JPH1116868A - 薬液置換装置及び薬液置換方法 - Google Patents
薬液置換装置及び薬液置換方法Info
- Publication number
- JPH1116868A JPH1116868A JP9171699A JP17169997A JPH1116868A JP H1116868 A JPH1116868 A JP H1116868A JP 9171699 A JP9171699 A JP 9171699A JP 17169997 A JP17169997 A JP 17169997A JP H1116868 A JPH1116868 A JP H1116868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- chemical solution
- chemical
- replacement
- replacing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/044—Cleaning involving contact with liquid using agitated containers in which the liquid and articles or material are placed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの洗浄後の薬液置換において、
純水使用量の低減及び薬液の置換時間の短縮をはかる。 【解決手段】 内部に半導体ウエハ１を設置すべき処理
槽２内にその下部より供給された純水をその上部よりオ
ーバーフローさせて排出することにより処理槽２内部の
薬液の置換を少なくとも行う薬液置換装置において、薬
液を置換した純水を処理槽２外へ排出する際の部分的な
流速を速めるために、排出領域の面積を小さくする遮蔽
板１１を設けた。
純水使用量の低減及び薬液の置換時間の短縮をはかる。 【解決手段】 内部に半導体ウエハ１を設置すべき処理
槽２内にその下部より供給された純水をその上部よりオ
ーバーフローさせて排出することにより処理槽２内部の
薬液の置換を少なくとも行う薬液置換装置において、薬
液を置換した純水を処理槽２外へ排出する際の部分的な
流速を速めるために、排出領域の面積を小さくする遮蔽
板１１を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薬液置換装置及び
薬液置換方法に関する。
薬液置換方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、直接置換型（或いはフルフロー
型）の自動洗浄装置の構成を示した説明図である。１は
半導体ウエハ、２は処理槽、３は供給ノズル４を介して
処理液（純水や薬液）を処理槽２に供給する供給ライ
ン、５はドレインである。この洗浄装置では、半導体ウ
エハを洗浄する際に、一部の放置処理時間を除いて、常
時純水をオーバーフローしながら、種々の薬液の置換が
行なわれる。
型）の自動洗浄装置の構成を示した説明図である。１は
半導体ウエハ、２は処理槽、３は供給ノズル４を介して
処理液（純水や薬液）を処理槽２に供給する供給ライ
ン、５はドレインである。この洗浄装置では、半導体ウ
エハを洗浄する際に、一部の放置処理時間を除いて、常
時純水をオーバーフローしながら、種々の薬液の置換が
行なわれる。
【０００３】しかしながら、純水使用量は膨大であり、
例えば純水２０ｌ／ｍｉｎの条件で１時間の洗浄プロセ
スを行うとすると、処理槽一つに対して１ｍ3 以上もの
純水が必要となる。純水の使用量が膨大であるというこ
とは排水量も膨大になることであり、施設の廃水処理シ
ステムに与える影響は大きく、深刻な問題である。ま
た、次世代デバイスに対して３００ｍｍウエハが用いら
れることが予想され、それに伴ない、処理槽の容量はほ
ぼ２倍となり、純水使用量、廃水処理に関する問題は益
々深刻なものとなる。
例えば純水２０ｌ／ｍｉｎの条件で１時間の洗浄プロセ
スを行うとすると、処理槽一つに対して１ｍ3 以上もの
純水が必要となる。純水の使用量が膨大であるというこ
とは排水量も膨大になることであり、施設の廃水処理シ
ステムに与える影響は大きく、深刻な問題である。ま
た、次世代デバイスに対して３００ｍｍウエハが用いら
れることが予想され、それに伴ない、処理槽の容量はほ
ぼ２倍となり、純水使用量、廃水処理に関する問題は益
々深刻なものとなる。
【０００４】また、別の観点から考えると、従来の装置
構成では、薬液を純水置換するためのリンス工程の全洗
浄プロセス時間に占める割合が大きく、全洗浄プロセス
時間の半分以上は純水による薬液排出のためのリンス時
間であり、このリンス工程が洗浄プロセスの短時間化や
簡略化を制限している。
構成では、薬液を純水置換するためのリンス工程の全洗
浄プロセス時間に占める割合が大きく、全洗浄プロセス
時間の半分以上は純水による薬液排出のためのリンス時
間であり、このリンス工程が洗浄プロセスの短時間化や
簡略化を制限している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の装
置では、純水使用量が膨大になるとともに、薬液を純水
置換するためのリンス工程に長時間を要するという問題
点があった。本発明の目的は、純水使用量の低減及び薬
液の置換時間の短縮をはかることが可能な薬液置換装置
及び薬液置換方法を提供することにある。
置では、純水使用量が膨大になるとともに、薬液を純水
置換するためのリンス工程に長時間を要するという問題
点があった。本発明の目的は、純水使用量の低減及び薬
液の置換時間の短縮をはかることが可能な薬液置換装置
及び薬液置換方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部に被処理
物を設置すべき処理槽内にその下部より供給された純水
をその上部よりオーバーフローさせて排出することによ
り前記処理槽内部の薬液の置換を少なくとも行う薬液置
換装置及び薬液置換方法において、薬液を置換した純水
を処理槽外へ排出する際に部分的な流速を速めるように
したものである。
物を設置すべき処理槽内にその下部より供給された純水
をその上部よりオーバーフローさせて排出することによ
り前記処理槽内部の薬液の置換を少なくとも行う薬液置
換装置及び薬液置換方法において、薬液を置換した純水
を処理槽外へ排出する際に部分的な流速を速めるように
したものである。
【０００７】前記発明によれば、部分的な流速を速める
ことにより、薬液の滞流を防止することができるため、
薬液の純水による置換効率を上げることができ、純水使
用量の低減及び薬液の置換時間の短縮をはかることがで
きる。
ことにより、薬液の滞流を防止することができるため、
薬液の純水による置換効率を上げることができ、純水使
用量の低減及び薬液の置換時間の短縮をはかることがで
きる。
【０００８】流速を速める手段としては、排出領域の面
積を小さくするための遮蔽手段或いは薬液を置換した純
水を強制的に処理槽外へ排出するための排出ノズルを用
いることができる。この場合、遮蔽手段又はノズルを揺
動させることにより、定常流のバランスをくずすことが
できるため、薬液の置換効率をさらに上げることがで
き、純水使用量の低減及び薬液の置換時間の短縮をより
一層はかることができる。
積を小さくするための遮蔽手段或いは薬液を置換した純
水を強制的に処理槽外へ排出するための排出ノズルを用
いることができる。この場合、遮蔽手段又はノズルを揺
動させることにより、定常流のバランスをくずすことが
できるため、薬液の置換効率をさらに上げることがで
き、純水使用量の低減及び薬液の置換時間の短縮をより
一層はかることができる。
【０００９】また、本発明は、内部に被処理物を設置す
べき処理槽内にその下部より供給された純水をその上部
よりオーバーフローさせて排出することにより前記処理
槽内部の薬液の置換を少なくとも行う薬液置換装置及び
薬液置換方法において、薬液を置換した純水を処理槽外
へ排出する際の流速を経時的に変化させるようにしたも
のである。
べき処理槽内にその下部より供給された純水をその上部
よりオーバーフローさせて排出することにより前記処理
槽内部の薬液の置換を少なくとも行う薬液置換装置及び
薬液置換方法において、薬液を置換した純水を処理槽外
へ排出する際の流速を経時的に変化させるようにしたも
のである。
【００１０】前記発明によれば、流速を経時的に変化さ
せることにより、薬液の滞流を防止し、定常流のバラン
スをくずすことができるため、薬液の純水による置換効
率を上げることができ、純水使用量の低減及び薬液の置
換時間の短縮をはかることができる。
せることにより、薬液の滞流を防止し、定常流のバラン
スをくずすことができるため、薬液の純水による置換効
率を上げることができ、純水使用量の低減及び薬液の置
換時間の短縮をはかることができる。
【００１１】なお、本発明は、薬液による洗浄処理と純
水による薬液の置換処理（リンス処理）とを同一の処理
槽で行う直接置換型（或いはフルフロー型）の装置の
他、薬液による洗浄処理と純水による薬液の置換処理と
を別々の槽で行う装置におけるオーバーフロー型の置換
槽（リンス槽）に対しても適用することができる。
水による薬液の置換処理（リンス処理）とを同一の処理
槽で行う直接置換型（或いはフルフロー型）の装置の
他、薬液による洗浄処理と純水による薬液の置換処理と
を別々の槽で行う装置におけるオーバーフロー型の置換
槽（リンス槽）に対しても適用することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。まず、本発明の第１の実施形
態について説明する。図１は、直接置換型（或いはフル
フロー型）の自動洗浄装置の構成を示した説明図であ
る。１は被処理物となる半導体ウエハ、２は処理液（純
水や薬液）が満たされた処理槽、３は供給ノズル４を介
して処理液を処理槽２に供給する供給ライン、５はドレ
インであり、これらの基本的な構成は従来の装置と同様
である。本実施形態では、処理槽２の上部に遮蔽板１１
を設けて、排出領域の面積を小さくすることにより、処
理液を排出する際の部分的な流速を速めている。
施形態について説明する。まず、本発明の第１の実施形
態について説明する。図１は、直接置換型（或いはフル
フロー型）の自動洗浄装置の構成を示した説明図であ
る。１は被処理物となる半導体ウエハ、２は処理液（純
水や薬液）が満たされた処理槽、３は供給ノズル４を介
して処理液を処理槽２に供給する供給ライン、５はドレ
インであり、これらの基本的な構成は従来の装置と同様
である。本実施形態では、処理槽２の上部に遮蔽板１１
を設けて、排出領域の面積を小さくすることにより、処
理液を排出する際の部分的な流速を速めている。
【００１３】図１（Ａ）は、処理槽上部の周辺部に遮蔽
板１１を設けた例であり、中央の開口部から処理液が排
出される。図１（Ｂ）は、処理槽上部の中央部に遮蔽板
１１を設けた例であり、周辺の開口部から処理液が排出
される。
板１１を設けた例であり、中央の開口部から処理液が排
出される。図１（Ｂ）は、処理槽上部の中央部に遮蔽板
１１を設けた例であり、周辺の開口部から処理液が排出
される。
【００１４】本洗浄装置では、従来の装置と同様に、供
給ライン３から供給ノズル４を介して処理槽２内に常時
純水が供給されており、供給ノズル４から所定の時間所
望の薬液を処理槽２内に供給することにより半導体ウエ
ハの洗浄処理が行われる。薬液の供給を停止すると、純
水は処理槽２内で対流を繰り返しながら薬液と混合、置
換し、処理槽２上部より排出される。排出の際、従来の
装置では、流れの抵抗が少ないウエハ外周部から薬液の
置換が進むため、ウエハ中心部では置換が終わるまでに
時間がかかっていた。
給ライン３から供給ノズル４を介して処理槽２内に常時
純水が供給されており、供給ノズル４から所定の時間所
望の薬液を処理槽２内に供給することにより半導体ウエ
ハの洗浄処理が行われる。薬液の供給を停止すると、純
水は処理槽２内で対流を繰り返しながら薬液と混合、置
換し、処理槽２上部より排出される。排出の際、従来の
装置では、流れの抵抗が少ないウエハ外周部から薬液の
置換が進むため、ウエハ中心部では置換が終わるまでに
時間がかかっていた。
【００１５】本実施形態では、遮蔽板１１を設けること
により、遮蔽板１１がない場合の排出速度に比べて排出
領域における部分的排出速度を上げ、従来技術で発生し
ていた定常的対流のバランスをくずすことにより、薬液
の純水による置換効率を上げることができ、リンス処理
時間を短縮させることができる。
により、遮蔽板１１がない場合の排出速度に比べて排出
領域における部分的排出速度を上げ、従来技術で発生し
ていた定常的対流のバランスをくずすことにより、薬液
の純水による置換効率を上げることができ、リンス処理
時間を短縮させることができる。
【００１６】なお、遮蔽板１１を揺動させることにより
部分的排出速度を変えることができ、定常的対流のバラ
ンスをより一層くずすことができるため、純水による置
換効率をさらに上げることができる。
部分的排出速度を変えることができ、定常的対流のバラ
ンスをより一層くずすことができるため、純水による置
換効率をさらに上げることができる。
【００１７】図４は、遮蔽板を設けていない場合の排出
流速に対する遮蔽板を設けた場合の排出流速の比率とリ
ンス時間との関係を示したものであるが（流速は遮蔽板
の面積によって変えることができる）、遮蔽板を設ける
ことによりリンス時間の短縮化がはかれることがわか
る。
流速に対する遮蔽板を設けた場合の排出流速の比率とリ
ンス時間との関係を示したものであるが（流速は遮蔽板
の面積によって変えることができる）、遮蔽板を設ける
ことによりリンス時間の短縮化がはかれることがわか
る。
【００１８】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図２は、第２の実施形態に係る直接置換型（或
いはフルフロー型）の自動洗浄装置の構成を示した説明
図である。基本的な構成は第１の実施形態と同様である
ため、図１に示した構成要素と実質的に同一或いは対応
する構成要素には同一の番号を付し、説明は省略する。
本実施形態では、処理槽２の上部に排出ノズル１２を設
け、この排出ノズル１２につながるポンプ（図示せず）
によって処理液を強制的に排出し、処理液を排出する際
の部分的な流速を速めている。
明する。図２は、第２の実施形態に係る直接置換型（或
いはフルフロー型）の自動洗浄装置の構成を示した説明
図である。基本的な構成は第１の実施形態と同様である
ため、図１に示した構成要素と実質的に同一或いは対応
する構成要素には同一の番号を付し、説明は省略する。
本実施形態では、処理槽２の上部に排出ノズル１２を設
け、この排出ノズル１２につながるポンプ（図示せず）
によって処理液を強制的に排出し、処理液を排出する際
の部分的な流速を速めている。
【００１９】図２（Ａ）は、処理槽上部の中央部に排出
ノズル１２を設けた例であり、図２（Ｂ）は、処理槽上
部の周辺部に遮蔽板１１を設けた例である。基本的な動
作は第１の実施形態と同様であり、ノズル１２を設ける
ことによりノズル１２がない場合の排出速度に比べて部
分的排出速度を上げ、定常的対流のバランスをくずすこ
とにより、薬液の純水による置換効率を上げることがで
き、リンス処理時間を短縮させることができる。
ノズル１２を設けた例であり、図２（Ｂ）は、処理槽上
部の周辺部に遮蔽板１１を設けた例である。基本的な動
作は第１の実施形態と同様であり、ノズル１２を設ける
ことによりノズル１２がない場合の排出速度に比べて部
分的排出速度を上げ、定常的対流のバランスをくずすこ
とにより、薬液の純水による置換効率を上げることがで
き、リンス処理時間を短縮させることができる。
【００２０】なお、ノズル１２を揺動させることにより
部分的排出速度を変えることができ、定常的対流のバラ
ンスをより一層くずすことができるため、純水による置
換効率をさらに上げることができる。また、排出ノズル
１２からの排出速度を時間的に変化させる（例えば、排
出ノズル１２につながるポンプの吸引量を周期的に変化
させる）ことによっても、定常的対流のバランスをくず
すことができ、置換効率をさらに上げることができる。
部分的排出速度を変えることができ、定常的対流のバラ
ンスをより一層くずすことができるため、純水による置
換効率をさらに上げることができる。また、排出ノズル
１２からの排出速度を時間的に変化させる（例えば、排
出ノズル１２につながるポンプの吸引量を周期的に変化
させる）ことによっても、定常的対流のバランスをくず
すことができ、置換効率をさらに上げることができる。
【００２１】図３は、排出ノズル１２の構成例を示した
ものである。排出ノズル１２に設けた複数の穴１２ａを
各ウエハ１間にそれぞれ設けることにより、ウエハ間に
おける流速を上げることができるため、ウエハ間の薬液
の滞流が防止されて置換効率をより一層が上げることが
できる。
ものである。排出ノズル１２に設けた複数の穴１２ａを
各ウエハ１間にそれぞれ設けることにより、ウエハ間に
おける流速を上げることができるため、ウエハ間の薬液
の滞流が防止されて置換効率をより一層が上げることが
できる。
【００２２】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図５は、第３の実施形態に係る洗浄装置の構成
を示した説明図である。上記第１及び第２の実施形態
は、直接置換型（或いはフルフロー型）の自動洗浄装置
に本発明を適用したものであったが、本実施形態は、洗
浄槽とリンス槽とが分かれたものに本発明を適用したも
のである。
明する。図５は、第３の実施形態に係る洗浄装置の構成
を示した説明図である。上記第１及び第２の実施形態
は、直接置換型（或いはフルフロー型）の自動洗浄装置
に本発明を適用したものであったが、本実施形態は、洗
浄槽とリンス槽とが分かれたものに本発明を適用したも
のである。
【００２３】２１は洗浄槽、２２は薬液を供給する供給
ラインであり、洗浄槽２１内の薬液は循環ライン２３に
よって循環している。洗浄槽２１で洗浄された半導体ウ
エハ１は、オーバーフローリンス槽３１に移されリンス
される。オーバーフローリンス槽３１には供給ライン３
２から純水が供給され、この純水によって薬液が置換さ
れ、オーバーフローリンス槽３１の上部の開口部から排
出される。
ラインであり、洗浄槽２１内の薬液は循環ライン２３に
よって循環している。洗浄槽２１で洗浄された半導体ウ
エハ１は、オーバーフローリンス槽３１に移されリンス
される。オーバーフローリンス槽３１には供給ライン３
２から純水が供給され、この純水によって薬液が置換さ
れ、オーバーフローリンス槽３１の上部の開口部から排
出される。
【００２４】本実施形態では、第１の実施形態と同様
に、オーバーフローリンス槽３１の上部に遮蔽板３３を
設け、処理液を排出する際の部分的な流速を速めて定常
的対流のバランスをくずすことにより、薬液の純水によ
る置換効率を上げ、リンス処理時間を短縮させている。
に、オーバーフローリンス槽３１の上部に遮蔽板３３を
設け、処理液を排出する際の部分的な流速を速めて定常
的対流のバランスをくずすことにより、薬液の純水によ
る置換効率を上げ、リンス処理時間を短縮させている。
【００２５】なお、本実施形態においても、第２の実施
形態と同様に排出ノズルを設けてもよい。また、遮蔽板
や排出ノズルを揺動させる、或いは排出ノズルからの排
出速度を時間的に変化させるようにしてもよい。
形態と同様に排出ノズルを設けてもよい。また、遮蔽板
や排出ノズルを揺動させる、或いは排出ノズルからの排
出速度を時間的に変化させるようにしてもよい。
【００２６】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
く、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して
実施可能である。
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
く、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して
実施可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、薬液の滞流を防止し、
定常流のバランスをくずすことにより、薬液の置換効率
を上げることができるため、純水使用量の低減及び薬液
の置換時間の短縮をはかることができる。
定常流のバランスをくずすことにより、薬液の置換効率
を上げることができるため、純水使用量の低減及び薬液
の置換時間の短縮をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示した説明図。
【図２】本発明の第２の実施形態を示した説明図。
【図３】本発明の第２の実施形態における排出ノズルの
構成例を示した図。
構成例を示した図。
【図４】本発明によって得られるリンス時間の短縮効果
について示した図。
について示した図。
【図５】本発明の第３の実施形態を示した説明図。
【図６】従来技術を示した説明図。
１…半導体ウエハ（被処理物） ２…処理槽 ３…供給ライン ４…供給ノズル ５…ドレイン １１…遮蔽板 １２…排出ノズル ３１…オーバーフローリンス槽（処理槽） ３２…供給ライン ３３…遮蔽板
Claims (7)
- 【請求項１】 内部に被処理物を設置すべき処理槽内に
その下部より供給された純水をその上部よりオーバーフ
ローさせて排出することにより前記処理槽内部の薬液の
置換を少なくとも行う薬液置換装置において、薬液を置
換した純水を処理槽外へ排出する際の部分的な流速を速
める手段を設けたことを特徴とする薬液置換装置。 - 【請求項２】 前記流速を速める手段は、排出領域の面
積を小さくする遮蔽手段であることを特徴とする請求項
１に記載の薬液置換装置。 - 【請求項３】 前記流速を速める手段は、薬液を置換し
た純水を強制的に処理槽外へ排出するための排出ノズル
であることを特徴とする請求項１に記載の薬液置換装
置。 - 【請求項４】 前記遮蔽手段又は前記ノズルは揺動可能
なものであることを特徴とする請求項２又は３に記載の
薬液置換装置。 - 【請求項５】 内部に被処理物を設置すべき処理槽内に
その下部より供給された純水をその上部よりオーバーフ
ローさせて排出することにより前記処理槽内部の薬液の
置換を少なくとも行う薬液置換装置において、薬液を置
換した純水を処理槽外へ排出する際の流速を経時的に変
化させる手段を設けたことを特徴とする薬液置換装置。 - 【請求項６】 内部に被処理物を設置すべき処理槽内に
その下部より供給された純水をその上部よりオーバーフ
ローさせて排出することにより前記処理槽内部の薬液の
置換を行う薬液置換方法において、薬液を置換した純水
を処理槽外へ排出する際に部分的な流速を速めることを
特徴とする薬液置換方法。 - 【請求項７】 内部に被処理物を設置すべき処理槽内に
その下部より供給された純水をその上部よりオーバーフ
ローさせて排出することにより前記処理槽内部の薬液の
置換を行う薬液置換方法において、薬液を置換した純水
を処理槽外へ排出する際に流速を経時的に変化させるこ
とを特徴とする薬液置換方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9171699A JPH1116868A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
| US09/105,029 US6159303A (en) | 1997-06-27 | 1998-06-25 | Liquid displacement apparatus and liquid displacement method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9171699A JPH1116868A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116868A true JPH1116868A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15928049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9171699A Pending JPH1116868A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6159303A (ja) |
| JP (1) | JPH1116868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014011463A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Taiwan Uyemura Co Ltd | 微細気泡式処理装置 |
| CN111570380A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6360756B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Wafer rinse tank for metal etching and method for using |
| FR2797405B1 (fr) * | 1999-08-12 | 2001-10-26 | Coillard Sa Ets | Bac de rincage a liquide ultra propre |
| DE102005015758A1 (de) * | 2004-12-08 | 2006-06-14 | Astec Halbleitertechnologie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von in einer Ätzlösung aufgenommenen Substraten |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19517573C2 (de) * | 1995-05-12 | 2000-11-02 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Naßbehandlung von Substraten in einem Behälter |
| KR0179784B1 (ko) * | 1995-12-19 | 1999-04-15 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
| US5673713A (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-07 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP9171699A patent/JPH1116868A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-25 US US09/105,029 patent/US6159303A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014011463A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Taiwan Uyemura Co Ltd | 微細気泡式処理装置 |
| CN111570380A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6159303A (en) | 2000-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2004009879A1 (ja) | めっき装置 | |
| JPH09283488A (ja) | 半導体ウェハ洗浄装置 | |
| KR19990003266A (ko) | 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법 | |
| JPH1116868A (ja) | 薬液置換装置及び薬液置換方法 | |
| JPH11111663A (ja) | 薬液処理装置および薬液処理方法 | |
| JP2000082691A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2000100761A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2000183024A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0254800A (ja) | 半導体基板の洗浄方法および装置 | |
| JPH08195372A (ja) | 洗浄装置およびその方法 | |
| JPH1050654A (ja) | ウェーハ処理装置 | |
| JPH05166787A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄リンス槽 | |
| JPS5848423A (ja) | 洗浄槽 | |
| JPH11238704A (ja) | 半導体基板の配線溝メッキ方法およびメッキ装置 | |
| JPH10242105A (ja) | ウェット処理装置 | |
| KR0179781B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 | |
| JPH11319736A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| JPH10135175A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| JPH10172947A (ja) | 単槽式洗浄方法およびその装置 | |
| KR0161865B1 (ko) | 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치 | |
| KR200153811Y1 (ko) | 반도체 장치의 케미컬 베스 | |
| JPH10189524A (ja) | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 | |
| KR19980065667A (ko) | 습식 세정장치의 세정조 | |
| JP2000031103A (ja) | 洗浄方法、洗浄液置換方法、洗浄装置並びに洗浄槽 | |
| JP2000183005A (ja) | ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040617 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040617 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060303 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070508 |