KR100209751B1 - 반도체 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 세정 장치에 관한 것으로, 특히 세정액의 유출 동작이 효율적으로 이루어지도록한 반도체 소자의 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 세정 탱크의 하부에 구성된 유출구에 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 세정액 유출 장치를 구성하여 웨이퍼 세정동작시에 유출되는 세정액의 흐름을 직선 형태에서 나선 형태로 변화시키므로써 웨이퍼를 지지해주는 부분 또는 세정 탱크의 하부 바닥면 및 유출구의 오염원을 효율적으로 제거하므로 웨이퍼 세정효과를 높일 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정 장치
제1도(a)(b)는 종래의 반도체 웨이퍼 세정 장치의 계통도.
제2도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치의 계통도.
제3도는 본 발명의 세정액 유출 장치의 구성도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정액 유출 장치의 구성도.
제5도는 제4도의 A-A선에 따른 횡단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 유출구 21 : 세정액 유출 장치
22 : 웨이퍼 23 : 내부 세정 탱크
24 : 유입구 25 : 외부 세정 탱크
26 : 순환 파이프 27 : 순환 펌프
28 : 필터 29 : 카세트
30 : 배플 플레이트
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 세정 장치에 관한 것으로, 특히 세정액의 유출 동작이 효율적으로 이루어지도록한 반도체 소자의 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자가 고집적화 됨에 따라 웨이퍼 표면에 잔류하는 미세 입자들이 소자의 특성에 크게 영향을 미치게 된다.
따라서, 최근에는 이러한 웨이퍼 표면에 포함된 미세한 입자들을 제거하는 웨이퍼 세정 기술이 반도체 소자의 제조공정에서 매우 중요하게 대두되었다.
현재의 ULSI 기술에서는 이미 0.5㎛ 레벨의 패턴치수의 디바이스가 양산되고 있는데, 그와 같은 미세한 디멘션(Dimension)이 관여하는 프로세스에서는 당연히 초청정(超淸淨) 환경이 필요하고, 다시 그것을 유지하기 위한 표면처리, 세정기술이 필요하다.
특히, 웨이퍼(Wafer)의 대구경화 및 칩 사이즈(Chip Size)의 감소에 따라 웨트공정(Wet Process)에 의한 배스 시스템(Bath System)의 개발이 계속되고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 웨이퍼 세정기술에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제1도(a)(b)는 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 계통도이다.
먼저, 제1도(a)는 오버 플로잉 배스 시스템(Over Flowing Bath System)을 나타낸 것으로, 하단 중앙부에 세정액을 유입시키는 유입구(3)를 갖는 웨이퍼(8) 세정용 내부세정탱크(1)와, 상기 내부세정탱크(1)의 외측에 내부세정탱크(1)를 감싸고 구성되어 내부세정탱크(1)와의 분리공간에 세정에 사용되어진 세정액을 유출하는 유출구(4)를 갖는 외부세정 탱크(2)와, 상기 유출구(4)와 유입구(3)를 서로 연결하는 순환 파이프(10)와, 상기 순환 파이프(10)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 순환펌프(5)와, 상기 순환펌프(5)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(3)를 통해 내부 세정 탱크(1)로 보내는 필터(6)을 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성된 오버 플로잉 배스 시스템의 세정동작은 다음과 같다.
먼저, 순환펌프(5)의 구동에 의해 세정액이 필터(6)를 통과하여 유입구(3)를 통해 내부 세정 탱크(1)내에 채워진다.
그리고 카세트(7)에 고정되어진 웨이퍼(8)들이 상기 세정액에 잠기게 된다.
이때 웨이퍼(8)들의 사이로 순환되는 세정액에 의해 웨이퍼(8) 표면에 존재하는 미세입자들이 세정 되어진다.
즉, 웨이퍼(8)와 세정액이 화학적 반응(Chemical Reaction) 및 물리적 작용을 하여 세정 및 에칭공정이 이루어지는 것이다.
그리고 용액이 내부세정 탱크(1)에 완전히 채워진 후에 넘쳐 흐르게 되면 외부세정 탱크(2)의 유출구(4)를 통하여 순환펌프(5)에 의해 필터(6)를 통과하게 된다.
상기 필터(6)에 의해 여과된 세정액은 다시 웨이퍼(8)가 위치한 내부세정 탱크(1)로 보내지게 된다.
그리고 상기의 세정액은 반복순환되거나, 일정기준에 의해 폐기처분된다.
즉, 배스 시스템의 순환펌프(5)가 구동중일 때는 폐기밸브를 잠그고 있다가 세정액이 폐기 처분시에는 폐기밸브를 열어 외부로 세정액을 배출시키게 된다.
그리고 제1도(b)는 다운 플로잉 배스 시스템(Down Flowing Bath System)을 나타낸 것으로, 하단 중앙부에 세정액을 유출시키는 유출구(4)를 갖는 웨이퍼(8) 세정용 내부세정 탱크(1)와, 상기 내부세정 탱크(1)의 외측에 내부세정 탱크(1)를 감싸고 구성되어 내부세정 탱크(1)와의 분리공간에 세정에 사용되어질 세정액을 유입시키는 유입구(3)를 갖는 외부세정 탱크(2)와, 상기 유출구(4)와 유입구(3)를 서로 연결하는 순환 파이프(10)와, 상기 순환 파이프(10)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 순환펌프(5)와, 상기 순환펌프(5)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(3)를 통해 내부세정 탱크(1)로 보내는 필터(6)와, 상기 내부세정 탱크(1)의 하측에 구성되어 웨이퍼(8)가 채워진 카세트(7)를 내부세정 탱크(1)의 바닥면과 분리하여 고정시켜주는 배플 플레이트(Baffle Plate)(9)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성된 다운 플로잉 배스 시스템(Down Flowing Bath System)의 세정동작은 다음과 같다.
먼저, 순환펌프(5)의 구동에 의해 세정액이 필터(6)를 통과하여 유입구(3)를 통해 내부세정 탱크(1)내에 채워진다.
이때, 세정액은 제1도(a)에서와 같이, 아래에서 위로 채워지는 것이 아니라, 위에서 아래로 채워지게 된다.
그리고 웨이퍼(8)를 담고 있는 카세트(7)가 내부세정 탱크(1)의 배플 플레이트(9)에 고정되어 세정액에 잠기게 된다.
카세트(7)에 담겨 있는 웨이퍼(8)들은 순환되는 세정액에 의해 세정된다.
이때, 순환펌프(5)에 의해 세정액은 필터(6)를 거쳐 여과되며 계속 순환 되어진다.
그리고 배스 시스템의 순환펌프(5)가 구동중일 때는 폐기밸브를 잠그고 있다가 일정기준에 의한 세정액의 폐기처분시에는 폐기밸브를 열어 외부로 세정액을 배출시키게 된다.
그러나 상기와 같은 종래의 세정장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
먼저, 오버 플로잉 배스 시스템은 내부세정 탱크 하부에 유입구가 구성되어 세정액이 하부에서 상부로 플로잉 되므로, 카세트의 웨이퍼가 서포트(Support) 되는 부분에 잔존하는 미세입자들이 상부로 이동되는 도중에 웨이퍼의 전,후면에 재부착되거나 반응을 일으켜 웨이퍼를 오염시키게 된다.
이는 오염원(Contamination Source)과 유입구가 근접해 있어 유입구를 통하여 들어온 세정액이 오염원을 거쳐 웨이퍼에 도달하기 때문이다.
그리고 다운 플로잉 배스 시스템은 세정액의 흐름이 기본적으로 직선이기 때문에 유출구 또는 웨이퍼가 서포트되는 부분에서 오염 입자들이 제거되지 않고 세정 동작시에 웨이퍼 사이를 흘러 전,후면에 부착되거나 반응을 일으켜 웨이퍼를 오염시키게 된다.
즉, 상기와 같은 종래의 세정 장치에 있어서는 세정액의 유출 동작에서 완전하게 오염원을 제거하지 못한다.
그러므로 그 오염원에 의해 세정공정이 불완전하게 이루어진 상태에서 그대로 후공정을 진행하게 되어 소자의 생산수율 및 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 세정 공정에서 일정 기준까지 사용이 끝난 세정액이 효율적으로 유출되도록 하여 세정효과를 높일 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 세정액의 유입구 및 유출구를 갖고, 세정을 위한 웨이퍼를 수용하는 세정 탱크와, 상기 유출구에 장착되고 유출되는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 세정액 유출 장치로 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치의 계통도이고, 제3도는 본 발명의 세정액 유출 장치의 구성도이다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 다운 플로잉(Down Flowing)방식에서 세정액의 순환 동작이나 폐기 처분시에 세정액이 유출되는 유출구에 세정액의 흐름을 직선이 아닌 나선(Spiral)형태가 되도록 하는 세정액 유출 장치를 구성한 것으로 그 상세구성은 다음과 같다.
외부에서 가해지는 동력 또는 세정액의 유출 속도에 의한 일방향 또는 양방향의 회전으로 세정액의 흐름을 나선 형태로 변형시키는 세정액 유출 장치(21)를 갖는 유출구(20)와, 하단 중앙부에 유출구(20)를 갖는 웨이퍼(22)세정용 내부세정 탱크(23)와, 상기 내부세정 탱크(23)의 외측에 내부세정 탱크(23)를 감싸고 구성되어 내부세정 탱크(23)와의 분리공간에 세정에 사용되어질 세정액을 유입시키는 유입구(24)를 갖는 외부세정 탱크(25)와, 상기 유출구(20)와 유입구(24)를 서로 연결하는 순환 파이프(26)와, 상기 순환 파이프(26)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 순환펌프(27)와, 상기 순환펌프(27)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(24)를 통해 내부세정 탱크(23)로 보내는 필터(28)와, 상기 내부세정 탱크(23)의 하측에 구성되어 웨이퍼(22)가 채워진 카세트(29)를 내부세정 탱크(23)의 바닥면과 분리하여 고정시켜주는 배플 플레이트(30)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 세정 장치의 세정동작은 다음과 같다.
먼저, 순환펌프(27)의 구동에 의해 세정액이 필터(28)를 통과하여 유입구(24)를 거쳐 내부세정 탱크(23)내에 채워진다.
이때, 세정액은 아래에서 위로 채워지는 것이 아니라, 위에서 아래로 채워지게 된다.
그리고 웨이퍼(22)를 담고 있는 카세트(29)가 내부세정 탱크(23)의 배플 플레이트(30)에 고정되어 세정액에 잠기게 된다.
카세트(29)에 담겨 있는 웨이퍼(22)들은 순환되는 세정액에 의해 세정된다.
이때, 순환펌프(27)에 의해 세정액은 필터(28)를 거쳐 여과되며 계속 순환되어진다.
상기의 순환 동작에서 세정 탱크 하측의 유출구(20)로 세정액이 배출될때는 상기 유출구(20)의 중앙부에 구성된 세정액 유출 장치(21)에 의해 세정액의 흐름이 직선에서 나선 형태로 변화되고 세정액의 흐름 속도 또한 빨라지게 된다.
그러므로 유출구 또는 웨이퍼가 서포트되는 부분에서 오염 입자들이 고착(固着)되는 것을 막게된다.
상기의 세정액 유출 장치(21)는 제3도에서와 같이 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와 상기 팬부의 중앙 하측에 구성되는 회전축으로 구성된다.
상기 회전축은 순환 파이프의 특정부분에 회전 가능하도록 고정된다.
그리고 제4도 및 제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정액 유출 장치의 구성을 나타낸 것이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와 상기 팬부에 일체형으로 연결되고 특정 각도의 경사를 갖는 세정액 인입구가 일정 간격으로 복수개 형성된 회전부와 상기 회전부의 내부를 통하여 상기 팬부에 연결된 회전축으로 구성된다.
상기 회전축은 순환 파이프의 특정 부분에 회전 가능하도록 고정된다.
상기와 같은 본 발명의 세정액 유출 장치의 각 구성수단은 세정액의 화학 반응 및 물리적 반응에 무관한 재질로 구성된다.
외부의 동력 또는 내부 세정액의 유출에 의해 회전하는 세정액 유출 장치의 회전 속도는 세정되는 웨이퍼의 지지상태를 흐트리지 않고 또한 다운 플로우에 의한 웨이퍼 세정기능을 저하시키지 않을 정도로 조정한다.
상기와 같은 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼 세정동작시에 순환되는 세정액의 흐름을 직선 형태에서 나선 형태로 변화시키므로써 웨이퍼를 지지해주는 부분 또는 세정 탱크의 하부 바닥면 및 유출구의 오염원을 효율적으로 제거하므로 웨이퍼 세정효과를 높일 수 있다.

Claims (23)

  1. 세정액의 유입구 및 유출구를 갖고, 세정을 위한 웨이퍼를 수용하는 세정 탱크와, 상기 유출구에 장착되고 유출되는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 세정액 유출 장치로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부의 중앙 하측에 구성되는 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서, 회전축은 유출구에 연결되는 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제2항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제2항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제2항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서, 세정 장치는 세정액이 상기 웨이퍼의 상측으로 부터 하측으로 흐르는 다운 플로잉(Down Flowing)시스템인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부와 연동되도록 연결되고 중간 부분에 특정 각도의 경사를 갖는 복수개의 세정액 인입구들이 형성된 원통 형상의 회전부와, 상기 회전부의 내부를 통하여 상기 팬부에 연결된 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  9. 제8항에 있어서, 회전축은 유출구에 연결되는 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  10. 제8항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  11. 제8항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  12. 제8항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  13. 세정액의 유출구 및 웨이퍼 장착용 카세트를 갖는 웨이퍼 세정용 내부 세정 탱크와, 상기 유출구에 장착되고, 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 세정액 유출 장치와, 상기 내부세정 탱크의 외측에 내부세정 탱크와 분리공간을 갖고 구성되고, 웨이퍼의 세정에 사용되어질 세정액을 유입시키는 유입구를 갖는 외부세정 탱크와, 상기 유출구와 유입구를 서로 연결하는 순환 파이프와, 상기 순환 파이프의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 순환펌프와, 상기 순환펌프의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구를 통해 내부세정 탱크로 보내는 필터와, 상기 내부세정 탱크의 하측에 구성되고 웨이퍼가 채워진 카세트를 내부세정 탱크의 바닥면과 분리하여 고정시켜주는 배플 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  14. 제13항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부의 중앙 하측에 구성되는 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  15. 제14항에 있어서, 회전축은 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  16. 제14항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  17. 제14항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  18. 제14항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  19. 제13항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부의 연동되도록 연결되고 중간 부분에 특정 각도의 경사를 갖는 복수개의 세정액 인입구가 일정 간격으로 형성된 원통 형태의 회전부와, 상기 회전부의 내부를 통하여 상기 팬부에 연결된 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  20. 제19항에 있어서, 회전축은 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  21. 제19항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  22. 제19항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  23. 제19항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496855B1 (ko) * 1998-09-24 2005-09-02 삼성전자주식회사 반도체장치 제조용 습식식각설비
WO2009151303A2 (ko) * 2008-06-12 2009-12-17 주식회사 에스티에스 세정 장치

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5922136A (en) * 1997-03-28 1999-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Post-CMP cleaner apparatus and method
JPH1167712A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sony Corp 薬液処理装置およびその流量制御方法
JP2942532B2 (ja) * 1998-02-18 1999-08-30 島田理化工業株式会社 多段階流量式洗浄方法および多段階流量式洗浄装置
US6245250B1 (en) * 1999-03-05 2001-06-12 Scp Global Technologies Inc. Process vessel
US6837253B1 (en) * 2002-04-22 2005-01-04 Imtec Acculine, Inc. Processing tank with improved quick dump valve
US6974505B2 (en) * 2002-10-16 2005-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool for cleaning substrates
JP4112343B2 (ja) * 2002-11-21 2008-07-02 三菱電機株式会社 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法
CA2543632C (en) * 2003-11-10 2011-08-16 Machine Solutions, Inc. Radial expansion force measurement technology
US6920796B2 (en) * 2003-11-13 2005-07-26 Nan Ya Technology Corporation Device used for detecting clamping force of processed object and method thereof
US20060185688A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor wafer cleaning method and wafer cleaned by same method
US20070044817A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 San-Lung Chen Wafer protection system employed in chemical stations
KR20080013352A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 류동영 혼합기화기를 세정하기 위한 세정장치
JP2009039604A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄槽、洗浄方法および洗浄制御プログラム
CN102814298A (zh) * 2012-08-01 2012-12-12 太仓市天翔化纤有限公司 化纤设备零部件清洗机
CN104289487A (zh) * 2014-10-15 2015-01-21 中山市吉尔科研技术服务有限公司 一种用于光学镜片的清洗吹干一体设备
CN105057270B (zh) * 2015-09-10 2018-02-09 太仓市微贯机电有限公司 一种生产用除尘、除杂装置及其工作方法
CN105107787B (zh) * 2015-09-10 2018-02-09 太仓市微贯机电有限公司 一种挡尘板生产用双轴除尘、除杂装置及其工作方法
CN105080895B (zh) * 2015-09-10 2018-02-09 太仓市微贯机电有限公司 一种生产用自动化除尘、除杂装置及其工作方法
CN108447799B (zh) * 2017-02-16 2022-03-01 弘塑科技股份有限公司 湿化学处理设备及其使用方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5529579B2 (ko) * 1972-09-21 1980-08-05
JPS6089273U (ja) * 1983-11-28 1985-06-19 関西日本電気株式会社 液処理装置
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
JPS6142917A (ja) * 1984-08-06 1986-03-01 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置
US4955402A (en) * 1989-03-13 1990-09-11 P.C.T. Systems, Inc. Constant bath system with weir
JPH04137729A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Nippon Steel Corp ウエハ洗浄装置
JPH04338274A (ja) * 1991-05-14 1992-11-25 Seiko Epson Corp 部品洗浄方法及び洗浄装置
JPH0521413A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法
JP2533460Y2 (ja) * 1991-12-13 1997-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JPH06224171A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Kyushu Komatsu Denshi Kk ウエハ洗浄方法および装置
JP3080834B2 (ja) * 1994-03-30 2000-08-28 株式会社東芝 半導体基板洗浄処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496855B1 (ko) * 1998-09-24 2005-09-02 삼성전자주식회사 반도체장치 제조용 습식식각설비
WO2009151303A2 (ko) * 2008-06-12 2009-12-17 주식회사 에스티에스 세정 장치
WO2009151303A3 (ko) * 2008-06-12 2010-03-11 주식회사 에스티에스 세정 장치
US8769749B2 (en) 2008-06-12 2014-07-08 Sts Co., Ltd. Cleaning device

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JPH09283488A (ja) 1997-10-31

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