CN111570380A - 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 - Google Patents
槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111570380A CN111570380A CN202010566171.6A CN202010566171A CN111570380A CN 111570380 A CN111570380 A CN 111570380A CN 202010566171 A CN202010566171 A CN 202010566171A CN 111570380 A CN111570380 A CN 111570380A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- tank
- bubble
- cleaning tank
- protection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/045—Cleaning involving contact with liquid using perforated containers, e.g. baskets, or racks immersed and agitated in a liquid bath
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种槽式清洗设备的过泡保护装置和过泡保护方法,该过泡保护装置设置于所述槽式清洗设备中,包括托举机构和排液机构,其中,托举机构可升降的设置在槽式清洗设备的清洗槽中,用于带动被清洗件升降;排液机构与清洗槽连接,用于排出清洗槽中的液体。本发明实施例提供的槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法的技术方案,适用范围较大,尤其适用于盛放高温高浓的化学药液的清洗槽,而且可以显著减少过泡造成的过刻蚀现象。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体地,涉及一种槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法。
背景技术
槽式清洗设备,其通过传送批量晶圆依次浸泡在化学药液槽、水槽和干燥槽中,来实现批量晶圆的清洗工艺。槽式清洗设备主要使用的药液可以根据工艺浓度和温度分为两类,一类为低温稀释的药液,如:HF(Hydrofluoric Acid,氟化氢酸)和BOE(Buffered OxideEtch,缓冲氧化物刻蚀液);一类为高温高浓药液,如SPM(Sulfuric acid PeroxideMixture,硫酸双氧水混合液,工艺温度在125℃附近)和H3PO4(工艺温度在160℃附近)。工艺药液往往对工艺时间相对敏感。在这样的背景下,槽式清洗设备的工艺过泡问题不可忽视。工艺过泡是指晶圆超过预定工艺时间而未离开特定清洗槽,这往往会给晶圆的清洗工艺带来不可逆的颠覆性后果,因此工艺过泡保护工艺机制的完善和提高,可以显著改善槽式清洗设备的工艺安全性和稳定性。
现有的晶圆保护装置是通过快速排放低温稀释的化学药液,并利用DIW(De-Ionized Water,去离子水)或UPW(Ultra-Pure Water,超纯水)多次冲洗晶圆、用于承载晶圆的花篮及清洗槽的槽体,以在短时间内降低晶圆表面刻蚀物的浓度,从而减少在清洗槽中的晶圆因过泡引发的过刻蚀现象(这种现象在湿法工艺中称为“过泡”),如应用在HF(Hydrofluoric Acid,氟化氢酸)槽,BOE(Buffered Oxide Etch,缓冲氧化物刻蚀液)槽等。
但是,现有的晶圆保护装置只能对低温稀释的药液进行多次清洗,而由于高温高浓度的药液无法直接排放出去,只能排放至冷却槽中,这导致现有的晶圆保护装置无法实现多次DIW或UPW冲洗;而且,由于高温高浓的化学药液存在水合放热反应,例如SPM(Sulfuric acid Peroxide Mixture,硫酸双氧水混合液),其与水接触后温度会急剧升高,这也导致高浓高温化学药液清洗槽无法适用现有的晶圆保护装置。另外,由于高温高浓的化学药液的排放速度较慢,这也会加重晶圆的过泡情况。
发明内容
本发明实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法,其适用范围较大,尤其适用于盛放高温高浓的化学药液的清洗槽,而且可以显著减少过泡造成的过刻蚀现象。
为实现上述目的,本发明实施例提供了一种槽式清洗设备的过泡保护装置,设置于所述槽式清洗设备中,所述过泡保护装置包括托举机构和排液机构,其中,
所述托举机构可升降的设置在所述槽式清洗设备的清洗槽中,用于带动被清洗件升降;
所述排液机构与所述清洗槽连接,用于排出所述清洗槽中的液体。
可选的,所述托举机构包括用于支撑所述被清洗件的支撑板,所述支撑板的板面上设置有镂空部,用于实现所述支撑板的排液;所述镂空部为多个,且呈网格状分布。
可选的,所述支撑板包括至少两个支撑底板,所述支撑底板用于支撑所述被清洗件底部,两个所述支撑底板相对接,形成朝向所述被清洗件的凹陷部,以减小所述被清洗件与所述支撑板的接触面积。
可选的,相对接的两个所述支撑底板呈指定夹角,所述指定夹角小于180°。
可选的,每个所述支撑底板上还设置有限位结构,用于限定所述被清洗件在所述支撑板上的位置。
可选的,所述托举机构还包括连接部件和驱动源,其中,所述驱动源设置在所述清洗槽的外部,所述连接部件分别与所述驱动源和所述支撑板连接;所述驱动源用于通过所述连接部件驱动所述支撑板升降。
可选的,所述过泡保护装置还包括喷淋机构,所述喷淋机构设置在所述清洗槽的上方,用于朝向所述被清洗件喷淋稀释液体;
所述喷淋机构包括至少两个喷头,至少两个所述喷头位于所述清洗槽顶部的相同高度位置处,且沿所述清洗槽的圆周方向间隔分布。
可选的,至少两个所述喷头的喷淋轨迹相交于所述被清洗件的顶部。
可选的,所述喷淋机构还包括角度调节组件,所述角度调节组件用于调节各所述喷头的喷淋方向。
可选的,所述排液机构包括管路组件,所述管路组件包括第一排液管路、第二排液管路和管路控制单元,其中,
所述第一排液管路分别与所述清洗槽和所述槽式清洗设备的冷却槽连接;
所述第二排液管路分别与所述清洗槽和厂务回收系统连接;
所述管路控制单元用于控制所述第一排液管路和第二排液管路的通断和切换。
可选的,所述清洗槽包括内槽和环绕在所述内槽周围的外槽;所述管路组件为两套,两套所述管路组件分别与所述内槽和所述外槽连接。
作为另一个技术方案,本发明实施例还提供一种过泡保护方法,采用本发明实施例提供的上述过泡保护装置,所述过泡保护方法在所述被清洗件过泡时被触发,以对所述被清洗件进行保护;所述过泡保护方法包括以下步骤:
S1,利用所述托举机构带动所述被清洗件自初始位置上升至指定高度位置处;以及,开启所述排液机构,以排出所述清洗槽中的液体;
S2、待所述清洗槽中的液体排空后,关闭所述排液机构,然后向所述清洗槽中注入第一稀释液体,并在所述清洗槽中的液体达到指定液位后,停止所述第一稀释液体的注入,并开启所述排液机构排空所述清洗槽中的液体;
S3、利用所述托举机构带动所述被清洗件下降至所述初始位置。
可选的,所述过泡保护方法采用权利要求7所述的过泡保护装置对所述被清洗件进行保护;在所述步骤S1之后,且在所述步骤S2之前,还包括:
开启所述喷淋机构,以朝所述被清洗件喷淋第二稀释液体,并且保持所述排液机构处于开启状态。
可选的,所述被清洗件包括晶圆和用于承载竖直放置的所述晶圆的花篮;
所述指定高度位置被设置为当所述托举机构带动所述花篮上升至所述指定高度位置时,所述清洗槽的液位自工艺液位下降至第一液位,且所述第一液位与所述晶圆在所述托举机构位于所述初始位置时的中心高度相平齐。
可选的,所述过泡保护方法采用权利要求10所述的过泡保护装置对所述被清洗件进行保护;
在所述步骤S1中,利用所述管路控制单元控制所述第一排液管路开启,所述第二排液管路关闭,以将所述清洗槽中的液体排入所述冷却槽中;
在所述步骤S2中,利用所述管路控制单元控制所述第二排液管路开启,所述第一排液管路关闭,以将所述清洗槽中的液体排入所述冷厂务回收系统。
本发明实施例的有益效果:
本发明实施例提供的槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法的技术方案,其通过配合使用托举机构和排液机构,可以在被清洗件过泡时利用托举机构带动被清洗件上升,并利用排液机构排出清洗槽中的液体,可以有效减少清洗槽内的被清洗件与化学药液的接触时间,从而减少了过泡造成的过刻蚀现象,避免被清洗件遭受严重损失;而且,本发明实施例提供的过泡保护装置能够适用于多种化学药液的清洗槽,适用范围较大,尤其适用于盛放高温高浓的化学药液的清洗槽。
附图说明
图1为本发明实施例提供的槽式清洗设备的过泡保护装置的结构图;
图2A为本发明实施例采用的支撑板的俯视图;
图2B为本发明实施例采用的支撑板的侧视图;
图3为本发明实施例采用的喷淋机构的喷淋方向的示意图;
图4为本发明实施例提供的过泡保护方法的流程框图;
图5为本发明实施例中被清洗件与清洗槽的液位的高度示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例提供的槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法进行详细描述。
请参阅图1,本发明实施例提供的槽式清洗设备的过泡保护装置,其设置在槽式清洗设备中,用于在该槽式清洗设备的清洗槽1中的被清洗件出现过泡时对该被清洗件进行保护,避免被清洗件因过刻蚀而损坏。在本实施例中,被清洗件以晶圆4为例,其通常使用花篮5承载,在清洗过程中,花篮5连同晶圆4一同放入清洗槽1中,并且,晶圆4竖直放置在花篮5中。
在本实施例中,过泡保护装置包括托举机构和排液机构,其中,托举机构可升降的设置在清洗槽1中,用于带动花篮5及其承载的晶圆4升降。可选的,托举机构的初始位置可以设定在清洗槽1的槽底。
请一并参阅图2A和图2B,该托举机构包括用于支撑花篮5的支撑板21,该支撑板21的板面上设置有镂空部,用于实现支撑板21的排液,即,使支撑板21的板面上的液体能够通过镂空部快速排出,减少支撑板21受到的阻力。可选的,镂空部为多个,且呈网格状分布,如图2A所示。当然,在实际应用中,镂空部还可以采用其他任意结构,只要能够实现支撑板21的排液即可。
在本实施例中,支撑板21包括至少两个支撑底板,如图2A和图2B所示,支撑板21包括两个支撑底板(21a,21b),支撑底板用于支撑花篮5底部,两个支撑底板(21a,21b)相对接,形成朝向花篮5的凹陷部211,以减小花篮5与支撑板21的接触面积。这样,既可以在花篮5与支撑板21之间留出足够大小的缝隙,以使板面上的清洗液从缝隙快速排出,又可以减少支撑板21与花篮5底部之间的接触面积,从而可以减少花篮5的清洗盲区;此外,通过形成朝向花篮5的凹陷部211,可以起到对花篮5的限动作用,即,花篮5能够在自身重力的反作用力的水平分量的作用下,被限定在支撑板21上,避免在支撑板21升降的过程中,花篮5出现偏移、滑落等现象。
在本实施例中,如图2A和图2B所示,相对接的两个支撑底板(21a,21b)的交线为O,且呈指定夹角a,该指定夹角a小于180°以起到对花篮5的限动作用。在实际应用中,根据不同的清洗槽和被清洗件的结构或尺寸,来设定不同的指定夹角a,例如,指定夹角a可以为120°、150°或者170°等等。
另外,在本实施例中,支撑板21的整体厚度一致,但是本发明实施例并不局限于此,在实际应用中,也可以使支撑板21的厚度自上述交线O向两侧边缘逐渐增大,这同样可以形成上述凹陷部。
可选的,在每个支撑底板上还设置有限位结构,用于限定花篮5在支撑板21上的位置,这样可以进一步提高支撑板21支撑花篮5的稳固性。例如,如图2A所示,在支撑板21的支撑面上设置有两个限位槽212,且在花篮5的底部设置有两个限位凸部(图未示),二者在花篮5置于支撑板21上时分别插入两个限位槽212中,以实现对花篮5的限位。当然,在实际应用中,限位结构并不局限于本实施例采用的上述限位槽212,还可以采用其他任意结构。
在本实施例中,如图1至图2B所示,托举机构还包括连接部件22和驱动源23,其中,驱动源23设置在清洗槽1的外部,连接部件22分别与驱动源23和支撑板21连接;驱动源23用于通过连接部件22驱动支撑板21升降。具体的,连接部件22为一平板,且竖直设置,这样可以避免对清洗工艺中流体的流动特性产生影响。
可选的,连接部件22的下端可以采用诸如螺栓连接、卡接等的可拆卸连接的方式与支撑板21连接,或者也可以采用诸如焊接、过盈配合等的不可拆卸的方式连接,或者还可以使支撑板21与连接部件22一体成型。
可选的,上述支撑件21和连接部件22均采用诸如石英或塑料等的耐腐蚀和耐高温的材料制作。
可选的,上述驱动源23可以为可直接驱动连接部件22升降的直线驱动源,例如直线电机、直线气缸等等。或者,上述驱动源24也可以包括旋转电机和传动组件,该旋转电机通过传动组件驱动连接部件22升降,该传动组件例如为丝杠和螺母。
在一些实施例中,过泡保护装置还包括喷淋机构,该喷淋机构设置在清洗槽1的上方,用于朝向晶圆4喷淋稀释液体。该稀释液体例如为DIW(De-Ionized Water,去离子水)或UPW(Ultra-Pure Water,超纯水)等等。
借助上述喷淋机构,可以在上述托举机构带动花篮5上升至指定高度位置处时,朝向花篮5及其上的晶圆4进行喷淋,从而可以起到冲洗晶圆的作用,以降低晶圆表面刻蚀物的浓度。
在本实施例中,如图3所示,喷淋机构包括两个喷头31,两个喷头31位于清洗槽1顶部的相同高度位置处,且相对设置在晶圆4的两侧。可选的在托举机构带动花篮5上升至指定高度位置处(如图3中花篮5所在位置)时,两个喷头31的喷淋轨迹31a相交于晶圆4的顶部(如图3中的位置41处)。这样,可以使喷淋在晶圆4上的稀释药液能够尽可能地覆盖整个晶圆4,从而可以提高喷淋效果。
需要说明的是,在本实施例中,喷头31为两个,但是本发明并不局限于此,在实际应用中,根据实际需要,喷头31还可以为三个以上,且沿清洗槽1的圆周方向间隔分布。
如图3所示,喷淋机构还包括角度调节组件(图未示),该角度调节组件用于调节各喷头31的喷淋方向。借助角度调节组件,可以在托举机构带动花篮5升降至不同的高度位置时,均能够有效地对晶圆进行喷淋。在实际应用中,上述角度调节组件可以采用手动调节或自动调节。
如图1所示,排液机构与清洗槽1连接,用于排出该清洗槽1中的液体。下面以清洗槽1包括内槽12和环绕在该内槽12周围的外槽11为例,对排液机构的结构进行详细说明。具体的,排液机构包括两套管路组件(6,6’),两套管路组件(6,6’)分别与内槽12和外槽11连接,用以分别排出内槽12和外槽11中的液体。
每套管路组件均包括第一排液管路61、第二排液管路62和管路控制单元(图未示),其中,以内槽12为例,第一排液管路61分别与内槽12和槽式清洗设备的冷却槽7连接;第二排液管路62分别与内槽12和厂务回收系统8连接;管路控制单元用于控制第一排液管路61和第二排液管路62的通断和切换。借助管路控制单元,可以实现选择性地使内槽12中的液体能够通过第一排液管路61排入冷却槽7,或者通过第二排液管路62排入厂务回收系统8。这样,本实施例提供的过泡保护装置能够适用于多种化学药液的清洗槽,适用范围较大,尤其适用于盛放高温高浓的化学药液的清洗槽。
作为另一个技术方案,请一并参阅图4和图5,本发明实施例还提供一种过泡保护方法,其采用本发明实施例提供的上述过泡保护装置,该过泡保护方法在被清洗件(例如晶圆)过泡时被触发,以对被清洗件进行保护。
以图1至图3所示的过泡保护装置对晶圆4进行保护为例,该过泡保护方法包括以下步骤:
S1,利用托举机构带动花篮5自初始位置上升至指定高度位置处;以及,开启排液机构,以排出清洗槽1中的液体。
在本实施例中,如图4所示,假设水平方向为X方向,竖直方向为Y方向,上述初始位置O1为托举机构位于清洗槽1底部的最低位置,可选的,在该初始位置O1处,支撑板21的底部与清洗槽1的底面相接触,以减少对清洗工艺时流体特征的影响。
在上述步骤S1中,上述指定高度位置被设置为当托举机构带动花篮5上升至该指定高度位置时,清洗槽1的液位自工艺液位y2(此时,图1中内槽12的液位位于液位C,而外槽11的液位位于液位E)下降至第一液位y1,且该第一液位y1与晶圆4在托举机构位于上述初始位置O1时的中心高度相平齐。也就是说,当托举机构位于上述初始位置O1时,清洗槽1的工艺液位y2与初始位置O1之间的距离为H;当托举机构带动花篮5上升至该指定高度位置时,清洗槽1的液位的下降量为H1。
当开启排液机构之后,清洗槽1中的液体排出,在此过程中,清洗槽1的液位自第一液位y1下降至图1中内槽12的指定液位B,即,清洗槽1中的液体排出,清洗槽1的液位的下降量为H2,显然,H2+H1=H。
上述步骤S1利用上述托举机构和排液结构相配合,可以有效减少清洗槽内的被清洗件与化学药液的接触时间,从而减少了过泡造成的过刻蚀现象,避免被清洗件遭受严重损失。
对于盛放高温高浓的化学药液的清洗槽,在上述步骤S1中,利用管路控制单元用于控制第一排液管路61开启,第二排液管路62关闭,以将清洗槽1(包括内槽12和外槽11)中的液体排入冷却槽7中。
S2、待清洗槽1中的液体排空(如图1所示,内槽12的液位下降至液位A,而外槽11的液位下降液位D)后,关闭排液机构,然后向清洗槽1中注入第一稀释液体,并在清洗槽1中的液体达到指定液位后,停止第一稀释液体的注入,并开启排液机构排空清洗槽1中的液体。
第一稀释液体例如为DIW(De-Ionized Water,去离子水)或UPW(Ultra-PureWater,超纯水)等等。
在上述步骤S2中,经由进液口121向内槽12中注入上述第一稀释液体,待内槽12中的液体溢流至外槽11中,并使外槽11的液位达到冲洗液位F时,停止第二稀释液体的注入,并开启排液机构排空清洗槽1中的液体。
可选的,为了避免清洗槽中稀释后的液体大量排入冷却槽7中,无效占用冷却槽7的容积,在步骤S2中,利用管路控制单元控制第二排液管路62开启,第一排液管路61关闭,以将清洗槽1(包括内槽12和外槽11)中的液体排入冷厂务回收系统8。
可选的,上述步骤S2可以连续进行至少两次。
S3、利用托举机构带动花篮5下降至初始位置O1。
可选的,在上述步骤S1之后,且在上述步骤S2之前,还包括:
开启喷淋机构,以朝晶圆4喷淋第二稀释液体,并且保持排液机构处于开启状态。
该第二稀释液体例如为DIW(De-Ionized Water,去离子水)或UPW(Ultra-PureWater,超纯水)等等。
可选的,上述喷淋步骤可以连续进行至少两次。
上述喷淋步骤可以在上述托举机构带动花篮5上升至指定高度位置处时,朝向花篮5及其上的晶圆4进行喷淋,从而可以起到冲洗晶圆的作用,以降低晶圆表面刻蚀物的浓度。
综上所述,本发明实施例提供的槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法的技术方案,其通过配合使用托举机构和排液机构,可以在被清洗件过泡时利用托举机构带动被清洗件上升,并利用喷淋机构朝被清洗件喷淋第一稀释液体,以及利用排液机构排出清洗槽中的液体,可以有效减少清洗槽内的被清洗件与化学药液的接触时间,从而减少了过泡造成的过刻蚀现象,避免被清洗件遭受严重损失;而且,本发明实施例提供的过泡保护装置能够适用于多种化学药液的清洗槽,适用范围较大,尤其适用于盛放高温高浓的化学药液的清洗槽。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种槽式清洗设备的过泡保护装置,设置于所述槽式清洗设备中,其特征在于,所述过泡保护装置包括托举机构和排液机构,其中,
所述托举机构可升降的设置在所述槽式清洗设备的清洗槽中,用于带动被清洗件升降;
所述排液机构与所述清洗槽连接,用于排出所述清洗槽中的液体。
2.根据权利要求1所述的过泡保护装置,其特征在于,所述托举机构包括用于支撑所述被清洗件的支撑板,所述支撑板的板面上设置有镂空部,用于实现所述支撑板的排液;所述镂空部为多个,且呈网格状分布。
3.根据权利要求2所述的过泡保护装置,其特征在于,所述支撑板包括至少两个支撑底板,所述支撑底板用于支撑所述被清洗件底部,两个所述支撑底板相对接,形成朝向所述被清洗件的凹陷部,以减小所述被清洗件与所述支撑板的接触面积。
4.根据权利要求3所述的过泡保护装置,其特征在于,相对接的两个所述支撑底板呈指定夹角,所述指定夹角小于180°。
5.根据权利要求2所述的过泡保护装置,其特征在于,每个所述支撑底板上还设置有限位结构,用于限定所述被清洗件在所述支撑板上的位置。
6.根据权利要求2所述的过泡保护装置,其特征在于,所述托举机构还包括连接部件和驱动源,其中,所述驱动源设置在所述清洗槽的外部,所述连接部件分别与所述驱动源和所述支撑板连接;所述驱动源用于通过所述连接部件驱动所述支撑板升降。
7.根据权利要求1所述的过泡保护装置,其特征在于,所述过泡保护装置还包括喷淋机构,所述喷淋机构设置在所述清洗槽的上方,用于朝向所述被清洗件喷淋稀释液体;
所述喷淋机构包括至少两个喷头,至少两个所述喷头位于所述清洗槽顶部的相同高度位置处,且沿所述清洗槽的圆周方向间隔分布。
8.根据权利要求7所述的过泡保护装置,其特征在于,至少两个所述喷头的喷淋轨迹相交于所述被清洗件的顶部。
9.根据权利要求7或8所述的过泡保护装置,其特征在于,所述喷淋机构还包括角度调节组件,所述角度调节组件用于调节各所述喷头的喷淋方向。
10.根据权利要求1所述的过泡保护装置,其特征在于,所述排液机构包括管路组件,所述管路组件包括第一排液管路、第二排液管路和管路控制单元,其中,
所述第一排液管路分别与所述清洗槽和所述槽式清洗设备的冷却槽连接;
所述第二排液管路分别与所述清洗槽和厂务回收系统连接;
所述管路控制单元用于控制所述第一排液管路和第二排液管路的通断和切换。
11.根据权利要求10所述的过泡保护装置,其特征在于,所述清洗槽包括内槽和环绕在所述内槽周围的外槽;所述管路组件为两套,两套所述管路组件分别与所述内槽和所述外槽连接。
12.一种过泡保护方法,其特征在于,采用权利要求1-11任一项所述的过泡保护装置,所述过泡保护方法在所述被清洗件过泡时被触发,以对所述被清洗件进行保护;所述过泡保护方法包括以下步骤:
S1,利用所述托举机构带动所述被清洗件自初始位置上升至指定高度位置处;以及,开启所述排液机构,以排出所述清洗槽中的液体;
S2、待所述清洗槽中的液体排空后,关闭所述排液机构,然后向所述清洗槽中注入第一稀释液体,并在所述清洗槽中的液体达到指定液位后,停止所述第一稀释液体的注入,并开启所述排液机构排空所述清洗槽中的液体;
S3、利用所述托举机构带动所述被清洗件下降至所述初始位置。
13.根据权利要求12所述的过泡保护方法,其特征在于,所述过泡保护方法采用权利要求7所述的过泡保护装置对所述被清洗件进行保护;在所述步骤S1之后,且在所述步骤S2之前,还包括:
开启所述喷淋机构,以朝所述被清洗件喷淋第二稀释液体,并且保持所述排液机构处于开启状态。
14.根据权利要求12所述的过泡保护方法,其特征在于,所述被清洗件包括晶圆和用于承载竖直放置的所述晶圆的花篮;
所述指定高度位置被设置为当所述托举机构带动所述花篮上升至所述指定高度位置时,所述清洗槽的液位自工艺液位下降至第一液位,且所述第一液位与所述晶圆在所述托举机构位于所述初始位置时的中心高度相平齐。
15.根据权利要求12所述的过泡保护方法,其特征在于,所述过泡保护方法采用权利要求10所述的过泡保护装置对所述被清洗件进行保护;
在所述步骤S1中,利用所述管路控制单元控制所述第一排液管路开启,所述第二排液管路关闭,以将所述清洗槽中的液体排入所述冷却槽中;
在所述步骤S2中,利用所述管路控制单元控制所述第二排液管路开启,所述第一排液管路关闭,以将所述清洗槽中的液体排入所述冷厂务回收系统。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010566171.6A CN111570380B (zh) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010566171.6A CN111570380B (zh) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111570380A true CN111570380A (zh) | 2020-08-25 |
CN111570380B CN111570380B (zh) | 2022-07-19 |
Family
ID=72114735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010566171.6A Active CN111570380B (zh) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111570380B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116673249A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-09-01 | 无锡中环应用材料有限公司 | 一种单晶硅切片生产用清洗系统及其清洗工艺 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6072234A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ−の水洗装置 |
JPH1116868A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
KR100646415B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2006-11-15 | 세메스 주식회사 | 반도체 세정 설비의 기판 가이드 |
CN103871938A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-06-18 | 上海华力微电子有限公司 | 用于清洗半导体晶圆的清洗槽 |
CN104658886A (zh) * | 2013-11-22 | 2015-05-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 晶圆清洗的机制 |
CN206179841U (zh) * | 2016-10-28 | 2017-05-17 | 北京南轩兴达电子科技有限公司 | 自动硅料清洗装置 |
CN207719161U (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-10 | 德淮半导体有限公司 | 一种快排溢流清洗槽 |
CN209487474U (zh) * | 2019-04-03 | 2019-10-11 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆清洗机台 |
CN110416066A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 清洗方法和清洗设备 |
TWM589363U (zh) * | 2019-11-08 | 2020-01-11 | 弘塑科技股份有限公司 | 晶圓清洗乾燥裝置 |
CN110813864A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆的清洗组件、清洗设备及清洗方法 |
-
2020
- 2020-06-19 CN CN202010566171.6A patent/CN111570380B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6072234A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ−の水洗装置 |
JPH1116868A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
KR100646415B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2006-11-15 | 세메스 주식회사 | 반도체 세정 설비의 기판 가이드 |
CN104658886A (zh) * | 2013-11-22 | 2015-05-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 晶圆清洗的机制 |
CN103871938A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-06-18 | 上海华力微电子有限公司 | 用于清洗半导体晶圆的清洗槽 |
CN206179841U (zh) * | 2016-10-28 | 2017-05-17 | 北京南轩兴达电子科技有限公司 | 自动硅料清洗装置 |
CN207719161U (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-10 | 德淮半导体有限公司 | 一种快排溢流清洗槽 |
CN209487474U (zh) * | 2019-04-03 | 2019-10-11 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆清洗机台 |
CN110416066A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 清洗方法和清洗设备 |
TWM589363U (zh) * | 2019-11-08 | 2020-01-11 | 弘塑科技股份有限公司 | 晶圓清洗乾燥裝置 |
CN110813864A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆的清洗组件、清洗设备及清洗方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116673249A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-09-01 | 无锡中环应用材料有限公司 | 一种单晶硅切片生产用清洗系统及其清洗工艺 |
CN116673249B (zh) * | 2023-06-19 | 2024-01-26 | 无锡中环应用材料有限公司 | 一种单晶硅切片生产用清洗系统及其清洗工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111570380B (zh) | 2022-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3502947B2 (ja) | 半導体の超微粒子洗浄装置 | |
KR101467974B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세척 방법 및 장치 | |
CN110813864B (zh) | 晶圆的清洗组件、清洗设备及清洗方法 | |
JP2003007664A (ja) | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 | |
CN111095512B (zh) | 清洗半导体硅片的方法及装置 | |
CN113851398A (zh) | 晶圆干燥装置、半导体清洗设备及晶圆干燥方法 | |
CN111570380B (zh) | 槽式清洗设备的过泡保护装置及过泡保护方法 | |
CN111790663A (zh) | 晶圆清洗装置及晶圆清洗机 | |
CN214976106U (zh) | 一种用于硅片的预清洗设备 | |
KR101011872B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
CN112802780A (zh) | 多功能酸洗台装置 | |
KR20080009838A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
CN216420554U (zh) | 一种锗晶片清洗水槽 | |
JP6751421B2 (ja) | ウェーハ洗浄装置及びそれを用いたウェーハ洗浄装置のクリーニング方法 | |
CN214313143U (zh) | 多功能酸洗台装置 | |
KR100797082B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102620707B1 (ko) | 액막 형성 장치 및 이를 포함하는 액 처리 장치 및 기판 처리 설비 | |
US20240203761A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating system including the same | |
KR100809591B1 (ko) | 매엽식 기판 세정 방법 | |
KR200387071Y1 (ko) | 웨이퍼 에칭장치 | |
KR100678368B1 (ko) | 웨이퍼 에칭장치 | |
JP2000005710A (ja) | 基板洗浄装置 | |
CN114695161A (zh) | 一种半导体设备 | |
KR20040032200A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 및 건조장치와 이를 이용한 세정 및건조방법 | |
KR100799069B1 (ko) | 웨이퍼 식각장치 및 식각방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |