１）との分離空間に洗浄に使用される洗浄液を流入さ
せる流入口（３）を有する外部洗浄タンク（２）と、上
記流出口（４）と流入口（３）を互いに連結する循環パ
イプ（１０）と、循環パイプ（１０）の中間部分に構成
され、洗浄液を反復循環させる循環ポンプ（５）と、循
環ポンプ（５）の駆動によって、反復循環される洗浄液
を濾過させて、流入口（３）を通じて内部洗浄タンク
（１）へ送るフィルター（６）と、上記の内部洗浄タン
ク（１）の下側に構成されて、ウェハ（８）が満たされ
たカセット（７）を、内部洗浄タンク（１）の底面と分
離して固定させる、バッフル・プレート（９）からな
る。
【０００６】上記のように構成された、ダウン・フロー
イング・バス・システムの洗浄動作を以下に説明する。
まず、循環ポンプ（５）の駆動によって、洗浄液がフィ
ルター（６）を通過し流入口（３）を通じて、内部洗浄
タンク（１）内に満たされる。このとき、洗浄液は図１
（ａ）のように、下側から上側に満たされるのではな
く、上側から下側に満たされる。ウェハ（８）が入れて
あるカセット（７）が、内部洗浄タンク（１）のバッフ
ル・プレート（９）に固定され、洗浄液に浸る。カセッ
ト（７）に入れてあるウェハ（８）は、循環される洗浄
液によって洗浄される。洗浄液は、循環ポンプ（５）に
よって、フィルター（６）を経て濾過されながら循環す
る。バス・システムの循環ポンプ（５）が駆動中は、廃
棄バルブをロックし、一定基準による洗浄液の廃棄処分
の時には、廃棄バルブを開いて外部へ洗浄液を排出させ
る。
イング・バス・システムの洗浄動作を以下に説明する。
まず、循環ポンプ（５）の駆動によって、洗浄液がフィ
ルター（６）を通過し流入口（３）を通じて、内部洗浄
タンク（１）内に満たされる。このとき、洗浄液は図１
（ａ）のように、下側から上側に満たされるのではな
く、上側から下側に満たされる。ウェハ（８）が入れて
あるカセット（７）が、内部洗浄タンク（１）のバッフ
ル・プレート（９）に固定され、洗浄液に浸る。カセッ
ト（７）に入れてあるウェハ（８）は、循環される洗浄
液によって洗浄される。洗浄液は、循環ポンプ（５）に
よって、フィルター（６）を経て濾過されながら循環す
る。バス・システムの循環ポンプ（５）が駆動中は、廃
棄バルブをロックし、一定基準による洗浄液の廃棄処分
の時には、廃棄バルブを開いて外部へ洗浄液を排出させ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の洗浄装置においては、下記のとおりの問題点があ
っと。まず、オーバー・フローイング・バス・システム
は、内部洗浄タンクの下部に流入口が構成され、洗浄液
が下部から上部にフローイングされるので、カセットの
ウェハが支持される部分に依存する微細粒子が、上へ移
動される途中に、ウェハの前、後面に再付着するか、反
応を起こしてウェハを汚染させることがある。これは、
汚染源と流入口が近接していて、流入口を通じて入って
来た洗浄液が汚染源を経て、ウェハに到達するためであ
る。ダウン・フローイング・バス・システムは、洗浄液
の流れが、基本的に直線であるので、カセットが支持さ
れる部分でウェハから汚染粒子が除去されず、洗浄の動
作時にウェハ間を流れてウェハの前、後面に付着する
か、反応を起こしてウェハを汚染させることになる。
従来の洗浄装置においては、下記のとおりの問題点があ
っと。まず、オーバー・フローイング・バス・システム
は、内部洗浄タンクの下部に流入口が構成され、洗浄液
が下部から上部にフローイングされるので、カセットの
ウェハが支持される部分に依存する微細粒子が、上へ移
動される途中に、ウェハの前、後面に再付着するか、反
応を起こしてウェハを汚染させることがある。これは、
汚染源と流入口が近接していて、流入口を通じて入って
来た洗浄液が汚染源を経て、ウェハに到達するためであ
る。ダウン・フローイング・バス・システムは、洗浄液
の流れが、基本的に直線であるので、カセットが支持さ
れる部分でウェハから汚染粒子が除去されず、洗浄の動
作時にウェハ間を流れてウェハの前、後面に付着する
か、反応を起こしてウェハを汚染させることになる。
【０００８】すなわち、上記のような従来の洗浄装置に
おいては、洗浄液の流出動作から、完全に汚染源を除去
することができなかった。従って、その汚染源によっ
て、洗浄工程が不完全に行われた状態で、そのまま後工
程を進行することになって、素子の生産収率および特性
を低下させるという問題点があった。本発明は、上記の
ような従来の半導体ウェハ洗浄装置の問題点を解決する
ために案出したもので、洗浄効果を上げることができる
半導体ウェハ洗浄装置を提供することを課題とする。
おいては、洗浄液の流出動作から、完全に汚染源を除去
することができなかった。従って、その汚染源によっ
て、洗浄工程が不完全に行われた状態で、そのまま後工
程を進行することになって、素子の生産収率および特性
を低下させるという問題点があった。本発明は、上記の
ような従来の半導体ウェハ洗浄装置の問題点を解決する
ために案出したもので、洗浄効果を上げることができる
半導体ウェハ洗浄装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、洗浄液の流入
口および流出口を有して、洗浄のためのウェハを収容す
る洗浄タンクと、上記の流出口に装着され、流出される
洗浄液の流れおよび速度を変化させる洗浄液流出装置と
を有することを特徴とする。
めの、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、洗浄液の流入
口および流出口を有して、洗浄のためのウェハを収容す
る洗浄タンクと、上記の流出口に装着され、流出される
洗浄液の流れおよび速度を変化させる洗浄液流出装置と
を有することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面を参考にし
て、本発明の半導体ウェハ洗浄装置に関して詳細に説明
する。図２は、本発明の半導体ウェハの洗浄装置の系統
図であり、図３は本発明の洗浄液流出装置の構成図であ
る。本実施形態の半導体ウェハ洗浄装置は、ダウン・フ
ローイング方式である。洗浄液が流出される流出口に、
洗浄液の循環動作や、廃棄処分時に、洗浄液の流れを直
線でなく、螺旋状になるようにする洗浄液流出装置を配
置したもので、その詳細構成は下記のとおりである。
て、本発明の半導体ウェハ洗浄装置に関して詳細に説明
する。図２は、本発明の半導体ウェハの洗浄装置の系統
図であり、図３は本発明の洗浄液流出装置の構成図であ
る。本実施形態の半導体ウェハ洗浄装置は、ダウン・フ
ローイング方式である。洗浄液が流出される流出口に、
洗浄液の循環動作や、廃棄処分時に、洗浄液の流れを直
線でなく、螺旋状になるようにする洗浄液流出装置を配
置したもので、その詳細構成は下記のとおりである。
【００１１】外部から加えられる動力または、洗浄液の
流出速度による、一方向または両方向回転で、洗浄液の
流れを螺旋状に変形させる、洗浄液流出装置（２１）を
洗浄用の内部タンク（２３）の流出口（２０）に配置し
た。流出口（２０）は洗浄用の内部洗浄タンク（２３）
の下端中央部に用意されている。内部洗浄タンク（２
３）の外側に、内部洗浄タンク（２３）を囲むように外
部洗浄タンク（２５）が配置されている。外部洗浄タン
ク（２５）と内部洗浄タンク（２３）との間には、洗浄
に用いられる洗浄液を流す分離空間が設けられており、
外部洗浄タンク（２５）の底のこの分離空間の部分に流
入口（２４）を有する。流出口（２０）と流入口（２
４）を互いに連結する循環パイプ（２６）が配置され、
その循環パイプ（２６）の中間部分に洗浄液を反復循環
させる循環ポンプ（２７）が取り付けられている。この
パイプ中には、循環ポンプ（２７）の駆動によって反復
循環される洗浄液を濾過させて、流入口（２４）を通じ
て、内部洗浄タンク（２３）へ送るフィルター（２８）
が配置されており、内部洗浄タンク（２３）の下側には
ウェハ（２２）を収納させたカセット（２９）を、内部
洗浄タンク（２３）の底面と分離して固定させる、バッ
フル・プレート（３０）が設けられている。
流出速度による、一方向または両方向回転で、洗浄液の
流れを螺旋状に変形させる、洗浄液流出装置（２１）を
洗浄用の内部タンク（２３）の流出口（２０）に配置し
た。流出口（２０）は洗浄用の内部洗浄タンク（２３）
の下端中央部に用意されている。内部洗浄タンク（２
３）の外側に、内部洗浄タンク（２３）を囲むように外
部洗浄タンク（２５）が配置されている。外部洗浄タン
ク（２５）と内部洗浄タンク（２３）との間には、洗浄
に用いられる洗浄液を流す分離空間が設けられており、
外部洗浄タンク（２５）の底のこの分離空間の部分に流
入口（２４）を有する。流出口（２０）と流入口（２
４）を互いに連結する循環パイプ（２６）が配置され、
その循環パイプ（２６）の中間部分に洗浄液を反復循環
させる循環ポンプ（２７）が取り付けられている。この
パイプ中には、循環ポンプ（２７）の駆動によって反復
循環される洗浄液を濾過させて、流入口（２４）を通じ
て、内部洗浄タンク（２３）へ送るフィルター（２８）
が配置されており、内部洗浄タンク（２３）の下側には
ウェハ（２２）を収納させたカセット（２９）を、内部
洗浄タンク（２３）の底面と分離して固定させる、バッ
フル・プレート（３０）が設けられている。
【００１２】上記構成の洗浄装置の洗浄動作を以下説明
する。循環ポンプ（２７）の駆動によって、洗浄液がフ
ィルター（２８）を通過して、流入口（２４）を経て、
分離空間を通り、内部洗浄タンク（２３）内に送られ
る。洗浄液は、下から上へ満たされるのではなく、上か
ら下へ流される。ウェハ（２２）が入れてあるカセット
（２９）は、内部洗浄タンク（２３）のバッフル・プレ
ート（３０）に固定されて洗浄液に浸る。カセット（２
９）に入れてあるウェハ（２２）は、循環される洗浄液
によって洗浄される。このとき、循環ポンプ（２７）に
よって、洗浄液はフィルター（２８）を経て濾過され、
続いて循環される。
する。循環ポンプ（２７）の駆動によって、洗浄液がフ
ィルター（２８）を通過して、流入口（２４）を経て、
分離空間を通り、内部洗浄タンク（２３）内に送られ
る。洗浄液は、下から上へ満たされるのではなく、上か
ら下へ流される。ウェハ（２２）が入れてあるカセット
（２９）は、内部洗浄タンク（２３）のバッフル・プレ
ート（３０）に固定されて洗浄液に浸る。カセット（２
９）に入れてあるウェハ（２２）は、循環される洗浄液
によって洗浄される。このとき、循環ポンプ（２７）に
よって、洗浄液はフィルター（２８）を経て濾過され、
続いて循環される。
【００１３】上記の循環動作において、洗浄タンクの下
側の流出口（２０）から洗浄液が排出される時は、流出
口（２０）の中央部に配置された洗浄液の流出装置（２
１）によって、洗浄液の流れが直線から螺旋形態に変え
られ、洗浄液の流れ速度もまた速くなる。従って、流出
口またはウェハが支持される部分で、汚染粒子らが固着
されることを防ぐことになる。上記の洗浄液の流出装置
（２１）は、図３のように、洗浄液の流れおよび速度を
変化させる風車形態のファン部と、そのファン部の中央
下側に構成される回転軸とを備えている。この回転軸
は、循環パイプの特定部分に回転可能に固定される。
側の流出口（２０）から洗浄液が排出される時は、流出
口（２０）の中央部に配置された洗浄液の流出装置（２
１）によって、洗浄液の流れが直線から螺旋形態に変え
られ、洗浄液の流れ速度もまた速くなる。従って、流出
口またはウェハが支持される部分で、汚染粒子らが固着
されることを防ぐことになる。上記の洗浄液の流出装置
（２１）は、図３のように、洗浄液の流れおよび速度を
変化させる風車形態のファン部と、そのファン部の中央
下側に構成される回転軸とを備えている。この回転軸
は、循環パイプの特定部分に回転可能に固定される。
【００１４】図４および図５は、本発明の他の実施形態
による洗浄液流出装置の構成を示したものである。他の
実施形態による洗浄液流出装置は、洗浄液の流れおよび
速度を変化させる風車形態のファン部と、そのファン部
に一体型に連結され、特定角度の傾斜を有する洗浄液の
引入口が、一定間隔で複数個形成された回転部と、回転
部の内部を通じて、上記のファン部に連結された回転軸
を備えている。回転軸は、循環パイプの特定部分に、回
転可能に固定される。上記のような、本発明の洗浄液流
出装置の各構成手段は、洗浄液の化学反応および物理的
反応に無関係な材質から構成する。外部の動力または、
内部洗浄液の流出によって回転する、洗浄液流出装置の
回転速度は、洗浄されるウェハの支持状態を散らさず、
またダウン・フローによるウェハ洗浄機能を低下させな
い程度で調整する。
による洗浄液流出装置の構成を示したものである。他の
実施形態による洗浄液流出装置は、洗浄液の流れおよび
速度を変化させる風車形態のファン部と、そのファン部
に一体型に連結され、特定角度の傾斜を有する洗浄液の
引入口が、一定間隔で複数個形成された回転部と、回転
部の内部を通じて、上記のファン部に連結された回転軸
を備えている。回転軸は、循環パイプの特定部分に、回
転可能に固定される。上記のような、本発明の洗浄液流
出装置の各構成手段は、洗浄液の化学反応および物理的
反応に無関係な材質から構成する。外部の動力または、
内部洗浄液の流出によって回転する、洗浄液流出装置の
回転速度は、洗浄されるウェハの支持状態を散らさず、
またダウン・フローによるウェハ洗浄機能を低下させな
い程度で調整する。
【００１５】
【発明の効果】上記のような、本発明の半導体ウェハ洗
浄装置は、ウェハ洗浄動作時に循環される洗浄液の流れ
を、直線形態から螺旋形態に変化させることによって、
ウェハを支持する部分または、洗浄タンクの下部底面お
よび流出口の汚染源を、効率的に除去するので、ウェハ
洗浄効果が上げられる。
浄装置は、ウェハ洗浄動作時に循環される洗浄液の流れ
を、直線形態から螺旋形態に変化させることによって、
ウェハを支持する部分または、洗浄タンクの下部底面お
よび流出口の汚染源を、効率的に除去するので、ウェハ
洗浄効果が上げられる。
【図１】 従来の半導体ウェハの洗浄装置の系統図
【図２】 本発明の半導体ウェハの洗浄装置の系統図
【図３】 本発明の洗浄液流出装置の構成図
【図４】 本発明の他の実施形態による洗浄液流出装置
の構成図
の構成図
【図５】 図４のＡ−Ａ線に沿った横断面図
２０ ： 流出口、 ２１ ： 洗浄液の流出装置、
２２ ： ウェハ、２３ ： 内部洗浄タンク、 ２４
： 流入口、２５ ： 外部洗浄タンク、２６ ：
循環パイプ ２７ ： 循環ポンプ、２８ ： フィル
ター、 ２９ ： カセット、３０ ： バッフルプレ
ート
２２ ： ウェハ、２３ ： 内部洗浄タンク、 ２４
： 流入口、２５ ： 外部洗浄タンク、２６ ：
循環パイプ ２７ ： 循環ポンプ、２８ ： フィル
ター、 ２９ ： カセット、３０ ： バッフルプレ
ート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ソク・ビン・ハン 大韓民国・チュンチョンブク−ド・チョン ズ−シ・フンドク−グ・ボンミョン２−ド ン・（番地なし）・エルジイサオンアパー トメント カ−906 (72)発明者 ゼ・ジョン・キム 大韓民国・チュンチョンブク−ド・チョン ズ−シ・フンドク−グ・カキョン−ドン・ （番地なし）・デリムアパートメント 102−1002
Claims (7)
- 【請求項１】 洗浄液の流入口および流出口を有し、洗
浄のためのウェハを収容する洗浄タンクと、 上記流出口に装着され、流出される洗浄液の流れおよび
速度を変化させる、洗浄液流出装置とを有することを特
徴とする半導体ウェハ洗浄装置。 - 【請求項２】 洗浄液流出装置は、 洗浄液の流れおよび速度を変化させる風車形態のファン
部と、 上記ファン部の中央下側に構成される回転軸とを有する
請求項１記載の半導体ウェハ洗浄装置。 - 【請求項３】 ファン部は、外部の動力によって、一方
向に回転することを特徴とする請求項２記載の半導体ウ
ェハ洗浄装置。 - 【請求項４】 ファン部は、外部の動力によって、両方
向に交替で回転することを特徴とする請求項３記載の半
導体ウェハ洗浄装置。 - 【請求項５】 洗浄液流出装置は、洗浄液の流れおよび
速度を変化させる風車形態のファン部と、 上記ファン部と連動されるように連結され、中間部分に
特定角度の傾斜を有する、複数個の洗浄液の引入口等が
形成された円筒形状の回転部と、 上記回転部の内部を通じて、上記のファン部に連結され
た回転軸とを有する請求項１記載の半導体ウェハ洗浄装
置。 - 【請求項６】 ファン部は、洗浄動作時の洗浄液の流出
速度によって、一方向に回転することを特徴とする請求
項１記載の半導体ウェハ洗浄装置。 - 【請求項７】 洗浄液の流出口およびウェハ装着用カセ
ットを有するウェハ洗浄用の内部洗浄タンクと、 上記流出口に装着され、洗浄液の流れおよび速度とを変
化させる洗浄液流出装置と、 上記内部洗浄タンクの外側に、内部洗浄タンクと分離空
間を設けて配置され、底にウェハの洗浄に用いられる洗
浄液を流入させる流入口を有する外部洗浄タンクと、 上記の流出口と流入口を互いに連結する循環パイプと、 上記循環パイプの中間部分に配置されて、洗浄液を反復
循環させる循環ポンプと、 上記循環ポンプの駆動によって反復循環される洗浄液を
濾過させて、流入口を通じて内部洗浄タンクへ送るフィ
ルターと、 上記内部洗浄タンクの下側に配置され、ウェハが満たさ
れたカセットを、内部洗浄タンクの底面と分離して固定
させる、バッフル・プレートとを有することを特徴とす
る半導体ウェハ洗浄装置。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102814298A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-12-12 | 太仓市天翔化纤有限公司 | 化纤设备零部件清洗机 |
| CN105057270A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-11-18 | 太仓市微贯机电有限公司 | 一种生产用除尘、除杂装置及其工作方法 |
| CN105080895A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-11-25 | 太仓市微贯机电有限公司 | 一种生产用自动化除尘、除杂装置及其工作方法 |
| CN105107787A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-02 | 太仓市微贯机电有限公司 | 一种挡尘板生产用双轴除尘、除杂装置及其工作方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922136A (en) * | 1997-03-28 | 1999-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post-CMP cleaner apparatus and method |
| JPH1167712A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-09 | Sony Corp | 薬液処理装置およびその流量制御方法 |
| JP2942532B2 (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-30 | 島田理化工業株式会社 | 多段階流量式洗浄方法および多段階流量式洗浄装置 |
| KR100496855B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
| US6245250B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-06-12 | Scp Global Technologies Inc. | Process vessel |
| US6837253B1 (en) * | 2002-04-22 | 2005-01-04 | Imtec Acculine, Inc. | Processing tank with improved quick dump valve |
| US6974505B2 (en) * | 2002-10-16 | 2005-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool for cleaning substrates |
| JP4112343B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2008-07-02 | 三菱電機株式会社 | 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| ATE553683T1 (de) * | 2003-11-10 | 2012-05-15 | Mach Solutions Inc | Technologie zur messung der radialen spreizkraft |
| US6920796B2 (en) * | 2003-11-13 | 2005-07-26 | Nan Ya Technology Corporation | Device used for detecting clamping force of processed object and method thereof |
| US20060185688A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor wafer cleaning method and wafer cleaned by same method |
| US20070044817A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | San-Lung Chen | Wafer protection system employed in chemical stations |
| KR20080013352A (ko) * | 2006-08-08 | 2008-02-13 | 류동영 | 혼합기화기를 세정하기 위한 세정장치 |
| JP2009039604A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | 洗浄装置、洗浄槽、洗浄方法および洗浄制御プログラム |
| KR100888958B1 (ko) | 2008-06-12 | 2009-03-17 | 주식회사 에스티에스 | 세정 장치 |
| CN104289487A (zh) * | 2014-10-15 | 2015-01-21 | 中山市吉尔科研技术服务有限公司 | 一种用于光学镜片的清洗吹干一体设备 |
| CN108447799B (zh) * | 2017-02-16 | 2022-03-01 | 弘塑科技股份有限公司 | 湿化学处理设备及其使用方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4952579A (ja) * | 1972-09-21 | 1974-05-22 | ||
| JPS6089273U (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-19 | 関西日本電気株式会社 | 液処理装置 |
| JPS6142917A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
| JPH04137729A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Nippon Steel Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JPH04338274A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Seiko Epson Corp | 部品洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH0553241U (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
| JPH06224171A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Kyushu Komatsu Denshi Kk | ウエハ洗浄方法および装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4633893A (en) * | 1984-05-21 | 1987-01-06 | Cfm Technologies Limited Partnership | Apparatus for treating semiconductor wafers |
| US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
| US4955402A (en) * | 1989-03-13 | 1990-09-11 | P.C.T. Systems, Inc. | Constant bath system with weir |
| JPH0521413A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法 |
| JP3080834B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2000-08-28 | 株式会社東芝 | 半導体基板洗浄処理装置 |
-
1996
- 1996-04-12 KR KR1019960011060A patent/KR100209751B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-20 US US08/699,865 patent/US5948173A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-05 JP JP8339124A patent/JP2916616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4952579A (ja) * | 1972-09-21 | 1974-05-22 | ||
| JPS6089273U (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-19 | 関西日本電気株式会社 | 液処理装置 |
| JPS6142917A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
| JPH04137729A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Nippon Steel Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JPH04338274A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Seiko Epson Corp | 部品洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH0553241U (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
| JPH06224171A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Kyushu Komatsu Denshi Kk | ウエハ洗浄方法および装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102814298A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-12-12 | 太仓市天翔化纤有限公司 | 化纤设备零部件清洗机 |
| CN105057270A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-11-18 | 太仓市微贯机电有限公司 | 一种生产用除尘、除杂装置及其工作方法 |
| CN105080895A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-11-25 | 太仓市微贯机电有限公司 | 一种生产用自动化除尘、除杂装置及其工作方法 |
| CN105107787A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-02 | 太仓市微贯机电有限公司 | 一种挡尘板生产用双轴除尘、除杂装置及其工作方法 |
Also Published As
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