WO2009151303A2 - 세정 장치 - Google Patents

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WO2009151303A2
WO2009151303A2 PCT/KR2009/003177 KR2009003177W WO2009151303A2 WO 2009151303 A2 WO2009151303 A2 WO 2009151303A2 KR 2009003177 W KR2009003177 W KR 2009003177W WO 2009151303 A2 WO2009151303 A2 WO 2009151303A2
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cleaning
pipe
mixed
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유동영
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주식회사 에스티에스
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material

Definitions

  • the present invention relates to a cleaning apparatus, and more particularly, to a fixing material fixed therein even if a mixing vaporizer, which is used in a semiconductor processing apparatus such as a chemical vapor deposition (CVD) apparatus, is not decomposed one by one.
  • the present invention relates to a mixed vaporizer cleaning apparatus capable of removing the gas in a short time.
  • a process for manufacturing a semiconductor component is performed by repeating unit processes such as an impurity implantation and diffusion process, an oxidation process, a chemical vapor deposition process, a photolithography process, and a cleaning process.
  • CVD chemical vapor deposition
  • a mixed vaporizer is used to provide a gaseous mixture in the chamber.
  • Such a mixed vaporizer supplies a mixed gas vaporized by mixing a raw material liquid corresponding to a thin film forming material with a carrier gas corresponding to a carrier to the reaction space of the chamber.
  • the mixed vaporizer 100 includes a housing 140, a mixing space 130 in which a mixed gas is formed by mixing a raw material liquid and a carrier gas, a diaphragm 120 for adjusting a flow rate of the mixed gas, And a piezo valve 110 for driving the diaphragm 120.
  • the diaphragm 120 finely controls the flow rate by the operation of the piezo valve 110 by a controller (not shown).
  • the raw material liquid stored in the raw material liquid tank 10 is supplied to the mixing space 130, and the carrier gas stored in the carrier gas tank 11 is injected into the mixing space 130 through the carrier gas nozzle 150.
  • the mixed gas discharged from the mixed vaporizer 100 is supplied to the chamber 13 via the MFC 12.
  • a raw material liquid containing silicon such as Teos (Si (OC2H5) 4, TEOS, Tetraethyl orthosilicate
  • Si silicon
  • the fixed material including Si is fixed to the inner wall of the mixed vaporizer 100 to hinder the flow of the raw material liquid, the carrier gas, and the mixed gas.
  • the carrier gas nozzle 150 or the mixing space 130 is blocked by the fixing material, the performance of the mixed vaporizer 100 cannot be exhibited, and thus the inside of the mixed vaporizer 100 should be periodically cleaned.
  • the diaphragm 120 for fine flow control may not work properly, and thus particles or abnormal film formation may be formed when the mixed gas is deposited on the wafer surface. There was a problem causing.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and can easily detach the mixed vaporizer from the semiconductor processing apparatus, and can completely clean the internal fixation material without disassembling the mixed vaporizer separated from the semiconductor processing apparatus. It is to provide a cleaning device.
  • the cleaning liquid is circulated through at least one of the first hole, the second hole, and the third hole with respect to the mixed vaporizer having a carrier gas nozzle for supplying the carrier gas and a third hole for discharging the mixed gas.
  • cleans the said mixed vaporizer is provided.
  • the mixed vaporizer of the present invention can be easily attached to and detached from the semiconductor processing apparatus, and the internal fixation material can be removed cleanly without disassembling the mixed vaporizer.
  • the efficiency of the cleaning operation and the production yield of the semiconductor process are improved.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a general semiconductor processing apparatus equipped with a mixed vaporizer.
  • FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.
  • FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.
  • a mixing space in which a first hole into which a raw material liquid is introduced, a second hole into which a carrier gas is introduced, and a mixed gas are mixed by mixing the raw material liquid and the carrier gas.
  • a cleaning liquid tank storing a cleaning liquid for cleaning a mixed vaporizer having a carrier gas nozzle connected to the second hole and supplying the carrier gas to the mixing space, and a third hole for discharging the mixed gas;
  • a circulation pump circulating the cleaning liquid to the mixed vaporizer;
  • a first pipe connecting the first hole to the circulation pump to provide the cleaning liquid to the mixing space;
  • a second pipe connecting the second hole and the first pipe to provide the cleaning liquid to the carrier gas nozzle;
  • a mixing space in which a first hole into which a raw material liquid is introduced, a second hole into which a carrier gas is introduced, and a mixed gas are mixed by mixing the raw material liquid and the carrier gas.
  • a cleaning liquid tank configured to store a cleaning liquid for cleaning a mixed vaporizer including a carrier gas nozzle connected to the second hole and supplying the carrier gas to the mixing space, and a third hole for discharging the mixed gas;
  • a circulation pump circulating the cleaning liquid to the mixed vaporizer;
  • a third pipe connecting the third hole to the circulation pump to provide the cleaning liquid to the mixing space;
  • a second pipe returning the cleaning liquid discharged to the second hole through the carrier gas nozzle to the cleaning liquid tank;
  • a mixing space in which a first hole into which a raw material liquid is introduced, a second hole into which a carrier gas is introduced, and a mixed gas are mixed by mixing the raw material liquid and the carrier gas.
  • a cleaning liquid tank connected with the second hole to store a cleaning liquid for cleaning the mixed vaporizer including a carrier gas nozzle for supplying the carrier gas to the mixing space and a third hole for discharging the mixed gas;
  • a circulation pump circulating the cleaning liquid to the mixed vaporizer;
  • the first and second holes are connected to the circulation pump in the forward circulation and the third hole is connected to the cleaning liquid tank, and the third hole is connected to the circulation pump in the reverse circulation and the first hole and A direction changer connecting the second hole to the cleaning liquid tank; It includes, it characterized in that the mixed vaporizer can be washed in the forward and reverse direction by the direction changing unit.
  • a mixing space in which a first hole into which a raw material liquid is introduced, a second hole into which a carrier gas is introduced, and a mixed gas are mixed by mixing the raw material liquid and the carrier gas.
  • a cleaning liquid tank configured to store a cleaning liquid for cleaning a mixed vaporizer including a carrier gas nozzle connected to the second hole and supplying the carrier gas to the mixing space, and a third hole for discharging the mixed gas;
  • a pure water tank storing pure water for cleaning the mixed vaporizer;
  • a circulation pump circulating the cleaning liquid or pure water to the mixed vaporizer; Connect the circulating pump to the rinse liquid tank during circulation of the rinse liquid and return the rinse liquid discharged from the mixed vaporizer to the rinse liquid tank, and connect the circulating pump to the pure water tank and discharge from the mixed vaporizer during circulation of the pure water.
  • a selection unit for returning purified water to the pure water tank Characterized in that it comprises a.
  • FIG. 2 shows a cleaning apparatus of the present invention having a cleaning liquid tank 600, a circulation pump 500, and a turning part 400
  • FIG. 3 shows a cleaning liquid tank 600, a pure water tank 700, and a selection part.
  • the cleaning apparatus of this invention provided with the 800, the circulation pump 500, and the direction change part 400 is shown.
  • the mixed vaporizer 100 separated in the general semiconductor processing apparatus shown in FIG. 1 is connected to and cleaned in the cleaning apparatus shown in FIG. 2 or 3 without disassembling it.
  • the cleaning apparatus of the present invention may be connected to one or more mixed vaporizers 100 to perform the cleaning operation at the same time.
  • the cleaning liquid used in the cleaning apparatus of the present invention includes fluorine (F), which is a fixed material including a silicon (Si) component fixed to the inner wall of the mixed vaporizer 100 reacts with the fluorine (F), the mixed vaporizer ( This is because it is easily discharged from the inner wall of 100).
  • fluorine (F) is a fixed material including a silicon (Si) component fixed to the inner wall of the mixed vaporizer 100 reacts with the fluorine (F), the mixed vaporizer ( This is because it is easily discharged from the inner wall of 100).
  • the cleaning solution may include at least one of hydrofluoric acid (HF), acidic ammonium fluoride (NH 4 HF 2), and tetrahydrofuran (THF), and in one embodiment, the cleaning solution may be used in a weight ratio of water and acidic ammonium fluoride (NH 4 HF 2).
  • HF hydrofluoric acid
  • NH 4 HF 2 acidic ammonium fluoride
  • THF tetrahydrofuran
  • the aqueous solution mixed as follows is used.
  • the cleaning liquid tank 600 is a portion in which the cleaning liquid is accommodated.
  • the inner wall surface of the cleaning liquid tank 600 is made of a material that is prevented from corrosion or prevents corrosion when the cleaning liquid is received.
  • the size of the cleaning liquid tank 600 is mixed. It is preferable that it is formed to a size that can sufficiently accommodate the cleaning liquid for cleaning the vaporizer 100.
  • the illustrated cleaning apparatus includes a cleaning liquid tank 600 in which the cleaning liquid is stored, and a circulation pump 500 for circulating the cleaning liquid, and further includes a direction changing unit 400 capable of switching the flow direction of the cleaning liquid in the forward or reverse direction. It is preferable to provide.
  • the housing 140 the first hole 215 into which the raw material liquid is introduced, the second hole 225 into which the carrier gas is introduced, and the raw material liquid and the carrier gas are mixed.
  • 235 and a piezo valve 110 and a diaphragm 120 for finely controlling the flow rate of the mixed gas are provided.
  • the first hole 215 is detached from the first valve 210
  • the second hole 225 is detached from the second valve 220
  • the third hole 235 is attached to the third valve 230.
  • the above-described assembling method can also be used when the cleaning apparatus is detached from the semiconductor processing apparatus, or when the mixed vaporizer cleaned in the cleaning apparatus is detached from the semiconductor processing apparatus. Accordingly, the time and effort required for separating the mixed vaporizer from the semiconductor processing apparatus and mounting the mixed vaporizer to the cleaning apparatus can be greatly reduced.
  • the cleaning device is provided with a first pipe 219, a second pipe 229, and a third pipe 239.
  • the first pipe 219 is connected to the first hole 215 of the mixing vaporizer 100 by a first valve 210 so that the first pipe 219 is detachable, and one side of the second pipe 229 is connected to the first pipe 219. It is connected by the second valve 220 so that the other side is detachable from the second hole 225, the third pipe 239 is detachable by the third hole 235 and the third valve 230. It is preferred to be connected.
  • the present invention further includes a direction changer 400.
  • the direction change unit 400 circulates the mixed vaporizer 100 in the forward direction by circulating the washing liquid or deionized water or ultra-pure deionized water to be described later in the forward direction, or circulates in the reverse direction. Allow to rinse clean.
  • the direction change unit 400 connects the first hole 215 and the second hole 225 to the circulation pump 500 and the third hole 235 to the cleaning liquid tank 600 during the forward circulation.
  • the third hole 235 is connected to the circulation pump 500, and the first hole 215 and the second hole 225 are connected to the cleaning liquid tank 600.
  • the diverter 400 includes a first diverter valve 410 provided between the circulation pump 500 and the first tube 219, the circulation pump 500, and the third tube 239.
  • the second direction switching valve 420 provided between the first pipe 219 and the cleaning liquid tank 600, the third direction switching valve 430, the cleaning liquid tank 600 and the third pipe ( And a fourth direction switching valve 440 provided between the two portions 239.
  • the second direction switching valve 420 and the third direction switching valve 430 are locked, and the first direction switching valve 410 and the fourth direction switching valve 440 are opened.
  • the cleaning liquid is supplied to the mixed vaporizer 100 through the pipe 415 connected to the one-way switching valve 410, and the cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid tank 600 through the pipe 445 connected to the fourth direction switching valve 440.
  • the cleaning solution flows in a direction that is good for removing the stuck substance 300a attached to the carrier gas nozzle 150.
  • the first direction switching valve 410 and the fourth direction switching valve 440 are locked, the second direction switching valve 420 and the third direction switching valve 430 are opened, and
  • the cleaning liquid is supplied to the mixed vaporizer 100 through the pipe 425 connected to the two-way switching valve 420, and the cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid tank 600 through the pipe 435 connected to the third direction switching valve 430.
  • the cleaning solution flows in a direction that is good for the removal of the fixed substance 300b attached to the mixing space 130.
  • the inner wall from the first hole 215 to the mixing space 130 while the cleaning liquid or pure water flowing into the first hole 215 or the second hole 225 during the forward circulation passes through the mixing space 130,
  • the sticking material stuck to the inner wall from the second hole 225 to the carrier gas nozzle 150 is actively removed.
  • the fixing substance fixed to the inner wall of the third hole 235 from the mixing space 130 can be removed.
  • the cleaning liquid or pure water introduced into the third hole 235 actively passes through the mixing space 130, and actively removes the fixing substance adhered to the inner wall from the third hole 235 to the mixing space 130.
  • the fixing substance adhered to the inner wall from the first hole 215 to the mixing space 130 and the inner wall from the second hole 225 to the carrier gas nozzle 150 can be removed.
  • the direction change unit 400 forms a cleaning solution supply path as follows.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid tank 600 via the pipe 680 to the circulation pump 500, and the first pipe 219 connects the circulation pump 500 and the first hole 215 to mix the cleaning liquid.
  • a second pipe 229 connects the first pipe 219 and the second hole 225 to provide the cleaning liquid to the carrier gas nozzle 150, and the third pipe 239 is provided.
  • the cleaning liquid discharged through the mixing space 130 to the third hole 235 is returned to the cleaning liquid tank 600 through the pipe 690.
  • the direction change unit 400 forms a cleaning solution supply path as follows.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid tank 600 via the pipe 680 to the circulation pump 500, and the third pipe 239 connects the circulation pump 500 and the third hole 235 to mix the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid discharged to the cleaning liquid tank 600 is discharged to the first hole 215 through the mixing space 130 by allowing the first pipe 219 to connect the cleaning liquid tank 600 and the first hole 215. Return to the cleaning liquid tank 600 through the pipe (690).
  • FIG 3 is a block diagram showing another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.
  • the illustrated embodiment further includes a selector 800 that allows selection of at least one of pure water or a cleaning liquid as the fluid for cleaning the mixed vaporizer 100.
  • the selector 800 selects the circulation of the pure water, so that the rinse cleaning with the pure water may be performed.
  • the selector 800 may supply the circulating pump 500 by mixing the washing liquid and the pure water at a predetermined ratio in order to adjust the concentration of the washing liquid if necessary.
  • the direction change unit 400 connects the first hole 215 and the second hole 225 to the circulation pump 500 and the third hole 235 to the selector 800 during forward circulation.
  • the third hole 235 is connected to the circulation pump 500, and the first hole 215 and the second hole 225 are connected to the selection unit 800.
  • the selector 800 connects the circulation pump 500 to the cleaning liquid tank 600 when the cleaning liquid is circulated, and returns the cleaning liquid discharged from the mixed vaporizer 100 to the cleaning liquid tank 600, and the circulation pump during circulation of the pure water ( 500 is connected to the pure water tank 700 and the pure water discharged from the mixed vaporizer 100 is returned to the pure water tank 700.
  • the selector 800 includes a second selection valve 820 and a fourth selection valve 840 connected to the return side pipe 890 of the pure water or the cleaning liquid, and a supply side pipe 880 of the pure water or the cleaning liquid.
  • a first selection valve 810 and a third selection valve 830 connected to the pipe, a pipe 815 connecting the first selection valve 810 to the cleaning liquid tank 600, and a second selection valve 820.
  • a pipe 845 for connecting is provided.
  • the selector 800 selects cleaning by the cleaning liquid
  • the third selection valve 830 and the fourth selection valve 840 are locked, and the cleaning liquid is passed to the circulation pump 500 through the first selection valve 810.
  • the cleaning liquid is supplied and returned to the cleaning liquid tank 600 through the second selection valve 820.
  • the selector 800 selects washing with pure water
  • the first selection valve 810 and the second selection valve 820 are locked, and the pure water is supplied to the circulation pump 500 through the third selection valve 830.
  • the pure water is returned to the pure water tank 700 through the fourth selection valve 840.
  • the first selecting valve 810 and the third selecting valve 830 are opened by a predetermined amount so that a predetermined ratio of the mixed liquid is supplied to the circulation pump ( 500 to be supplied to the cleaning liquid tank 600 by adjusting the opening amount of the third selection valve 830 and the fourth selection valve 840 as well as a return valve (not shown) according to a place to return the mixed liquid.
  • the pure water tank 700 may be returned to the mixed liquid not shown in the return tank.

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Abstract

원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 구비하는 혼합 기화기에 대하여, 상기 제1구멍, 상기 제2구멍, 상기 제3구멍 중 적어도 하나를 통하여 세정액을 순환시킴으로써 상기 혼합 기화기를 세정하는 세정 장치를 제공한다.

Description

세정 장치
본 발명은 세정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 예를 들어 CVD(chemical vapor deposition)장치 등의 반도체 공정 장치에 사용되는 혼합 기화기(Mixing Vaporizer)를 일일이 분해하지 않더라도, 그 내부에 고착된 고착물질을 빠른 시간에 제거할 수 있는 혼합 기화기 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체(半導體, semiconductor)부품을 제조하기 위한 공정은 불순물 주입 및 확산 공정, 산화 공정, 화학 기상 증착 공정, 사진 식각 공정, 세정 공정 등의 단위 공정을 반복함으로써 이루어진다.
예를 들어 박막 증착 공정(chemical vapor deposition; CVD)은 챔버 내에 마련된 웨이퍼의 표면에 가스 상태의 혼합물을 증착시키는 공정으로서, 챔버 내에 가스 상태의 혼합물을 제공하기 위해서 혼합 기화기가 사용된다. 이러한 혼합 기화기는 박막 형성 재료에 해당하는 원료액을 운반체에 해당하는 캐리어 가스와 혼합하여 기화시킨 혼합 가스를 챔버의 반응 공간으로 공급한다.
도 1은 혼합 기화기(100)가 설치된 일반적인 반도체 공정 장치를 도시한 블럭도이다. 이를 참조하면, 혼합 기화기(100)는 하우징(140)과, 원료액 및 캐리어 가스가 혼합됨으로써 혼합 가스가 형성되는 혼합 공간(130)과, 혼합 가스의 유량을 조절하는 다이아프램(120)과, 다이아프램(120)을 구동하는 피에조 밸브(110)를 구비한다.
통상의 박막 증착 공정에 있어서, 단위 시간당 원료액의 유량은 매우 적기 때문에 제어부(미도시)에 의한 피에조 밸브(110)의 동작에 의하여 다이아프램(120)이 유량을 미세하게 제어한다.
원료액 탱크(10)에 저장된 원료액이 혼합 공간(130)으로 공급되며, 캐리어 가스 탱크(11)에 저장된 캐리어 가스가 캐리어 가스 노즐(150)을 통하여 혼합 공간(130)으로 분사된다. 혼합 기화기(100)에서 배출되는 혼합 가스는 MFC(12)를 거쳐 챔버(13)에 공급된다.
일반적인 원료액으로서 테오스(Si(OC2H5)4,TEOS, Tetraethyl orthosilicate) 등과 같이 규소(Si) 성분이 포함된 원료액을 사용하는데, 규소(Si)가 포함된 원료액을 장시간 사용할 경우, 규소(Si)가 포함된 고착 물질이 혼합 기화기(100)의 내벽에 고착됨으로써 원료액, 캐리어 가스, 혼합 가스의 유동을 방해하게 된다. 결국에는 캐리어 가스 노즐(150)이나 혼합 공간(130)이 고착 물질로 막혀서 혼합 기화기(100)의 성능을 발휘할 수 없게 되므로 혼합 기화기(100)의 내부를 주기적으로 세정해 주어야 한다.
종래에는 세척이 필요한 혼합 기화기(100)를 반도체 공정 장치에서 분리할 때 착탈 구조가 단순하지 못하여 작업 시간이 많이 소요되거나, 혼합 기화기(100)를 분해하여 세정한 후 재조립하여 반도체 공정 장치에 장착하는데 많은 시간과 노력이 소모되는 단점이 있었다.
한편, 혼합 기화기(100)를 분해하여 세정한 후 정확하게 조립하지 못하면, 미세 유량 제어를 위한 다이아프램(120)이 제대로 동작하지 못하게 되고, 이로 인하여 웨이퍼 표면에 혼합 가스 증착시 파티클 발생 또는 이상 막질 형성을 유발하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 반도체 공정 장치에 혼합 기화기를 간단하게 착탈할 수 있고, 반도체 공정 장치에서 분리된 혼합 기화기를 분해하지 않은 상태에서 내부 고착 물질을 완전하게 세정할 수 있는 세정 장치를 제공하는 것이다.
원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 구비하는 혼합 기화기에 대하여, 상기 제1구멍, 상기 제2구멍, 상기 제3구멍 중 적어도 하나를 통하여 세정액을 순환시킴으로써 상기 혼합 기화기를 세정하는 세정 장치를 제공한다.
본 발명의 혼합 기화기에 따르면, 반도체 공정 장치에 혼합 기화기를 용이하게 착탈할 수 있고, 혼합 기화기를 일일이 분해하지 않더라도 내부 고착 물질을 깨끗하게 제거할 수 있다. 따라서, 세정 작업의 효율성 및 반도체 공정의 생산 수율이 향상된다.
도 1은 혼합 기화기가 설치된 일반적인 반도체 공정 장치를 도시한 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 세정 장치의 일 실시예를 도시한 블럭도이다.
도 3은 본 발명의 세정 장치의 다른 실시예를 도시한 블럭도이다.
일 실시예로서, 본 발명의 세정 장치에 따르면, 원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 구비하는 혼합 기화기를 세정하는 세정액이 저장되는 세정액 탱크; 상기 세정액을 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프; 상기 세정액을 상기 혼합 공간으로 제공하도록 상기 제1구멍을 상기 순환 펌프에 연결하는 제1관; 상기 세정액을 상기 캐리어 가스 노즐로 제공하도록 상기 제2구멍과 상기 제1관을 연결하는 제2관; 상기 혼합 공간을 거쳐 상기 제3구멍으로 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키는 제3관; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예로서, 본 발명의 세정 장치에 따르면, 원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 포함하는 혼합 기화기를 세정하는 세정액이 저장되는 세정액 탱크; 상기 세정액을 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프; 상기 세정액을 상기 혼합 공간으로 제공하도록 상기 제3구멍을 상기 순환 펌프에 연결하는 제3관; 상기 캐리어 가스 노즐을 거쳐 상기 제2구멍으로 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키는 제2관; 상기 혼합 공간을 거쳐 상기 제1구멍으로 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키는 제1관; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예로서, 본 발명의 세정 장치에 따르면, 원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 포함하는 혼합 기화기를 세정하는 세정액이 저장되는 세정액 탱크; 상기 세정액을 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프; 정방향 순환시 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍을 상기 순환 펌프에 연결하고 상기 제3구멍을 상기 세정액 탱크에 연결하며, 역방향 순환시 상기 제3구멍을 상기 순환 펌프에 연결하고 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍을 상기 세정액 탱크에 연결하는 방향 전환부; 를 포함하며, 상기 방향 전환부에 의하여 상기 혼합 기화기를 정역방향으로 세정할 수 있는 것을 특징으로 한다.
일 실시예로서, 본 발명의 세정 장치에 따르면, 원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 포함하는 혼합 기화기를 세정하는 세정액이 저장되는 세정액 탱크; 상기 혼합 기화기를 세정하는 순수가 저장되는 순수 탱크; 상기 세정액 또는 상기 순수를 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프; 상기 세정액의 순환시 상기 순환 펌프를 상기 세정액 탱크에 연결하고 상기 혼합 기화기에서 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키며, 상기 순수의 순환시 상기 순환 펌프를 상기 순수 탱크에 연결하고 상기 혼합 기화기에서 배출되는 순수를 상기 순수 탱크로 복귀시키는 선택부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
도 2는 세정액 탱크(600), 순환 펌프(500), 방향 전환부(400)를 구비한 본 발명의 세정 장치를 도시하고, 도 3은 세정액 탱크(600), 순수 탱크(700), 선택부(800), 순환 펌프(500), 방향 전환부(400)를 구비한 본 발명의 세정 장치를 도시한다.
도 1에 도시된 일반적인 반도체 공정 장치에서 분리된 혼합 기화기(100)는 이를 분해하지 않은 상태에서 도 2 또는 도 3에 도시된 세정 장치에 연결되어 세정된다. 뿐만 아니라, 본 발명의 세정 장치에는 하나 이상의 혼합 기화기(100)가 연결되어 동시에 세정 작업을 진행할 수 있다.
본 발명의 세정 장치에 사용되는 세정액은 불소(F)를 포함하는데, 이는 혼합 기화기(100)의 내벽에 고착된 규소(Si) 성분을 포함한 고착 물질이 불소(F)와 반응하여, 혼합 기화기(100)의 내벽으로부터 쉽게 떨어져 배출되기 때문이다.
이러한, 세정액은 불산(HF), 산성불화암모늄(NH4HF2), 테트라 하이드로 퓨란(THF) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하며, 일 실시예로서 세정액은 물과 산성불화암모늄(NH4HF2)의 중량비를 아래와 같이 혼합한 수용액을 사용한다.
물(H2O):산성불화암모늄(NH4HF2)=10:1
세정액 탱크(600)는 세정액이 수용되는 부분으로서, 세정액 탱크(600)의 내측 벽면은 세정액 수용시 부식되지 않도록 부식 방지 처리되거나 부식이 방지되는 소재로 이루어지며, 세정액 탱크(600)의 크기는 혼합 기화기(100)를 세정하기 위한 세정액을 충분히 수용할 수 있는 정도의 크기로 형성되는 것이 바람직하다.
먼저 도 2를 참조하여 세정 장치의 일 실시예를 설명한다. 도시된 세정 장치는 세정액이 저장되는 세정액 탱크(600)와, 세정액을 순환시키는 순환 펌프(500)를 구비하며, 정방향 또는 역방향으로 세정액의 유동 방향을 전환할 수 있는 방향 전환부(400)를 더 구비하는 것이 바람직하다.
혼합 기화기(100)의 세부 구성을 살펴보면, 하우징(140)과, 원료액이 유입되는 제1구멍(215)과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍(225)과, 원료액과 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간(130)과, 혼합 공간(130)에 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐(150)과, 혼합 공간(130)에서 생성된 혼합 가스를 외부로 배출하는 제3구멍(235)과, 혼합 가스의 유량을 미세하게 조절하는 피에조 밸브(110) 및 다이아프램(120)이 마련된다.
조립 방법을 살펴보면, 제1밸브(210)에 제1구멍(215)을 착탈하고 제2밸브(220)에 제2구멍(225)에 착탈하며 제3밸브(230)에 제3구멍(235)을 착탈함으로써, 혼합 기화기(100)를 세정 장치에 용이하게 착탈할 수 있다.
도시되지는 않았지만, 반도체 공정 장치에서 세정 장치를 분리할 때나, 세정 장치에서 세정 완료된 혼합 기화기를 반도체 공정 장치에 착탈할 때도 상술한 조립 방법을 사용할 수 있다. 따라서, 혼합 기화기를 반도체 공정 장치에서 분리하는 작업 및 혼합 기화기를 세정 장치에 장착하는 작업에 소요되는 시간과 노력을 크게 경감할 수 있다.
또한, 세정 장치에는 제1관(219), 제2관(229), 제3관(239)이 마련된다. 제1관(219)은 혼합 기화기(100)의 제1구멍(215)에 착탈 가능하도록 제1밸브(210)에 의하여 연결되고, 제2관(229)은 일측이 제1관(219)에 연통되고 타측이 제2구멍(225)과 착탈 가능하도록 제2밸브(220)에 의하여 연결되며, 제3관(239)은 제3구멍(235)과 제3밸브(230)에 의하여 착탈 가능하도록 연결되는 것이 바람직하다.
도 2의 점선 원안에 고착 물질의 형성 위치가 예시되었다. 즉, 캐리어 가스 노즐(150) 측에 형성되는 고착 물질(300a)과 혼합 공간(130) 측에 형성되는 고착 물질(300b)을 대표적인 예로서 도시하였다. 고착 위치에 상관없이 이러한 고착 물질(300a,300b)을 효과적으로 제거하려면 세정액의 유동 방향이 다양하게 설정되는 것이 바람직하다. 이를 위하여 본 발명은 방향 전환부(400)를 더 구비한다.
방향 전환부(400)는 세정액 또는 후술할 순수(deionized water or Ultra-pure deionized water)를 정방향으로 순환시킴으로써 혼합 기화기(100)를 정방향으로 세정하거나, 역방향으로 순환시킴으로써 혼합 기화기(100)를 역방향으로 헹굼 세정할 수 있게 한다.
방향 전환부(400)는 정방향 순환시 제1구멍(215) 및 제2구멍(225)을 순환 펌프(500)에 연결하고 제3구멍(235)을 상기 세정액 탱크(600)에 연결하며, 역방향 순환시 제3구멍(235)을 순환 펌프(500)에 연결하고 제1구멍(215) 및 제2구멍(225)을 세정액 탱크(600)에 연결한다.
일 실시예로서, 방향 전환부(400)는 순환 펌프(500) 및 제1관(219) 사이에 마련되는 제1방향 전환 밸브(410)와, 순환 펌프(500) 및 제3관(239) 사이에 마련되는 제2방향 전환 밸브(420)와, 제1관(219) 및 세정액 탱크(600) 사이에 마련되는 제3방향 전환 밸브(430)와, 세정액 탱크(600) 및 제3관(239) 사이에 마련되는 제4방향 전환 밸브(440)를 포함한다.
실선 화살표로 표시된 정방향 세정시 제2방향 전환 밸브(420) 및 제3방향 전환 밸브(430)가 잠겨지고, 제1방향 전환 밸브(410) 및 제4방향 전환 밸브(440)가 열려지며, 제1방향 전환 밸브(410)에 연결된 배관(415)을 통하여 세정액이 혼합 기화기(100)로 공급되고, 제4방향 전환 밸브(440)에 연결된 배관(445)을 통하여 세정액이 세정액 탱크(600)로 복귀되며, 캐리어 가스 노즐(150)에 부착된 고착 물질(300a)의 제거에 좋은 방향으로 세정액이 유동된다.
점선 화살표로 표시된 역방향 순환시 제1방향 전환 밸브(410) 및 제4방향 전환 밸브(440)가 잠겨지고, 제2방향 전환 밸브(420) 및 제3방향 전환 밸브(430)가 열려지며, 제2방향 전환 밸브(420)에 연결된 배관(425)를 통하여 세정액이 혼합 기화기(100)로 공급되고, 제3방향 전환 밸브(430)에 연결된 배관(435)을 통하여 세정액이 세정액 탱크(600)로 복귀되며, 혼합 공간(130)에 부착된 고착 물질(300b)의 제거에 좋은 방향으로 세정액이 유동된다.
전체적으로 보면, 정방향 순환시 제1구멍(215) 또는 제2구멍(225)으로 유입된 세정액 또는 순수가 혼합 공간(130)을 통과하면서 제1구멍(215)으로부터 혼합 공간(130)까지의 내벽, 제2구멍(225)으로부터 캐리어 가스 노즐(150)까지의 내벽에 고착된 고착 물질을 적극적으로 제거한다. 이와 함께 혼합 공간(130)으로부터 제3구멍(235)의 내벽에 고착된 고착 물질도 제거 가능하다.
역방향 순환시 제3구멍(235)으로 유입된 세정액 또는 순수가 혼합 공간(130)을 통과하면서 제3구멍(235)으로부터 혼합 공간(130)까지의 내벽에 고착된 고착 물질을 적극적으로 제거한다. 이와 함께 제1구멍(215)으로부터 혼합 공간(130)까지의 내벽, 제2구멍(225)으로부터 캐리어 가스 노즐(150)까지의 내벽에 고착된 고착 물질도 제거 가능하다.
정방향 세정시 방향 전환부(400)는 다음과 같은 세정액 공급 경로를 형성한다. 세정액 탱크(600)로부터 배관(680)을 거쳐 세정액이 순환 펌프(500)에 공급되고, 제1관(219)이 순환 펌프(500)와 제1구멍(215)을 연결하도록 하여 세정액을 혼합 공간(130)으로 제공하며, 제2관(229)이 제1관(219)과 제2구멍(225)을 연결하도록 하여 세정액을 캐리어 가스 노즐(150)로 제공하고, 제3관(239)이 제3구멍(235)과 세정액 탱크(600)를 연결하도록 하여 혼합 공간(130)을 거쳐 제3구멍(235)으로 배출되는 세정액을 배관(690)을 통하여 세정액 탱크(600)로 복귀시킨다.
역방향 세정시 방향 전환부(400)는 다음과 같은 세정액 공급 경로를 형성한다. 세정액 탱크(600)로부터 배관(680)을 거쳐 세정액이 순환 펌프(500)에 공급되고, 제3관(239)이 순환 펌프(500)와 제3구멍(235)을 연결하도록 하여 세정액을 혼합 공간(130)으로 제공하며, 제2관(229)이 제1관(219)과 제2구멍(225)을 연결하도록 하여 캐리어 가스 노즐(150)을 거쳐 제2구멍(225)으로 배출되는 세정액을 세정액 탱크(600)로 복귀시키며, 제1관(219)이 세정액 탱크(600)와 제1구멍(215)을 연결하도록 하여 혼합 공간(130)을 거쳐 제1구멍(215)으로 배출되는 세정액을 배관(690)을 통하여 세정액 탱크(600)로 복귀시킨다.
도 3은 본 발명의 세정 장치의 다른 실시예를 도시한 블럭도이다. 도시된 실시예는 혼합 기화기(100)를 세정하는 유체로서 순수 또는 세정액 중 적어도 하나를 선택할 수 있게 하는 선택부(800)를 더 구비한다. 세정액의 순환에 의한 세정이 완료되면 선택부(800)가 순수의 순환을 선택함으로써 순수에 의한 헹굼 세정이 이루어질 수 있다. 선택부(800)는 필요시 세정액의 농도를 조절하기 위하여 세정액과 순수를 소정의 비율로 혼합하여 순환 펌프(500)로 공급할 수도 있다.
한편, 도 3에 도시된 방향 전환부(400)의 구성 및 작용은 대부분 도 2에서 설명되었으므로 중복적인 설명을 생략하며, 세정액에 의한 정역 방향 세정은 물론 순수에 의한 정역 방향 세정을 가능하게 한다.
즉, 방향 전환부(400)는 정방향 순환시 제1구멍(215) 및 제2구멍(225)을 순환 펌프(500)에 연결하고 제3구멍(235)을 선택부(800)에 연결하며, 역방향 순환시 제3구멍(235)을 순환 펌프(500)에 연결하고 제1구멍(215) 및 제2구멍(225)을 선택부(800)에 연결한다.
선택부(800)는 세정액의 순환시 순환 펌프(500)를 세정액 탱크(600)에 연결하고 혼합 기화기(100)에서 배출되는 세정액을 세정액 탱크(600)로 복귀시키며, 순수의 순환시 순환 펌프(500)를 순수 탱크(700)에 연결하고 혼합 기화기(100)에서 배출되는 순수를 순수 탱크(700)로 복귀시킨다.
일 실시예로서, 선택부(800)는 순수 또는 세정액의 복귀측 배관(890)에 연결되는 제2선택 밸브(820) 및 제4선택 밸브(840)와, 순수 또는 세정액의 공급측 배관(880)에 연결되는 제1선택 밸브(810) 및 제3선택 밸브(830)와, 제1선택 밸브(810)를 세정액 탱크(600)에 연결하는 배관(815)과, 제2선택 밸브(820)를 세정액 탱크(600)에 연결하는 배관(825)과, 제3선택 밸브(830)를 순수 탱크(700)에 연결하는 배관(835)과, 제4선택 밸브(840)를 순수 탱크(700)에 연결하는 배관(845)을 구비한다.
따라서, 선택부(800)가 세정액에 의한 세정을 선택하면 제3선택 밸브(830) 및 제4선택 밸브(840)가 잠겨지고 제1선택 밸브(810)를 거쳐 세정액이 순환 펌프(500)로 공급되며 제2선택 밸브(820)를 거쳐 세정액이 세정액 탱크(600)로 복귀된다.
선택부(800)가 순수에 의한 세정을 선택하면 제1선택 밸브(810) 및 제2선택 밸브(820)가 잠겨지고, 제3선택 밸브(830)를 거쳐 순수가 순환 펌프(500)로 공급되며 제4선택 밸브(840)를 거쳐 순수가 순수 탱크(700)로 복귀된다.
경우에 따라 선택부(800)가 세정액 및 순수의 혼합액에 의한 세정을 선택하면, 제1선택 밸브(810) 및 제3선택 밸브(830)를 소정량 만큼 개방하여 일정 비율의 혼합액이 순환 펌프(500)에 공급될 수 있게 하고, 혼합액을 복귀시킬 장소에 따라 제3선택 밸브(830), 제4선택 밸브(840)는 물론 도시되지 않은 복귀용 밸브의 개방량을 조절하여 세정액 탱크(600), 순수 탱크(700)는 물론 도시되지 않은 복귀용 탱크에 혼합액을 복귀시킬 수 있다.
실험예로서, 물(H2O)과 산성불화암모늄(NH4HF2)의 중량비를, 물(H2O):산성불화암모늄(NH4HF2)=10:1로 하고 제1관(219), 제2관(229), 제3관(239)을 흐르는 세정액의 압력이 2.5㎏f/㎠ 가 되게 한 경우, 혼합 기화기(100)를 완전하게 세정하기까지 약 2일 정도의 시간이 소요되었다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 구비하는 혼합 기화기에 대하여,
    상기 제1구멍, 상기 제2구멍, 상기 제3구멍 중 적어도 하나를 통하여 세정액을 순환시킴으로써 상기 혼합 기화기를 세정하는 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정액이 저장되는 세정액 탱크;
    상기 세정액을 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프;
    상기 세정액을 상기 혼합 공간으로 제공하도록 상기 제1구멍을 상기 순환 펌프에 연결하는 제1관;
    상기 세정액을 상기 캐리어 가스 노즐로 제공하도록 상기 제2구멍과 상기 제1관을 연결하는 제2관;
    상기 혼합 공간을 거쳐 상기 제3구멍으로 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키는 제3관; 을 포함하는 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 세정액이 저장되는 세정액 탱크;
    상기 세정액을 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프;
    상기 세정액을 상기 혼합 공간으로 제공하도록 상기 제3구멍을 상기 순환 펌프에 연결하는 제3관;
    상기 캐리어 가스 노즐을 거쳐 상기 제2구멍으로 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키는 제2관;
    상기 혼합 공간을 거쳐 상기 제1구멍으로 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키는 제1관; 을 포함하는 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정액이 저장되는 세정액 탱크;
    상기 세정액을 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프;
    정방향 순환시 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍을 상기 순환 펌프에 연결하고 상기 제3구멍을 상기 세정액 탱크에 연결하며, 역방향 순환시 상기 제3구멍을 상기 순환 펌프에 연결하고 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍을 상기 세정액 탱크에 연결하는 방향 전환부; 를 포함하며,
    상기 방향 전환부에 의하여 상기 혼합 기화기를 정역방향으로 세정할 수 있는 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1구멍에 착탈 가능하게 연결되는 제1관;
    일측이 상기 제1관에 연통되고 타측이 상기 제2구멍에 착탈 가능하게 연결되는 제2관;
    상기 제3구멍에 착탈 가능하게 연결되는 제3관; 을 더 포함하는 세정 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 방향 전환부는, 상기 순환 펌프 및 상기 제1관 사이에 마련되는 제1방향 전환 밸브와, 상기 순환 펌프 및 상기 제3관 사이에 마련되는 제2방향 전환 밸브와, 상기 제1관 및 상기 세정액 탱크 사이에 마련되는 제3방향 전환 밸브와, 상기 세정액 탱크 및 상기 제3관 사이에 마련되는 제4방향 전환 밸브를 포함하며,
    상기 정방향 순환시 상기 제2방향 전환 밸브 및 상기 제3방향 전환 밸브가 잠겨지고,
    상기 역방향 순환시 상기 제1방향 전환 밸브 및 상기 제4방향 전환 밸브가 잠겨지는 세정 장치.
  7. 원료액이 유입되는 제1구멍과, 캐리어 가스가 유입되는 제2구멍과, 상기 원료액과 상기 캐리어 가스를 혼합하여 혼합 가스를 생성하는 혼합 공간과, 상기 제2구멍과 연결되어 상기 혼합 공간에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 노즐과, 상기 혼합 가스를 배출하는 제3구멍을 포함하는 혼합 기화기를 세정하는 세정액이 저장되는 세정액 탱크;
    상기 혼합 기화기를 세정하는 순수가 저장되는 순수 탱크;
    상기 세정액 또는 상기 순수를 상기 혼합 기화기에 순환시키는 순환 펌프;
    상기 세정액의 순환시 상기 순환 펌프를 상기 세정액 탱크에 연결하고 상기 혼합 기화기에서 배출되는 세정액을 상기 세정액 탱크로 복귀시키며, 상기 순수의 순환시 상기 순환 펌프를 상기 순수 탱크에 연결하고 상기 혼합 기화기에서 배출되는 순수를 상기 순수 탱크로 복귀시키는 선택부; 를 포함하는 세정 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    정방향 순환시 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍을 상기 순환 펌프에 연결하고 상기 제3구멍을 상기 선택부에 연결하며, 역방향 순환시 상기 제3구멍을 상기 순환 펌프에 연결하고 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍을 상기 선택부에 연결하는 방향 전환부; 를 더 포함하며,
    상기 방향 전환부에 의하여 상기 혼합 기화기를 정역방향으로 세정할 수 있는 세정 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1구멍에 착탈 가능하게 연결되는 제1관;
    일측이 상기 제1관에 연통되고 타측이 상기 제2구멍에 착탈 가능하게 연결되는 제2관;
    상기 제3구멍에 착탈 가능하게 연결되는 제3관; 을 더 포함하는 세정 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 방향 전환부는, 상기 순환 펌프 및 상기 제1관 사이에 마련되는 제1방향 전환 밸브와, 상기 순환 펌프 및 상기 제3관 사이에 마련되는 제2방향 전환 밸브와, 상기 제1관 및 상기 선택부 사이에 마련되는 제3방향 전환 밸브와, 상기 선택부 및 상기 제3관 사이에 마련되는 제4방향 전환 밸브를 포함하며,
    상기 정방향 순환시 상기 제2방향 전환 밸브 및 상기 제3방향 전환 밸브가 잠겨지고,
    상기 역방향 순환시 상기 제1방향 전환 밸브 및 상기 제4방향 전환 밸브가 잠겨지는 세정 장치.
  11. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 세정액은 불소(F)를 포함하는 세정 장치.
  12. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 세정액은 불산(HF), 산성불화암모늄(NH4HF2), 테트라 하이드로 퓨란(THF) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 세정장치.
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