KR970072132A - 반도체 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 세정 장치에 관한 것으로, 특히 세정액의 유출 동작이 효율적으로 이루어지도록 한 반도체 소자의 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 세정 탱크의 하부에 구성된 유출구에 세정액의 흐름 및 속도를 변환시키는 세정액 유출 장치를 구성하여 웨이퍼 세정동작시에 유출되는 세정액의 흐름을 직선 형태에서 나선 형태로 변환시키므로써 웨이퍼를 지지해주는 부분 또는 세정 탱크의 하부 바닥면 및 유출구의 오염원을 효율적으로 제거하므로 웨이퍼 세정효과를 높일 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치의 계통도, 제3도는 본 발명의 세정액 유출 장치의 구성도.

Claims (23)

  1. 세정액의 유입구 및 유출구를 갖고, 세정을 위한 웨이퍼를 수용하는 세정 탱크와, 상기 유출구에 장착되고 유출되는 세정액의 흐름 및 속도를 변환시키는 세정액 유출 장치로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부의 중앙 하측에 구성되는 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서, 회전축은 유출구에 연결되는 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제2항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제2항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제2항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서, 세정 장치는 세정액이 상기 웨이퍼의 상측으로부터 하측으로 흐르는 다운 플로잉(Down Flowing)시스템인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변화시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부와 연동되도록 연결되고 중간 부분에 특정 각도의 경사를 갖는 복수개의 세정액 인입구들이 형성된 원통형상의 회전부와, 상기 회전부의 내부를 통하여 상기 팬부에 연결된 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  9. 제8항에 있어서, 회전축은 유출구에 연결되는 순화 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  10. 제8항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  11. 제8항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  12. 제8항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  13. 세정액의 유출구 및 웨이퍼 장착용 카세트를 갖는 웨이퍼 세정용 내부 세정 탱크와, 상기 유출구에 장착되고, 세정액의 흐름 및 속도를 변환시키는 세정액 유출장치와, 상기 내부세정 탱크의 외측에 내부세정 탱크와분리공간을 갖고 구성되고, 웨이퍼의 세정에 사용되어질 세정액을 유입시키는 유입구를 갖는 외부 세정탱크와, 상기 유출구와 유입구를 서로 연결하는 순환 파이프와, 상기 순환 파이프의 중간부분에 구성되어 세정액을반복순환 시켜주는 순환펌프와, 상기 순환펌프의 구동에 의해 반복순환되는 세정액을 여과시켜 유입구를 통해내부 세정 탱크로 보내는 필터와, 상기 내부세정 탱크의 하측에 구성되고 웨이퍼가 채워진 카세트를 내부세정탱크의 바닥면과 분리하여 고정시켜주는 배플 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  14. 제13항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변환시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부의 중앙 하측에 구성되는 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  15. 제14항에 있어서, 회전축은 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  16. 제14항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  17. 제14항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  18. 제14항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  19. 제13항에 있어서, 세정액 유출 장치는 세정액의 흐름 및 속도를 변환시키는 바람개비 형태의 팬부와, 상기 팬부에 연동되도록 연결되고 중간 부분에 특정 각도의 경사를 갖는 복수개의 세정액 인입구가 일정 간격으로 형성된 원통 형태의 회전부와, 상기 회전부의 내부를 통하여 상기 팬부에 연결된 회전축으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  20. 제19항에 있어서, 회전축은 순환 파이프의 일부분에 회전 가능하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  21. 제19항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  22. 제19항에 있어서, 팬부는 외부의 동력에 의해 양방향으로 교대로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  23. 제19항에 있어서, 팬부는 세정 동작시의 세정액의 유출 속도에 의해 일방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008018729A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Sts Co., Ltd. Cleaning apparatus for cleaning mixing vaporizer

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5922136A (en) * 1997-03-28 1999-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Post-CMP cleaner apparatus and method
JPH1167712A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sony Corp 薬液処理装置およびその流量制御方法
JP2942532B2 (ja) * 1998-02-18 1999-08-30 島田理化工業株式会社 多段階流量式洗浄方法および多段階流量式洗浄装置
KR100496855B1 (ko) * 1998-09-24 2005-09-02 삼성전자주식회사 반도체장치 제조용 습식식각설비
US6245250B1 (en) * 1999-03-05 2001-06-12 Scp Global Technologies Inc. Process vessel
US6837253B1 (en) * 2002-04-22 2005-01-04 Imtec Acculine, Inc. Processing tank with improved quick dump valve
US6974505B2 (en) * 2002-10-16 2005-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool for cleaning substrates
JP4112343B2 (ja) * 2002-11-21 2008-07-02 三菱電機株式会社 薬液処理装置および薬液処理方法ならびにそれを用いた半導体デバイスの製造方法
EP1703830B1 (en) * 2003-11-10 2012-04-18 Machine Solutions, Inc. Radial expansion force measurement technology
US6920796B2 (en) * 2003-11-13 2005-07-26 Nan Ya Technology Corporation Device used for detecting clamping force of processed object and method thereof
US20060185688A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor wafer cleaning method and wafer cleaned by same method
US20070044817A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 San-Lung Chen Wafer protection system employed in chemical stations
JP2009039604A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄槽、洗浄方法および洗浄制御プログラム
KR100888958B1 (ko) * 2008-06-12 2009-03-17 주식회사 에스티에스 세정 장치
CN102814298A (zh) * 2012-08-01 2012-12-12 太仓市天翔化纤有限公司 化纤设备零部件清洗机
CN104289487A (zh) * 2014-10-15 2015-01-21 中山市吉尔科研技术服务有限公司 一种用于光学镜片的清洗吹干一体设备
CN105080895B (zh) * 2015-09-10 2018-02-09 太仓市微贯机电有限公司 一种生产用自动化除尘、除杂装置及其工作方法
CN105057270B (zh) * 2015-09-10 2018-02-09 太仓市微贯机电有限公司 一种生产用除尘、除杂装置及其工作方法
CN105107787B (zh) * 2015-09-10 2018-02-09 太仓市微贯机电有限公司 一种挡尘板生产用双轴除尘、除杂装置及其工作方法
CN108447799B (zh) * 2017-02-16 2022-03-01 弘塑科技股份有限公司 湿化学处理设备及其使用方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5529579B2 (ko) * 1972-09-21 1980-08-05
JPS6089273U (ja) * 1983-11-28 1985-06-19 関西日本電気株式会社 液処理装置
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
JPS6142917A (ja) * 1984-08-06 1986-03-01 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置
US4955402A (en) * 1989-03-13 1990-09-11 P.C.T. Systems, Inc. Constant bath system with weir
JPH04137729A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Nippon Steel Corp ウエハ洗浄装置
JPH04338274A (ja) * 1991-05-14 1992-11-25 Seiko Epson Corp 部品洗浄方法及び洗浄装置
JPH0521413A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法
JP2533460Y2 (ja) * 1991-12-13 1997-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JPH06224171A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Kyushu Komatsu Denshi Kk ウエハ洗浄方法および装置
JP3080834B2 (ja) * 1994-03-30 2000-08-28 株式会社東芝 半導体基板洗浄処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008018729A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Sts Co., Ltd. Cleaning apparatus for cleaning mixing vaporizer

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KR100209751B1 (ko) 1999-07-15
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JPH09283488A (ja) 1997-10-31
JP2916616B2 (ja) 1999-07-05

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